【課題】 従来のゲル拡散法における不具合を改善し、蛋白質など生体高分子の単結晶を大型で良質な状態で均一に生成する結晶成長方法及び装置を提供すること。
【解決手段】 生体高分子を含有する溶液から、その生体高分子を結晶成長させる方法において、生体高分子溶液と、半透過性物質と、生体高分子の結晶化を促進する溶液とを、この順に各界面を接触させて並列させると共に、略水平に配置し、結晶化促進溶液を、半透過性物質を通過させ生体高分子溶液中に拡散させることで過飽和状態とし、生体高分子の結晶を析出させる。生体高分子溶液の下面に、生体高分子溶液より比重が大きな不活性液体を接触させて配置して、生体高分子溶液中における結晶化促進溶液の分散の均一化に寄与させてもよい。 （もっと読む）

【課題】 アルカリ金属の外部への蒸発を抑制してＩＩＩ族窒化物結晶を結晶成長する結晶成長装置を提供する。
【解決手段】 反応容器２１０は、金属Ｎａと金属Ｇａとの混合融液１８０を保持する。外部反応容器２２０は、反応容器２１０の周囲を覆う。逆流防止装置２４０は、反応容器２１０と外部反応容器２２０との間に配置され、１対のガイド２４１と、逆流防止弁２４２とを含む。配管２７０は、外部反応容器２３０を介して逆流防止装置２４０に連結される。ガスボンベ３４０は、圧力調整器３３０を介して窒素ガスを配管２７０へ供給する。逆流防止弁２４２は、混合融液１８０から蒸発した金属Ｎａ蒸気の配管２７０内への拡散を防止するとともに、空間２１３，２２１内の圧力と空間２７１内の圧力との差圧によって配管２７０内の窒素ガスを空間２１３，２２１内へ供給する。 （もっと読む）

【課題】成長した単結晶をプルチャンバーから取り出す際に、結晶直径の細い絞り部やワイヤが破断して単結晶がプルチャンバーの開口部に倒れてきた場合に、倒れてきた単結晶をプルチャンバー内に留めておくことができる単結晶引上げ装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、ルツボを収納するメインチャンバーと、該メインチャンバーの上部にアイソレーションバルブを介して連接され、成長した単結晶を取り出すための開口部を側壁に有するプルチャンバーを備えた単結晶引上げ装置であって、前記プルチャンバーの内部に、少なくとも1つ以上のバーを具備し、該バーは前記開口部と前記単結晶の間に配置されており、前記開口部から外部に倒れようとする単結晶を支持することができるものである単結晶引上げ装置。 （もっと読む）

【課題】高純度のＡｌＮ単結晶を成長させることができるとともにＡｌＮ単結晶の成長ごとの成長速度のばらつきを低減することができるＡｌＮ単結晶の成長方法およびその方法により得られたＡｌＮ単結晶を提供する。
【解決手段】成長室３の内部にＡｌＮ多結晶原料１１を設置する工程と、ＡｌＮ多結晶原料を加熱して昇華させる工程と、成長室の内部の種結晶１２の表面上にＡｌＮ単結晶を成長させる工程と、を含み、成長室の内部のＡｌＮ多結晶原料の温度におけるＡｌＮの化学量論組成の窒素分圧よりも成長室の外部の窒素分圧を高くし、成長室の内部と外部のガスの交換を可能とする開口部４を成長室に設けてＡｌＮ単結晶を成長させ、開口部は、種結晶よりもＡｌＮ多結晶原料に近く、かつ、種結晶を直接見ない位置に設ける。 （もっと読む）

【課題】 無機微結晶を連続して製造する際に、結晶核の析出過程、結晶核を基に結晶成長させる結晶成長過程等における温度制御を容易にすることにより、無機微結晶の析出条件や成長条件を容易に制御することが可能であり、その結果、無機微結晶の製造条件の最適化が可能な無機微結晶の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 本発明の無機微結晶の製造方法は、無機微結晶の原料となる溶液またはスラリーを温度（１）にて保持し、次いで、この温度（１）に保持された溶液またはスラリーを温度（１）と異なる温度（２）に保持して結晶核を析出させ、次いで、この溶液またはスラリー中の結晶核を温度（３）にて結晶成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 気相法によりＳｉＣ種結晶上に結晶性のよい単結晶を成長させる単結晶成長方法、その方法により得られるＩＩＩ族窒化物単結晶およびＳｉＣ単結晶を提供する。
【解決手段】 気相法により単結晶３を成長させる方法であって、結晶成長室１１の内部にＳｉＣ種結晶１および原料２を配置し、結晶成長室１１の内部に酸素ガスを導入しながら、かつ、結晶成長室１１の内部のガスの少なくとも一部を結晶成長室１１から排出しながら、ＳｉＣ種結晶１上に単結晶３を成長させることを特徴とする単結晶成長方法。 （もっと読む）

