【課題】基板の表面性を向上させると共に、ＳｉＣエピタキシャル層の結晶性を向上させることが可能で、しかも低コストで製造することが可能な単結晶ＳｉＣ半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１上に多孔質層２、３を形成し、その多孔質層２、３上に単結晶シリコン層４を形成する。次に、加熱処理により多孔質層２、３内に中空構造層５を形成し、酸化処理により中空構造層５を酸化する。更に、炭化処理により単結晶シリコン層４を単結晶の炭化シリコン層に変成させてＳｉＣシード層９を形成する。その後、ＳｉＣシード層９を核としてエピタキシャル成長させて単結晶ＳｉＣ層１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】精度のよいオリフラおよびインフラを有するIII族窒化物半導体基板を簡単に、かつ短時間で製造できるIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板２上に第一の層３、金属膜４を順次形成した後、第一の層３中に空隙６を発生させて下地基板７とし、その下地基板７上に第二の層８を形成し、第二の層８を、III族窒化物半導体基板１１とすべく下地基板７から剥離して形成するIII族窒化物半導体基板１１の製造方法において、第一の層３中に空隙６を発生させる際に、空隙割合が過多となる部分Ｃを形成し、その後、第二の層８を形成して、その第二の層８に空隙割合が過多となる部分と対応する部分にピット列１２を形成し、その剥離後のIII族窒化物半導体基板１１にピット列１２を境界にしてオリフラ９およびインフラ１０を形成するものである。 （もっと読む）

【課題】均一かつ広い面積の低電位密度領域を有する窒化物単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１窒化物単結晶層１０１を成長させる段階と、第１窒化物単結晶層１０１上に第１窒化物単結晶層１０１上面中一部を露出させたオープン領域を備える誘電体パターン１０２を形成する段階と、オープン領域を通して第１窒化物単結晶層１０１上に第２窒化物単結晶層１０３を誘電体パターン１０２の高さより低いか同じ高さに成長させる段階とを含み、第２窒化物単結晶層１０３の成長過程において、第２窒化物単結晶層１０３内部の電位Ｄが側方向に進行して誘電体パターン１０２の側壁にぶつかって消滅するよう誘電体パターン１０２の高さはオープン領域の幅より大きい値を有する。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法でフッ化金属単結晶体を製造する際にしばしば生じる、種結晶体表面への黒色物質の付着を抑制し、種結晶体が原料溶融液を弾いてしまう現象を回避し、もって引上げ開始時の種結晶体と原料溶融液との接触が一回で成功する確率を高くする方法を提供する。
【解決手段】種結晶体１１６の原料溶融液１０４と接触する面の表面粗さＲａを０．５μｍ以下とする。所定の形状に研削加工された種結晶体１１６を２０００番程度の研磨紙布を用い表面に光沢を生じる程度まで研磨すればよい。これにより、黒色物質の付着を大幅に抑制することが可能となり、フッ化金属単結晶体１１８の製造効率を大幅に向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は半導体をその基板から分離する方法を提供することである。
【解決手段】 複数の棒状体を基板上に形成し、複数の棒状体上で半導体層をエピタキシー成長させ、更に、複数の棒状体の間の空隙にエッチング液を注入することによって、半導体層をその基板から分離する。複数の棒状体の間の空隙がエッチングの反応面積を大幅に増加させることができるため、本発明による方法によれば、エッチングによって半導体層を基板から分離する効率を向上させ、製造工程のコストを低減させることができ、しかも、基板に使われる材料も前記分離方法に制限されない。 （もっと読む）

【課題】非配向結晶粒の成長を抑制し、配向度を高めることができる高配向ダイヤモンド膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表面に複数の凹凸を有する下地ダイヤモンド層を基板上に形成し、下地ダイヤモンド層上に金属膜３（又はセラミックス膜）を形成し、下地ダイヤモンド層及び中間層を加熱して、下地ダイヤモンド層の凹部２ｂを金属膜４で覆い、下地ダイヤモンド層の凸部２ａの一部を金属膜４から露出させる。そして、金属膜４の表面から下地ダイヤモンド層の凸部２ａの一部が露出した状態で、その上に高配向ダイヤモンド層５を成長させる。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体デバイスのための基板を提供する。
【解決手段】基板１１ａは、ナノコラム領域１３と、窒化ガリウム半導体膜１５と、支持基体１７とを備える。ナノコラム領域１３は、窒化ガリウムからなる複数のナノコラム１９を有する。窒化ガリウム半導体膜１５は、複数のナノコラム１９の一端１９ａの各々に接続されている。窒化ガリウム半導体膜１５の導電型は、ナノコラム領域１３の窒化ガリウムの導電型と同じである。また、窒化ガリウム半導体膜１５は主面１５ａを有する。主面１５ａ上には、窒化ガリウム系半導体デバイスを形成するための半導体膜が堆積される。支持基体１７は、複数のナノコラム１９の他端１９ｂを支持しており、また窒化ガリウムとは異なる材料からなる支持体２１を含む。 （もっと読む）

