【課題】原料を融解放置する温度を精細に管理し、必要以上にルツボを加熱しないことで、インクルージョンの発生を抑えて効率的に高品質な酸化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供。
【解決手段】炉体内のルツボに単結晶用原料を入れて加熱溶融し、原料融液から成長結晶を引き上げる溶融固化法により酸化アルミニウム単結晶を製造する方法において、単結晶用原料を加熱溶融する際に、まず窒素または不活性ガス雰囲気下、加熱によって単結晶用原料から発生するガスを除去するに十分な条件で単結晶用原料を溶融し、次に炉内に酸素を導入し、酸素および窒素または不活性ガスからなる混合ガス雰囲気下、引き続き原料融液を加熱し、２０５０〜２１５０℃においてルツボ内を酸化させない程度の十分な時間保持し、その後、成長結晶の引き上げを行うことを特徴とする酸化アルミニウム単結晶の製造方法により提供する。 （もっと読む）

【課題】余分なコストを発生させることなく、充分な量の輻射熱を融液表面と坩堝との接触領域に向けて反射できる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】溶融シリコン２を貯留する坩堝３が加熱手段である高周波誘導コイル７によって加熱されるときに、溶融シリコン２表面からの輻射熱を反射する熱遮蔽板１１が、溶融シリコン２表面からの輻射熱を溶融シリコン２表面と坩堝３との接触領域２ａ，２ａ’に向けて反射させるようにする。また、熱遮蔽板１１は、可動式とする。 （もっと読む）

【課題】ＶＢ法、ＶＧＦ法によって製造された化合物半導体単結晶基板において、化合物半導体単結晶基板面内のキャリア濃度をより均一化した化合物半導体単結晶基板を提供する。
【解決手段】容器２の底部に予め配置した種結晶Ｓより結晶成長を開始し、徐々に上方に結晶化を進行させ、容器２内に収納した原料融液Ｍ全体を結晶化させ、得られた結晶を切断する方法によって製造された化合物半導体単結晶基板において、
以下の条件Ａ〜条件Ｃのうち、
条件Ａ：基板面内のキャリア濃度の平均値が１．０×１０¹⁸〜５．０×１０¹⁹／ｃｍ³ 条件Ｂ：基板面内のキャリア濃度の最大値、最小値が、基板面内のキャリア濃度の平均値から±５％のばらつきの範囲内
条件Ｃ：基板面内の転位密度の平均値が０〜５０個／ｃｍ² の少なくとも２つの条件を満たすものである。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法により単結晶を育成する単結晶引上げ方法において、テイル工程中の過冷却融液中に発生する育成単結晶の成長界面以外の固化物を抑制し、大型の単結晶を高い生産性、高歩留りで製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、種結晶をルツボ内の融液に接触させた後、拡径部を形成する拡径工程と、直胴部を育成する直胴工程と、テイル部を形成するテイル工程とを備え、かつ育成単結晶を囲繞するように円環状の構造物を融液表面上方に配置し、該構造物の下端と融液表面との距離を制御しつつ前記育成単結晶を引上げる、チョクラルスキー法により単結晶を育成する単結晶引上げ方法において、前記テイル工程中の前記構造物下端と融液表面との距離を、前記直胴工程中の前記構造物下端と融液表面との距離より小さくなるように制御して前記育成単結晶を引上げることを特徴とする単結晶引上げ方法。 （もっと読む）

【課題】品質の安定化により製造効率を大きく高めることができ、単位面積当りの製造コストを画期的に低下させることができる、薄板製造方法および薄板製造装置を提供する。
【解決手段】下地板Ｓを融液１００７の液面に浸漬させた後、引上げることで、下地板Ｓの表面に融液を凝固させて形成された薄板Ｐを下地板Ｓから取外し薄板Ｐを製造する薄板製造方法において、形成された薄板Ｐの板厚を特定可能なデータを測定し、測定した板厚に基いて融液１００７を加熱する加熱機構１００５の出力を制御することで、作製される薄板Ｐの板厚を一定に保つ温度に融液１００７の温度を制御し、薄板Ｐの品質を安定させる。 （もっと読む）

【課題】 粒状単結晶シリコンの製造方法において、結晶性や開放電圧特性に優れた高品質な粒状単結晶シリコンを安定して作製でき、量産性に優れた低コストな粒状単結晶シリコンを製造する。
【解決手段】 酸素ガスと窒素ガスの反応性ガスを含む雰囲気ガス中で粒状シリコンを加熱して表面に前記ガスの成分を含む珪素化合物被膜を形成して内側のシリコンを溶融した後、降温して凝固させて単結晶化する粒状単結晶シリコンの製造方法であって、上記反応性ガスを室温より高くシリコンの融点より低い温度で導入し始めることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶の長手方向に沿った比抵抗プロファイルが拡大されて単結晶のプライム長さが増加することで、従来に比べて生産性を向上させるチョクラルスキー法を用いた半導体単結晶製造方法、この方法を用いて製造された半導体単結晶インゴット及びウエハーを提供する。
【解決手段】るつぼ１０内に含有された半導体原料物質とドーパント物質との融液ＳＭにシード結晶を浸した後、シード結晶を回転させながら上部へと徐々に引き上げ半導体単結晶Ｃを成長させる際に、磁場の垂直成分が０であるＺＧＰ（Ｚｅｒｏ Ｇａｕｓｓ Ｐｌａｎｅ）を基準にして上部と下部との磁場強度が相違するＣｕｓｐタイプの非対称磁場をるつぼに印加して結晶Ｃの長手方向に沿って理論的に計算された比抵抗プロファイルを結晶Ｃの長手方向に沿って拡張させる。 （もっと読む）

