【課題】 結晶成長において発生するグレインの形状を計算する。
【解決手段】 転位による歪エネルギーをフェーズフィールドモデルに取り込みグレイン形状にたいする時間発展方程式を解く。 （もっと読む）

【課題】低圧または常圧で、工業的に安価な方法で良質の第１３族金属窒化物結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】反応容器１４中に溶融塩６を入れ、溶解する。仕切り板５で仕切られた部分に、周期表第１３族金属元素および周期表第１３族以外の金属元素を含有する複合窒化物８を置き、溶融塩６中へ溶解させる。溶解した複合窒化物８は、イオン性溶媒に溶解してＧａＮ結晶１の表面に到達し、第１３族金属窒化物結晶が成長する。 （もっと読む）

【課題】単結晶、特に生長片、とりわけ魚尾状パターンの生長片を生じないか、あるいは問題となる程度まで生じない高溶融性酸化物結晶を提供する。
【解決手段】所定方位をもつ高均質低応力単結晶を、ａ）結晶原材料の融点以下の温度に保持された単結晶を溶融液中に浸漬して固体・液体相境界面を形成し、 ｂ）単結晶が所定の結晶方位へ生長するように、工程ａ）において溶融液中に浸漬された単結晶を溶融液からその液面に対して垂直に引き抜き、 ｃ）工程ｂ）において結晶を引き抜きながら熱を取り除き、 ｄ）工程ｂ）において、制御可能な回転速度で、結晶及び溶融液を互いに対して回転させ、 ｅ）るつぼ内部において少なくとも１つの特徴的表面温度を検出し、及び ｆ）少なくとも１つの特徴的表面温度の温度変動が検出された時、回転速度を増減して少なくとも１つの特徴的表面温度を制御し、かつ結晶と溶融液との間の相境界面が平面状となるように調節する。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法(チョクラルスキー法)で単結晶を引上中に地震などの振動を受けて、単結晶が大きく揺れて落下し、ルツボが破壊して融液が流出する事故が起こる等の事故に対処して、被害を最小にする単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】事故にいたる振動を受けた場合、粒状半導体材料から成る凝固剤を投入することで急速に該融液を固化させ、単結晶が落下しても融液を流出させない。 （もっと読む）

【課題】
溶融のタイミングが検知容易な種結晶を用いた半導体インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】
鋳型１の底部に半導体融液が結晶化する基となる種結晶１０を配設し、該種結晶１０上で鋳型１内壁全周に周縁部が当接するように熱緩衝部材９を配設する工程Ａと、鋳型１内で熱緩衝部材９上に、前記半導体融液を供給する工程Ｂと、熱緩衝部材９全体及び種結晶１０の少なくとも一部を溶融させ、該種結晶１０の溶融部位に前記半導体融液を結晶化させて半導体インゴットを形成する工程Ｃとを有する半導体インゴットの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法による半導体単結晶引上げにおいて、最適な引上げ条件を簡便に求めることができ、単結晶インゴット内のみならず、各インゴット間においても、結晶特性の均一化を図ることができる半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法による半導体単結晶の製造方法において、ＣＣＤカメラを用いて、半導体単結晶近傍の原料融液表面の温度変動パワースペクトルを求め、所定の単結晶引上げ時のパワースペクトルと一致するように引上げ条件を制御して単結晶を育成することを特徴とする半導体単結晶の製造方法。 （もっと読む）

坩堝の底部への熱入力を減らし且つ抽熱を熱入力とは別個に制御するために、結晶が成長するときに、熱遮蔽部材を加熱部材と坩堝との間で制御された速度で上昇させることができる。他のステップとして坩堝を動かすステップが含まれ得るが、本発明においては、坩堝を動かす必要性を排除することができる。加熱部材の一部分のみを遮蔽することによって温度勾配が形成される。例えば、坩堝の底部への熱伝達を頂部よりも小さくするために、筒状部材の底部を遮蔽することができ、それによって、坩堝内に安定した温度勾配を生じさせることができる。
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【課題】 チョクラルスキー法による単結晶棒の製造において、肩部と直胴部の双方での直径の制御性を向上させ、直胴部の結晶品質を向上させる。
【解決手段】 コントローラ１０４が、引上げ機１０２のヒータ温度又は融液温度を入力、単結晶棒１１６の直径を出力とした場合の入出力間の伝達特性を表す複数種の係数設定値を含むモデルを予め記憶する。モデルに含まれる少なくとも一種の係数設定値は、単結晶棒１１６の肩部及び直胴部の形成過程において単結晶棒の長さ又は経過時間に応じて変化するように設定される。コントローラ１０４が、モデルに基づいて、引上げ機１０２により引上げられている単結晶棒１１６の肩部及び直胴部の直径を所定の目標値に制御するようにフィードバック制御動作を行って、ヒータ又は融液の温度を操作する。 （もっと読む）

