【課題】ＭＢＥ成膜装置において、フェイスアップ状態で被処理体の表面に化合物半導体よりなる薄膜を形成することができる原料供給装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体の製造に用いる原料を供給する原料供給装置６２において、鉛直方向に延びて外周面が液体を流下させることができるような表面である液体流下面９０になされた原料保持体６４と、原料保持体の高さ方向の途中に設けられて原料の液体である原料液体を貯留すると共に濡れ性によって原料液体を液体流下面９０に沿って流下させる原料液体貯留部６６と、原料保持体内に設けられて、原料液体貯留部を原料が濡れ性を発揮するように加熱すると共に原料保持体の先端部を原料液体の蒸発温度まで加熱する加熱手段６８とを備える。 （もっと読む）

【課題】フォトルミネッセンス法を用いて、炭化珪素単結晶の積層欠陥をより正確に検査できる積層欠陥の検査方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素原料２０を坩堝１０に配置する配置工程と、坩堝１０に配置された炭化珪素原料２０を加熱し、加熱により昇華した炭化珪素原料２０を再結晶させる成長工程とを有する炭化珪素単結晶を製造する製造工程と、フォトルミネッセンス法を用いて、炭化珪素単結晶の積層欠陥を検査する検査工程とを備える積層欠陥の検査方法であって、成長工程では、坩堝１０に水素を導入する。 （もっと読む）

【課題】大口径で欠陥の少ない長尺の炭化珪素単結晶を成長できる装置を得る。
【解決手段】 原料を充填する充填部を有する坩堝と、坩堝の蓋となる蓋体と、蓋体に充填部に対向して設けられた種結晶を取り付ける台座と、坩堝から前記台座に向けて設けられた単結晶多結晶分離用ガイドと、充填部の上部に設けられた、その上面が単結晶多結晶分離用ガイドに対向して設けられ単結晶多結晶分離用ガイドを下方から放射加熱する放射面である、原料ガス整流ガイドとを備えることにより、分離用ガイドの温度を台座に取り付けられた種結晶より高温にする。 （もっと読む）

【課題】貫通らせん転位が少ない、もしくは存在しない炭化珪素単結晶層を製造することができる炭化珪素単結晶の製造方法、当該製造方法で製造された炭化珪素単結晶ウェハ、当該炭化珪素単結晶ウェハを用いた炭化珪素半導体素子の製造方法、当該製造方法で製造された炭化珪素半導体素子を提供する。
【解決手段】結晶成長面５からの傾斜面６の角度が４０度以上９０度以下であり頂面３Ｔを有する六角錐状の凸部３を有する種基板２の表面に炭化珪素単結晶層４を成長させることで、種基板２の貫通らせん転位を、炭化珪素単結晶層４で基底面内欠陥９に変換すると共に、貫通らせん転位を凸部３の頂面３Ｔに制限する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成長させる成長速度を向上したＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法およびＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長装置を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法は、以下の工程を備えている。まず、原料１３からの熱輻射を遮るための熱遮蔽部１１０を内部に含むチャンバー１０１が準備される。そして、チャンバー１０１内において、熱遮蔽部１１０に対して一方側に原料１３が配置される。そして、原料１３を加熱することにより昇華させて、チャンバー１０１内の熱遮蔽部１１０に対して他方側に、原料ガスを析出させることによりＩＩＩ族窒化物半導体結晶１５が成長される。 （もっと読む）

【課題】大型で転位密度の低いＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶基板を提供する。
【解決手段】本Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶基板は、気相法によるＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶（０＜ｘ≦１）の成長方法で得られたＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の表面１３を加工することにより得られる平坦な主面３１を有するＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶基板３０であって、結晶成長の際、その雰囲気中に不純物を含めることにより、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の主成長平面１１に複数のファセット１２を有するピット１０ｐが少なくとも１つ存在している状態でＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０を成長させることにより、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の転位を低減し、ピット１０ｐ底部から主成長平面１１に対して実質的に垂直方向に伸びる線状転位集中部１０ｒの密度が１０⁵ｃｍ^-2以下であり、結晶成長後において主成長平面１１の総面積に対するピット１０ｐの開口面１０ｓの総面積の割合が３０％以上である。 （もっと読む）

