【課題】 大口径の窒化物単結晶基板を得ることができる窒化物単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】 気相成長法によって種基板５にバルク状の窒化物単結晶体７を作製する窒化物単結晶体の製造方法であって、種基板５を加熱する工程と、種基板５を回転させながら、種基板５に対して平行または傾斜する方向Ａから原料ガスを種基板５に供給し、前記種基板となす角度が前記方向Ａと異なる方向Ｂから原料ガスと同一の原料ガスを種基板５に供給する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】支持基板の上に結晶性及び平坦性が高い窒素とガリウムを含む半導体層を有する半導体ウェハを提供する。
【解決手段】支持基板１と、上面２ｂが少なくとも単結晶となっているIII族窒化物系半導体の第１の窒化物系半導体層２と、第１の窒化物系半導体層２の上面２ｂに設けられ、窒素とガリウムを含む第２の窒化物系半導体層３とを備える。 （もっと読む）

【課題】育成されるサファイア単結晶内部に気泡が含まれ難いサファイア単結晶育成装置を提供すること。
【解決手段】サファイア原料が充填される坩堝１と、坩堝の外周面を加熱する円筒状本体部30を有するカーボン製ヒータ３と、カーボン製断熱材料により構成されかつ坩堝とカーボン製ヒータが収容されて坩堝が保温される断熱空間部６と、断熱空間部底面60に設けられた開口部に嵌入された絶縁筒８と、絶縁筒内に挿入されかつ先端側が上記カーボン製ヒータに接続されたカーボン製ヒータ電極３とを備え、上記サファイア原料融液10から回転引き上げ法によりサファイア単結晶を製造するサファイア単結晶育成装置であって、上記絶縁筒８の内径とカーボン製ヒータ電極３の外径について、絶縁筒とヒータ電極の間で放電が発生しない関係に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高いＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）結晶を成長させる方法を提供する。
【解決手段】本Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶の成長方法は、下地基板１０を準備する工程と、Ａｌを含有したＧａ融液３への窒素の溶解５がされた溶液７を下地基板１０に接触させて、下地基板１０上に少なくとも１層のＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶２０を成長させる工程と、を備える。ここで、下地基板１０上に、第１層のＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶２１としてＡｌＮ結晶、第２層のＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶２２としてＡｌ_x2Ｇａ_1-x2Ｎ（０＜ｘ２＜１）結晶、第３層のＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶２３としてＧａＮ結晶を順次成長させることができる。 （もっと読む）

本発明は、化学気相成長法を用いて基板（１４）をコーティングするデバイス、特にダイヤモンド又はシリコンで基板をコーティングするデバイスであって、複数の細長い熱伝導体（２）から構成される熱伝導体アレイが、ハウジング（１０）内に提供され、前記熱伝導体が、第１の電極（１）と第２の電極（８）との間に延在し、熱伝導体（２）が、その一端に取り付けられた緊張装置によって個別にぴんと張った状態に保持されるデバイスに関する。熱伝導体（２）の寿命を延ばすために、本発明は、緊張装置が緊張ウェイト（Ｇ）を有する傾斜アーム（５）を備え、熱伝導体（２）が前記傾斜アームの第１の端部（Ｅ１）に取り付けられ、その第２の端部がほぼ水平軸（Ｈ）周りに枢動可能に装着されることを提案する。
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【課題】Ｇａ融液を用いる液相法において、融液に原料以外の不純物を添加することなく、また、結晶成長装置を大型化することなく、転位密度が低く結晶性が高いＧａＮ結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶の成長方法は、一主面１０ｍを有するＧａ_xＡｌ_yＩｎ_1-x-yＮ種結晶１０ａを含む基板１０を準備する工程と、基板１０の主面１０ｍにＧａ融液３に窒素の溶解５がされた溶液７を接触させて、１０５０℃以上１２５０℃以下の雰囲気温度下、２μｍ／ｈｒ以下の結晶成長速度で、主面１０ｍ上にＧａＮ結晶２０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

