【課題】良質のＩＩＩ族窒化物半導体薄膜およびそれを用いたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】Ｃ３結晶軸に対して−０．１°〜０．９°のオフ角を有する（１−１０２）面（いわゆるｒ面）のサファイア基板１１０上に、サファイア基板１１０の温度を１１００℃〜１４００℃の範囲内に制御しつつ、トリメチルガリウムを２００〜５００μｍｏｌ／ｍｉｎの流量で導入することにより、サファイア基板１１０上に（１１−２０）面（いわゆるａ面）のＧａＮ層１２０をエピタキシャル成長させる。これにより良質のＩＩＩ族窒化物半導体薄膜（ａ面ＧａＮ層）を得る。また、そのＩＩＩ族窒化物半導体薄膜を基板としてＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を作成する。 （もっと読む）

【課題】 二硼化物単結晶から成る基板の表面の自然酸化膜を除去するとともに、基板の表面を特定の保護層で覆い、基板の表面の再酸化を抑制する表面処理方法を提供すること。
【解決手段】 基板の表面処理方法は、反応性イオンエッチング装置内に設置した化学式ＸＢ_２（ただし、ＸはＺｒ，Ｍｇ，Ａｌ及びＨｆのうち少なくとも１種を含む。）で表される二硼化物単結晶から成る基板１０に反応性ガスによってエッチング処理を施すことにより、基板１０の表面の自然酸化膜１１を除去するとともに、基板１０の表面に反応性ガスの成分とＸとの化合物から成る保護層１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度が低く、かつ反りの少ないIII族窒化物半導体基板を提供すること。
【解決手段】サファイア基板６１上に第一のＧａＮ層６２を成長させ、つづいて金属Ｔｉ膜６３を形成した後、窒化処理して、微細孔を有するＴｉＮ膜６４を形成する。その後、ＨＶＰＥ−ＧａＮ層６６を成長する。金属Ｔｉ膜６３およびＴｉＮ膜６４の作用により、ＨＶＰＥ−ＧａＮ層６６中には空隙部６５が形成される。この空隙部６５の箇所からサファイア基板６１を剥離除去する。 （もっと読む）

本発明は、ダイオード、ＬＥＤおよびトランジスタなどの多くの半導体デバイスに応用可能な窒化物半導体の成長に関する。本発明の方法によると、窒化物半導体のナノワイヤは、選択領域を成長させる技術をベースとする化学蒸着法（ＣＶＤ）を利用して成長する。ナノワイヤの成長工程中、窒素源と有機金属源とが存在し、少なくとも窒素源の流量はナノワイヤ成長工程中、連続して存在している。本発明の方法で利用されるＶ／III比は、一般的に窒化基半導体の成長に関連するＶ／III比より実質的に低い。
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【課題】ＧａＮを結晶成長させる場合でも、転移密度が低い良質なエピタキシャル結晶成長が可能なβ―Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる半導体基板、（１００）面の上にＧａＮが成長して形成されたエピタキシャル層を有するβ―Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる半導体基板、及び、これらのβ―Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】所定の面方位である（１００）面を有し、この（１００）面の表面層の酸素が除去されたことを特徴とするβ―Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる半導体基板とする。 （もっと読む）

【課題】フラックス法に基づいた結晶成長処理によって、バルク状の高品質な半導体結晶を容易に低コストで生産すること。
【解決手段】フラックス法に基づいて、３．７ＭＰａ、８７０℃の窒素（Ｎ₂ ）雰囲気下において、略同温のＧａ，Ｎａ及びＬｉの混合フラックスの中で、ＧａＮ単結晶２０を種結晶（ＧａＮ層１３）の結晶成長面から成長させる。この時、テンプレート１０の裏面は、サファイア基板１１のＲ面であるので、テンプレート１０は混合フラックスの中で裏面から溶解または腐食し易い。このため、テンプレート１０は、裏面側から徐々に溶解または腐食しつつ、徐々に分離又は消失されていく。ＧａＮ単結晶２０が例えば約５００μｍ以上の十分な膜厚にまで成長したら、引き続き坩堝の温度を８５０℃以上８８０℃以下に維持して、サファイア基板１１を混合フラックス中にて全て溶解させる。 （もっと読む）

