【課題】高品質で、クラックのない大きな単結晶を成長させることができ、且つ単結晶の生産性の良い結晶成長方法、およびそれに用いる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】本発明の結晶成長方法は、反応容器内で原料液と原料ガスとを加熱して反応させることによって、前記原料液と前記原料ガスとの化合物の単結晶を得る結晶成長方法であって、前記単結晶と前記原料液とを分離した後に、冷却を開始する。 （もっと読む）

【課題】被処理物を急速昇温でき、熱効率及びスループットに優れるとともに、構成の簡素な熱処理装置を提供する。
【解決手段】高温真空炉は、被処理物を１，０００℃以上２，４００℃以下の温度に加熱する本加熱室２１と、本加熱室２１に隣接する予備加熱室２２と、予備加熱室２２と本加熱室２１との間で被処理物を移動させるための移動機構２７と、を備える。本加熱室２１の内部には、被処理物を加熱するメッシュヒータ３３と、メッシュヒータ３３の熱を被処理物に向けて反射するように配置される第１多層熱反射金属板４１と、が備えられる。移動機構２７は、被処理物とともに移動可能な第２多層熱反射金属板４２を備える。被処理物が予備加熱室２２内にあるときには、第２多層熱反射金属板４２が本加熱室２１と予備加熱室２２とを隔てて、メッシュヒータ３３の一部が第２多層熱反射金属板４２を介して予備加熱室２２に供給される。 （もっと読む）

【課題】圧力容器内部に反応容器を有する二重容器を用いた、Ｎａフラックス法によるIII 族窒化物半導体製造装置において、Ｎａが酸化しないように圧力容器内に反応容器を設置できるIII 族窒化物半導体製造装置を提供する。
【解決手段】III 族窒化物半導体製造装置１は、圧力容器１０１と、圧力容器１０１の内部に設置された反応容器１０２と、圧力容器１０１の内部に設置され、反応容器１０２を加熱する加熱装置１０４ａ、ｂと、内部がアルゴンガスによって満たされたグローブボックスとで構成されている。圧力容器１０１とグローブボックスは、ゲートバルブ１０５を介して接続されている。これにより、大型で再利用可能な反応容器を、Ｎａを酸化させることなく圧力容器内に設置できる。 （もっと読む）

【課題】単結晶や多結晶を連続的に低コストで容易に良質に製造できる結晶製造方法を提供する。
【解決手段】原料融解槽５１に原料供給手段５５，５６を介して原料を供給する工程と、前記原料融解槽５１に供給した原料を融解させて原料融液を生成する工程と、前記原料融解槽５１から坩堝本体に原料融液を供給する工程と、を有する結晶製造方法において、前記原料融解槽５１に原料供給手段５５，５６を介して原料を供給する工程および前記原料融解槽に供給した原料を融解させて原料融液を生成する工程が、原料を複数回に分けて供給するとともに、前記原料融解槽に原料を供給するつど融解させて原料融解槽５１内における所定量の原料融液を生成する工程からなる結晶製造方法。 （もっと読む）

【課題】単結晶や多結晶を連続的に低コストで容易に良質に製造できる結晶製造装置を提供する。
【解決手段】加熱炉１１内に配置された原料の入った坩堝本体１４と、坩堝本体１４内の原料を不活性ガス雰囲気中において酸化を防止するための、坩堝本体１４に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段２１と、坩堝本体１４内を前記原料の融点以上の温度に保つための坩堝本体の周囲に配設した加熱手段１３と、坩堝本体１４内の溶融原料９２を攪拌するための攪拌手段１０２と、坩堝本体１４の底部に形成した通孔１７から流下する精製した原料融液を収容する、坩堝本体の下部に配置した貯留槽とを備えた結晶製造装置において、坩堝本体の上部に浮遊するスラッジ９７を排出するための坩堝本体１４の側壁に引出口９４を備えた排出管９５と、坩堝本体１４の下部に配置した排出管の他端から排出される浮遊スラッジを収容するスラッジ槽９６とを有する結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】フラックス法において、用いるフラックスの純度を高く確保しつつ、フラックスの材料コストを節約し、更に作業効率を向上させる方法を提供する。
【解決手段】ナトリウム（Ｎａ）精製装置１３０には、精製後のＮａを液体状態で保持するＮａ保持管理装置１４０が設けられており、このＮａ保持管理装置１４０には、１００℃に維持された液体Ｎａ供給管１３９を介して、液体Ｎａが供給される。更に、このＮａ保持管理装置１４０は、自身の内部空間を満たすアルゴン（Ａｒ）ガスの状態を管理するためのＡｒガス精製装置１４１を有している。したがって、Ｎａ精製装置１３０から供給される精製後の液体のＮａは、液体Ｎａ供給管１３９，Ｎａ保持管理装置１４０，配管１４９を介して、所望のタイミングで蛇口１２１の開閉操作に基づいて自在に坩堝ｃの中に取り出すことができる。 （もっと読む）