反応炉の上流部に位置させたハロゲン化コバルトを含む第１先駆物質、反応炉の下流部に位置させたゲルマニウムを含む第２先駆物質、反応炉の下流部に位置させた基板を不活性ガス雰囲気で熱処理して、基板上にｘが０．０１以上０．９９未満の値を有する単結晶体のＣｏ_ｘＧｅ_１−ｘナノワイヤが形成される。また、基板としてグラフェンまたは高配向熱分解性黒鉛基板を用い、基板上に対して垂直配向性を有し、均一なサイズの高密度ゲルマニウムコバルトナノワイヤ構造体を提供することにより、ゲルマニウムコバルトナノワイヤを電界放出エミッタとして、ゲルマニウムコバルトナノワイヤが形成された基板を電界放出ディスプレイの陰極パネルの透明電極として使用できる。 （もっと読む）

【課題】同一のＳｉＣ薄膜形成プロセスの進行中に、基板の前処理段階（昇温過程および高温過程）および基板上への薄膜の成長段階において、あるいは更に降温段階において、供給する炭化水素ガス種を瞬時に切り替えて、各段階に最適な種類の炭化水素ガスを供給できるＣＶＤによるＳｉＣ薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶の薄膜を成長させる基板１４を保持するサセプタ１２を内蔵したＣＶＤ反応容器１０、および該ＣＶＤ反応容器にそれぞれ接続されたＳｉ原料ガスの供給器２６および炭化水素ガスの供給器２８を備えたＳｉＣ薄膜形成装置において、上記炭化水素ガスの供給器は、それぞれ相互に独立して供給を制御可能な複数の炭化水素ガス源Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３に接続されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、貴金属酸化物、貴金属またはハロゲン化貴金属を前駆物質として用いて単結晶基板の表面に対して方向性を有する貴金属ナノワイヤ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】反応炉の前端部に配置した前駆物質と、反応炉の後端部に配置した半導体または不導体単結晶基板を、不活性ガスが流れる雰囲気下で熱処理して前記単結晶基板の表面に垂直または水平に成長する貴金属単結晶ナノワイヤ及びその製造方法。本発明は、触媒を使用しない気相輸送法を利用して貴金属ナノワイヤを製造することができ、その工程が簡単でかつ再現性があり、大量生産に適するメリットがある。製造されたナノワイヤは、欠陥や不純物を包含しない完璧な単結晶状態の高純度かつ高品質の貴金属ナノワイヤである。貴金属ナノワイヤは、単結晶基板の表面に対して特定の方向性を有し、その方向性及び配列を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】成長面内における膜質および内部応力などが均一にして、完全性の高い、直径１インチ（２.５４ｃｍ）以上の大面積の単結晶膜を得ることができるエピタキシャルダイヤモンド膜および自立したエピタキシャルダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】排気系５１、マスフローコントローラ５２を備え、装置中央部には、水冷台５３上部に設置された下地基板４０の上方に、直流電源５６が接続された平板型陰極５５が配置され、さらに、接地と浮動電位との切り替えが可能に構成された可動式のＭo製シャッタ５７を備えた平行平板型対向電極直流プラズマＣＶＤ装置５０において、平行平板型対向電極５５間に発生する直流プラズマを用いて、エピタキシャルダイヤモンド膜および自立したエピタキシャルダイヤモンド基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】昇華用原料として用いる炭化珪素と異なる多形を有すると共に、他種類の多形の炭化珪素の混入の少ない炭化珪素単結晶を実用的な成長レートで製造することができる炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器１０内の第一位置に第一の炭化珪素を含む昇華用原料４０を収容し、反応容器１０内の第二位置に、第一の炭化珪素よりも昇華温度が高く且つ第一の炭化珪素と異なる多形の第二の炭化珪素単結晶からなる種結晶５０を配置した状態で、下式（１）を満たすように反応容器１０を加熱することによって、昇華させた昇華用原料４０を、種結晶５０上に炭化珪素単結晶として再結晶化させる。・式（１）Ｔ１≧Ｔ２〔式（１）中、Ｔ１は、第一位置の温度（℃）を表し、Ｔ２は第二位置の温度（℃）を表す。〕 （もっと読む）

