【課題】 衝突流体によるシリコンシートの形成が開示される。
【解決手段】 結晶体を形成するための技術が概して開示される。結晶体を形成するための例示的システム、装置、または方法は、溶融結晶材料を収容するためのるつぼと、端部に種を収容するための支持体であって溶融結晶から種結晶を引き上げる引張り方向の並進移動軸に沿って移動可能であることにより成長経路に沿って結晶体の成長を開始させる支持体と、を含むことができる。別の例は、流体源に結合されるように構成された１つまたは複数のノズルであって、溶融結晶が成長経路に沿って引張り方向に引き上げられるにつれて結晶体を成形するための成長経路に対し相対的に配置された複数のノズルを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】種結晶や育成中のシリコン単結晶に転位が導入された場合であっても、新しい種結晶を使用せずに、無ネッキング法によりシリコン単結晶を育成する方法等を提供する。
【解決手段】特定の濃度のドーパントを含有する種結晶７を使用し、シリコン単結晶６の製造中に、種結晶７もしくは育成中のシリコン単結晶６に転位が導入された場合には、種結晶７を新たな種結晶７に交換することなく、種結晶７を融液５に前回着液させたときよりも深く融液５に浸漬させ、又は、種結晶７が別のシリコン単結晶６の製造で使用されたことのある再生品であり、かつ種結晶７が転位を含む場合には、種結晶７の端部のうち転位を含む端部を融液５に着液させてから、種結晶７のうち転位を含む部分を融液５に浸漬させ、種結晶７のうち融液５に浸漬させた浸漬部分を溶融させた後、種結晶７からネッキング部を設けずにシリコン単結晶６を育成する。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮ（窒化アルミニウム）塊状単結晶を製造するための方法と単結晶ＡｌＮ基板を提供する。
【解決手段】中心長手軸線１８を有する単結晶ＡｌＮ種結晶１５を坩堝装置３の結晶成長領域４内に配置し、成長段階の間に結晶成長領域４内にＡｌＮ成長気相１６を生成し、成長気相１６を坩堝装置３の貯蔵領域５内にあるＡｌＮ原材料２１から少なくとも一部を供給し、ＡｌＮ塊状単結晶２をＡｌＮ成長気相１６からＡｌＮ種結晶１５上に析出させることで中心長手軸線１８と平行に向いた成長方向１７に成長させ、浄化段階の間にＡｌＮ原材料２１の少なくとも酸素割合が減らし、坩堝装置３に設けた析出室８内で浄化段階の間にＡｌＮ原材料２１から蒸発した酸素含有成分を析出させ、ＡｌＮ原材料２１を浄化段階の終了後、成長段階全体の間、無酸素雰囲気内で保持する。 （もっと読む）

【課題】サファイアを含むいろいろな単結晶を提供すること。
【解決手段】単結晶は、幅が約15cm以上、厚さが約0.5cm以上を含めた望ましい幾何学的性質を有する。また、単結晶は、例えば最大厚さ変動のような、他の特徴も有し、形成時の結晶は、略対称なネック部分、特にネックから本体への移行に関して略対称なネック部分を有する。このような結晶を作製する方法、及びその方法を実施するための装置も開示される。 （もっと読む）

【課題】半導体結晶の成長方向における不純物濃度またはキャリア濃度の分布をより均一にした半導体結晶および半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体結晶中における最低不純物濃度Ｃ₁minとＣ₁min≦Ｃ₁≦１．５Ｃ₁minの関係を満たす不純物濃度Ｃ₁である結晶部分が、固化率０．１〜０．８の範囲内における結晶部分の４／７以上を占める半導体結晶とその半導体結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】結晶引上中の液面位置を正確に検出することによって、シリコン融液の融液面の位置を正確に制御し、所望の結晶特性を備えた高品質なシリコン単結晶を製造することが可能なシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶１５の育成にあたって、所望の無欠陥領域が得られるようにＶ／Ｇを高精度に制御するためには、一定の引上速度で引上げを行うことが重要である。本発明のシリコン単結晶引上方法では、Ｖ／Ｇを高精度に制御するために、シリコン単結晶１５の引上（育成）中に継続してシリコン融液１３の融液面１３ａと、この融液面１３ａに対面してその一部を覆うように配された遮熱部材１７との間隔Δｔの測定を行う。 （もっと読む）

