【課題】加熱部材の構造が簡単で温度制御が容易な炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】筒状に形成された反応容器本体１１の上部開口１１ｂが蓋体１２によって封鎖された黒鉛製反応容器１０と、該黒鉛製反応容器１０の外周側に連続して巻回された単一の加熱コイルからなる加熱部材とを備え、底部１１ａに昇華用原料５０を収容し、反応容器の内面側１２ａに種結晶６０を取り付ける炭化珪素単結晶の製造装置において、前記反応容器本体１１の底部１１ａを巻回する下部コイル３１および蓋体１２を巻回する上部コイル３２のコイルピッチＰ１，Ｐ３は、反応容器本体１１の高さ方向中央部を巻回する中央部コイル３３のコイルピッチＰ２よりも小さく設定している。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮ（窒化アルミニウム）塊状単結晶を製造するための方法と単結晶ＡｌＮ基板を提供する。
【解決手段】中心長手軸線１８を有する単結晶ＡｌＮ種結晶１５を坩堝装置３の結晶成長領域４内に配置し、成長段階の間に結晶成長領域４内にＡｌＮ成長気相１６を生成し、成長気相１６を坩堝装置３の貯蔵領域５内にあるＡｌＮ原材料２１から少なくとも一部を供給し、ＡｌＮ塊状単結晶２をＡｌＮ成長気相１６からＡｌＮ種結晶１５上に析出させることで中心長手軸線１８と平行に向いた成長方向１７に成長させ、浄化段階の間にＡｌＮ原材料２１の少なくとも酸素割合が減らし、坩堝装置３に設けた析出室８内で浄化段階の間にＡｌＮ原材料２１から蒸発した酸素含有成分を析出させ、ＡｌＮ原材料２１を浄化段階の終了後、成長段階全体の間、無酸素雰囲気内で保持する。 （もっと読む）

【課題】種結晶に生じている結晶欠陥を有利に解消し、ひいては光学デバイスや電子デバイスの歩留まり向上を達成できる炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素単結晶製造装置の容器内に昇華用原料を収容すると共にこの昇華用原料に略対向して、結晶欠陥１１３Ａ〜１１３Ｄを有する炭化ケイ素単結晶の種結晶１１１を配置し、加熱により昇華させた昇華用原料４０を種結晶１１１の表面上で再結晶させて炭化ケイ素単結晶を結晶成長させる方法において、結晶成長に先立って、種結晶のオフ方位を変更し（ａ）、複数の結晶欠陥のうち、結晶欠陥１１３Ａの位置をオフ方位の上流側に位置させる。オフ方位に従う優先成長によって、オフ方位上流側に位置している結晶欠陥１１３Ａが消失し（ｂ）、結晶欠陥の少ない炭化ケイ素単結晶を製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本成長途中のＳｉＣ単結晶中に欠陥を生成させるおそれの少ない転位制御種結晶及びその製造方法、並びに、ＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】以下の構成を備えた転位制御種結晶１０及びその製造方法、並びにこれを用いたＳｉＣ単結晶の製造方法。（１）転位制御種結晶１０は、α型のＳｉＣからなる。（２）転位制御種結晶１０は、オフセット角θが１°以上１５°以下である成長面を備えている。（３）成長面は、螺旋転位密度が低い高品質領域１２と、成長面の５０％以下の面積を持つ螺旋転位領域１４とを備えている。（４）螺旋転位領域１４は、高品質領域１２となる一次種結晶の一次成長面の一部に、螺旋転位領域１４を形成するための後退部を形成し、少なくとも後退部上にＳｉＣ単結晶を予備成長させ、成長面のオフセット方向ｃ端部に螺旋転位領域１４が含まれるように、一次種結晶の表面を鏡面研磨し、成長面を露出させる。 （もっと読む）

