【課題】青色、白色ＬＥＤや各種電子デバイスなどに好適なサファイア単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】適度な温度勾配を有する単結晶育成装置１内部に設置した容器３内で原料（酸化アルミニウム）を溶融させ、酸化アルミニウム融液４の液面にサファイアの種結晶５を接触させ、その後種結晶５を周速０〜１２ｍｍ／ｓｅｃの速度で回転させ、種結晶５の引き上げ距離ｄは育成初期の酸化アルミニウム融液４の液面高ｈ１の０〜２０％未満とし、種結晶５を酸化アルミニウム融液４に接触させた後、炉２の温度を０．２〜２°Ｃ／ｈｒで降下させながら育成し、溶融した酸化アルミニウムを固化させて、大型で高品質なサファイア単結晶Ｓを得る。 （もっと読む）

【課題】ルツボの変形を発生させることなく融液中の気泡を低減し、ウェーハに生じるピンホール不良を抑制する。
【解決手段】ルツボと側面ヒータ５を初期位置であるルツボ側面４ａが主に熱せられる位置に保持し、ルツボ内に素材３０を投入する。側面ヒータ５でルツボ側面４ａを熱すると素材３０が溶解し融液３１が生成される。融液３１の一部又は全てが溶解したらルツボを初期位置よりも上昇させるか又は側面ヒータ５を初期位置よりも下降させる。この際ルツボと側面ヒータ５の初期相対位置よりもルツボ側面４ａ下側湾曲部の被熱量が大きくなるように、ルツボ又は側面ヒータ５の位置を調整する。そしてルツボと側面ヒータ５の相対位置を保持しつつ側面ヒータ５でルツボ底部４ｂを熱するとルツボ底部４ｂの被熱量がルツボ側面４ａの被熱量よりも大きくなり、気泡が外部にとばされるような対流が融液３１内で強くなる。こうして融液３１から気泡が消滅する。 （もっと読む）

【課題】無転位化に必要なネック部長さの短縮を図り、優れた結晶品質を得るシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法またはＭＣＺ法により、坩堝内の結晶原料を融解させ、種結晶を坩堝内に保持される溶融液に浸漬させて種結晶をなじませた後、種結晶を引き上げてネック部を形成するネック工程に次いで、単結晶のショルダー部およびボディー部を形成する単結晶製造方法において、ネック工程で所定長さのネック部を形成した後、ネック部を溶融液になじませて、引き続きネック部を形成するシリコン単結晶の製造方法。ネック工程において最初に形成されるネック部の長さが２０ｍｍ以上にする。 （もっと読む）

【課題】 磁性ガーネットの挿入損を低く且つ安定にできる製造方法を提供すること。
【解決手段】 一般式（Ｒ，Ｂｉ）₃（Ｆｅ，Ｍ）₅Ｏ₁₂（但し、ＲはＥｕ，Ｇｄ，Ｈｏ，Ｙｂ，Ｙの中から選ばれた少なくとも１種、ＭはＡｌ，Ｇａまたはその両方を示し、Ｍの量はゼロを含む）で表され、単結晶基板上に液相エピタキシャル成長法により育成されるビスマス置換希土類鉄系ガーネット厚膜単結晶の製造方法において、ＰｂＯ−Ｂｉ₂Ｏ₃−Ｂ₂Ｏ₃からなる融材に、ビスマス置換希土類鉄系ガーネット厚膜単結晶の原料を溶解した融液を、約１０００℃における保持および厚膜育成温度７６０〜７８０℃までの降温過程で攪拌した後、厚膜単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】散乱体の形成が抑制される溶融液が浅い状態を維持しながら、引上げられる単結晶体への輻射状態の変動を抑制することにより安定的な育成が可能なフッ化金属単結晶体の引上げ装置および製造方法を提供する。
【解決手段】外坩堝（４）と内坩堝（５）とからなる二重構造坩堝を用いて、その下端部が内坩堝（５）の上端部よりも下方に位置するように配置された円筒部材(25)によりフッ化金属単結晶体(10)がその上端部まで囲まれた状態を維持しながら単結晶体(10)を引き上げてゆき、内坩堝（５）内に収容された原料フッ化金属の溶融液（７）の育成に伴う減少に応じて、外坩堝（４）に対する内坩堝（５）の収納深さを深くしてゆき、これにより、内坩堝（５）内の溶融液の液量が一定範囲に維持されるように、外坩堝内（４）に収容された溶融液（７）を内坩堝（５）内に補給する。 （もっと読む）