【課題】全面ＯＳＦ領域のサブストレートが容易に製造でき、かつ１０μｍ以上のＤＺ層を持つアニールウェハが安定的に製造できる方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶を引上げる炉内の圧力を４０〜２５０ｍｂａｒにして、前記炉内の雰囲気中に水素を体積比で１％〜３．８％導入する工程と、前記シリコン単結晶内にＶ領域とＩ領域を含まないように前記シリコン単結晶を引上げる炉内に窒素を添加し、かつ結晶引上速度Ｖ（ｍｍ／ｍｉｎ）と結晶成長軸方向の平均温度勾配（℃／ｍｍ）との比であるＶ／Ｇを制御して、かつ前記シリコン単結晶の中心の結晶成長軸方向の平均温度勾配Ｇ_Ｃと外周部Ｇ_Ｅとの比率Ｇ_Ｅ／Ｇ_Ｃが１．４以上であるようなシリコン単結晶を作成する工程と、当該シリコン単結晶から切り出したシリコンサブストレートを非酸化性雰囲気下で１１５０〜１２５０℃、１０分以上２時間以下の条件で熱処理する工程と、を含む製造方法。 （もっと読む）

【課題】多結晶材料から容易に単結晶が育成できるとともに、単結晶製造のコストを低下させて、単結晶の利用範囲を広げることが可能な単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】長尺状の多結晶材料と加熱源を、多結晶材料の長手方向に相対的に移動させることによって多結晶材料を局所加熱で半溶融状態にして多結晶材料の長手方向に単結晶を成長させる方法において、映像観察装置によって多結晶材料の局所加熱部の映像を連続的に観察し、半溶融部の状態をリアルタイムで観察して局所加熱部の加熱温度及び移動速度を制御することにより単結晶を成長させる。 （もっと読む）