【課題】 チョクラルスキー法による単結晶棒の製造において、肩部と直胴部の双方での直径の制御性を向上させ、直胴部の結晶品質を向上させる。
【解決手段】 単結晶棒は、単結晶棒の固体と液体の界面の温度勾配を一定するような速度設定に従い引上げられる。単結晶棒の肩部と直胴部の前部の形成工程で、坩堝のヒータ温度又は融液温度を単結晶棒の長さ又は経過時間の増加に伴って低下させていき、その途中で少なくとも１回は一時的に上昇させる。 （もっと読む）

【課題】 結晶全長にわたって径方向の結晶欠陥分布の変化が小さく、径方向の切断面の全面が１種類の結晶欠陥領域であるシリコン単結晶を容易に製造できるシリコン単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】 坩堝２に収容されたシリコン融液Ｍからシリコン単結晶ＳＩを引き上げながら成長させて製造するシリコン単結晶製造方法において、シリコン単結晶ＳＩの径方向に磁場を印可する磁場印可ステップを備え、シリコン融液Ｍの液面に対する磁場の中心Ａ高さ位置を、シリコン単結晶ＳＩの径方向における温度勾配を一定とするように制御するシリコン単結晶製造方法とする。 （もっと読む）

化合物を化合、均質化、および圧密化する方法が提供される。一つの態様において、装入成分を制御された添加法で混合し、次いで新たに形成した化合物を加熱して完全に溶融させたのち、室温で急冷する。代替態様では、成分を、溶媒として作用する一つの成分が過剰にある状態で供給し、加熱してさらなる成分を溶解させたのち、溶媒を化合物から分離して、均質で圧密化した化合物を製造する。本明細書の方法は、CdTe、CdZnTeおよびZnTe化合物を製造するための経済的かつ迅速なプロセスを提供するために好都合に適用される。

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【課題】石英坩堝を使用するチョクラルスキ法によるシリコン単結晶の製造方法において、結晶径の変更、初期原料融液量の増減等の影響を受けることなく、酸素濃度分布の均一なシリコン単結晶を歩留まり良く製造できるようにする。
【解決手段】石英坩堝の回転数（Ω）、坩堝の温度（Ｔ）、およびシリコン融液が坩堝の内壁と接触する面積と雰囲気ガスと接触する面積との比（β）の３つのパラメータの相関に基づいて、育成中のシリコン結晶中の酸素濃度を予測し、その予測濃度を目標濃度に一致させるべく、回転数（Ω）と温度（Ｔ）の少なくとも１つを制御するようにした。温度（Ｔ）と比（β）とを、石英のシリコン融液に対する溶解エネルギ（Ｅ）を用いた関数１／β×Ｅｘｐ（−E／T）として関連させることによって、シリコン単結晶中の酸素濃度を調整する。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＣ法により化合物半導体単結晶を製造するに際し、液体封止剤の直上の温度を規定することにより、固液界面の融液面に対する凹面化と結晶表面の組成比の不良を防ぎ、全域単結晶の生産歩留りを向上することを可能にする。
【解決手段】 ＬＥＣ法における化合物半導体単結晶の製造中に、液体封止剤（三酸化硼素）直上の温度、より好ましくは液体封止剤の直上で且つ単結晶の表面近傍Ａにおける温度を測定し、測定された実際温度が目標とする所定温度範囲、例えば９００℃以上１０００℃以下に入るように規定することにより、固液界面を原料融液側に凸の最適な形状とし、多結晶化を防ぎ、単結晶収率を高める。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、トップシード溶融凝固法においてファセットの成長が失敗した試料を再度処理し、最終的にファセットを成長させた高品質の酸化物超電導バルク体を製造することができる方法の提供を目的とする。
【解決手段】 本発明は、トップシード溶融凝固法によってファセットが生成しないか、ファセットが生成したとしても前駆体中心部で生成停止した状態の未発達ファセット状態の試料に対し、結晶成長のための処理を複数段のステップで徐々に温度降下させるとともに、各ステップにおいては等温保持する段階降温等温処理を施すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 大口径の単結晶を育成する際にも、固液界面形状を融液側に凸面に制御可能としたＬＥＣ法による化合物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 ルツボ７の底壁外周部側の下方に、リング状のルツボ下ヒータ１０を設け、そのヒータ面をルツボ側壁７aの底部側に向けるために、水平面に対して傾斜させる。このルツボ下ヒータ１０によりルツボ底壁を介してルツボ側壁を加熱して、ルツボ壁の近傍から上昇して育成中のＧａＡｓ単結晶３に向かう大きなＧａＡｓ融液６の自然対流Ｓを形成する。これにより、ＧａＡｓ単結晶３とルツボ７との相対回転に起因する固液界面付近の強制対流に打ち勝って、ＧａＡｓ融液６内の対流は自然対流Ｓが支配的となり、固液界面形状をＧａＡｓ融液６側に凸面に制御可能となる。 （もっと読む）