【課題】改良レーリー法により炭化ケイ素単結晶を製造する際、単結晶成長後の清掃が容易であり、堆積物が反応容器上に落下することを防止することができる炭化ケイ素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素からなる原料を加熱して気化させ、該気化した原料を種結晶の表面に再結晶化させることにより炭化ケイ素単結晶を成長させる装置であって、炭化ケイ素からなる原料を収容するとともに種結晶を固定する反応容器１２と、反応容器を加熱し、該容器に収容された原料を気化させるための加熱手段１８と、反応容器を収容し、炭化ケイ素単結晶を成長させる際に反応容器から漏れた原料ガスを排出するための排気管２２を有する外側容器２０と、外側容器の内側において反応容器と排気管との間で着脱可能に配置され、反応容器から漏れた原料ガスを固化して捕集するための部材２４と、を備えることを特徴とする炭化ケイ素単結晶製造装置１０。 （もっと読む）

【課題】品質が向上し、かつ製造プロセスの簡易化を図ることができる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物層およびそれを用いた基板を提供する。
【解決手段】成長用基体１０上に、成長面に対して垂直な方向の成長速度が１０μｍ／ｈより大きくなるように第１の成長層２１を成長させる。次いで、成長面に対して垂直な方向の成長速度が１０μｍ／ｈ以下となるように第２の成長層２２を成長させる。第１の成長層２１の表面は荒れたものとなるが、それよりも小さな成長速度で第２の成長層２２を成長させることにより、第１の成長層２１の表面の窪みが埋められ、第２の成長層２２の表面が平坦化される。第１の成長層２１の表面の窪みを埋めるように横方向に成長が起こるため、第１の成長層２１から引き継がれた転位Ｄが表面の突部において横方向に屈曲し、第２の成長層２２の表面まで伝播される転位Ｄの密度が大きく低減され、１０⁶ 個／ｃｍ² オーダーとなる。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で任意の場所に金属ウィスカを発生させることができる金属ウィスカの製造方法を提供する。
【解決手段】基板（電極１２）の端面と少なくとも端面に連なる主面の一部とに金属のめっき層１３を形成し、基板（電極１２）のめっきされた主面に対し基板厚み方向に面圧を加えることにより、基板（電極１２）の端面側のめっき層１３表面に金属のウィスカ１５を形成する。金属は、ＳｎまたはＺｎの単金属、あるいはＳｎまたはＺｎを含む合金である。 （もっと読む）

【課題】単結晶の基板に含まれる転位が、基板上の成長層へ伝播することを抑えることができ、また成長層での新たな転位の発生を抑制することができる単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】単結晶の表面にアルカリエッチングによってエッチピットを形成する工程と、前記エッチピットを形成した表面に、熱酸化処理により酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜上に保護膜を形成する工程と、前記エッチピット外部の保護膜及び酸化膜を除去する工程と、前記保護膜を形成した面に、単結晶を成長させる工程と、を有する単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】作業時間とコストの増大を抑えた簡便な方法で、結晶欠陥密度の低いエピタキシャル膜を有する単結晶ウェハを製造すること。
【解決手段】ｎ型ＳｉＣ基板１上にｐ型エピタキシャル層２と第１のｎ型エピタキシャル層３を順次、成膜する。溶融ＫＯＨエッチング処理において、ｐ型層とｎ型層でエッチング速度が違うことを利用して、エピタキシャル層２，３中に括れ部６を有するエッチピット５を形成する。さらにエピタキシャル成長を行い、エッチピット５の底部をｐ型エピタキシャル層２中に空隙８として残したまま、エッチピット５を第２のｎ型エピタキシャル層７で埋めることによって、ＳｉＣ基板１から伸びる転位４を空隙８で止め、転位４がエピタキシャル層３，７中に伝播するのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】本発明はナノ板状構造のダイヤモンドを形成する方法、特に電気化学的方法を使用して六角形のナノ板状構造のダイヤモンドを形成する方法を提供する。
【解決手段】ナノ板状構造のダイヤモンドの形成方法は、多数の孔隙を有するナノ型板を提供するステップと、電気化学的方法を使用して、前記ナノ型板の孔隙でナノ板状構造のダイヤモンドを形成するステップと、前記ナノ型板を除去して、前記ナノ板状構造のダイヤモンドを分離するステップとを含む。既存の形成方法より均一な厚さと大きさを有するナノ板状構造のダイヤモンドを合成することができる。 （もっと読む）

【課題】ポリタイプの単一性に優れ、高い結晶品質を得ることができる半導体を容易に作成する。
【解決手段】 平滑面１０ａを研磨してスクラッチ傷を形成することにより、平滑面１０ａに多数の線状の凹部１０ｂ，１０ｂ，１０ｂ・・・を設ける。その後に近接昇華法により、ステップフロー成長を行う。凹部１０ｂ，１０ｂ，１０ｂ・・・の壁面が平滑面１０ａに対して切り立った角度で露出しているため、当該壁面を起点として原子を平滑面１０ａに沿った方向に吸着させることができる。すなわち、確実にステップフロー成長を行わせることができる。 （もっと読む）