【課題】外部容器内の部品が大気に晒されるのを防止するとともに、内部容器等の取り外しを回避してＩＩＩ族窒化物結晶を製造する。
【解決手段】アルカリ金属とＩＩＩ族金属とを含む混合融液を保持する坩堝１０と、坩堝１０がその内部に収容される反応容器２０と、反応容器２０を介して坩堝１０を加熱する加熱装置（５０，６０）と、反応容器２０及び加熱装置（５０，６０）がその内部に収容され、開閉可能な本体部３０１を有する保持容器３００と、保持容器３００がその内部に収容され、密閉状態で保持容器の本体部３０１を開閉し、坩堝１０への原料の投入及び製造されたＩＩＩ族窒化物結晶の取り出しを行うための操作手段を有し、その内部が不活性ガス雰囲気又は窒素ガス雰囲気とされている密閉容器４００とを備えている。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法において、大面積のエピタキシャル成長を可能とし、かつ低コスト化を図る。
【解決手段】シード基板としての単結晶ＳｉＣ基板１５に対向して、当該単結晶ＳｉＣ基板１５より自由エネルギーの高い炭素フィード基板としての多結晶ＳｉＣ基板２０を配置する。また、単結晶ＳｉＣ基板１５と多結晶ＳｉＣ基板２０との間にシリコンプレート２３を配置する。これを真空高温環境で加熱処理し、シリコンプレート２３を融解させ、単結晶ＳｉＣ基板１５と多結晶ＳｉＣ基板２０との間にＳｉの極薄溶融層を溶媒として介在させる。そして、基板１５，２０の自由エネルギーの差に基づいてＳｉ溶融層に発生する濃度勾配を駆動力とする準安定溶媒エピタキシー（ＭＳＥ）法により、単結晶ＳｉＣ基板１５の表面に単結晶炭化ケイ素を液相エピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】 ゲル・カウンタ・ディフュージョン法を用いて微量のサンプルで結晶化を実施できて、かつ、結晶を取り出すことなく結晶作製器具をそのままの状態でＸ線回折装置の試料ホルダーに取り付けることができるようにする。
【解決手段】 流路２４の第１端部２６にはタンパク質溶液導入口１６が連通し、流路２４の第２端部２８には第１の沈殿剤導入口１８ａが連通している。流路２４の途中にはゲル導入口２０と空気抜き穴２２が連通している。流路プレート１０のサイズは１２．２ｍｍ×２６ｍｍと小さくなっている。流路２４は渦巻き状に曲がっており、流路２４に沿った第１端部２６から第２端部２８までの長さ（流路の全長）は、第１端部２６から第２端部２８までの直線距離Ｌ７の３倍以上である。これにより、小さな平面サイズで充分な流路長さを確保できる。 （もっと読む）

【課題】薄板の単位時間当たりの製造量を維持し、不活性ガスの使用量の削減と、真空排気系および搬送系の簡素化を実現できる薄板製造装置および薄板製造方法を提供する。
【解決手段】薄板製造装置１０００は、浸漬機構１１００と、下地板交換機構１００３と、薄板分離機構１２００と、主室１０１０とを備えている。浸漬機構１１００は、融液１００２に下地板Ｓの表面を浸漬し、下地板Ｓの表面に融液１００２が凝固することにより薄板Ｐを形成する。下地板交換機構１００３は、表面上に薄板Ｐが付着された下地板Ｓを浸漬機構１１００から取り外す。薄板分離機構１２００は、薄板Ｐを浸漬機構１１００から取り外された下地板Ｓから分離する。主室１０１０は、浸漬機構１１００と下地板交換機構１００３と薄板分離機構１２００とが内部に配置されている。 （もっと読む）