【課題】より高純度な炭化珪素単結晶を得ることができる炭化珪素単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】この発明に係る炭化珪素単結晶の製造方法は、炭化珪素多結晶インゴット形成用の坩堝１内で、珪素と炭素を原料２とする昇華再結晶法によって炭化珪素多結晶インゴット７を形成する工程と、種結晶取り付け部８ｃに種結晶基板１１が取り付けられた炭化珪素単結晶形成用の坩堝８内で、昇華再結晶法によって炭化珪素多結晶インゴット７を昇華させて炭化珪素単結晶インゴット１２を形成する工程と、を備えた （もっと読む）

【課題】改良型レーリー法により炭化珪素単結晶を作製する場合において、結晶成長中、特に結晶成長の初期の段階で発生する欠陥を低減することができ、欠陥密度の低い高品質の炭化珪素単結晶を製造することができる炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】対称軸を有する坩堝と対称軸を有する種結晶を用いて昇華再結晶法により炭化珪素単結晶インゴットを製造する装置であり、種結晶の対称軸に対して非軸対称な温度分布を持つ加熱を行うと共に、その非軸対称な温度分布の中で種結晶の対称軸を中心にして、種結晶と成長している結晶を回転させながら結晶成長を行う炭化珪素単結晶インゴットの製造装置であり、結晶成長中の結晶欠陥の発生を抑制し、欠陥の少ない高品質の炭化珪素単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体自立基板上に形成される電子デバイスの耐電圧、オン抵抗、素子寿命等のばらつきを抑えて歩留まりを向上させることが可能なＳｉＣ半導体自立基板及びＳｉＣ半導体電子デバイスを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体自立基板を構成するＳｉＣ半導体結晶３は六方晶系であり、ＳｉＣ半導体結晶３の格子定数のばらつきを、ＳｉＣ半導体自立基板の主面内のａ軸方向の格子定数の標準偏差をａ軸方向の格子定数の平均値で除した値とするとき、格子定数のばらつきが±５５ｐｐｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】高品質の窒化アルミニウム単結晶を製造することができる窒化アルミニウム単結晶の製造方法及び製造装置を提供すること。
【解決手段】成長容器２内にガス導入部２ｆを経て窒素ガスを導入するとともに成長容器２内のガスをガス排出部２ｅを経て排出させながら、成長容器２内に収容した窒化アルミニウムからなる原料１を昇華させ、成長容器２内の種結晶１０から結晶１２を成長させて窒化アルミニウム単結晶を得る窒化アルミニウム単結晶の製造方法において、ガス排出部２ｅの温度を、結晶１２の先端部の温度よりも高くすることを特徴とする窒化アルミニウム単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】垂直配向型及び平行配向型以外の配向を有するウルツ鉱圧電体薄膜であって、その配向により従来にない特性が得られるウルツ鉱圧電体薄膜を提供する。
【解決手段】ウルツ鉱型の結晶構造を有する材料から成る薄膜であって、該薄膜に対する法線とc軸が成す角である傾斜角が、縦波に関する圧電定数e₃₃がゼロになる臨界傾斜角よりも大きく、且つ90°未満であることを特徴とする。この薄膜は、垂直配向のウルツ鉱型結晶薄膜とは逆位相の縦波振動が生じるという、従来にない特性を有する薄膜共振子に用いることができる。この薄膜は、ウルツ鉱型の結晶構造を有する材料Ｍを基板Ｓの表面に堆積させつつ、基板Ｓの表面に対して10°を超え40°以下の角度αで入射するようにイオンビームＩＢを照射することにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】高品質で且つ空隙の発生が十分に抑制される単結晶を形成することができる種結晶保持体の製造方法及びこれを用いた単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】基材９と、基材９の上に接合部１１を介して接合される種結晶１０とを備える種結晶保持体８の製造方法であって、基材９上に気相法により種結晶１０と同一材料からなる多結晶体を接合部１１として形成する接合部形成工程と、接合部１１において種結晶１０を接合させる接合予定面の表面粗さを減少させて平滑化面を得る接合部表面粗さ減少工程と、接合部１１の平滑化面に種結晶１０を接合させる種結晶接合工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶品質を有するＧａＮ層のようなＩＩＩ族−窒化物が得られる方法で形成されたＩＩＩ族−窒化物／基板構造と、少なくとも１つのそのような構造を含む半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板１の上に、例えばＧａＮ層５のような、ＩＩＩ族−窒化物層の堆積または成長を行う方法であり、基板１は、少なくともＧｅ表面３、好適には六方対称を有する。この方法は、基板１を４００℃と９４０℃の間の窒化温度に加熱するとともに、基板１を窒化ガスの流れに露出させる工程と、続いて、１００℃と９４０℃の間の堆積温度で、Ｇｅ表面３の上に、例えばＧａＮ層５のようなＩＩＩ族−窒化物を堆積する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】単結晶製造装置を大型化せずに単結晶の製造効率を向上させることができる単結晶の製造方法及び製造装置を提供すること。
