【課題】窒化物半導体結晶のクラック発生を抑制でき、窒化物半導体結晶の歩留の向上が図れる窒化物半導体結晶の製造方法、及び窒化物半導体エピタキシヤルウエハおよび窒化物半導体自立基板を提供する。
【解決手段】
種結晶基板上に窒化物半導体結晶を成長する窒化物半導体結晶の製造方法であって、前記窒化物半導体結晶の成長中に、前記種結晶基板の外周端部にエッチング作用を加えながら、前記窒化物半導体結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】大型で品質が良好なIII族窒化物結晶を簡便で効率良く短期間で製造すること。
【解決手段】窒化物結晶からなる複数の下地基板を配置する下地基板準備工程、該複数の下地基板上に気相法により窒化物結晶層を成長させて一体となったシードを得るシード作成工程、および、 該シード上にアモノサーマル法によりIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】基板の上にＣＶＤでＬＥＤのための結晶成長させるとき、結晶成長の種結晶を形成することと、基板と結晶層の界面にランダムな凹みを設けることを同時に満たす基板を提供する。
【解決手段】結晶の粉を付着させた基板の上にＣＶＤで結晶層を成長をさせる。結晶の粉が種結晶となり、それが大きくなり結晶グレインを形成する。結晶欠陥の数または密度が当該結晶粉に依存してグレインが安定に成長する。従って、当該粉を水溶液から安定に再現性よく付着させることで、結晶の成長層のグレイン密度を制御できる。また、前記粉をマスクにしてプラズマエッチングし、ランダムに凹みを形成したサファイア基板９１にＬＥＤのためのＧａＮ結晶層８５を成長させる。 （もっと読む）

【課題】下地基板を確実に支持して、安定して複数の薄板を形成する。
【解決手段】下地基板が取り付けられる被取付部１３０を有し、下地基板を着脱可能にかつ主面が融液中を潜るように下地基板を支持する支持機構と、主面上に薄板が形成されていない処理前下地基板を支持機構に取り付け、かつ、主面上に薄板が形成された処理後下地基板１００Ｂを支持機構から取り外す着脱機構１２０と、着脱機構１２０による処理後下地基板１００Ｂの取り外しと処理前下地基板の取り付けとの間に被取付部１３０を清掃する清掃機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板上に懸架されている電極層を利用して大面積基板上に高品質のＧａＮを成長させるＧａＮ薄膜の製造方法、前記方法で製作されたＧａＮ薄膜構造物及び前記ＧａＮ薄膜構造物を含む半導体素子を提供する。
【解決手段】基板上に犠牲層を形成する段階；犠牲層上に第１バッファ層を形成する段階；第１バッファ層上に電極層を形成する段階；電極層上に第２バッファ層を形成する段階；犠牲層を部分的にエッチングすることで、前記第１バッファ層を支持する少なくとも２つの支持部材を形成し、基板と第１バッファ層との間に少なくとも一つの空気キャビティを形成する段階；第２バッファ層上にＧａＮ薄膜層を形成する段階；を含む半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】測定できる試験センサーの作成方法を提供する。試験場所を選ばず、様々な環境下で鉱物（ミネラル）や金属の結晶成長試験や結晶溶解速度測定が迅速・簡易に行なえるようにする。また、μｍオーダーでの簡易な測定に適用可能とする。
【解決手段】耐熱・耐薬品性にすぐれた樹脂シート例えばPFAテフロン（登録商標）シート１の表面に試験対象となる鉱物又は金属の粒子２，３を加熱下に埋め込み、必要に応じて研磨することで結晶成長・溶解速度試験用試験センサー５を作成する。PFAテフロン（登録商標）シートの表面に試験対象となる鉱物又は金属の粒子を埋め込んで成る結晶成長・溶解速度試験用試験センサーの表面形状を試験前後で測定し、試験前後の表面形状の差から鉱物又は金属の結晶成長速度もしくは溶解速度を求めるものである。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質な単結晶炭化シリコン膜を形成することが可能な半導体基板及び半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン１１と、単結晶シリコン１１の表面に形成された、開口部１２ｈを有するマスク材１２と、単結晶シリコン１１の開口部１２ｈから露出した部分に形成された炭化シリコン膜１３と、炭化シリコン膜１３及びマスク材１２を覆って形成された単結晶炭化シリコン膜１４と、を含み、マスク材１２の粘度が９５０℃以上１４００℃以下の温度範囲において１０^５Ｐａ・ｓ以上１０^１４．５Ｐａ・ｓ以下である。 （もっと読む）