【課題】窒化物単結晶膜におけるクラックの発生を抑制する窒化物単結晶膜の製造方法、クラックの発生が抑制された窒化物単結晶基板、およびクラックの発生が抑制された窒化物単結晶膜を備えるテンプレート基板を提供する。
【解決手段】窒化物単結晶膜の製造方法は、（１１−２０）面からのオフ角が５°以下である下地基板１を準備する工程と、上記下地基板１の主表面上に窒化物単結晶膜３を形成する工程とを備える。前記下地基板１はＳｉＣまたはサファイアからなることが好ましく、また、前記窒化物単結晶膜３を形成する工程における成膜温度範囲は１７００℃以上２４００℃以下であることが好ましい。これにより、前記テンプレート基板４の窒化物単結晶膜３はクラックの密度が低く、また、前記テンプレート基板４から下地基板１を取り除いた窒化物単結晶基板についても同様に、クラックの密度が低くなる。 （もっと読む）

【課題】
高い原料利用効率、大面積対応、高い安全性を具備したスパッタ法の利点を生かし、高い品質の４族元素からなる半導体単結晶薄膜、および半導体多結晶薄膜を形成する。
【解決手段】
希ガスと水素の混合スパッタガスを用いること、真空容器の到達最低圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ未満の超高真空領域に下げること、マグネトロン方式でスパッタすること、スパッタ成膜とスパッタ成膜の間のスパッタガスを流していないときに、スパッタターゲットを含むスパッタガンの圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ未満に維持し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に保つことが重要で、これらの組み合わせによって初めて、これらが相補的に機能し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に維持され、また、堆積薄膜への酸素の混入量が検出限界以下となり、また、堆積薄膜に対する損傷やエッチング効果が抑制され、実用レベルの高品質、高純度の４族系半導体結晶が形成できる。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れた酸化物超伝導薄膜を形成可能とするとともに、当該酸化物超伝導薄膜を含んで高い超伝導転移温度を有する超伝導薄膜積層体を形成可能で、製造工程中に有毒元素を含まない酸化物超伝導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板上にＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_ｘで構成されるバッファー薄膜を形成する第１の工程と、バッファー薄膜上に連続してＢａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超伝導薄膜を形成する第２の工程とを備え、第１の工程は、前記バッファー薄膜をパルスレーザーデポジション法によりエピタキシャル成長させるバッファー薄膜成長工程を含み、第２の工程は、バッファー薄膜上に酸化物超伝導薄膜をパルスレーザーデポジション法によりエピタキシャル成長させる超伝導薄膜成長工程と、超伝導薄膜成長工程に連続し、基板温度を徐冷させる徐冷工程と、徐冷工程に連続し、基板温度を急冷させる急冷工程とを含む。 （もっと読む）

物理的気相輸送成長システムは、ＳｉＣ原料及びＳｉＣ種結晶を間隔を隔てて収容する成長チャンバと、該成長チャンバ内に配置された少なくとも一部がガス透過性の覆いとを備えている。該覆いは、該ＳｉＣ原料を含む原料区画と該ＳｉＣ種結晶を含む結晶化区画とに該成長チャンバを分離する。該覆いは、該結晶化区画において該ＳｉＣ種結晶上へのＳｉＣ単結晶の昇華成長中に発生する気化ガスと反応可能な材料で形成され、該ＳｉＣ種結晶上への該ＳｉＣ単結晶の成長中に追加のＣ源として振舞うＣを有する気化ガスを生成する。 （もっと読む）