半導体材料からなる配向された状態で凝固されたブロックを製造するための方法および装置が記載されている。当該装置は、溶融物が収容されている坩堝と、該坩堝を少なくとも上方および側方から囲繞するとともに少なくとも前記坩堝の上方において前記坩堝から離間されている絶縁体と、前記坩堝の上方に設けられている少なくとも一つの加熱装置とを有し、当該装置において前記絶縁体内部であって前記坩堝の上方の領域は中間カバーによって処理室と、該処理室の上方に設けられた上部加熱室とに区分されており、該上部加熱室内に少なくとも一つの加熱素子が設けられている。
（もっと読む）

【課題】分子の適切な結晶化条件を決定するためにアレイ微結晶化を行う方法を提供する。
【解決手段】微結晶化物アレイを形成する工程であって、各微結晶化物は、結晶化させる分子を含むドロップを含んでおり、該ドロップは１μＬ未満の容量を有している工程、該微結晶化物アレイを、該アレイ内のドロップ中で分子結晶を形成させるのに適切な条件下で格納する工程、及び、該ドロップ中の分子結晶形成を検出する工程、を含む方法。 （もっと読む）

本発明は、簡単にかつ効率的に生体高分子結晶を得ることができる生体高分子結晶生成装置及び生成方法である。本発明では、生体高分子試料を収容した第一容器、生体高分子の結晶化に際して緩衝剤として作用するゲルを収容した第二容器、及び生体高分子の結晶化に際して分子の凝集化を促進するための機能を果たす沈殿化剤溶液を収容した第三容器をそれぞれ準備し、これらを所定の態様で結合して生体高分子試料と沈殿化剤溶液とをゲルを介して接触させることにより生体高分子の結晶化を行わせるようにする。
本発明によれば、多種、多数の蛋白質結晶用試料が必要となる場合であっても、所望の生体高分子溶液に対応した所望のゲル及び沈殿化剤溶液を備えた生体高分子結晶生成装置を迅速容易に得ることができる。
（もっと読む）

核形成セクションにおいて、結晶化することになる化合物の供給溶液の少なくとも一つの流れと、逆溶媒の少なくとも一つの流れとを、供給溶液および逆溶媒の衝突を介して混合するステップと、高い圧力の混合した流れを少なくとも一つの局所的な流れの狭窄部の中に通して、流体力学的キャビテーションを引き起こし、それにより、核形成および種結晶の生成を引き起こすステップと、種結晶を含む流体流を、中間セクションを通じて、結晶成長セクションに渡すステップと、種結晶を含む流体流を、高い圧力の結晶成長セクションの中に通し、少なくとも一つの局所的な流れの狭窄部の中に通して、流体力学的キャビテーションを引き起こし、それにより溶液中に含まれる化合物のさらなる結晶化を引き起こすステップとを含む、流体力学的キャビテーションを用いて化合物を結晶化させるためのデバイスおよび方法。 （もっと読む）

【課題】 III族窒化物の結晶成長中に、アルカリ金属とIII族金属の混合融液の混合比率の変化が少なく、かつ、窒素原料の枯渇を防止することの可能なIII族窒化物結晶成長方法を提供する。
【解決手段】 反応容器内１に融液保持容器４が収容され、融液保持容器４内にアルカリ金属を含む融液５が収容されており、アルカリ金属を含む融液５中でIII族窒化物を成長させるIII族窒化物結晶成長方法であって、III族窒化物の結晶成長中には、融液保持容器４の圧力Ｐ１と反応容器１内の圧力Ｐ２との圧力関係がＰ２−Ｐ１≧Ｃ （Ｃ＞０の定数）の場合にのみ、反応容器１から融液保持容器４に対して窒素原料が供給され、Ｐ２−Ｐ１≧Ｃ （Ｃ＞０の定数）を満たさない圧力関係では、反応容器１と融液保持容器４との間に気体の出入がない状態でIII族窒化物を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】 コンパクトで品質に優れる析出板を得ることができる析出板製造装置を提供する。
【解決手段】 析出板製造装置２０は、半導体材料の融液２１を貯留する坩堝２２と、坩堝２２および融液２１を加熱する加熱手段２３と、坩堝２２を収容する処理室２４と、処理室２４の同じ側にそれぞれ連結され且つ略並行に設けられて処理室内へ搬入するための冷却体２５を収容する冷却体搬入準備室２６および処理室外へ搬出するための冷却体２５を収容する冷却体搬出準備室２７と、冷却体２５を装置内で搬送する搬送手段２９と、冷却体２２を融液２１に浸漬し引上げる浸漬手段３０と、半導体材料を坩堝２２内へ補充する材料補充手段３１とを含んで構成される。 （もっと読む）

