【課題】結晶の成長速度の大きいＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造装置は、少なくとも、種結晶２の周りにＩＩＩ族元素と触媒剤とを含む融液１を収容することができる反応容器２１を有するＩＩＩ族窒化物結晶の製造装置であって、種結晶２を局所的に冷却するための冷却材４２を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は人工結晶分野の低温β−ＢａＢ_２Ｏ_４単結晶、その育成方法およびそれによる周波数変換器部品を提供する。溶融塩法を採用し本単結晶が得られる。この単結晶は完全にＢＢＯ潮解性が強い欠点を克服し、ほとんど潮解しない。本単結晶のダブル周波数の効果と光損傷限界値はＢＢＯ結晶に比べかなり改善され、かつ硬度も著しく増加している。この単結晶はショア硬度が１０１．３で、モース硬度が６であることに対し、ＢＢＯはショア硬度が７１．２で、モース硬度が４である。可視光―紫外線光エリアの透過率曲線のテストにより、この単結晶のカットオフ波長が１９０ｎｍで、吸収開始波長が２０５ｎｍである。これらはＢＢＯの性能より優れていて、ＢＢＳＡＧがレーザー非線形光学分野、紫外線、深紫外線周波数変換器部品などにおいて将来性がある。 （もっと読む）

半導体および太陽光発電用途に使用可能なシリコンなどの単結晶材料を製造するためのシステムおよび方法が提供される。単結晶インゴットを成長させるために炉（１０）内に坩堝（５０）が配置され、坩堝（５０）は当初、単一の種結晶（２０）および供給材料（９０）を収容し、種結晶（２０）は少なくとも部分的に溶融され、供給材料（９０）は坩堝（５０）内で完全に溶融され、その後、成長および凝固プロセスが行なわれる。シリコンインゴットなどの単結晶材料の成長は方向性凝固によって達成され、成長段階における熱除去は、供給原料（９０）を収容する坩堝（５０）に対して可動性の断熱材（１４）を用いて達成される。単結晶成長を達成するために、成長および凝固プロセス時に坩堝（５０）からの熱除去を制御するための熱交換器（２００）も設けられる。
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溶融液を精製するための装置が開示される。チャンバ内の溶融液の第一の部分は、第一の方向で凝固する。第一の部分の一部は、第一の方向で溶融する。該溶融液の第二の部分は、凝固されたままである。溶融液はチャンバから流れ、該第二の部分はチャンバから除去される。凝固は、溶融液及び第二の部分の溶質を濃縮させる。第二の部分は、高溶質濃度を有するスラグとすることができる。このシステムは、他の部品、例えばポンプ、フィルタ又は粒子トラップを有するシート形成装置に組み込まれることができる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン粒子を安定的かつ高効率に単結晶化するとともに、単結晶の結晶シリコン粒子を一括的にかつ低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 結晶シリコン粒子の製造方法は、シリコン粒子１０１をその形状を保持したままシリコンの融点Ｔｍ以上の温度Ｔ１に加熱して内部のシリコンを溶融させて、温度Ｔ１から融点Ｔｍ未満であって１３８３℃以上の温度Ｔ２まで過冷却する工程１と、次に溶融したシリコン粒子１０１が全て凝固するまでＴｍ未満であって１３８３℃以上の範囲内の所定の温度に保持する工程２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】直胴部の育成過程で有転位化が生じても、シリコン単結晶の破断や破裂を防止できるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によるシリコン単結晶９の育成の際、ショルダー部９ａを形成した後の直胴部９ｂの育成過程で有転位化が生じたとき、直ちにルツボ２を加熱するためのヒータ４の出力を瞬時に大幅に上げてテイル部９ｃの形成を行い、テイル部９ｃの形成長さを短くしてシリコン単結晶９をルツボ２内のシリコン融液６から切り離す。これにより、有転位化の発生位置Ｄからテイル部９ｃの下端までの長さＬが短くでき、シリコン単結晶９内に残留する熱応力の緩和が図れ、シリコン単結晶９の破断や破裂を引き起こす亀裂の発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】フラックス法により、基板上に生成する単結晶の膜厚を種結晶全面に対して均一化することが可能な窒化物単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】育成容器１の底壁部１０に、相対的に高温の高温部１０ｂと相対的に低温の低温部１０ａとを設け、融液２内に種結晶基板５を浸漬し、種結晶基板５が高温部１０ｂ上に位置するように固定した状態で育成を開始する。