【課題】炭化ケイ素の単結晶原料の製造と、炭化ケイ素単結晶の成長とを、１台の装置を用いて連続して行うことができ、得られた単結晶原料や炭化ケイ素単結晶に不純物が混入する虞も無い炭化ケイ素単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素粉体または前駆体１１を貯留する容器１２と、炭化ケイ素粉体または前駆体１１を加熱する高周波コイル１４とを備え、炭化ケイ素粉体または前駆体１１から炭化ケイ素の単結晶原料を生成する単結晶原料部３と、炭化ケイ素種結晶２３を固定する種結晶支持部２１と、種結晶支持部２１を加熱する高周波コイル２２とを備えた炭化ケイ素単結晶製造装置１において、まず、炭化ケイ素粉体または前駆体１１を焼成して比表面積が制御された炭化ケイ素からなる単結晶原料を得た後、前記単結晶原料を昇華させ、炭化ケイ素種結晶２３上に炭化ケイ素単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】酸素または水素雰囲気中でのレーザーアブレーションにより金属などの異種基板に対して良好なダイヤモンド膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】酸素または水素雰囲気中で、グラファイト、アモルファスカーボン、グラッシーカーボン、またはダイヤモンドからなる炭素ターゲットに、５０ｎｓ以下のパルス幅でレーザー光を照射し、レーザーアブレーションによって前記ターゲットから炭素粒子を飛散させて基板上に堆積させ、パルス毎に堆積粒子の過飽和状態を形成して前記基板上にダイヤモンド膜を形成する方法において、前記基板に負バイアスを印加した状態で前記レーザー光を照射する。 （もっと読む）

【課題】コストや作業工数を増大させることなく高抵抗な炭化ケイ素単結晶を製造する。
【解決手段】昇華法により種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させて得られる炭化ケイ素単結晶であって、炭化ケイ素単結晶中のドナー濃度とアクセプター濃度との差の絶対値を１×１０^−１６〜１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３とする。例えば、浅い準位のアセクプターであるホウ素は、結晶成長高さに関わらずホウ素濃度は略一定となるが、浅い準位のドナーである窒素は、結晶成長に伴って低下し、最終的にはホウ素濃度以下になる。これに伴い、成長結晶の抵抗率は結晶成長に伴って増加していき、ホウ素濃度と窒素濃度とがほぼ同等の値になる領域において半絶縁性を示し、その後は窒素濃度の低下に伴って低下する。従って、ホウ素濃度と窒素濃度がほぼ同等の値になる領域を拡大することにより半絶縁性のウエハとして歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性が優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】昇華法によるＳｉＣ単結晶等の単結晶の製造において、結晶成長に用いる坩堝の気密性を高めて材料ガスの漏れを防止し、且つ、坩堝内の充分な真空引きを可能にする単結晶の製造方法および装置を提供する。
【解決手段】坩堝１０は、側壁に肉薄部１ａを有するグラファイト製の原料収納容器１と蓋３を有する。坩堝１０内に種基板４および原料２を配置した後、蓋３は原料収納容器１に接着剤５を用いて固定される。坩堝１０内の真空引きは、坩堝１０の側壁の肉薄部１ａが有する微細な空孔を通して行われる。 （もっと読む）

【課題】 目的とする析出部に効率良く、しかも結晶性の良好な窒化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係る窒化アルミニウム単結晶の製造方法は、
原料供給部に配置した原料ガス発生源を原料ガス発生温度Ｔ_１に加熱して、原料ガスであるアルミニウムガスまたはアルミニウム酸化物ガスを生成し、
窒化アルミニウム単結晶成長用基板を配置した析出部に該原料ガスおよび窒素ガスを供給して、該基板上に窒化アルミニウム単結晶を製造する方法において、
該原料ガスおよび窒素ガスからの単結晶窒化アルミニウムの析出開始温度Ｔ_２と、前記原料ガス発生温度Ｔ_１と析出部温度Ｔ_Ｓとが、下記条件を満たす条件下で窒化アルミニウム単結晶を成長させることを特徴としている。
Ｔ_１≦Ｔ_Ｓ＜Ｔ_２ （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを用いた半導体装置を効率よく製造するための半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２の各々が一の方向を向き、かつ第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２が互いに対向するように、第１および第２の炭化珪素基板１１、１２が配置される。この配置する工程の後に、第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２を互いにつなぎ、かつ第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２が互いに対向する空間を埋めるように、第１および第２の炭化珪素基板１１、１２上に炭化珪素層３０が分子線エピタキシ法によって形成される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを用いた半導体装置を効率よく製造するための半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の裏面Ｂ１を有する第１の炭化珪素基板１１と、第２の裏面Ｂ２を有する第２の炭化珪素基板１２とが準備される。第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２の各々が一の方向に露出するように第１および第２の炭化珪素基板１１、１２が配置される。炭化珪素からなり、かつ第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２を互いにつなぐ成長層３０が化学気相成長法によって形成される。 （もっと読む）