本発明は、ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハ、特にＧａＮウェハを生産するように最適化された方法および装置に関する。具体的には本発明の方法は、化学蒸着（ＣＶＤ）リアクタ内の分離弁フィクスチャ（ｉｓｏｌａｔｉｏｎ ｖａｌｖｅ ｆｉｘｔｕｒｅ）の表面への不必要な材料の形成を実質的に防ぐことに関する。本発明は、反応室内で、１つの反応物としてのある量の気体ＩＩＩ族前駆体を、他の反応物としてのある量の気体Ｖ族成分と反応させることによって単結晶ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を形成するシステムおよび方法において使用される分離弁の表面へのＧａＣｌ₃および反応副生物の堆積／凝縮を制限する装置および方法を提供する。
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【課題】 簡易な構成でチャンバ内の酸素濃度を低減することができる基板製造装置を提供する。
【解決手段】 基板１２の原料を加熱溶融した融液１１を貯留する坩堝２は、チャンバ３によって形成される収容空間９に備えられる。バッファ空間２５を形成するバッファ室６は、収容空間９に連通し、かつ冷却体が通過可能な連通孔１７、ガスが排気される排気孔３４、および外部空間に連なり、かつ冷却体が通過可能な搬送孔２３が形成される。バッファ空間２５は、連通孔１７、排気孔３４および搬送孔２３に連通する。搬送孔２３は、開閉手段２４のシャッタ３３によって開閉可能であって、下地板４が通過するときに開状態となる。収容空間９には、ガス供給手段１５によって不活性ガスが供給される。ガス噴出手段３５は、搬送手段７がバッファ空間２５において下地板４を搬送するときに、冷却体に向けて不活性ガスを噴出する。 （もっと読む）

【課題】単結晶や多結晶を連続的に低コストで容易に良質に製造できる結晶製造装置を提供する。
【解決手段】加熱炉１１内に原料の入った坩堝本体１４を配置してこれを不活性ガス雰囲気中で酸化を防止しつつ原料の融点以上の温度に保ち、坩堝本体１４の底部に形成した通孔１７から、坩堝本体１４下部に配置した溶液受け室２３内の昇降テーブル３１上に搭載した貯留容器３０に溶融した原料融液２５を流下させた後、昇降テーブル３１とともに貯留容器３０を下降させ、その後溶液受け室２３に隣接して配置した複数の凝固室４１に昇降テーブル３１上から貯留容器３０を移送し、この凝固室４１で所定時間冷却させた後、凝固室４１にそれぞれ隣接して配置した冷却室で常温まで冷却し、その後凝固したインゴットを冷却室から搬出する。 （もっと読む）

【課題】単結晶ＳｉＣ基板の炭素面のみならずケイ素面の平坦化を行うことが可能で、かつ環境への負荷も低い表面改質方法を熱エッチングで提供する。
【解決手段】タンタル金属からなるとともに炭化タンタル層を内部空間に露出させるように上下が勘合した収納容器１６に単結晶ＳｉＣ基板１５を収納する。それとともに、加熱室を予め減圧下で１５００℃以上２３００℃以下の温度に調整しておく。そして、収納容器１６を加熱室へ移動することにより、収納容器１６の内部をシリコンの飽和蒸気圧下の真空に保った状態で１５００℃以上２３００℃以下の温度で加熱処理し、単結晶ＳｉＣ基板１５の表面を分子レベルに平坦化熱エッチングする。 （もっと読む）