高温部１０ｂ付近から矢印６のように種結晶基板の育成面５ａ（あるいは５ｂ）に添って上昇流が生じ、次いで気液界面の近くでは育成容器の外側へと向かって流れ、次いで矢印８のように育成容器の内壁面に添って下降流が生じる。このように、整流でかつ効率よく対流させることができるため、気液界面付近で窒素を融液に溶解させた後に、その融液を育成容器の全体にすみやかに供給することができ、種結晶基板の育成面にステップフロー成長がおこり、品質の良い平滑な窒化物単結晶が形成される。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法による単結晶の引上げ方法において、ネック部長さと、このネック部平均変動幅における最適値を再現性よく実現することが可能なネック部形状とすることにより、ネックに起因する単結晶の有転位化を低減できる単結晶の引上げ方法を提供する。
【解決手段】ルツボ内シリコン融液表面に種結晶を接触させてメニスカスの晶癖線突出幅で最適なネック縮径部の育成開始の融液表面温度を見極めるステップＳ２と、種結晶のシリコン融液への接触からネッキング開始太さ迄を略逆円錐形状とした直径設定値のずれを、育成速度とシリコン融液を加熱するヒータ供給電力とで修正することで、略逆円錐形状に縮径させる絞り部育成ステップＳ３と、ネック部の長さ寸法を２００ｍｍ〜４００ｍｍの範囲内として直径設定値のずれを、育成速度とシリコン融液を加熱するヒータ供給電力で修正するステップＳ４を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハにおいて、セコエッチング法では検出できない点欠陥の凝集体をさらに低減すること。
【解決手段】シリコン単結晶インゴット内での格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域を〔Ｉ〕とし、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域を〔Ｖ〕とし、格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体の数がセコエッチング法で検出下限値以下であるパーフェクト領域を〔Ｐ〕とするときに、パーフェクト領域〔Ｐ〕からなるインゴットから切り出されたシリコンウェーハＷを、雰囲気ガスＧ１中で熱処理する熱処理工程を有し、前記雰囲気ガスを、不活性ガス及び還元性ガスの少なくとも一方とし、前記熱処理の温度を、１１００℃以上とする。 （もっと読む）

【課題】温度勾配炉を用い、加熱源の移動を要さずに所望の温度勾配を形成し、横断面内の温度分布も均一化し、連続的に単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】柱状ワークＷの外周を取り囲む断熱壁１０４と、加熱用サセプタ１１０を介して柱状ワークの下端ＷＢを加熱する加熱部１０８と、冷却用サセプタ１１４を介して柱状ワークの上端ＷＴを冷却する冷却部１１２とを備えた温度勾配炉１００を用い、原料棒１０、溶媒１２、種結晶１４、支持棒１６を積層して柱状ワークＷとし、原料棒１０下端を柱状ワーク下端ＷＢとして加熱部１０８で加熱させ且つ支持棒１６上端を柱状ワーク上端ＷＴとして冷却部１１２で冷却させることにより、溶媒１２を介して柱状ワークＷ内に温度勾配を形成し、柱状ワーク下端ＷＢの加熱温度を漸減させ、これと同期して上端ＷＴの温度を降下させることにより、種結晶１４を起点として下方へ連続的に単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の引上げ条件を変更しても、シリコン単結晶及びシリコン融液の固液界面形状やこの固液界面近傍の温度分布の計算値が実測値と極めて良く一致する、シリコン単結晶製造における数値解析方法を提供する。
【解決手段】メッシュ構造でモデル化したホットゾーンの各部材の物性値をコンピュータに入力し、各部材の表面温度分布をヒータ１９の発熱量及び各部材の輻射率に基づいて求める。上記各部材の表面温度分布及び熱伝導率に基づいて各部材の内部温度分布を求めた後に対流を考慮したシリコン融液１３の内部温度分布を求め、固液界面形状をシリコン単結晶２３の三重点を含む等温線に合せて求め、更に上記ステップを三重点がシリコン単結晶の融点になるまで繰返す。シリコン融液のメッシュを所定の範囲に限定し、乱流モデル式がｋｌ−乱流モデル式であり、このｋｌ−乱流モデル式中の乱流プラントル数がチューニングパラメータである。 （もっと読む）