【課題】優れたイオン伝導性を有する複酸化物積層体、当該複酸化物積層体を備える固体電解質膜・電極接合体及びリチウム二次電池、並びに複酸化物積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される組成を有する第１の複酸化物層と、当該層の少なくとも一方の面に積層した、下記一般式（２）で表される組成を有する第２の複酸化物層を備えることを特徴とする、複酸化物積層体。
Ｃａ_ｘＮｂ_ｙＯ_ｚ 一般式（１）
（上記一般式（１）中、１≦ｘ≦３、２≦ｙ≦４、８≦ｚ≦１２である。）
Ｌｉ_ｐＬａ_ｑＴｉ_ｒＯ_ｓ 一般式（２）
（上記一般式（２）中、０＜ｐ≦１、０＜ｑ≦１、０＜ｒ≦２、１≦ｓ≦５である。） （もっと読む）

【課題】 貫通らせん転位の密度を減らした領域を特定する。
【解決手段】基底面（０００１）より傾斜角の大きいストライプ２の傾斜面２ａを貫通する貫通らせん転位４を基底面内の欠陥４ａに構造転換し、傾斜面２ａの間で欠陥４ａを貫通らせん転位と同方向へ伝播させ、ストライプ２の上側をｃ軸方向に貫通らせん転位４が貫通しない部位（ｃ軸方向に貫通する欠陥の密度を減らした領域）ｘ１として特定する。 （もっと読む）

【課題】厚膜層の成長過程で厚膜層にヒビやクラックが発生することを抑制可能な窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基材２上に窒化物半導体からなる下地層を設けて下地基板３を形成し、下地基板３の下地層上に金属膜を形成した後、水素ガスまたは水素含有化合物ガスを含む雰囲気中で下地基板３を熱処理することで、下地層中に空隙を形成すると共に金属膜に微細孔を形成し、その微細孔を形成した金属膜上に窒化物半導体を成長させて厚膜層５を形成した後、厚膜層５を下地基板３から剥離して窒化物半導体基板１を得る窒化物半導体基板の製造方法において、基材２として、窒化物半導体基板１の径よりも大きい径のものを用い、下地基板３の中央部で厚膜層５を成長させる。 （もっと読む）

【課題】マーキングにかかる時間を短縮でき、かつ下地基板の製造履歴を簡便に追跡できる識別符号を有する自立した窒化物半導体ウェハを提供する。
【解決手段】識別符号１２が付された下地基板１１上に窒化物半導体層１３を成長させ、その窒化物半導体層１３を下地基板１１から分離して得られる自立した窒化物半導体ウェハにおいて、窒化物半導体層１３は、その成長時に識別符号１１が転写された転写識別符号１６を有する窒化物半導体ウェハである。 （もっと読む）

【課題】 従来の方法と比較して、短時間で凹部の全体に導電材を埋め込むことができる技術を提供する。
【解決手段】 本願に係る導電材の埋め込み方法は、半導体装置の製造過程において表面に形成される凹部２２に導電材を埋め込む方法に関する。この方法は、凹部２２の少なくとも底面に露出する下地層１０の表面に不純物２４ａを定着させる不純物定着工程と、不純物２４ａが定着した下地層１０を利用して導電材をＶＬＳ成長させて、凹部の全体に導電材を埋め込むＶＬＳ成長工程とを有する。この方法では、ＶＬＳ成長によって凹部２２に導電材を埋め込むため、短時間で導電材を埋め込むことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの外周領域におけるクラック発生を抑制できる半導体ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体ウェハの製造方法は、シリコンからなり且つ中央領域と外周領域とを有する半導体基板１と、前記半導体基板１上に形成された窒化物系化合物半導体からなる化合物半導体層５と、を備える半導体ウェハの製造方法であって、
前記半導体基板１の前記外周領域に設けられたテーパ部１２の上に前記化合物半導体層５が成長することを阻止する成長阻止層４を形成するステップと、
前記成長阻止層４が形成された前記半導体基板の少なくとも前記中央領域上に前記化合物半導体層５を成長させるステップと、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗の低減を図ることが可能な炭化珪素基板、エピタキシャル層付き基板、半導体装置および炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板１０は、主表面を有する炭化珪素基板１０であって、主表面の少なくとも一部に形成されたＳｉＣ単結晶基板１と、ＳｉＣ単結晶基板１の周囲を囲むように配置されたベース部材２０とを備える。ベース部材２０は、境界領域１１と下地領域１２とを含む。境界領域１１は、主表面に沿った方向においてＳｉＣ単結晶基板１に隣接し、内部に結晶粒界を有する。下地領域１２は、主表面に対して垂直な方向においてＳｉＣ単結晶基板１に隣接し、ＳｉＣ単結晶基板１における不純物濃度より高い不純物濃度を有する。 （もっと読む）

