【課題】マイクロパイプ欠陥や界面欠陥等の発生が少ないとともに、幅広なテラスを有し表面の平坦度の高い、高品質、高性能な単結晶SiCの提供すること。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素基板の表面を改良するため、真空下で、約1200℃以上2300℃以下の温度で単結晶炭化ケイ素基板を加熱する。また、前記特長を有する単結晶炭化ケイ素基板と多結晶炭化ケイ素基板とを重ね、密閉容器内に設置して、高温熱処理を行うことによって、前記単結晶炭化ケイ素基板と前記多結晶炭化ケイ素基板との間に、熱処理中に極薄金属シリコン融液を介在させ、前記単結晶炭化ケイ素基板上に単結晶炭化ケイ素を液相エピタキシャル成長させる。好ましくは、前記加熱処理を、減圧下で約1600℃以上1800℃以下の範囲の所定の温度で行うことによって、成長する単結晶炭化ケイ素の表面の平坦度を制御する。 （もっと読む）

本発明は、核形成化合物でドープしたアルキルケテン二量体の表面を使用して、内在性膜タンパク質の結晶化を促進するためのデバイスを提供する。界面活性剤の存在下で内在性膜タンパク質の結晶化を高めるコーティングが、提供される。本発明の別の局面において、核形成化合物でドープしたアルキルケテン二量体の表面を作製して、内在性膜タンパク質の結晶化を促進する方法が提供される。本発明の別の局面において、核形成化合物でドープしたアルキルケテン二量体によりコーティングした表面を使用して、内在性膜タンパク質を結晶化する方法が提供される。
（もっと読む）