【解決手段】ルツボ８内に収容した昇華性の原料６の表面６ａ上に熱伝導体１１Ａを配置する熱伝導体配置工程と、ルツボ８及び熱伝導体１１Ａを加熱して原料６を昇華させ、熱伝導体１１Ａを下降させながら、昇華した原料６のガスを、ルツボ８を密閉する蓋体９に固定した種結晶１０に付着させて再結晶させ、単結晶１５を成長させる成長工程とを含む単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】大型で転位密度の低い結晶が得られるＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶の成長方法およびＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶基板を提供する。
【解決手段】気相法によるＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の成長方法であって、結晶成長の際、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の主成長平面１１に複数のファセット１２を有するピット１０ｐを少なくとも１つ形成し、ピット１０ｐが少なくとも１つ存在している状態でＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０を成長させることにより、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の転位を低減することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】種結晶を蓋体に接着しないタイプの単結晶製造装置において、種結晶の破損や単結晶の品質低下を防止することができる単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶製造装置の蓋体４０の略中央部には、突部４１が設けられている。突部４１は、蓋体開口部を介して坩堝本体の内側に向けて突出するように配置される。種結晶１０は、ガイド開口部４３ｈに挿通された突部４１の当接面４１ａと支持部４３２との間に配置される。突部４１に形成されたねじ山４１ｓが係合部４３１に形成されたねじ溝４３ｇに螺合されることにより、当接面４１ａが種結晶１０における結晶成長面とは反対の裏面全面を突部４１に対して押圧するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】Ｎ型ドーパントとＰ型ドーパントとのバランスをより制御しやすくすることによって、半絶縁性の優れた炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素原料２０を坩堝１０に配置する工程と、坩堝１０に配置された炭化ケイ素原料２０を加熱し、炭化ケイ素単結晶を成長させる工程とを含む炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、炭化ケイ素原料２０を加熱する工程では、坩堝１０に水素ガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁破壊特性、耐熱性、耐放射線性等に優れ、電子・光学デバイス等に好適で、多結晶や多型の混入やマイクロパイプ等の欠陥のない高品質な炭化ケイ素単結晶の提供。
【解決手段】 昇華させた昇華用原料を炭化ケイ素単結晶の種結晶上に再結晶させて、炭化ケイ素単結晶を、その全成長過程を通して、その成長面の全面を凸形状に保持したまま成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法により製造され、最大直径が、前記種結晶の直径よりも大きい炭化ケイ素単結晶である。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶成長に伴う蓋材の変形によりＳｉＣ単結晶が劣化することを抑制する。
【解決手段】台座５を蓋材１ｂと別部材で構成すると共に、台座５の材料としてＳｉＣと熱膨張係数がほぼ同じものを選択する。このようにすれば、ＳｉＣ単結晶４の結晶成長後の冷却過程において蓋材１ｂにＳｉＣ多結晶が成長した影響で蓋材１ｂが変形したとしても、接合部材６を介して蓋材１ｂに貼り合わされた台座５にはその影響があまり伝わらない。さらに、台座５も加熱により熱膨張することになるが、台座５の熱膨張係数がＳｉＣの熱膨張係数とほぼ同じになるようにしているため、ＳｉＣ単結晶基板３は台座５の熱膨張係数の影響を殆ど受けないで済む。また、蓋材１ｂと台座５との間に薄板状の緩衝材７を配置し、緩衝材７の両面に接合部材８、９を配置する。これにより、より結晶成長後の蓋材１ｂの変形による影響が台座５に伝わり難くなるようにできる。 （もっと読む）

【課題】製造時間及び製造コストを増大させることなく、マイクロパイプ欠陥や螺旋転位の発生が抑制された高品質の炭化珪素単結晶を製造できる種結晶、その種結晶の製造方法及び、その種結晶を用いた炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶２００を製造するために用いられ、単結晶２００が成長を開始する面である成長面２０ａを有する種結晶１Ａ及び種結晶１Ｂであって、種結晶１Ａ及び種結晶１Ｂは、炭化珪素単結晶からなる基板１０と成長面２０ａを有する遮断膜２０とを有し、基板表面１０ａは、遮断膜２０で覆われており、遮断膜２０のＸ線ロッキングカーブの半値幅が、２０アーク秒以下である。 （もっと読む）