【課題】ＳＣＡＭ（ＳｃＡｌＭｇＯ４：スカンジウム・アルミニウム・マグネシウム・オキサイド）結晶基板の簡便かつ安価な製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア（０００１）の薄膜成膜用基板１を真空チャンバー内に導入し、導入後に、パルスドレーザー蒸着法によって、フラックスをターゲットとして、薄膜成膜用基板１上にフラックスの薄膜２を作製し、その後スカンジウム（Ｓ）、アルミニウム（Ａ）及びマグネシウム（Ｍ）を含むＳＡＭ成分をターゲットとして、薄膜成膜用基板１をフラックスが溶融する温度で加熱しながら薄膜成膜用基板の薄膜上にＳＡＭ成分の薄膜３を積層して、ＳＣＡＭ単結晶膜４を有するＳＣＡＭ薄膜基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】安定性に優れたダイヤモンド電極、および低コストで該ダイヤモンド電極を製造する方法の提供。
【解決手段】ＣＶＤ工程を２０ｍＢａｒ未満の圧力および２％未満のメタン濃度になるように制御することにより、粒子サイズが１μｍ未満の多結晶ダイヤモンドからなる単一で均一な層を有し、５０％を超えるラマン品質を示すダイヤモンド電極を形成する。また、ＣＶＤ工程の前にナノサイズのダイヤモンドを種結晶として用いる工程を含む。 （もっと読む）

本発明は基板上のナノワイヤのエピタキシャル成長に関する。特に、本発明は触媒としてＡuを使用せずにＳi基板上のナノワイヤの成長に関する。本発明に基づく方法では、酸化物テンプレートを不活性化した基板表面に提供する。酸化物テンプレートは、その後のナノワイヤ成長のために複数の核形成開始位置を画定する。１つの実施例では、有機薄膜を酸化物テンプレートを形成するために使用する。
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【課題】転位欠陥の少ない良質の大口径面ウェハを、再現性良く製造し得るためのＳｉＣ単結晶育成用種結晶とＳｉＣ単結晶インゴット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶育成用種結晶として、結晶成長面１５に溝部１２を有する構造とし、溝部１２以外の結晶成長面１５に炭化珪素エピタキシャル薄膜１３を有することを特徴とする。該種結晶を用いて炭化珪素単結晶インゴットを昇華再結晶法により製造する。また、このインゴットから切り出した炭化珪素基板に炭化珪素エピタキシャル層を成長させてウエハとする。 （もっと読む）

【課題】 バルク炭化ケイ素単結晶の利用率の向上と素子特性の向上、さらに劈開性の向上を図ることができる炭化ケイ素単結晶ウェハの製造方法及びその製造方法により得られた炭化ケイ素単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】 表面が表面粗さ２ｎｍ以下のホモエピタキシャル成長面で（０００１）ｃ面からのオフ角が０．４度以下であることを特徴とするα型（六方晶）炭化ケイ素単結晶ウェハ。 （もっと読む）

本発明のナノ寸法クラスターを形成する方法は、クラスターを形成する材料を含む溶液を、基材材料中に含まれる天然または合成由来のナノ細孔中に導入すること、続いて該溶液をレーザー放射線パルスに、低温プラズマが発生し、そのプラズマが存在する領域で気体状媒体を形成するように露出することからなり、該プラズマが冷却して行く間に、液体基材上におけるクラスター材料の結晶化により、クラスター材料が純粋な材料に戻り、それによって、基材材料と接合された単結晶量子ドットを形成する。該方法により、異なった材料から、二または三次元的クラスター格子および互いに接合されたクラスターを形成することができる。本発明により、様々な材料から、基材ナノキャビティ中にワイヤを、およびガラスに塗布された有機材料中に分散した溶液微小滴から量子ドットを形成することもできる。 （もっと読む）

【課題】内部の結晶欠陥が低減されるとともに応力の緩和された窒化物半導体レーザ素子に適した窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体を含む窒化物半導体基板には、以下の（１）の転位集中領域、および（２）の低転位領域が含まれている。その上、かかる窒化物半導体基板の表面は、（０００１）面から０．２°〜１°の範囲のオフ角度を有している。
（１）ストライプ状の高密度の欠陥領域を底とするとともに、その底の両側にファセッ ト面から成る斜面を形成することでＶ字型とし、そのファセット面の斜面を維持 させながら成長させることにより、その斜面の下部に結晶欠陥を集中させること で、ストライプ状になり、さらに、種々の状態になっている転位集中領域
（２）転位集中領域を除く領域である低転位領域 （もっと読む）