ＳｉＣ昇華結晶成長において、坩堝は、間隔を隔ててＳｉＣ原料とＳｉＣ種結晶とが充填され、邪魔板は、成長坩堝内の種結晶の周囲に配置されている。成長坩堝内の邪魔板の第１側面は、ＳｉＣ種結晶上にＳｉＣ単結晶を成長する成長領域を画定する。成長坩堝内の邪魔板の第２側面は、ＳｉＣ単結晶の周囲の気化ガス捕獲トラップを画定する。ＳｉＣ原料を昇華させて、ＳｉＣ種結晶上へ気化ガスを析出することにより、ＳｉＣ結晶を成長する成長領域に移送する気化ガスを形成するような成長温度に坩堝は加熱される。この気化ガスの一部は、ＳｉＣ結晶の成長中に成長領域から取り除かれる気化ガス捕獲トラップに入る。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い半導体層を有する半導体基板、半導体基板の製造方法、半導体成長用基板、半導体成長用基板の製造方法、半導体素子、発光素子、表示パネル、電子素子、太陽電池素子及び電子機器を提供する。
【解決手段】芳香族系テトラカルボン酸と芳香族系テトラアミンを縮合して得られる複素環状高分子からなるグラファイト層２と、当該グラファイト層２の表面上に設けられ、当該グラファイト層２の表面を成長面とする半導体層４とを備えた半導体基板１。前記グラファイト層は結晶性に優れているため、グラファイト層の表面を成長面とする半導体層についても、結晶性に優れたものが得られる。これにより、結晶性に優れた半導体層を有する半導体基板１を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】耐久性の向上を達成するとともにＡｌＮ単結晶への不純物の混入を抑制することが可能な坩堝を提供する。
【解決手段】
気相成長法による窒化アルミニウム単結晶の製造に用いられる坩堝１は、内側坩堝１０と、内側坩堝１０の底壁に対向するように種結晶を保持する内蓋２０と、内側坩堝１０および内蓋２０を取り囲むように配置された外側坩堝３０とを備えている。外側坩堝３０は、炭素からなる外側坩堝本体３１と、外側坩堝本体３１の内壁を覆い、高融点材料からなるコーティング層３２とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑えて効率的にＡｌＮ結晶を製造することができるＡｌＮ単結晶の製造方法および種基板を提供する。
【解決手段】加工変質層の少なくとも一部が残る種基板１を準備する工程と、種基板１を結晶成長容器５５内に設置する工程と、種基板１上に昇華法によりＡｌＮ単結晶５８を成長させる工程とを含むＡｌＮ単結晶５８の製造方法とその種基板１である。ここで、種基板１を準備する工程は、種基板１の表面を研削する工程および種基板１の表面を研磨する工程の少なくとも一方を含む。 （もっと読む）

【課題】基板上に単結晶材料の層を成長させる方法を提供する。
【解決手段】第１単結晶材料から形成された露出領域を有する基板を、プロセスチャンバ中に配置する工程と、拡散制限ガスの存在下で、基板に向かって、第２材料の中性種のビームを供給し、プロセスチャンバ中の圧力を１×１０^−６ｔｏｒｒから１×１０^−４ｔｏｒｒの間にし、第２材料の中性種を露出領域上に吸着され、これにより第１単結晶材料の上にこれと接触して第２材料の単結晶層を成長させる工程とを含み、拡散制限ガスは、非反応性ガスからなる。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れ、基板に対して配向成長したｐ型ＺｎＯナノ構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧力及び温度が制御された反応容器の内部に配置されたＰ（リン）を含有するＺｎＯターゲットにレーザー光を照射し、レーザーアブレーションにより生成した微粒子に由来する微結晶を核としてサファイア単結晶基板表面のｃ面に配向成長したリンを含有するｐ型ＺｎＯナノ構造体が形成される。特に圧力及び温度を適宜選択することにより、ｐ型ＺｎＯナノ構造体として、ｐ型ＺｎＯナノワイヤやｐ型ＺｎＯナノシートを形成することができる。該ＺｎＯナノ構造体は、紫外線センサなどの半導体デバイスとして好適に使用できる。 （もっと読む）

