【課題】フラックス法を用いた結晶成長装置において、実用的な大きさの結晶の均一性その他の品質を確保しつつ、結晶成長装置を小型化・簡略化する。
【解決手段】結晶の原料原子を含む液体を収容する容器と、前記液体と接する液体接触面に、弾性波を進行波として伝搬させる弾性波伝搬手段と、を有する結晶成長装置を提供する。前記液体接触面として、前記容器の内面が例示できる。前記弾性波伝搬手段が、前記容器に接して配置された圧電体を有してもよく、前記圧電体に交番電界を印加することにより、前記液体接触面に前記弾性波を伝搬させることができる。前記圧電体を複数有してもよく、前記複数の圧電体のそれぞれに印加する交番電界の位相を調整することで、前記弾性波を進行波として伝搬させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶の成長の途中においてもメルトバックを行うことができるＳｉＣ単結晶の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝１０の周囲に配置された加熱装置２２により坩堝１０中にて内部から表面に向けて温度低下する温度勾配を有するように加熱されたＳｉ−Ｃ溶液２４に、種結晶保持軸１２に保持されたＳｉＣ種結晶１４を接触させて、種結晶１４を基点としてＳｉＣ単結晶を成長させる、溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造方法であって、ＳｉＣ単結晶の成長中に、Ｓｉ−Ｃ溶液２４の内部から表面の領域の温度勾配を一定温度または温度上昇する温度勾配に変更して、種結晶１４と種結晶１４を基点として成長したＳｉＣ単結晶とを含む単結晶をメルトバックすることを含む、ＳｉＣ単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】転位密度が少なく高品質な１３族窒化物結晶基板に供することが可能であるバルク結晶を製造するための種結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】本実施形態の窒化ガリウム結晶は、六方晶構造のｍ面の外周表面の少なくとも１面において、ｃ軸方向の一端部側の領域におけるＸ線ロッキングカーブの半値全幅が、他端部側の領域における前記半値全幅より小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】固着、熱歪、転位の発生を抑制して、高品質で均一な単結晶炭化珪素エピタキシャル膜を形成する技術を提供する。
【解決手段】カーボン原料または単結晶炭化珪素基板の片面にシリコン薄膜を形成する工程、カーボン原料と単結晶炭化珪素基板との間にシリコン薄膜が配置されて所定の式を満たすように、坩堝内に下からシリコン基板、支持台、単結晶炭化珪素基板を積層して配置すると共に、坩堝蓋側からカーボン原料支持台、カーボン原料を接合して配置する工程、坩堝蓋をかぶせた坩堝をシリコンの融点温度以上に加熱してシリコン基板およびシリコン薄膜を融解させると共に坩堝蓋を坩堝の内壁高さまで下降させる工程、単結晶炭化珪素エピタキシャル膜の成長温度以上に加熱してシリコン融液の表面張力により懸垂保持された単結晶炭化珪素基板上に単結晶炭化珪素エピタキシャル膜を形成させる工程を備えている単結晶炭化珪素基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】単結晶を成長させる際の着液検出精度を向上させ得る単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】原料融液２から種結晶３基板上に単結晶を成長させるための種結晶３を有する成長炉４と、下端に種結晶３が保持されたシード軸５と、原料融液２を収容する坩堝７と、成長炉４を囲んで成長炉４外に配置されたエネルギー放出体８とを備えた単結晶製造装置１であって、坩堝７とシード軸５との間に電圧を印加する電源回路９と、電源回路９に流れる電流値を測定する測定回路１１と、電源回路９に、定電圧回路９Ｂおよびカットオフ回路９Ｃとを備え、カットオフ回路９Ｃは液面接触時の電流値よりも低く設定された設定値より大きい電流値が測定されたときには電流をカットする。 （もっと読む）

【課題】種結晶近傍でのＳｉＣ多結晶の発生を抑制し得るＳｉＣ単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】成長炉内に、原料からＳｉＣ種結晶基板上にＳｉＣ単結晶を成長させるための種結晶、該種結晶を支え且つ種結晶から熱を外部に伝達するための支持軸、原料を収容する坩堝および坩堝からの放熱を防ぐための断熱材、および炉外に設けた複数の異なる出力を放出可能なエネルギー放出体から出力されたエネルギーで発熱して成長炉内を加熱するために断熱材の内側に発熱部材が設けられているＳｉＣ単結晶の製造装置より濡れ性の低い多結晶発生阻害部が設けられてなる溶液法によるＳｉＣ単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】溶液法において三次元成長および凸状成長を抑制して、平坦性の高いＳｉＣ単結晶を成長させる装置および方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ溶液を収容する容器、
該容器内の該ＳｉＣ溶液を適温に維持する温度制御手段、
ＳｉＣ種結晶をその結晶成長面の裏面全体に面接触した状態で保持する保持手段として作用し、且つ、該ＳｉＣ種結晶を冷却する冷却手段として作用する下端部を有する保持軸、および
該結晶成長面にＳｉＣ単結晶が継続的に成長するように、該結晶成長面を該ＳｉＣ溶液に接触させた状態に維持するための該保持軸の位置制御手段、
を備えたＳｉＣ単結晶の製造装置であって、
該保持軸の下端部は、該面接触した該結晶成長面の面内温度分布を均一化するための均熱手段を有することを特徴とするＳｉＣ単結晶の製造装置。 （もっと読む）