【課題】高抵抗率を有し、熱履歴の影響を受けることなく安定した比抵抗を有する６Ｈ形半絶縁性炭化珪素単結晶を提供する。
【解決手段】６Ｈ形半絶縁性炭化珪素単結晶の製造装置によって製造される６Ｈ形半絶縁性炭化珪素単結晶は、真性点欠陥を有し、真性点欠陥のうち最も多く含まれる真性点欠陥は、容量過渡分光法によって測定されるＲセンターである。Ｒセンターの数は、ドナーとアクセプターとの数の差の絶対値よりも多くする。これにより、容量過渡分光法によって測定されるＲセンターが余剰になったドーパントを補償する。また、Ｒセンターは熱的に安定なため、炭化珪素単結晶が完成するまでの熱履歴の影響を受けにくい。したがって、炭化珪素単結晶が製造されるまでの温度条件によらず、安定して余剰ドーパントを補償することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良質な炭化珪素単結晶インゴットを高い歩留まりで安定的に成長させることができる炭化珪素単結晶製造用坩堝、並びに炭化珪素単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素原料を収容する坩堝容器３と種結晶が取り付けられる坩堝蓋４とを有し、坩堝容器３内の炭化珪素原料を昇華させて種結晶上に炭化珪素の昇華ガスを供給し、種結晶上で炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶製造用坩堝Ａであり、坩堝容器３と坩堝蓋４には互いにネジ嵌合されるネジ部３ａ、４ａが設けられていると共に、これらネジ部３ａ、４ａの相対的回転により流量調整可能な昇華ガス排出溝１５が設けられている炭化珪素単結晶製造用坩堝Ａであり、また、このような坩堝Ａを備えた炭化珪素単結晶の製造装置及びこの装置を用いた炭化珪素単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 炭化ケイ素単結晶を効率よく、かつ割れ等の破損がない状態で容易に切り出すことができる炭化ケイ素単結晶の研削方法を提供する。
【解決手段】中空円筒状砥石３０を用いて、この中空円筒状砥石３０の中心軸を回転軸として回転させつつ、その中心軸に沿う方向に移動させることにより、種結晶１１から昇華法により結晶成長させた炭化ケイ素単結晶１０を当該単結晶の成長表面側から種結晶側に向けて研削する。この際、中空円筒状砥石３０の端面が、炭化ケイ素単結晶１１における種結晶１１端部まで２ｍｍの位置に達した後は、中空円筒状砥石３０の移動速度を０．１〜０．５ｍｍ／ｈに低下させる。 （もっと読む）

【課題】大きな面積及び厚さを有する単結晶窒化アルミニウム板状体が、大きな速度で形成できる製造方法を提供する。
【解決手段】希土類元素及びアルカリ土類金属元素から選ばれる少なくとも１種の元素とアルミニウムとを含む複合酸化物又は複合酸窒化物と、窒化アルミニウムと、を含んでなる原料又は複合酸化物或いは複合酸窒化物の原料物質（但し、窒化アルミニウムを除く）と、窒化アルミニウムと、を含んでなる原料を準備し、原料の近傍に、突起２４、２６が形成された無機単結晶基板２２を配置する準備工程、及び１０〜１００００Ｐａの非酸化性ガス雰囲気中で、原料及び無機単結晶基板２２を加熱し、原料の温度を１６００〜２０００℃とすると共に無機単結晶基板２２の温度を１５８０℃以上であって原料より低い温度として、突起２４、２６の上に単結晶窒化アルミニウムからなる板状体２８を形成する単結晶窒化アルミニウム形成工程からなる。 （もっと読む）

【課題】耐久性を有し、かつ坩堝の外部から不純物が混入することを抑制した窒化物半導体結晶を製造するための窒化物半導体結晶の製造装置、窒化物半導体結晶の製造方法および窒化物半導体結晶を提供する。
【解決手段】窒化物半導体結晶の製造装置１００は、坩堝１０１と、加熱部１２５と、被覆部１１０とを備えている。坩堝１０１は、原料１７を内部に配置する。加熱部１２５は、坩堝１０１の外周に配置され、坩堝１０１の内部を加熱する。被覆部１１０は、坩堝１０１と加熱部１２５との間に配置されている。被覆部１１０は、坩堝１０１に対向する側に形成され、かつ原料１７の融点よりも高い金属よりなる第１の層１１１と、第１の層１１１の外周側に形成され、かつ第１の層１１１を構成する金属の炭化物よりなる第２の層１１２とを含む。 （もっと読む）