【課題】マイクロパイプの発生を抑制できる上に、更に昇華用原料として用いる炭化珪素と異なる多形を有すると共に、他種類の多形の炭化珪素の混入の少ない炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器１０内の第一位置に第一の炭化珪素を含む昇華用原料４０を収容し、第二位置に、第一の炭化珪素よりも昇華温度が高く且つ第一の炭化珪素と異なる多形の第二の炭化珪素単結晶からなる種結晶５０を配置した状態で、下式（１）を満たすように反応容器１０を加熱することによって、昇華用原料４０を種結晶５０上に再結晶化させ、加熱が、第一位置側に配置した第一加熱手段２１および第二位置側に配置した第二加熱手段２０を利用して実施される。・式（１）Ｔ１≧Ｔ２〔式（１）中、Ｔ１は、第一位置の温度（℃）を表し、Ｔ２は第二位置の温度（℃）を表す。〕 （もっと読む）

【課題】高純度で光学特性に優れた窒化アルミニウム単結晶基板を提供する。
【解決手段】無機ベース基板１１上に、第一の窒化アルミニウム単結晶層１２を成長させて、第一の積層体１５を製造し、第一の積層体１５から無機ベース基板１１を分離して窒化アルミニウム単結晶自立基板１６を準備する。前記窒化アルミニウム単結晶自立基板１６は、酸素濃度を、例えば、２．５×１０^１７ａｔｏｍ／ｃｍ^３を超え２．０×１０^１９ａｔｏｍ／ｃｍ^３以下とする。続いて、前記窒化アルミニウム単結晶自立基板１６の温度を１４００〜１９００℃の範囲に制御し、かつ、該窒化アルミニウム単結晶自立基板１６の窒素極性を有する面１４上に、ハロゲン化アルミニウムガス、および窒素源ガスを供給し、窒化アルミニウム単結晶層１７を成長させて積層体１８を製造し、該窒化アルミニウム単結晶自立基板１６を分離することにより、窒化アルミニウム単結晶基板１９を製造する。 （もっと読む）

【課題】 昇華用原料の表面部や底部に炭化珪素の多結晶が析出することをさらに効果的に抑制する。
【解決手段】炭化珪素単結晶の製造装置１は、黒鉛製坩堝１０と、黒鉛製坩堝１０の少なくとも側面を覆う石英管２０と、石英管２０の外周に配置された誘電加熱コイル３０とを有する。黒鉛製坩堝１０は、支持棒４０により、石英管２０の内部に固定される。黒鉛製坩堝１０は、断熱材１１で覆われている。黒鉛製坩堝１０は、反応容器本体５０と、蓋部６０とを有する。反応容器本体５０は、炭化珪素を含む種結晶７０と、種結晶７０の成長に用いられる昇華用原料８０とを収容する。黒鉛製坩堝１０内の底部には、断熱層９０が設けられる。断熱層９０は、黒鉛製坩堝１０の底部に密着する。昇華用原料８０は、断熱層９０の上に断熱層９０と接して配置される。 （もっと読む）

【課題】 炭化珪素単結晶の表面の炭化を防止しつつ、昇華用原料の底部に炭化珪素の多結晶が析出することを抑制する。
【解決手段】 炭化珪素単結晶の製造装置１では、黒鉛製坩堝１０の上下方向の断面視において、黒鉛製坩堝１０の上下方向の長さよりも誘電加熱コイル３０を長くし、反応容器本体５０の底部５２を誘電加熱コイル３０の中央部付近に配置したことにより、誘電加熱コイル３０によって自然に形成される温度分布における最高温度領域Ｓｔｍａｘを反応容器本体５０の底部５２に対応させている。炭化珪素単結晶の製造装置１は、昇華用原料８０が昇華するに連れて、黒鉛製坩堝１０内における最高温度領域Ｓｔｍａｘを黒鉛製坩堝１０の底部５１から種結晶７０と対向する昇華用原料８０の上面部８０ａに向けて変化させる。 （もっと読む）

