【課題】基板表面のダイマー列に直交する分子列を有する基板の提供。
【解決手段】少なくとも１つのダングリングボンドを含む水素終端基板上に、チオール基または水酸基と前記基板を構成する元素との間で共有結合形成可能な基を含む分子を供給することにより、前記分子が、前記共有結合形成可能な基と基板を構成する元素との間の共有結合によって表面に配列して固定化された基板を製造する方法。表面に分子が固定化された基板。チオール基または水酸基と前記基板を構成する元素との間で共有結合形成可能な基を含む分子が、前記共有結合形成可能な基と基板を構成する元素との間の共有結合によって表面に配列して固定化されている。 （もっと読む）

【課題】 基板の反りの発生を低減することができる炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 珪素基板１を反らせ、稜線が所定方向に向かうように、珪素基板１の（００１）面に列状の起伏２を形成する。珪素基板１の（００１）面上に立方晶炭化珪素をヘテロ成長させた後、珪素基板１を除去する。珪素基板１の主面が曲面状（特に、従来工程で発生する反りの形状に対応して、反りを打ち消すような形状）となっている状態で立方晶炭化珪素をヘテロ成長させることにより、珪素基板１を除去した後の立方晶炭化珪素には形状を平面状に変える力（反りと逆方向の力）が働くので、基板の反りの発生を低減することができる。 （もっと読む）

本発明は、酸素感受性の高いケイ素層と、それを得るための方法とに関する。このケイ素層（２）は、例えばＳｉＣで作られた基板（４）の上に形成され、３×２構造を有する。ケイ素層を得るための方法は、この基板の１つの表面上にほぼ均一にケイ素を堆積させることから構成される。本発明は、例えばマイクロエレクトロニクスに適用可能である。
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【課題】高品位な窒化物系化合物層を形成する方法及びこれを利用したＧａＮ基板並びに垂直構造窒化物系半導体発光素子を製造する方法の提供。
【解決手段】ＧａＮ基板を備える工程と、上記ＧａＮ基板上に上記ＧａＮ基板上面一部を露出させる所定パターンのマスク層を形成する工程と、上記露出されたＧａＮ基板上面にＧａＮと格子常数差が１０％以下の物質からなるバッファ層を形成する工程と、上記バッファ層上面から上記マスク層の上面に窒化物系化合物を側面成長させた後垂直方向に所定厚さの窒化物系化合物層を成長させる工程、及び上記マスク層とバッファ層を湿式蝕刻方式で除去し上記ＧａＮ基板と上記窒化物系化合物層を分離する工程を含むことを特徴とする窒化物系化合物層の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャル成長前，エピタキシャル成長中およびエピタキシャル成長後に基板間の反りのバラツキが無く、かつエピタキシャル成長後に目的の反りを有する窒化物半導体膜付きサファイア基板を得ることを可能とするサファイア基板の提供を目的とする。
【解決手段】 直径３インチ以上のサファイア基板であって、主面（育成面を主面とし、反対側の面を裏面とする。）と裏面とに歪みが無く、かつ、エピタキシャル成長後に窒化物半導体膜を有するサファイア基板の反り量が所望の反り量となるように、主面が、凹度が８〜５０μｍの範囲内で凹形状に反っていることを特徴とする基板である。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス用基板として有用な大面積でかつ歪が少ない高品質単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】１主面から２つの互いに直交する直線偏光の合成とみなされる直線偏光を照射して、対面の主面から出射した２つの互いに直交する直線偏光の位相差が、試料全体にわたり、試料厚さ１００μｍあたり最大５０ｎｍ以下である単結晶ダイヤモンドであり、その製造方法は、高圧合成法、あるいは気相合成法により製造した種となる単結晶ダイヤモンド基板の１主面を反応性イオンエッチングによりエッチング除去してから、気相合成法により新たに単結晶ダイヤモンド層を成長させる工程と、種となる単結晶ダイヤモンド基板と、気相合成法により新たに成長させた単結晶ダイヤモンド層を分離する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 酸素をｎ型ドーパントとして取り込むことができる窒化ガリウム単結晶の成長方法を提供すること。
【解決手段】 Ｃ面以外の面を表面（上面）にもつ種結晶を用いて、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらＣ面以外の表面を保ちつつ窒化ガリウム結晶を気相成長させることにより当該表面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。または、Ｃ面を表面にもつ種結晶を使って、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらＣ面以外のファセット面を発生させ当該ファセット面を保ちつつ窒化ガリウム結晶をｃ軸方向に気相成長させることによりファセット面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。 （もっと読む）