【課題】基準反射体と融液面との相対距離をより安定してより正確に測定することのできる基準反射体と融液面との距離の測定方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりルツボ９内の原料融液１５からシリコン単結晶３を引上げる際に、融液面上方に配置した基準反射体５と融液面との相対距離を測定する方法であって、少なくとも、前記シリコン単結晶３の引上げを、磁場を印加しながら行い、前記基準反射体５の実像と融液面に反射した該基準反射体５の鏡像の画像を検出手段１４で捉え、該捉えた基準反射体５の実像と鏡像の画像を別々の画像として処理し、該処理した画像から前記基準反射体５の実像と鏡像の相対距離を算出することで、基準反射体５と融液面との相対距離を測定する。 （もっと読む）

【課題】垂直勾配凝固法を用いた単結晶あるいは多結晶材料、特に光電池用途のシリコンの製造方法及び装置を提供し、及び坩堝断面を多角形、特に矩形あるいは四角形形状に構成することにより材料の損耗を低減する。
【解決手段】坩堝周囲に均質でない温度分布を形成する平坦な平面状発熱体、特にジャケットヒーターを設置する。この温度分布を坩堝の中心に形成される温度勾配に対応させる。平面状発熱体の熱出力を坩堝の上端から下端へ向けて減ずる。平面状発熱体を縦方向あるいは水平方向へ蛇行して延びる複数の平行な加熱ウェブで構成する。これらウェブからの熱出力を導体断面を相違させることによって設定する。坩堝の角部分における局部的過熱を防止するため、ウェブが蛇行して延びる転回ゾーンにおいて断面を狭窄する。平面状発熱体は複数の相互接続された独立分節から作製可能である。 （もっと読む）

【課題】 安定して高効率に結晶化するとともに、高い結晶性を持ち低コストで製造できる高品質な粒状シリコン結晶を得ることができる粒状結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】 結晶材料から成る多数個の粒子を載置した台板を加熱炉内に導入し、前記粒子を加熱して昇温し溶融させた後、この溶融した粒子を降温して固化させることによって粒状結晶とする際に、前記溶融した粒子を固化温度以下に下げて過冷却状態とした後、再度固化温度以上かつ溶融温度以下に昇温してから徐冷して固化する。 （もっと読む）

【課題】所定の酸素濃度に制御された無欠陥のシリコン単結晶を安定して高速で製造する方法を提供する。
【解決手段】シリコン結晶の周囲に円筒状のクーラー２４を配設し、シリコン単結晶の引き上げ速度と、シリコン融液を貯留するルツボ２１およびシリコン単結晶１１の回転速度と、ルツボ２１の周囲に配設したシリコン単結晶の長手方向に少なくとも２分割されたマルチヒーター２２の出力の比と、を調整することにより、シリコン単結晶１１の側面の温度勾配、固液界面の高さ、および当該シリコン単結晶の長手方向の酸素濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】浮遊帯域溶融法（ＦＺ法）による単結晶育成において、結晶のトップ部を所望の形状に最適制御するための単結晶育成方法を提供する。
【解決手段】結晶径検出工程では、結晶側固液界面における結晶径を検出する。結晶径変化率算出工程（ＳＴ３１０）では、結晶径の単位時間当たりの変化量である結晶径変化率を算出する。結晶径変化率比較工程では、予め設定された結晶径変化率の設定範囲に対して前記結晶径変化率を対比する。素材送り速度指令工程では、前記結晶径変化率が設定範囲の上限値を超えていた場合（ＳＴ３１２）には素材送り速度を維持させる（ＳＴ３１３）、前記結晶径変化率が設定範囲の下限値を下回っていた場合（ＳＴ３１４）には素材送り速度を増速させる（ＳＴ３１５）。 （もっと読む）