結晶材料（３）を溶融させかつ凝固させる溶融凝固炉（１）は、底部（４）および側壁（５）を有する坩堝（２）と、電磁誘導によって結晶材料を加熱するための手段と、を備える。炉は、側壁（５）の周囲の坩堝（２）の周辺に配置された少なくとも１つの側部断熱システム（６）を含む。側部断熱システム（６）の少なくとも１つの側部エレメントは、側壁（５）に対して、断熱位置と熱損失を助長する位置との間を移動する。側部断熱システム（６）は、１Ｓ／ｍ未満の電気伝導率と、１５Ｗ／ｍ／Ｋ未満の熱伝導率と、を有する。
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【課題】比抵抗が０．０２Ωｃｍ以下であるシリコン単結晶をＣＺ法で育成するに際し、直胴部への移行に伴い転位の発生を防止し、同時に、直胴部の上端部分の張り出しをなくすことができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】ショルダー部９ｂおよび直胴部９ｃの育成において、育成中のショルダー部９ｂの直径が直胴部９ｃの目標直径Ｄの８０％になってから、直胴部９ｃの育成に移行し、育成された直胴部９ｃの軸方向長さが直胴部９ｃの目標長さＬの１０％になるまでの時間経過を特定期間ｔとし、この特定期間ｔにおける引き上げ速度を直胴部９ｃの目標引き上げ速度を超え、且つ、１．４ｍｍ／分以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】所定量の半導体粉末を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、質量と寸法形状のばらつきが小さく、良質な球状の半導体粒子の効率的な製造を可能とする。
【解決手段】所定質量の半導体粉末を含む小塊体を、熱処理炉４１の予備加熱部４３で不活性雰囲気中において、粉末の溶融温度近傍でそれが溶融するに至らない範囲の温度にまで予備的に加熱する。それから、溶融部４４において不活性ガスに適度に酸素を含ませた雰囲気中で、粉末の溶融温度以上に加熱して、半導体の球状溶融体を形成させる。この溶融体を冷却部４５にて冷却し、凝固させてから、外部へ搬出し回収する。小塊体には半導体粉末に有機バインダーを加え、所定形状に成形した成形体を使用するのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高品質な結晶シリコン粒子を提供する。
【解決手段】シリコン融液にＹｂ、Ｌｕ、またはＹの単体あるいはＹｂ、Ｌｕ、またはＹ元素を含む化合物のうち少なくとも１つを添加する工程と、シリコン融液を一方向に排出し、粒状４に凝固させる凝固工程と、を備える。シリコン融液は、窒化珪素を含んで成る坩堝１で溶融される。また、凝固工程は、シリコン融液の過冷却度を自然放冷時の過冷却度よりも小さい弱過冷却度でシリコン融液を凝固させてシリコン粒子５を形成した後、シリコン融液の凝固開始温度領域でシリコン粒子５を保温し、シリコン粒子５を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】高圧の窒素含有ガスとＧａ溶媒を利用して、簡便かつ経済的にＧａＮ結晶を成長させ得る方法を提供する。
【解決手段】高圧の窒素含有ガス（４）をＧａ溶媒（３）に溶解させ、基板（２）表面上でＧａ溶媒が接する領域にＧａＮ結晶（５）を成長させる方法において、窒素含有ガスの圧力が０．１〜２０％の範囲内で変動する環境下でＧａＮ結晶を成長させることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】無転位化の成功率を向上し、また、種結晶付近の最小直径が単結晶棒の引き上げに可能な直径よりも細くなることを防止して、大直径化して高重量の単結晶棒の生産性を改善させるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により、シリコン単結晶を製造する方法において、融液表面温度を光学式温度計で測定し、測定した温度に基づいて、融液表面温度を制御しつつ、種結晶を下降させるか、またはシリコン融液面を上昇させて、種結晶の先端部をシリコン融液に接触させた後、種結晶を溶融させ、種結晶溶融工程中における種結晶がシリコン融液から切り離され、再度、シリコン融液に接触する回数を検出し、検出した回数に応じて融液表面温度を補正し、補正した融液表面温度において、種結晶を溶融させた後、その後、ネッキングを行うことなく、結晶育成工程を行って単結晶棒を引き上げる方法である。 （もっと読む）

【課題】基板上の所望の位置に結晶を製造可能な結晶製造装置を提供する。
【解決手段】バネ２は、一方端が架台１に固定され、他方端が磁性体３に連結される。磁性体３は、一方端がバネに連結され、他方端がピストン６に連結される。コイル４は、磁性体３の周囲に巻回されるとともに、電源回路５と、接地ノードＧＮＤとの間に電気的に接続される。ピストン６は、シリンダ７内に挿入された直線部材６１を有する。シリンダ７は、中空の円柱形状からなり、底面７Ｂに小孔７１を有する。そして、シリンダ７は、シリコン融液１３を保持する。基板１１は、シリンダ７の小孔７１に対向するようにＸＹステージ１２によって支持される。電源回路５は、パルス状の電流をコイル４に流し、ピストン６を上下方向ＤＲ１に移動させる。その結果、液滴１４は、１．０２ｍ／ｓの初速度で小孔７１から基板１１へ向けて噴出される。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の酸素濃度を高く維持しつつ、面内の酸素濃度を均一化できる引上げ装置及び引上げ方法を提供する。
【解決手段】ルツボ１３０を回転させながら昇降させるルツボ回転駆動部１５０と、ヒータ１４２を昇降させるヒータ駆動部１４３と、磁場印加部１４０を昇降させる磁場駆動部１４１と、ルツボ回転駆動部１５０、ヒータ駆動部１４３及び磁場駆動部１４１の駆動を制御する制御部１６０と、を有し、制御部１６０は、ルツボ回転駆動部１５０によるルツボ１３０の昇降に同期させて、磁場印加部１４０の磁場中心位置がシリコン融液１１６の表面から所定の位置に常に位置するように磁場駆動部１４１の駆動を制御して磁場印加部１４０を昇降させ、同時に、シリコン融液１１６の温度が常に均一になるように所定のデータに基づいてヒータ駆動部１４３の駆動を制御してヒータ１４２を昇降させるシリコン単結晶引上げ装置１００。 （もっと読む）