【課題】Li濃度が極低濃度で、抵抗率の高い各種デバイス用酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】実質的にLiを含まない原料２６および鉱化材溶液を用いるとともに、過酸化物の存在化で酸素分圧を高めて水熱合成することにより、所望の酸化亜鉛単結晶を得る。過酸化物は、過酸化水素に代表される過酸化物を少なくても１種以上、分解で生じる酸素換算で鉱化材溶液に対し0.02〜0.5モル/リットルの範囲の濃度で加える。 （もっと読む）

【課題】 反りが少なくクラックが発生しない導電性の窒化物半導体結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 下地基板の上に、幅或いは直径ｓが１０μｍ〜１００μｍであるドット被覆部或いはストライプ被覆部を間隔ｗが２５０μｍ〜１００００μｍであるように並べたマスクを形成し、ＨＶＰＥ法によって成長温度が１０４０℃〜１１５０℃であって、５／３族比ｂが１〜１０であるような３族、５族原料ガスと、Ｓｉを含むガスとを供給することによって下地基板の上に窒化物半導体結晶を成長させ、下地基板を除去することによって、比抵抗ｒが０．００１５Ωｃｍ≦ｒ≦０．０１Ωｃｍ、厚みが１００μｍ以上、反りの曲率半径Ｕが３．５ｍ≦Ｕ≦８ｍの自立した導電性窒化物半導体基板を得る。 （もっと読む）

【課題】単結晶ナノ構造を基板の上に成長させる方法を提供する。
【解決手段】基板１の主表面上にパターン２を最初に形成する工程であって、パターン２は基板１の表面まで延びた開口部を有する工程と、パターン２の開口部中の、露出した主表面の上に、金属３を供給する工程と、開口部をアモルファス材料４で、少なくとも部分的に埋める工程と、アモルファス材料４と金属化合物３とを、３００℃と１０００℃の間の温度でアニールし、金属媒介結晶化により、アモルファス材料４を単結晶材料５に変える工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】６Ｈ型の結晶多形単一で形成される炭化ケイ素単結晶を製造する。
【解決手段】昇華用原料が昇華する温度Ｔ１まで坩堝が加熱された後、坩堝内の不活性雰囲気の圧力が大気圧よりも低い圧力Ｐ１まで減圧され、種結晶上に炭化ケイ素単結晶の凸面が形成されるまで圧力Ｐ１が維持される工程Ｓ１と、不活性雰囲気の圧力が圧力Ｐ１よりも上昇させられる工程Ｓ２と、工程Ｓ２の後、温度Ｔ１よりも高い温度Ｔ２まで坩堝が加熱された後、昇華用原料の昇華が始まるまで坩堝内の不活性雰囲気の圧力が減圧される工程Ｓ３とを有する。 （もっと読む）

【課題】 液相法によって所要機能を有するペロブスカイト酸化物薄膜を製造する方法、及びペロブスカイト酸化物薄膜を提供する。
【解決手段】 成膜対象のペロブスカイト酸化物を主成分とし、平均直径が略５ｎｍ以上略１５ｎｍ以下の適宜直径のナノ結晶粒子を所定溶媒中に分散させた分散液を調製し（ステップＳ１）、この分散液中に、対象電極としての所定材料の基板と対向電極とを浸漬させ、両電極間に所定の電圧を印加することによって前記基板の表面に前記ナノ結晶粒子を、乾燥時の厚さが数十ｎｍ〜数百ｎｍとなるように堆積させる（ステップＳ２）。そして、この基板を略４００℃以上略８００℃以下の適宜温度で焼成する（ステップＳ３）。 （もっと読む）