【課題】シリコン融液全体の温度を適切な種結晶着液温度とすることができるシリコン単結晶製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶製造装置内のルツボ１に多結晶シリコン原料を充填し、ヒータ２で加熱して多結晶シリコン原料を融解した後に該シリコン融液８に種結晶１０を着液して該種結晶１０の下方に単結晶１４を育成するチョクラルスキー法を用いたシリコン単結晶の製造装置であって、少なくとも、前記シリコン原料を充填するためのルツボ１、前記シリコン原料を加熱して融解させるためのヒータ２、前記ルツボ内のシリコン融液面の温度を複数点測定するための温度測定器７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄを備え、該温度測定器で測定した複数の融液面温度を基に種結晶を融液に着液させる際の種結晶着液温度を決定する手段を有するシリコン単結晶の製造装置。 （もっと読む）

【課題】るつぼの底部または側部の裂け目から流出したシリコンスラリーによる熱の影響のために炉の下側本体に生じる歪みと変形を防止するスラリー排出ダクト構造を有する結晶成長炉を提供する。
【解決手段】シリコンスラリー９１が漏れて結晶成長炉のるつぼから排出され、台板の周囲に沿って支持ポストまで流れ落ちるのを防ぐように、細長い軒板４に沿って軒樋５のＶ字状溝へと下方向に流れるため、支持ポストは破損せず、るつぼは倒れず、シリコンスラリー９１は氾濫しない。炉の下側本体には、シリコンスラリー９１が支持ポストの近くまで流れないように、大量に漏れ出すシリコンスラリー９１を収容する受入皿６が追加で設けられる。 （もっと読む）

【課題】水晶種子を含む水晶片を水晶デバイスの製造に用いることで製造コストを抑える方法を提供する。
【解決手段】次の全てを満足する人工水晶を用いる。エッチチャンネルが３０本／ｃｍ^２以下の人工水晶から切り出され、水晶のα−β転移温度未満で加熱処理し、水晶種子２０の切り出し時に生じた加工層を除去した水晶種子２０を用いて育成する。鉄の含有量を３ｐｐｍ以下及びナトリウムの含有量を２ｐｐｍ以下に抑えた屑水晶を原料として用いて育成する。シードベールと呼ばれる微細鉱物の密度が結晶と種子２０の境界において、シードベールの長径３０μｍ以上では０個／ｃｍ^２、シードベールの長径１０μｍ以上３０μｍ未満では５個／ｃｍ^２以下を満たす。 （もっと読む）

【課題】 シリコン単結晶の引上げ育成中に有転位化した場合にその単結晶を高効率に再溶融し、シリコン単結晶を高生産性で低コストに製造する。
【解決手段】 シリコン融液１２が充填された石英ルツボ１３、サイドヒータ１５およびボトムヒータ１６、シリコン単結晶１８に対してサイドヒータ１５からの輻射熱を遮蔽する輻射シールド１９、電磁石２０，２１等を備えたＭＣＺ法によるシリコン単結晶の製造方法において、引上げ育成中のシリコン単結晶１８が有転位化した場合に、単結晶引上げ条件よりも輻射シールド１９下端とシリコン融液１２面のギャップＸを大きくし、無磁場の状態にして有転位化したシリコン単結晶１８を降下させシリコン融液１２に溶融する。その後、磁場を印加するとともに上記ギャップＸを単結晶引上げ条件に戻しシリコン単結晶の再引上げを行う。 （もっと読む）