【課題】昇華法を用いて炭化ケイ素単結晶を製造する際に、単結晶の径方向への成長を促進することができる単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶製造装置１は、所定の結晶方位を有する種結晶１０と、昇華用原料２０とを収容する反応容器３０と、蓋部４０とを有する円筒状の坩堝５０を備える。種結晶１０と昇華用原料２０との間に、第１ガイド部材６１，第２ガイド部材６２，第３ガイド部材６３が設けられる。第１ガイド部材６１は、種結晶１０を基に成長する単結晶の成長範囲を規制する規制面６１ａを有する。第２ガイド部材６２は、第１ガイド部材６１よりも昇華用原料２０に近い位置に配設され、原料ガスを反応容器３０の内壁３１に向けて導く。第３ガイド部材６３は、第１ガイド部材６１と第２ガイド部材６２との間に配設され、第１ガイド部材６１の規制面６１ａに対向する案内面６３ａを有する。 （もっと読む）

【課題】装置の安全性を高めるとともに、昇華・単結晶成長時における窒素濃度の上昇を抑制し、歩留まりを良くしつつも、単結晶の品質の低下を抑制することが可能な炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶を製造する装置の内部に設置された坩堝に炭化珪素原料を配置する原料配置工程Ｓ２と、炭化珪素からなる種結晶を前記坩堝に配置する種結晶配置工程Ｓ４と、炭化珪素原料を昇華させ、昇華した炭化珪素原料を種結晶に再結晶させることで、炭化珪素単結晶を成長させる昇華・成長工程Ｓ５とを含む炭化珪素単結晶の製造方法であって、坩堝の内部を還元雰囲気にして、坩堝と炭化珪素原料とを炭化珪素原料の昇華温度未満の温度で加熱する加熱工程Ｓ３を有し、原料配置工程Ｓ２の後、種結晶配置工程Ｓ４の前に、加熱工程Ｓ３を行い、坩堝の内部を減圧雰囲気又は希ガス雰囲気にして、昇華・成長工程を行う。 （もっと読む）

【課題】真空排気容器の内壁に炭化珪素原料の昇華ガスが付着して堆積する堆積物の除去作業が簡単にでき、炭化珪素単結晶の製造効率に優れる炭化珪素単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】真空排気容器１２の中に配置した坩堝３内に炭化珪素原料２を収容し、炭化珪素原料２を昇華させて、昇華ガスを坩堝３内に取り付けた種結晶１上に供給して炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶製造装置であって、真空排気容器１２の内壁が剥離可能な粘着シート１３を貼り付けて覆われている。 （もっと読む）

【課題】結晶の成長速度を向上させることが可能な窒化物単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】上部に開口部を有し、内底部に原料２２を収納する成長容器４と、開口部を塞ぐサセプタ３と、原料２２に対向するように配置された種子基板２３と、成長容器４の外周に配設された複数の加熱手段７ａ、７ｂ、７ｃと、を少なくとも備えた窒化物単結晶２４の製造装置１であって、各加熱手段７ａ、７ｂ、７ｃ間に熱遮蔽部材１１ａ、１１ｂが設けられるとともに、加熱手段７ｃと成長容器４の成長部Ａとの間に熱遮蔽部材１２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】長時間の成長でも原料の昇華速度が長時間に亘り安定しており、安定した品質の窒化アルミニウム単結晶を製造することのできる窒化アルミニウム単結晶用原料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】昇華法によって形成される窒化アルミニウム単結晶２４用の原料２２であって、窒化アルミニウム粉末と有機バインダとを含んでなる組成物を、圧粉成型後、加熱して有機バインダを除去し、さらに焼成して粉末粒子同士の合一化を行って得られる。 （もっと読む）

【課題】転位欠陥の発生の少ない高品質の炭化珪素単結晶を製造するための坩堝及び製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素原料４を収容する坩堝容器部１と炭化珪素種結晶５が取り付けられる坩堝蓋部２とを有し、前記坩堝蓋部２には、坩堝１の内部と外部との間を貫通すると共に、結晶成長時には前記種結晶５が吸着して閉塞される貫通孔３が形成されている、改良型レーリー法による炭化珪素単結晶製造用坩堝１であって結晶成長が始まる前、貫通孔３等を通じてガス交換により、結晶成長空間８と坩堝外部との間に圧力差を生じないため、坩堝蓋部２に吸着・支持されずに隙間Ｄが維持された状態にあった種結晶５は、結晶成長時には、坩堝外部の圧力を坩堝内部８の圧力に対して低くなるように制御することで坩堝蓋部２に吸着される。その結果、熱膨張差に起因した応力や歪の無い状態で種結晶５を坩堝蓋部２の内側部分に支持することができる。 （もっと読む）