光触媒として高い光触媒活性が期待できる比表面積が大きく、結晶性が高くて内部欠陥が少ない酸化チタン粒子を得る。また、高温に加熱されてもルチル型結晶構造に転位しずらく、焼結が進行しにくい酸化チタン粒子を得る。光触媒となる酸化チタン粒子として、その形状が箱型形状の多面体のものを用いる。この酸化チタン粒子をなす多面体は、１以上の酸化チタンの単結晶多面体から構成されている。また、この単結晶多面体の扁平率を、０．３３〜３．０とするとさらに結晶性が高くなる。さらに、多面体が６面体ないし１０面体であることが好ましい。また、ルチル転位率Ｒ（７００−２４）が７．５％以下で、ルチル転位率Ｒ（５００−２４）が２．０％以下とする。石英ガラス製の合成管内に四塩化チタン蒸気と酸素を供給し、合成管の外部から酸水素炎バーナで加熱し、熱酸化してかかる形状の酸化チタン粒子を製造する。
（もっと読む）

【課題】 薄板を形成するための薄板形成設備の稼働効率を向上させるとともに、薄板の材料の供給を継続して行うことができる溶融装置を提供する。
【解決手段】 坩堝３１には、薄板の材料２３を溶融した融液２４を貯留するための貯留空間３７が形成される。貯留空間３７内に供給された薄板の材料２３またはその融液２４は、加熱手段３２によって、加熱される。坩堝３１の貯留空間３７は、仕切り手段３４によって、基板２６の薄板形成面２５を融液２４に浸漬させるための浸漬領域６２と、薄板の材料２３を供給するための供給領域６３とに仕切られる。供給領域６３には、供給手段３３によって薄板の材料２３が供給される。薄板の材料２３は、融液２４の液面５０よりも上方から供給される。供給領域６３内で融液２４の液面５０に浮遊する薄板の材料２３は、沈下手段３５によって、融液２４の液面５０下に沈下される。 （もっと読む）

【課題】 高温でエピタキシャル成長を行うことが可能なＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 両端に開口部を有する反応管１６内で原料ガスを反応させ基板３０上に炭化ケイ素薄膜を堆積させるＣＶＤ装置１０であって、反応管１６の一端の開口部から前記原料ガスを供給するミキシングチャンバ１４と、反応管１６の内部に設置され且つ基板３０を加熱するサセプタ２８と、反応管１６内で基板３０上を通過した前記原料ガスを反応管１６の他端の開口部から排出する排出管１８と、透過した光量を低減する不透明減光部材からなり、前記反応管内で生じた輻射光の光量を低減する拡散用減光シャワー板２４及び減光板５０と、を備えたＣＶＤ装置１０である。
である。 （もっと読む）

【課題】 次世代の単結晶ＳｉＣの形成に好適な、圧力１０^-2Ｐａ以下又は予め圧力１０^-2Ｐａ以下に到達した後に不活性ガスを導入した希薄ガス雰囲気下であっても短時間で１２００℃〜２,３００℃に加熱することができる熱処理方法を提供する。
【解決手段】 被処理物５を１２００℃〜２,３００℃に加熱する加熱室２を備える熱処理装置１を用い、前記被処理物５を密閉容器に収納した状態で、予め１２００℃〜２,３００℃に加熱された圧力１０^-2Ｐａ以下、又は予め圧力１０^-2Ｐａ以下の真空に到達した後に不活性ガスを導入した希薄ガス雰囲気下の前記加熱室２に移動することで、前記被処理物を１２００℃〜２,３００℃に加熱する。前記加熱室２の内部には加熱ヒータ１１が前記被処理物５（密閉容器）を覆うように設けられており、その加熱ヒータ１１の周囲には反射鏡１２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 熱などに不安定で融液法では結晶化ができない有機材料であっても、溶媒蒸発法により任意の厚さでかつ大型、高品質な有機単結晶６を作製できる薄膜状有機単結晶の製造方法を提供し、かつ任意の厚さでかつ大型で高品質な有機単結晶６の作製に適した薄膜状有機単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】 一対の基板４ａ，４ｂによって形成された隙間に、結晶化させる有機物質を溶媒に溶解させて得られた溶液５を充填した後、溶液５を充填した一対の基板４ａ，４ｂから溶媒を蒸発させる速度の制御を行って有機単結晶６を作製する薄膜状有機単結晶の作製方法などにより課題を解決した。 （もっと読む）