【課題】種結晶を融液中に保持した状態で種結晶成長を行う場合に、低品質結晶の成長を抑制し、大きなＩＩＩ族窒化物の高品質結晶を短時間で製造することができる製造方法を提供することにある。
【解決手段】ＩＩＩ属金属とアルカリ金属と窒素とを含む融液が保持された保持容器１０４内で種結晶１１０上に結晶成長をさせるＩＩＩ属窒化物結晶の製造方法は、前記種結晶１１０を前記融液１０８に接触させる工程と、前記融液１０８に接触した状態で前記種結晶１１０の環境を結晶成長の条件から外れた第１の状態に設定する工程と、前記融液１０８中の窒素濃度を増加させる工程と、前記融液１０８の窒素濃度が、前記種結晶１１０からＧａＮ結晶を結晶成長させるのに適した濃度に達すると、前記種結晶１１０の環境を結晶成長の条件に適した第２の状態に設定する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】坩堝内の結晶周辺部に発生した転位が結晶内部に蓄積することを低減した単結晶製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】坩堝５内の原料を溶融し温度勾配を利用して前記原料の融液６を該融液の一端から順次に固化させて柱状の単結晶を成長させる単結晶製造方法において、前記坩堝５内の融液６中に前記一端の方向に凹面を向けた界面形状成形部材９を配置し、該界面形状成形部材９を結晶８と融液６との境界としての固液界面７に対して所定範囲内の距離ｄに保持しつつ前記界面形状成形部材と前記坩堝とを相対移動させながら単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 ＫＴａ_ｘＮｂ_1-ｘＯ_３を一例とする酸化物結晶であって、利用効率の高い円形結晶を製造する。
【解決手段】 炉５内に設置されたるつぼ１内の原料溶液８に、種子結晶７を浸して結晶を育成しながら引き上げる結晶製造装置において、炉５内の温度を調整するヒータ４と、るつぼ１内部の原料溶液８と接して、原料溶液８の一部を局所的に加熱する内ヒータ１１と、育成された結晶９の形状を検出する光センサ１４と、光センサ１４で検出された結晶の形状に応じて、内ヒータ１１を制御する温度制御器１５とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 炉内上部のガス対流の影響によるメインヒーターの加熱変動を抑止し、三酸化硼素とＧａＡｓ融液との間にある気泡を取り込まない半導体単結晶製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】 チャンバー９内に設けられた坩堝７と、坩堝７の外周に配置されたメインヒーター５と、坩堝７の下方に配置されたサブヒーター６と、メインヒーター５を制御するためのメインヒーター熱電対１１とを備えたＬＥＣ法による半導体単結晶製造装置１において、メインヒーター５の長さをＡとし、メインヒーター５の最下部からメインヒーター熱電対１１までの取り付け位置の距離をａとしたとき、上記距離ａの範囲が下式（１） ０≦ａ≦１／４ × Ａ ・・・（１）
を満たすことを特徴とする半導体単結晶製造装置１及び製造方法である。 （もっと読む）

【課題】
単結晶や多結晶を連続的に低コストで容易に良質に製造できる結晶製造装置を提供することである。
【解決手段】
加熱炉内に原料の入った坩堝本体を配置してこれを不活性ガス雰囲気中で酸化を防止しつつ当該原料の融点以上の温度に保ち、坩堝本体の底部に形成した通孔から流下した原料融液を、坩堝本体下部において昇降テーブル上に搭載した種子結晶板の上面に接触させた状態で、昇降テーブルとともに種子結晶板を下降させることによって結晶を成長させる結晶製造装置であって、
原料を融解させて原料融液を生成するための原料融解槽と、
この原料融解槽に原料を供給する原料供給手段と、
当該原料融解槽内の原料融液を前記坩堝本体内に導入する原料融液導入手段と、
坩堝本体下部において昇降テーブルとともに種子結晶板を下降させるエリアを温度調整する温度管理手段とを有する、
ことを特徴とする結晶製造装置。 （もっと読む）