【課題】溶液成長法によるＳｉＣ単結晶の製造において、ＳｉＣ種結晶近傍に炭素を供給しやすいＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】製造装置１００内の坩堝６は、内径ＩＤＴを有する上部収納室６２１Ａと、上部収納室６２１Ａの下方に配置され、内径ＩＤＴよりも小さい内径ＩＤＢを有する下部収納室６２２Ａとを備える。誘導加熱装置３は、上部収納室６２１Ａの周りに配置される上部コイル部３１１と、下部収納室６２２Ａの周りに配置される下部コイル部３１２とを備える。下部コイル部３１２は、上部コイル部３１１が上部収納室６２１Ａ内のＳｉＣ溶液８に生成する電磁力よりも大きい電磁力を、下部収納室内６２２ＡのＳｉＣ溶液８に生成する。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長に要するコストを低減する。
【解決手段】フィード材１１は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層のＸ線回折により、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に対応した回折ピークとして、（１１１）結晶面に対応した回折ピークと、（１１１）結晶面に対応した回折ピーク以外の回折ピークとが観察されるものである。シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層のＸ線回折により、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に対応した回折ピークとして、（１１１）結晶面に対応した１次回折ピークが観察され、（１１１）結晶面に対応した１次回折ピークの回折強度の１０％以上の回折強度を有する他の１次回折ピークが観察されないものである。 （もっと読む）

【課題】安価な炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層のＸ線回折により、（１１１）結晶面、（２００）結晶面、（２２０）結晶面及び（３１１）結晶面の少なくとも一つに対応した１次回折ピークが観察される。少なくとも一つの１次回折ピークから算出される平均結晶子径が、７００Åより大きい。 （もっと読む）

【課題】 収容液体を効率よく撹拌する。
【解決手段】 耐圧容器２内にて、反応容器３に収容したフラックスとなる液体Ｎａ５と液体Ｇａ６の混合液体４を、窒素ガス８の存在下で加圧及び加熱して窒化ガリウム結晶を製造する窒化ガリウム結晶製造装置１における反応容器３の下部外周に、ヒータ１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄを設ける。反応容器３の中央部の上方に、ガリウム供給管１０の吐出口１３を配置する。ヒータ１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄによる反応容器３の下部外周に位置する混合液体４の局部加熱により、混合液体４に、反応容器３の内底部の中央部に配置した種結晶基板１１の真上となる反応容器３中央部でダウンフローとなる熱対流を発生させると共に、そのダウンフローを、ガリウム供給管１０より滴下供給する液体Ｇａ６による反応容器３中央部に位置する混合液体４の局部冷却により促進して、混合液体４を撹拌させる。 （もっと読む）

【課題】製造された複数のｎ型ＳｉＣ単結晶インゴット間の窒素濃度のばらつきを抑えることができるｎ型ＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施の形態におけるｎ型ＳｉＣ単結晶の製造方法は、坩堝７が配置される領域を有するチャンバ１を備えた製造装置１００を準備する工程と、坩堝７が配置される領域を加熱し、かつ、チャンバ１内のガスを真空排気する工程と、真空排気した後、希ガスと窒素ガスとを含有する混合ガスをチャンバ１内に充填する工程と、領域に配置された坩堝７に収納された原料を加熱により溶融して、シリコンと炭素とを含有するＳｉＣ溶液８を生成する工程と、混合ガス雰囲気下において、ＳｉＣ種結晶をＳｉＣ溶液に浸漬して、ＳｉＣ種結晶上にｎ型ＳｉＣ単結晶を育成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属とＩＩＩ族金属との混合比の変動を抑制してＩＩＩ族窒化物結晶を製造する結晶製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝１０は、金属Ｎａと金属Ｇａとの混合融液２７０を保持する。反応容器２０は、融液溜め部２３を有し、坩堝１０の周囲を覆う。融液溜め部２３は、アルカリ金属融液２８０を保持する。ガス供給管９０は、ガスボンベ１３０からの窒素ガスをアルカリ金属融液２９０を介して反応容器２０内へ供給する。支持装置４０は、種結晶５を混合融液２７０に接触させる。種結晶５からのＧａＮ結晶の結晶成長中、加熱装置５０，６０は、坩堝１０を結晶成長温度に加熱し、加熱／冷却器７０は、金属融液２８０から蒸発する金属Ｎａの蒸気圧が混合融液２７０から蒸発する金属Ｎａの蒸気圧に略一致する温度に融液溜め部２３を加熱し、加熱／冷却器８０は、アルカリ金属融液２９０を凝集温度に加熱する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、窒化物結晶製造方法と窒化物結晶製造装置に関するもので、結晶の品質向上を目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、準備工程と、その後の結晶育成工程とを有し、前記準備工程は、種基板と、結晶原料である金属ガリウムとナトリウムと、を坩堝に収納するとした第１の工程と、前記結晶育成工程は、前記坩堝を結晶成長容器内に配置し、この結晶成長容器を炉心管内に配置した状態で、この炉心管を加熱手段により所定の温度で加熱し、前記坩堝を原料ガス供給手段により所定の気圧の窒素雰囲気下にした状態で、前記種基板上に結晶を育成するとした第２の工程と、を設けた。 （もっと読む）