【課題】 酸化物単結晶を、高品質で歩留まりよく製造することができる育成方法の提供を目的とする。
【解決手段】 単結晶育成炉を用い、ルツボの周囲に設けられた加熱手段の中点を縦座標軸の原点とし、該加熱手段の上端を＋０．５とし、下端を−０．５としたときに、前記ルツボ内の融液最下面の位置を−０．５〜＋０．１の範囲内の所望の位置に保持しつつ、育成炉内の縦方向の温度勾配を１０℃／ｍｍ以下とし、引き上げシャフト先端に設けられた種子結晶を冷却しつつ、重量検出器により育成単結晶の重量を検出し、該育成単結晶の重量を基にルツボ周囲に配設された加熱手段の温度を制御し、予め求められたルツボ底の温度と育成時間と前記Ｈｋとの関係を用いてＨｋが育成単結晶の直径に対して１０％以下となるようにルツボ底の温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】縦型ブリッジマン法による単結晶の結晶成長において、結晶径が大きく、かつ、結晶長が長い高品質の単結晶を、効率よく製造する。
【解決手段】縦型ブリッジマン法により単結晶を製造する単結晶製造装置において、原料を配置した筒状の炉芯管と、上記炉芯管の外周側を被覆するように配置されるとともに、該被覆された領域における上記炉芯管内の温度を制御して上記炉芯管内の上記原料を熔解する熔解手段と、上記炉芯管の外周側を被覆するように配置されるとともに、該被覆された領域における上記炉芯管内の温度を制御して上記炉芯管内における上記原料の結晶化後に該結晶を凝固点よりも低い温度で保持する均熱手段とを有し、上記熔解手段と上記均熱手段とを所定の間隙を有するようにして分離して配置し、上記炉芯管の外周面において上記熔解手段と上記均熱手段とにより被覆されていない領域を形成した。 （もっと読む）

【課題】 シリコン単結晶の抵抗率分布および格子間酸素濃度分布の均一性を向上させシリコンウェーハの低コスト化を容易にする。
【解決手段】 メインチャンバ１１内に希ガスを流入させる。そして、原料シリコン融液１２を石英るつぼ１３内に形成し、種結晶を着液し、引上げ軸１９を一方向に回転させ所定の引き上げ速度でシリコン単結晶１５を引き上げる。ここで、支持軸１７は回転し上方駆動して原料シリコン融液１２の融液面を一定の高さに維持する。このシリコン単結晶１５の引き上げ育成において、輻射シールド１６の下端と原料シリコン融液１２の融液面との離間距離Ｌを６０ｍｍ以上にする。更には、上記引き上げ速度Ｖは、０．５５ｍｍ／ｍｉｎ≦Ｖ＜０．７５ｍｍ／ｍｉｎを満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶を育成している際のシリコン融液表面の温度分布を制御することができ、シリコン融液表面の温度に起因する直径の変動を小さくすることができる単結晶製造装置およびシリコン単結晶の製造方法を実現する。
【解決手段】ルツボに収容されたシリコン融液４からシリコン単結晶３を引き上げながら成長させる単結晶製造装置３０において、固液界面周囲近傍の融液面上側に配置され、前記固液界面周囲近傍において融点以下に温度が低下する可能性のある部分のシリコン融液４を加熱する発熱体４０が設けられているものとする。 （もっと読む）