【課題】種結晶が有するマイクロパイプ欠陥を効果的に閉塞し、マイクロパイプ欠陥の伝播がない炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロパイプ欠陥１を有する炭化ケイ素種結晶２の結晶成長面３の変質層５を除去する除去工程と、前記除去工程後の前記マイクロパイプ欠陥１を前記炭化ケイ素種結晶２の裏面４から充填材６で満たす充填工程と、前記充填工程後の前記炭化ケイ素種結晶２の結晶成長面３に炭化ケイ素単結晶を成長させる成長工程とを備える炭化ケイ素単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】層がその上に作製される基板に対して実質的に垂直な側面を有するＡｌＮ層を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板（２）の表面（２’）に対して実質的に垂直な側面を有するＡｌＮ層を作製する方法において、基板（２）上にＡｌＮ成長層（４，４’）を形成する段階と、少なくとも前記成長層上にＡｌＮ層（３１）を堆積する段階と、その少なくとも１つの縁部が、前記基板（２）の表面（２’）または前記成長層（４）の表面（４’）に実質的に垂直な平面において少なくとも１つの縁部（１０，１２，１４）または前記成長層（４，４’）の側面（１０ａ，１０ｂ）と整列されるように、ＡｌＮ層を覆ってマスク層（４０，４０’）を形成する段階と、を有する方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】
本発明の発光素子は、結晶成長面を有する単結晶基板１２であって、結晶成長面１２は複数の凸部１２ａと、複数の凸部１２ａ同士の間にそれぞれ設けられ、かつ複数の凸部１２ａから離隔する位置に設けられる凹部１２ｂと、を備える単結晶基板１２と、単結晶基板１２上に設けられ、複数の凸部１２ａのうち、一対の互いに隣接する凸部１２ａと、当該一対の凸部１２ａ同士の間に位置する凹部１２ｂにおいて、凹部１２ｂと一対の凸部１２ａとの間に位置する両結晶成長面から一対の凸部１２ａ同士の間に向かって延びる複数の転位１６を、一対の凸部１２ａ同士の間で結合させた光半導体層１３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】大面積を有する高品質の単結晶炭化珪素を、工業的規模で安定に供給し得る結晶製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶１を用いた昇華再結晶法により単結晶炭化珪素を成長させる際に、予めＣＭＰ処理を施した炭化珪素基板を種結晶１として使用する。また、予めＣＭＰ処理及びエピタキシャル成長による炭化珪素皮膜を施した炭化珪素基板を種結晶１として使用してもよい。さらに、予め黒鉛坩堝３の上部蓋４と、種結晶１をグラファイト系接着剤により接着固定し、その後接着された種結晶１の表面にＣＭＰ処理、もしくはＣＭＰ処理及びエピタキシャル成長による炭化珪素皮膜を施して坩堝３を組み立ててもよい。 （もっと読む）

【課題】低温保護層の成長プロセスを省略でき、ＧａＮ系半導体基板の製造コストを低減できるとともに、低温保護層の品質のばらつきによる影響を排除できる窒化物系化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】平均表面粗さが０．２〜１０ｎｍに制御された成長用基板上に、窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長させる。例えば、成長用基板をエピタキシャル成長装置に投入した後、成長用基板の平均表面粗さが０．２〜１０ｎｍとなるようにアニール処理を施す。 （もっと読む）