【課題】液相成長法において、種結晶の結晶成長面における多核成長およびインクルージョンの発生を抑制し、前記結晶成長面に結晶を層成長させることが可能であり、結晶の品質、厚みの均一性および成長レートが向上したＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族元素、アルカリ金属およびＩＩＩ族元素窒化物の種結晶２０を結晶成長容器１８に入れ、窒素含有ガス雰囲気下において、前記結晶成長容器内１８を加圧加熱し、前記ＩＩＩ族元素、前記アルカリ金属および前記窒素を含む融液２１中で前記ＩＩＩ族元素および前記窒素を反応させ、前記種結晶２０を核としてＩＩＩ族元素窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法であって、前記融液２１を、前記結晶成長面２２に沿って一定方向に流動させた状態で、前記種結晶２０の結晶成長面２２にＩＩＩ族元素窒化物結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】育成中に破裂することなく、グローイン欠陥の無いシリコン単結晶を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶１１の中心部及び外周部における１３７０〜１３１０℃の軸方向温度勾配の比Ｇc₁／Ｇeが１．２〜１．３となるように育成中の単結晶１１の外周部を冷却する。熱遮蔽体２８下端とシリコン融液１５表面との間のギャップを４０〜１００ｍｍに設定し、パーフェクト領域からなるか或いはこのパーフェクト領域の引上げ時よりも引上げ速度が大きい領域からなるように、単結晶１１の引上げ速度ｖと単結晶１１中心部における融点から１３５０℃までの軸方向温度勾配Ｇc₂との比ｖ／Ｇc₂を０．１６〜０．２０ｍｍ²／(℃・分)に制御する。さらに、単結晶１１の引上げ速度を制御して、固液界面３３上の単結晶１１中心部での熱応力を５０ＭＰａ以下とする。 （もっと読む）

【課題】半導体結晶の成長を改善するための方法および結晶製造装置を提供する。
【解決手段】半導体結晶成長方法は、公称引き上げ速度で、ルツボ１００６中の融液１００８から結晶１００４を引き上げる工程と、ルツボ１００６中の融液レベルの減少を補償する、ルツボ持ち上げ信号を発生する工程と、結晶１００４の直径に基づいて、修正信号を発生する工程と、直径を実質的に一定にしておくために、ルツボ持ち上げ信号と修正信号とを組み合わせる工程とを具える。 （もっと読む）

【課題】拡径部における無転位化率を低下させることなく、単結晶棒の生産性を向上させる単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により、先端２の尖ったシリコン種結晶１をシリコン融液に接触させた後、種結晶１を保持することによって保温をし、その後種結晶１を先端２から所定の直径の位置Ａまでシリコン融液に溶かし込み、ネッキングを行って絞り部３を形成し、続いて拡径して拡径部４、直胴部５を形成して単結晶棒を引き上げるシリコン単結晶の製造方法において、直前２回分の種結晶１をシリコン融液に接触させたときのシリコン融液の表面温度と絞り部３の最小直径Ｗとの関係から、今回の種結晶１をシリコン融液に接触させるときのシリコン融液の温度を補正した後、補正後のシリコン融液の温度において種結晶１をシリコン融液に接触させた後、保温し、その後の工程を行って単結晶棒を引き上げる方法である。 （もっと読む）