【課題】結晶軸の揃った、ｍ面を主面とするIII族窒化物系化合物半導体を得る。
【解決手段】ａ面を主面とするサファイア基板に、ｃ面からのオフ角が４５度以下の側面を有する凸部を形成する。この後、トリメチルアルミニウムを３００〜４２０℃で供給して厚さ４０Å以下のアルミニウム層を形成し、窒化処理して窒化アルミニウム層とする。すると、ａ面を主面とするサファイア基板のうち、凸部のｃ面からのオフ角が４５度以下の側面のみからIII族窒化物系化合物半導体のエピタキシャル成長が可能となる。こうして、サファイア基板の主面に平行にｍ面を有するIII族窒化物系化合物半導体が形成できる。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた結晶性が得られるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体結晶を提供する。
【解決手段】基板１１上に、少なくともＩＩＩ族窒化物化合物からなる中間層１２を積層し、該中間層１２上に、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成膜する方法であり、基板１１の温度を２５℃〜１０００℃の範囲とするとともに、処理時間を３０秒〜３６００秒の範囲として、基板１１に対してプラズマ処理を行う前処理工程と、次いで、基板１１上に中間層１２をスパッタ法によって成膜するスパッタ工程が備えられている。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素を用いたデバイスの歩留まり低下の原因となる結晶欠陥の密度を低減することを目的とする。
【解決手段】本発明における炭化珪素半導体基板１０の製造方法は、（a）炭化珪素基板１を準備する工程と、（b）炭化珪素基板１上に第１のエピタキシャル層５を形成する工程と、（c）第１のエピタキシャル層５に発生する結晶欠陥４の位置を特定する工程と、（d）特定した位置において、第１のエピタキシャル層５を除去するように、かつ炭化珪素基板１に溝２１を形成するようにエッチングを行う工程と、（e）第１のエピタキシャル層５および炭化珪素基板１上に第２のエピタキシャル層２を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 サファイアＣ面基板上に成長するＧａＮ系III族窒化物薄膜の極性を（０００１）に制御することにより、従来よりも光学的、電気的特性に優れた薄膜を提供すること。
【解決手段】 サファイアＣ面基板上に、窒素源として窒素プラズマを、またIII族源としてＧａを主成分とする金属を用いて分子線エピタキシーによりＧａＮ系III族窒化物薄膜をエピタキシャル成長させるに際し、金属Ｇａとして、その強度（フラックス）が１×１０¹³コ／ｃｍ²ｓ〜１×１０¹⁵コ／ｃｍ²ｓであるものを用い、該ＧａＮ系III族窒化物薄膜の成長初期に金属Ｉｎを、照射する金属Ｇａの強度より１〜２桁低い強度で、照射することにより、成長する膜の極性を（０００１）に制御する。 （もっと読む）

【課題】１×１０^-4Ωｃｍ未満の抵抗率を有する低抵抗ＩＴＯ薄膜とその製造方法等を提供する。
【解決手段】低電圧スパッタリング法、酸素クラスタービーム援用蒸着法、ＣＶＤ法、有機金属ＣＶＤ法、有機金属ＣＶＤ−原子層積層法、及びＭＢＥ（分子線エピタキシー）法のうちから選ばれる成膜法を用いて結晶性基板上に形成する低抵抗ＩＴＯ薄膜の製造方法であって、
結晶性基板の最表面の結晶性配列が、Ｉｎ₂Ｏ₃の結晶構造と適合するものであることを特徴とする低抵抗ＩＴＯ薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯロッドアレイ構造体と、その作製方法を提供する。
【解決手段】溶液中において基板上に直接六角柱状ＺｎＯを結晶成長させて形成したＺｎＯロッドアレイ構造体であって、１）ＺｎＯロッドは六角形の断面形状と６枚の側面を有している、２）ロッドはＺｎＯ単相からなる、３）ＺｎＯロッドはアスペクト比が３−４である、４）ＸＲＤから、（０００２）面からの回折ピークのみが観察され、高いｃ軸配向性を有する、ことを特徴とするＺｎＯロッドアレイ構造体、及び上記のＺｎＯロッドアレイ構造体を作製する方法であって、酸化亜鉛が析出する酸化亜鉛含有溶液からなる反応系を用いて、液相で、基板上にＺｎＯロッドアレイを形成することを特徴とするＺｎＯロッドアレイ構造体の作製方法。
【効果】シード層及び高温加熱処理を用いることなく基板上にＺｎＯロットアレイ構造体を作製し、提供することができる。 （もっと読む）

【課題】優れた表面品質をＧａ側にて有するＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ半導体ウェーハおよびそのようなウェーハの製造方法を実現する。
【解決手段】ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ^２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。このようなウェーハは、例えばシリカまたはアルミナなどの研磨粒子と酸または塩基とを含む化学的機械研磨（ＣＭＰ）スラリーを用いて、そのＧａ側にてＣＭＰに付される。このような高品質Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮウェーハの製造方法はラッピング工程、機械研磨工程、およびその表面品質を更に高めるための熱アニールまたは化学エッチングによるウェーハの内部応力を低下させる工程を含んでよい。このＣＭＰ方法はＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮウェーハのＧａ側における結晶欠陥を強調するために有用に適用される。 （もっと読む）