【課題】窒素（Ｎ）の量を少なくしても比抵抗の小さいｎ型ＳｉＣ単結晶を製造する方法、前記の方法によって得られる比抵抗が小さいＳｉＣ単結晶およびその用途を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶を結晶成長する際に、ｎ型半導体とするためのドナー元素である窒素（Ｎ）とともにガリウム（Ｇａ）を、両元素のａｔｍ単位で表示して量であるＮ（量）およびＧａ（量）がＮ（量）＞Ｇａ（量）となるようにする。特にＳｉＣに対する窒素（Ｎ）およびガリウム（Ｇａ）のａｔｍ％単位で表示した各々の添加割合であるＮＡＤおよびＧａＡＤが、０＜ＮＡＤ≦１．０ａｔｍ％、０＜ＧａＡＤ≦０．０６ａｔｍ％である割合で添加して結晶成長させることにより、比低抗率が小さく、例えば比低抗率が０．０１Ωｃｍ以下、その中でも０．００８Ωｃｍ以下のｎ型ＳｉＣ単結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】不純物の混入を抑制した窒化物半導体結晶を製造するための窒化物半導体結晶の製造方法、窒化物半導体結晶および窒化物半導体結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体結晶の製造方法は、以下の工程が実施される。まず、原料１７を内部に配置するための坩堝１０１を準備する。坩堝１０１内において、原料１７を加熱することにより昇華させて、原料ガスを析出させることにより窒化物半導体結晶を成長する。準備する工程では、原料１７の融点よりも高い金属よりなる坩堝１０１を準備する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥をより抑制することが可能なＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ法によりエピタキシャル膜２を成長させると、成長させるエピタキシャル膜２の不純物濃度に応じて貫通転位３の成長方向を一定方向に規定できる。例えば、ＳｉＣ基板１内に含まれていた貫通転位３は、エピタキシャル膜２内においてｃ軸に対する角度θが（１１−２２）面もしくは（１１−２２）面に対して±３°の範囲内、例えば［１１−２３］方向に平行もしくは［１１−２３］方向に対して±３°の範囲内の方向に向く。このため、この現象を利用し、エピタキシャル膜２の側面から貫通転位３を排出させることにより、エピタキシャル膜２の成長表面から貫通転位３をほぼ無くすことが可能となる。そして、このようなエピタキシャル膜２を種結晶として昇華法によりＳｉＣ単結晶４をバルク成長させれば、結晶欠陥をより抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】α−ＮａＦｅＯ_２構造を有するＬｉＭｎＯ_２の安定構造、安定結晶の製造方法、ＬｉＭｎＯ_２の結晶安定化方法、電池及び電子機器を提供する。
【解決手段】α−ＮａＦｅＯ_２構造を有するＬｉＭｎＯ_２の結晶が、結晶よりも格子定数の小さい担持体３によって担持される。結晶は、担持体３の結晶表面を覆うように薄膜２として形成される。担持体３は、Ａｌ_２Ｏ_３又はＬｉＣｏＯ_２からなる。薄膜２は、パルスレーザ堆積法を用いて室温下で成長させ、大気中でアニールする。 （もっと読む）

【課題】種結晶の結晶成長面における表面温度を更に均一化することにより、表面が平坦化された高品質の炭化珪素単結晶を得ることができる炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶の製造装置１は、黒鉛製坩堝１０と、黒鉛製坩堝１０の少なくとも側面を覆う石英管２０と、石英管２０の外周に配置された誘電加熱コイル３０とを有する。黒鉛製坩堝１０は、反応容器本体１１と該反応容器本体１１の上部開口１１ｂを覆う蓋体１２とを備え、該蓋体１２には、均熱部材１４が一体に設けられている。また、均熱部材１４における均熱部１７は、種結晶６０と昇華用原料５０との間の高さ位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】実用可能性のある大きさを備えた窒化アルミニウム単結晶を、低コストで短時間に得ることができ、かつ、生産性・汎用性が高い窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】酸窒化アルミニウム及び／又は加熱により酸窒化アルミニウムに変換される酸窒化アルミニウム前駆体を含む原料組成物１０を、１６００〜２４００℃の温度で加熱することにより窒化アルミニウムを合成し、前記窒化アルミニウムを結晶成長させることによって窒化アルミニウム単結晶を得る窒化アルミニウム単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層と基板との界面における電気抵抗の低減が図られた化合物半導体基板、半導体デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板１０は、ＩＩＩ族窒化物で構成され、Ｃｌ換算で２００×１０^１０個／ｃｍ^２以上１２０００×１０^１０個／ｃｍ^２以下の塩化物及びＯ換算で３．０ａｔ％以上１５．０ａｔ％以下の酸化物を含む表面層１２を表面に有する。これにより、化合物半導体基板１０とその上に形成されるエピタキシャル層１４との間の界面のＳｉが低減され、その結果界面における電気抵抗が低減される。 （もっと読む）