【課題】これまでＡｌＮ、または、０．９以上の高ＡｌＮモル分率のＡｌＧａＮの選択横方向成長は不可能であった。
【解決手段】ＧａＮに対してすでに応用されている選択横方向成長技術を前記材料に応用する。ＡｌＮの横方向成長の困難さを克服するため、半導体成長用基板の主面の一部に、窒化物系半導体層の成長を抑制する加工部を形成し、前記加工部から成長する窒化物系半導体層の膜厚が、非加工部から成長する窒化物系半導体層の膜厚の１／１０以下であるようにしてエピタキシャル基板を構成する。 （もっと読む）

ＩｎＮ，ＧａＮ等に代表されるＩＩＩ族の窒化物半導体につき、貫通転位の発生や界面層の発生を抑えつつ良質の窒化物半導体層を成長させるべく、ＩｎＮからなる窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子の作製方法において、イットリア安定化ジルコニア基板（１２）の（１１１）面に対して、上記ＩｎＮを蒸着させる蒸着工程を設けることにより、当該基板（１２）の（１１１）面に対して、六方晶であるＩｎＮのｃ軸が略垂直となるように配向されてなる窒化物半導体層を形成させる。
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【課題】煩雑な処理をすることなく、シリコン基板上にＧａＮの結晶の成長を行う方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板２の表面は、水素で終端されている。次に、７００℃以上、例えば９５０℃程度で加熱し、水素を脱離する。この水素が脱離された表面上にＧａＮバッファー層４が積層される。そして、このＧａＮバッファー層４上にＧａＮをエピタキシャル成長させ、ＧａＮの結晶層６が形成される。水素を脱離してからバッファー層を設けたので、より平坦なバッファー層を形成することができる。その結果、その上に成長させるＧａＮ結晶を良質のものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】複雑で高コストとなる処理工程を経ることなく、微小な構造の位置制御性およびサイズ均一性を高める。
【解決手段】第１の物質からなる基板の上に第２の物質を堆積させ、ステップが規則的に配列する二次元表面相１１を形成する（Ｓ２）。ついで、二次元表面相１１の上に第３の物質を配置することにより、二次元表面相１１上のステップに第３の物質を含む液滴を配列させる（Ｓ３）。ついで、液滴島２１を結晶化させることにより、微小構造２２を形成する（Ｓ４）。 （もっと読む）

【課題】窒化物からなる半導体層の形成に係る作業工数を減らして生産効率を向上させるとともに、製造コストの抑制を図る事が可能な窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイヤ基板１の主面の表面に溝パターン２を形成させた後、このサファイヤ基板１の溝パターン２が形成された面に、溝パターン２を埋めるようにＳｉＯ_２膜３を形成させ、さらに、サファイヤ基板１の主面の表面が現れるまでＳｉＯ_２膜３を研磨させ、最後に、研磨により現れたサファイヤ基板１の表面上にＧａＮ膜４を選択的に成長させる。 （もっと読む）