【課題】フラックス法により、炉内で窒化物単結晶を育成するのに際して、炉内の温度差による窒化物単結晶の育成状態のムラや不良品の増加を防止することである。
【解決手段】フラックスおよび原料を含む溶液を使用して窒化物単結晶を育成する装置を提供する。本装置は、溶液を収容するための坩堝、坩堝を収容する内側容器１６、内側容器１６を収容する加熱容器３１であって、発熱体１４、発熱体１４が設けられている容器本体１３、および容器本体１３と組み合わされる蓋１２を備える加熱容器を備えている。本装置は、更に、加熱容器３１を収容し、少なくとも窒素ガスを含む雰囲気を充填するための圧力容器３０、および加熱容器３１の外壁面と圧力容器３０の内壁面３０ａとの間に設けられている筒状断熱部材１１を備えている。 （もっと読む）

【課題】溶液法によって軸の側面付近の多結晶の生成を防止乃至は抑制して単結晶を成長させる得る溶液法による単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】溶液法による単結晶の製造方法において、種結晶１を冷却する冷却部２と軸周囲部３を加熱する加熱部４とを備え、表面層と遮断層と中心冷却層とから構成される軸５を備えたるつぼを用い、種結晶１と溶液１０とが接触後は種結晶１を冷却しつつ軸の周囲を加熱して単結晶を成長させることにより、種結晶１直上の周囲部３の温度を溶液界面の温度以上に高くして、軸５の側面の種結晶近傍での多結晶化を防ぐとともに、冷却効果による高速成長が可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、サファイア基板の厚みに関係なく、ＧａＮ結晶のクラックを抑制し、結晶品質を向上させることができるテンプレートの提供を目的とするものである。
【解決手段】板状の結晶基板２２と、前記結晶基板２２の表面に格子定数または熱膨張係数の異なる結晶薄膜２３と、を備え、前記結晶薄膜２３に前記結晶基板２２を露出させる第１の溝２４を設け、前記露出した前記結晶基板の第２の溝２５を設けることで、所期の目的を達成するものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、反りの改善したテンプレートを得ることと共に、テンプレート上に成長させた結晶のクラックを抑制し、結晶の品質を向上することを目的とするものである。
【解決手段】テンプレート１の基板の上面にマスク材を設ける第1の工程と、前記基板の上面に結晶薄膜を成長させる第２の工程と、によりテンプレートを製造する。結晶薄膜は、マスク材の上には成長しないため、基板に溝を形成せずに結晶薄膜を分割することができ、反りの改善したテンプレートを得ることができる。さらに、このテンプレート上に、厚膜のＧａＮ結晶を育成させた場合、テンプレートの基板に溝を有していないため、基板にＧａＮ結晶が嵌合されるように形成されないため、テンプレート上に成長させたＧａＮ結晶のクラックを抑制することができ、ＧａＮ結晶の品質を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶の品質を向上させることができる窒化物結晶製造方法と窒化物結晶製造装置を提供する。
【解決手段】育成炉と、育成炉内に配置された結晶成長容器と、結晶成長容器を加熱するヒーターと、結晶成長容器内に原料ガスを供給する原料ガス供給部と、結晶成長容器内に設けた坩堝２と、この坩堝２内に設けた種基板１とを備え、坩堝２内には、炭素粒１８を種基板１とは非接触状態で配置する凹部１７を設けた。また、種基板１の外周より外側に網状壁を設けて炭素粒１８を収容してもよい。 （もっと読む）