本発明は、活性有機化合物の結晶粒子を製造する方法に関する。この方法は、湿式粉砕プロセスによって微細な種を生成する工程と、微細な種を結晶化プロセスに付す工程とを含む。得られる結晶粒子は約１００μｍ未満の平均粒径を有する。本発明はまた、本発明の方法によって製造される結晶粒子及び薬学的に許容可能な担体を含む医薬組成物も提供する。
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【課題】縦型ブリッジマン法による単結晶の結晶成長において、結晶径が大きく、かつ、結晶長が長い高品質の単結晶を、効率よく製造する。
【解決手段】縦型ブリッジマン法により単結晶を製造する単結晶製造装置において、原料を配置した筒状の炉芯管と、上記炉芯管の外周側を被覆するように配置されるとともに、該被覆された領域における上記炉芯管内の温度を制御して上記炉芯管内の上記原料を熔解する熔解手段と、上記炉芯管の外周側を被覆するように配置されるとともに、該被覆された領域における上記炉芯管内の温度を制御して上記炉芯管内における上記原料の結晶化後に該結晶を凝固点よりも低い温度で保持する均熱手段とを有し、上記熔解手段と上記均熱手段とを所定の間隙を有するようにして分離して配置し、上記炉芯管の外周面において上記熔解手段と上記均熱手段とにより被覆されていない領域を形成した。 （もっと読む）

ドライエッチングプロセスに続いてエピタキシャル堆積プロセスを含む、エプタキシャル堆積プロセスが開示される。ドライエッチングプロセスは、洗浄すべき基板を処理チャンバ内に配置して表面酸化物を除去するステップを含む。ガス混合物をプラズマキャビティに導入し、ガス混合物を励起してプラズマキャビティ内に反応性ガスのプラズマを生成させる。反応性ガスは、処理チャンバに入り、基板と反応し、薄膜を形成させる。基板を加熱して薄膜を蒸発させ、エピタキシー表面をさらす。エピタキシー表面は、実質的に酸化物を含まない。その後、エピタキシャル堆積を用いてエピタキシー表面上にエピタキシャル層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体結晶成長処理されるべき基板を保持する基板ホルダが、大気に曝されることを防止し、基板ホルダに付着する堆積物を除去することによって、基板ホルダおよび堆積物が半導体結晶を成長させる際の酸素汚染源となることを防止し、特性に優れた半導体結晶を得る。
【解決手段】 半導体結晶の成長が完了した基板２７の取外された基板ホルダ２８が、基板導入室２２の所定位置から取出されるとき、半導体結晶成長の過程において基板ホルダ２８に付着した堆積物を基板ホルダ処理室２６で除去するとき、および堆積物が除去された基板ホルダ２８を基板導入室２２の所定位置にセッティングするとき、のいずれのときにおいても、基板ホルダ２８は、不活性ガス雰囲気または真空雰囲気中で取り扱われる。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成で生成された板状基板の落下を防止し、歩留改善効果を得ることができる板状基板製造装置を提供する。
【解決手段】 たとえばシリコンなどの半導体材料の融液２４に下地基板２１を搬送しながら浸漬し、下地基板２１の成長面３５上にシリコンを凝固成長させて板状基板２７を製造する板状基板製造装置２０には、下地基板２１の搬送方向前方側の端部２１ａおよび搬送方向後方側の端部２１ｂに、落下基板受部材４５が設けられる。この落下基板受部材４５は、下地基板２１の成長面３５上に生成され下地基板２１の成長面３５から離脱して落下する板状基板２７を受取ることができる。 （もっと読む）

【課題】単結晶、特に生長片、とりわけ魚尾状パターンの生長片を生じないか、あるいは問題となる程度まで生じない高溶融性酸化物結晶を提供する。
【解決手段】所定方位をもつ高均質低応力単結晶を、ａ）結晶原材料の融点以下の温度に保持された単結晶を溶融液中に浸漬して固体・液体相境界面を形成し、 ｂ）単結晶が所定の結晶方位へ生長するように、工程ａ）において溶融液中に浸漬された単結晶を溶融液からその液面に対して垂直に引き抜き、 ｃ）工程ｂ）において結晶を引き抜きながら熱を取り除き、 ｄ）工程ｂ）において、制御可能な回転速度で、結晶及び溶融液を互いに対して回転させ、 ｅ）るつぼ内部において少なくとも１つの特徴的表面温度を検出し、及び ｆ）少なくとも１つの特徴的表面温度の温度変動が検出された時、回転速度を増減して少なくとも１つの特徴的表面温度を制御し、かつ結晶と溶融液との間の相境界面が平面状となるように調節する。 （もっと読む）