【課題】フラックス法によって窒化物単結晶を育成するのに際して、結晶基板の反りや粒界生成を抑制する方法を提供する。
【解決手段】融液中で針状種結晶９の側面９ａから単結晶１０を成長させる。好ましくは、針状種結晶９が窒化物単結晶からなる。また、好ましくは、育成される窒化物単結晶１０のｃ軸が針状種結晶９の主軸Ｘと略平行となるように単結晶を育成する。好適な実施形態においては、針状種結晶９の主軸Ｘが窒化物単結晶基板の法線と平行になるように、基板を切り出す。 （もっと読む）

【課題】 複数段のヒータを用いたチョクラルスキー単結晶製造装置において、結晶直径の制御性を改善する。
【解決手段】 結晶直径を制御するために、引上速度が操作される。引上速度を所定の速度設定値に近づけるともにヒータ温度を所定の温度目標値に近づけるために、複数段のヒータ（１６，１８）の電力が操作される。ヒータ（１６，１８）の電力比率は、所定の電力比率設定値に一致するように制御される。電力比率設定値は、結晶引上長さに応じて変化し、その変化に伴ってヒータ温度が変化して、これが直径制御の外乱となる。この外乱を補償するために、温度目標値を決定する基礎となる温度設定値には、電力比率設定値の変化に伴うヒータ温度の変化が予め加味される。従って、温度設定値は、電力比率設定値の変化に伴って、現在の電力比率設定値に適した値へと変化する。 （もっと読む）

液体供給材料、例えばシリコンのメルトプールから連続的に結晶リボンを製造する装置及び方法。シリコンは、溶融され且つ成長トレイ内へ流されて液体シリコンのメルトプールを提供する。当該メルトプールからチムニーを介して上方へ熱を流れさせることによって、熱が受動的に除去される。熱の損失をチムニーを介して生じさせながら、シリコンを液体相に保つために、成長トレイに熱が同時に適用される。熱がチムニーを介して失われるときに、シリコンが“凍結”（すなわち、凝固）し始め且つテンプレートに付着するように、テンプレートがメルトプールと接触せしめられる。当該テンプレートは、次いで、メルトプールから引き出されて結晶シリコンの連続するリボンが製造される。 （もっと読む）

Ｃ−面単結晶サファイアの製造のための方法と装置が開示される。その方法と装置は、低い多結晶性及び／または低い転位密度を示す単結晶材料の製造のために、エッジディファインドフィルム−フェド成長法を用いてもよい。
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硼酸フッ化ベリリウム塩非線形光学結晶であり、分子式は、MBe₂BO₃F₂であり、M＝Rb又はCsであり、フラックス法により製造されている。硼酸フッ化ベリリウム塩と融剤とを比例的に均一に混合させ、750-800℃まで温度上昇させ、恒常温度になってから、飽和温度以上の2-10℃まで冷却させ、硼酸フッ化ベリリウム塩と融剤とを含む高温溶液が得られ、シードロッド上の種結晶を当該高温溶液に入れ、シードロッドを回転させ、飽和温度まで温度降下させてから、次第に温度降下させる。こうして得られた結晶を液面から持ち上げ室温まで降下させ、本発明による非線形光学結晶が得られる。当該結晶は非線形光学効果を有し、光透過波長域は広く、紫外遮断波は150ｎｍに達し、潮解することもなく、希塩酸と希硝酸に溶けることもなく、化学安定性がよく、紫外波長域レーザ周波数変換の需要に適し、非線形光学デバイスの製作に用いられる。Nｄ：YAGレーザの２倍波、３倍波、４倍波、５倍波又は６倍波に変換する調波出力デバイスが実現でき、その他のレーザ波長の調波出力デバイスに使用することができ、266ｎｍ以下の干渉光の出力が生成できる。
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【課題】本発明は、キャスト成長法において、Ｓｉバルク多結晶の方位を｛１１０｝面のみに揃えることができる、簡便なＳｉバルク多結晶の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】ルツボを用いたＳｉバルク多結晶の融液成長において、Ｓｉ融液にＧｅを添加し、成長初期にルツボ底面に沿って＜１１２＞方向に伸びるデンドライト結晶を発現させ、デンドライト結晶の上面を｛１１０｝面とした後、上記デンドライト結晶の上面にＳｉバルク多結晶を成長させることを特徴とする、結晶粒方位の揃ったＳｉバルク多結晶の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛デバイス用基板材料として適した高純度で高品質な酸化亜鉛結晶を得る成長方法を提供する。
【解決手段】長さ方向一端側から他端側に向け温度勾配を有する成長容器11内において酸化亜鉛結晶15の成長を行う酸化亜鉛結晶の成長方法であって、溶媒としての亜鉛インゴット13と原料としての酸化亜鉛多結晶12が充填された成長容器11を、亜鉛の融点以上酸化亜鉛の融点以下の温度に加熱し、かつ成長容器11の高温側に配置された酸化亜鉛原料を、溶融した亜鉛を溶媒として成長容器11の低温側成長部において再析出、成長させて酸化亜鉛結晶15を得る。 （もっと読む）