【課題】種結晶の必要がなく、引出し棒の固着ネジに固着ネジ山を形成して結晶が成長する時の荷重による結晶の脱離を防止することができるチョクラルスキー結晶成長装置およびチョクラルスキー結晶成長法を利用して廃溶融塩から効率的に不純物を分離する方法によって、吸着媒質を使用することによる２次廃棄物の発生を防止するとともに、連続工程を可能にする塩廃棄物の精製方法を提供する。
【解決手段】制御された温度で原料塩１０を溶解させるための発熱部２０を含むるつぼ６０と、るつぼ６０の上端中央部に装着している、不純物を含む原料溶融塩１０から目的とする純粋な塩結晶３０を引出すための引出し棒５０と、回転可能に引出し棒５０の下端部に設置されて、不純物を含む原料溶融塩１０と接触する複数個の塩結晶固着ネジと、塩結晶固着ネジの外周面に形成される塩結晶固着ネジ山とを具備するチョクラルスキー結晶成長装置。 （もっと読む）

【課題】高濃度の不純物を含む尖頭部がないことから、光電変換効率が高く、高性能の光電変換装置に用いるのに適し、また、多数個の結晶シリコン粒子を導電性基板上に効率的に配置して均一の接合力や接合深さで接合することができることから、高信頼性の光電変換装置に用いるのに適した結晶シリコン粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコン粒子１０１の製造方法は、坩堝のノズル部からシリコン融液を粒状に排出し、この粒状のシリコン融液を冷却して固化させることによって、不純物が偏析した尖頭部１０５を有する擬似単結晶化された結晶シリコン粒子１０１を製造し、次に結晶シリコン粒子１０１の尖頭部１０５を除去する。 （もっと読む）

【課題】抵抗加熱炉を用いた溶融固化法により単結晶を成長させる際に、種付け（シーディング）後の結晶径の急成長を抑制して高品質な酸化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】抵抗加熱炉を用い、その炉体内のルツボに単結晶用原料を入れて加熱溶融し、所定の結晶方位に切り出した種結晶１を原料融液表面に接触させ、所定の速度で上方に引き上げて単結晶を成長させる溶融固化法により酸化アルミニウム単結晶を製造する方法において、単結晶用原料が加熱溶融した後、種結晶１を下降させて融液表面の上方１０ｍｍ以内の位置に保持し、種結晶１の先端が融解するのを確認してから、種結晶１の融解温度よりも１〜４℃低い温度を種付け温度として、種結晶１を原料融液表面に接触させる。さらに、単結晶を引き上げる際に、固液界面の結晶が融液に向かって凸部３を形成するように、結晶周辺部からの放熱を抑制しながら原料融液を加熱する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、強度の向上と、熱はけ性の良好な酸化物超電導バルク体の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、ＲＥ_１Ｂａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−Ｘ（ＲＥはＹを含む希土類元素（Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕの１種または２種以上を示す。）なる組成の酸化物超電導バルク体を製造するに際し、酸化物超電導バルク体を構成する元素の原料粉末を加圧成形して圧密する際、原料混合粉末中に溶融凝固法に伴う加熱温度において溶融しない貴金属の補強体を挿入して圧密し、目的の形状の前駆体を得た後、この前駆体に対し、溶融凝固法を適用して結晶成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

ｒ平面単結晶サファイアを生産するための方法および装置が開示される。この方法および装置はリネージの不在を示す単結晶材料の生産のための縁端限定膜供給成長技術を使用し得る。
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