【課題】量子ドット等に利用しうる微細なエピタキシャル層を成長させるのに適した基板表面を実現できるＺｎＴｅ系化合物半導体基板の表面処理方法、および該基板を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＴｅ系化合物半導体の表面処理において、ＺｎＴｅ系化合物半導体基板に、少なくとも、Ｚｎ分子線、および１×１０^−６Ｔｏｒｒ以上１×１０^−４Ｔｏｒｒ以下の原子状水素を照射しながら１５０℃から３００℃の温度範囲でアニールする第１の表面処理工程（工程Ｂ）を少なくとも有するようにした。さらに、前記第１の表面処理工程の前に、前記ＺｎＴｅ系化合物半導体基板に１×１０^−６Ｔｏｒｒ以上１×１０^−４Ｔｏｒｒ以下の原子状水素を照射しながら８０℃から１５０℃の温度範囲でアニールする第２の表面処理工程（工程Ａ）を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】除外区域のないエピタキシー用の複合構造の製造方法及び複合構造を含む多層構造を提供する。
【解決手段】支持基板１０上の半導体材料の少なくとも１つの結晶成長シード層１１を備え、支持基板１０及び結晶成長シード層１１は、それぞれ、それらの接合面の周辺上に面取り面又は縁部丸み付け区域を有する、エピタキシー用の複合構造１３の製造において、結晶成長シード層１１を支持基板１０上に分子付着により直接接合するか、あるいは酸化物などの接合層１２を介して接合する工程と、結晶成長シード層１１を薄化する工程とを含み、この結晶成長シード層１１は、薄化後に、その最初の直径と同一の直径を有する。前記複合構造１３は、その上にＧａＮをエピタキシャル成長させた後、接合層１２で切り離し、続いてシード層を化学エッチングにより除去して、自立型ＧａＮを得る。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良い窒化物半導体よりなる窒化物半導体基板を用い裏面に電極を形成した発光素子、受光素子等の窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体と異なる材料よりなる基板の上に、窒化物半導体を１００μｍ以上の膜厚で成長させ、前記基板を除去することによって得られた窒化物半導体基板であり、該窒化物半導体基板の表面の凹凸差が±１μｍ以下になるまで表面研磨した研磨面に成長される。好ましくは、前記表面の凹凸差が±０．５μｍ以下である。前記窒化物半導体基板はｎ型不純物がドープされている。 （もっと読む）

【課題】 III−Ｖ族窒化物と格子定数及び熱膨張係数が整合した基板を用い、その基板上に結晶性の良好なIII−Ｖ族窒化物単結晶膜を成長させた発光素子やダイオード等の半導体素子を提供する。
【解決手段】 １０ｐｐｂ以上０.１モル％以下の遷移金属を含有し、Ｘ線回折におけるロッキングカーブの半値幅が１.５分以下で、主面が（０００１）劈開面もしくは（１−１００）劈開面と垂直な研磨面から構成されるIII−Ｖ族窒化物単結晶基板１１上に、直接又はIII−Ｖ族窒化物の低温バッファー層１３を介して、ＭＯＣＶＤ法によって窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化インジウム及びこれらの物質からなる混晶の中から選ばれた少なくとも１種のIII−Ｖ族窒化物の単結晶膜１２、１４、１５を成膜することによって形成された半導体素子。 （もっと読む）

【課題】高品質の単結晶ＺｎＯ基板を、従来に比して安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】単結晶ＺｎＯ基板の製造方法であって、(a) ＳｉＯ₂絶縁層２と、その上に設けられた、表面を構成する単結晶シリコン層１とを含む、半導体基板を準備するステップと、(b)単結晶シリコン層１を表面側から、絶縁層２上に３〜７ｎｍの厚みだけ残して酸化するステップと、(c)生じたＳｉＯ₂ 層４を除去するステップと、(d)残った単結晶シリコン層１’に、加熱しつつキャリアガスと炭化水素ガスを供給して全層を単結晶ＳｉＣ層５へと変換するステップと、(e)単結晶ＳｉＣ層５の表面に化学気相成長により厚み０．１〜５μｍの単結晶ＺｎＯ層６を形成するステップと、(f)単結晶ＺｎＯ層６をアニールするステップと、 (g)アニールされた単結晶ＺｎＯ層６の表面に化学気相成長により単結晶ＺｎＯ層６’を形成して単結晶ＺｎＯ層６の層厚を増加させるステップとを含む、製造方法。 （もっと読む）

【課題】テンプレート基板の種結晶膜上にIII 族金属窒化物単結晶を育成するのに際して、III 族金属窒化物単結晶のクラックや反りを抑制し、その生産性を向上させることである。
【解決手段】単結晶基板９と、この単結晶基板９の表面９ａに形成された種結晶膜１０とを備えているテンプレート基板８に、III 族金属窒化物単結晶を育成する方法を提供する。単結晶基板９の背面９ｂに、種結晶膜１０の劈開面に平行な方向と異なる方向Ａ（またはＢ）に向かって延びる凹部１１（または１２）を形成する。次いでIII 族金属窒化物単結晶を育成する。 （もっと読む）