ＳｉＣは極めて安定な物質であり、通常のＩＩＩ族窒化物の結晶成長装置では、ＳｉＣ表面状態を結晶成長に適した状態に制御することが困難である。そこで、以下の処理を行った。ＨＣｌガス雰囲気中で熱処理を行ってＳｉＣ基板１の表面をステップ−テラス構造にし、ＳｉＣ基板１の表面に対して、王水、塩酸、フッ酸による処理を順次行ってＳｉＣ基板１の表面にわずかに形成されているシリコン酸化膜をエッチングして基板表面にはＳｉＣ清浄表面３を形成し、ＳｉＣ基板１を高真空装置内に取り付け、超高真空状態（例えば、１０^−６〜１０^−８Ｐａ）に保持した。超高真空状態において、例えば８００℃以下でＧａ原子ビーム５を時間ｔ１において照射し８００℃以上で熱処理を行うプロセスを、少なくとも１回以上繰り返し、ＡｌＮ膜の成長温度に設定し、超高真空状態でＡｌ原子８ａをＳｉＣ基板表面３に対して先行照射し、その後、Ｎ原子８ｂを供給する。
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ナノワイヤの成長に用いるための、ナノスケールの大きさの触媒領域からなる所定のパターンを形成する方法を提供する。当該方法は、非触媒材料によって包囲された触媒ナノアイランドあるいはナノスケールの触媒材料領域からなるアレイを製造するための、１つ又は複数のナノインプリンティングステップを包含する。
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【課題】ピエゾ電界の悪影響を派生問題なく効果的に緩和若しくは最小化する。
【解決手段】各非縦方向成長部４の上面では、ｘｙ平面に平行にｒ面が結晶成長し、これらの個々のｒ面は、側壁面１ｂの近傍に若干のボイド５を形成しつつも、ストライプ溝Ｓを完全に覆い隠すまで結晶成長して、最終的には略一連の平坦面が形成される。この時以下の結晶成長条件下で５０分間、非縦方向成長部４のファセット成長を継続する。このファセット成長の条件設定は、継続的かつ順調なファセット成長を促進する上で重要である。また、下記の結晶成長速度は、ｒ面に垂直な方向の結晶成長速度である。 結晶成長温度 ： ９９０〔℃〕 結晶成長速度 ： ０．８〔μｍ／ｍｉｎ〕 供給ガス流量比（Ｖ／III 比）： ５０００ （もっと読む）

【課題】 欠陥密度の小さいＳｉＣ半導体基板を形成する。
【解決手段】 ＳｉＣ単結晶の下地ウェハ表面に多孔質層を形成し（ステップＳ１，Ｓ２）、アニール処理を行ってその多孔質層表面の空孔を閉塞した後に（ステップＳ３）、その上にＳｉＣのホモエピタキシャル層を形成する（ステップＳ４）。最後に多孔質層の部分を切断して下地ウェハの側からホモエピタキシャル層の側を分離する（ステップＳ５）。多孔質層表面の空孔閉塞後にホモエピタキシャル層を形成することによりその欠陥密度が大幅に小さくなり、これを各種デバイスのＳｉＣ半導体基板として用いることによりその製造歩留まりを向上させることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 熱などに不安定で融液法では結晶化ができない有機材料であっても、温度差法により任意の厚さでかつ大型で高品質な有機結晶付基板の作製に適した有機結晶付基板製造装置を提供し、かつ任意の厚さでかつ大型、高品質な有機結晶付基板を作製できる有機結晶付基板製造方法を提供する。
【解決手段】 溶液からの結晶作製装置／方法において、密閉空間内３０１で結晶成長を行うことで薄膜状結晶を作製することが可能になる。また、微小ギャップ間においても、結晶に溶液を供給しながら結晶成長を行うことで、大型結晶を得ることが可能となる。また、種結晶を用いることで結晶成長部分の特定と、結晶方位の特定とを行うことができる。また、自然核による結晶が発生しにくい低過飽和溶液を用いて結晶成長を行うことができ、成長部位以外での結晶成長（雑晶）を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 有機結晶を任意の厚さに制御した有機結晶付基板製造装置及び有機結晶付基板製造方法を提供する。
【解決手段】 結晶作製基板上の所定の間隔を有する密閉空間内に結晶が溶解した溶液を循環させることにより、任意の厚さの有機結晶を直接形成することができるので、有機結晶を任意の厚さに制御した有機結晶付基板を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 基板上に形成された膜の特性を向上させることが可能な薄膜材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 超電導線材１は、基板２と、基板上に形成された１層または２層以上の中間薄膜層（中間層３）と、中間薄膜層（中間層３）上に形成された単結晶性薄膜層（超電導層４）とを備える。中間薄膜層（中間層３）のうちの少なくとも１つにおいて単結晶性薄膜層（超電導層４）と対向する上部表面（被研磨面１０）は研磨加工されている。 （もっと読む）

【課題】 化合物半導体を高品質なものとし得る化合物半導体成長用基板の提供。
【解決手段】 Ｓｉ単結晶基板２上に外方へ開孔し、かつ、表面が厚さ０．１〜１００ｎｍの３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層３によって被覆された多孔質Ｓｉ単結晶層４が形成されている。 （もっと読む）