【課題】溶液法による、成長速度の速い、所望の結晶構造を持つ炭化珪素単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】ＳｉとＣを含む原料を融解した融液に炭化珪素種結晶基板を接触させ、前記基板上に炭化珪素単結晶を成長させることを含む六方晶炭化珪素単結晶の製造方法において、種結晶基板として六方晶炭化珪素単結晶基板を用いる場合、その（０００−１）炭素面を使用し、種結晶温度を１７００〜１９００℃とし、かつ融液内部から種結晶基板と接触する表面に向かう温度勾配を１〜５℃／ｍｍの範囲内として結晶を成長させる。一方、種結晶基板として菱面体晶炭化珪素単結晶基板を用いる場合、その（０００１）珪素面を使用し、かつ種結晶温度を１７００〜１９００℃として結晶を成長させる。 （もっと読む）

光電変換セルおよびその他の用途のためのシリコンを成型する方法および装置が提供される。このような方法および装置により、半径方向に分布する不純物や欠陥がないかまたは実質的になく、少なくとも２つの寸法が、各々、少なくとも約１０ｃｍである、幾何学的に揃った多結晶シリコンの成型本体を形成することができる。 （もっと読む）

光電変換セルおよびその他の用途のためのシリコンを成型する方法および装置が提供される。このような方法および装置により、半径方向に分布する不純物や欠陥がないかまたは実質的になく、少なくとも２つの寸法が、各々、少なくとも約３５ｃｍである単結晶シリコンの成型本体を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】無欠陷高品質単結晶インゴットを速い成長速度で製造できる高品質シリコン単結晶の製造方法及びこれを用いて製造されたシリコン単結晶ウェーハを提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法による高品質シリコン単結晶の製造方法において、単結晶成長の固液界面の下部を中心部と外周部に分け、前記中心部の温度勾配と外周部の温度勾配をそれぞれ個別に制御する。これにより、固液界面の下部に位置するシリコン融液を中心部と外周部に分けたとき、中心部の温度勾配は融液の温度分布を調節することで直接的に制御し、且つ、外周部の温度勾配は単結晶の温度勾配を調節して間接的に制御して、融液の温度分布を効果的に制御することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶サイズが大きいＩＩＩ族窒化物結晶を結晶成長する結晶成長装置を提供する。
【解決手段】反応容器１０は、金属Ｎａと金属Ｇａとの混合融液２９０を保持する。外部反応容器２０は、反応容器１０の周囲を覆う。配管３０は、反応容器１０の下側において外部反応容器２０に連結される。抑制／導入栓６０は、反応容器１０と外部反応容器２０との連結部よりも下側の配管３０内に固定される。ガスボンベ１４０は、圧力調整器１３０を介して窒素ガスを配管３０へ供給する。抑制／導入栓６０および金属融液１９０は、混合融液２９０から蒸発した金属Ｎａ蒸気の配管３０内への拡散を防止するとともに、空間２３内の圧力と空間３１内の圧力との差圧によって配管３０内の窒素ガスを空間２３内へ供給する。支持装置５０は、種結晶５を混合融液２９０に常時接触させる。 （もっと読む）

【課題】育成結晶形状の制御と結晶品質の向上が可能なニオブ酸カリウム単結晶の成長方法および製造装置を提供する。
【解決手段】抵抗加熱方式である結晶製造装置を用い、TSSG法により融液からニオブ酸カリウム単結晶を成長する方法において、るつぼ底に抵抗加熱ヒーター４を設置して、るつぼ底部の融液温度を融液表面および融液内るつぼ側部の温度以上であり、かつ融液表面中心と該表面中心下2cmの平均温度勾配が3.0〜20℃/cmの任意の温度勾配となるように制御した条件下で、二重管冷却構造を有する引き上げ軸６により種結晶１１を冷却しながら、ニオブ酸カリウム単結晶１２を成長させる。 （もっと読む）