【課題】結晶方位に拘わらず、スリップ転位の発生を抑制し、無転位化を簡易に達成し、結晶品質の向上を図ることができ、特に、スリップ転位を消滅させるのが難しい結晶方位が＜１１０＞である種結晶を用い、＜１１０＞の単結晶を引上げるのに最適であるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により、坩堝内の結晶原料を融解させ、種結晶１を坩堝内に保持される溶融液に浸漬させた後、種結晶１を引上げてネック部４を形成するネック工程に次いで、単結晶のショルダー部およびボディー部を形成する単結晶製造方法において、種結晶１を溶融液に浸漬させる際に、溶融液温度を種結晶１が溶融液表面に接触するのに最適な温度とした後、溶融液温度を低下させるとともに、種結晶１の引上げ速度を速めながら引上げ、引上げ径が目標のネック径に到達した時点で引上げ速度を一定の速度としてネック部４を形成する。 （もっと読む）

【課題】融液からチューブを引き上げることによってシリコンのような材料から結晶質のチューブを製造する方法を提供する。
【解決手段】坩堝１６に供給された材料を加熱要素２２，２４により溶融して製造した融液は、チューブの形状を定める毛管ギャップを通りメニスカスを形成し、上方の先端区域で凝固しながら、引き上げ手段４８によって、矢印５０の方向に持ち上げられ、多角形のチューブが製造される。多角形の各々の辺ごとに１つの融液の区域が割り当てられている。各々の辺の温度は別々に制御される。 （もっと読む）

【課題】従来技術の複雑な工程を必要とせず、低コストで高品質なIII族窒化物結晶、その製造方法及びそれを用いたデバイスを提供する。
【解決手段】反応容器１０１内には、III族金属としてのＧａとフラックスとしてのＮａの混合融液１０２があり、結晶成長可能な温度に制御できるように加熱装置１０６が具備され、窒素原料としては窒素ガスを用いている。窒素ガスは窒素供給管１０４を通して、反応容器１０１外から反応容器１０１内の空間１０３に供給することができ、この時、窒素圧力を調整するために、圧力調整機構１０５が備えられている。これにより、III族窒化物の薄膜結晶成長用の基板となるIII族窒化物結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】均一組成を有するバルク結晶を任意の組成比で成長させることができるバルク結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長中に熱パルスを所定の周期で加えることにより、不純物の濃度縞を結晶内に形成し、この濃度縞の位置及び間隔から、均一組成を有するバルク結晶を任意の組成比で成長させるために必要な温度保持時間、結晶成長速度、温度勾配を求める。そして、均一組成を有するバルク結晶を成長させる際は、成長させる結晶の組成比が目的の値となるまで所定時間温度を保持した後に、目的の組成比に対応した結晶成長速度と温度勾配との積から求まる温度降下速度に従って加熱炉内の温度を下げる、又は、目的の組成比に対応した結晶成長速度に応じた移動速度で容器を低温側に相対移動させることによって、結晶成長界面の温度を一定に保つようにする。 （もっと読む）

【課題】温度勾配方式の液相ＬＰＥ法により、基板として使用可能な、高品質のバルクＡｌＮ単結晶を安価に安定して製造する。
【解決手段】窒素含有ガスからなる雰囲気中で、ＡｌＮ単結晶成長用の種結晶基板をＡｌとＮを含む融液の表層と接触させて種結晶基板上にＡｌＮ単結晶を成長させるＡｌＮ単結晶の製造方法において、ＡｌＮ単結晶の成長中、融液の少なくとも表層の温度Ｔｂを、ＡｌＮ膜が融液表層に生成する温度Ｔａより１℃以上、１００℃以下高くなるように保持する。 （もっと読む）

【課題】温度勾配方式の液相ＬＰＥ法により、基板として使用可能な、高品質のバルクＡｌＮ単結晶を安価に安定して製造する。
【解決手段】Ａｌを含む融液原料を加熱融解させて融液とし、この融液中に窒素を溶解させてＡｌＮ溶液を形成し、ＡｌＮ単結晶成長用の種結晶基板を融液表層と接触させて種結晶基板上にＡｌＮ単結晶を成長させるＡｌＮ単結晶の製造方法において、融液原料の加熱融解中、融液原料の中で最もモル比の高い元素の融解が終了するまでは雰囲気を不活性ガス（例、アルゴンガス）とし、その後に雰囲気を窒素含有ガスに切り換えて、種結晶基板上にＡｌＮ単結晶を成長させる。 （もっと読む）