【課題】本発明は、原料を製造するコスト及び時間を抑えつつ、より純度の高い炭化珪素原料を製造する。
【解決手段】炭化珪素原料を含む原料物質の表面を形成する、不純物を含む不純物層を除去する表面除去工程を有し、表面除去工程では、原料物質は、炭化珪素を溶解する液体に浸漬される。又は、表面除去工程では、原料物質は、炭化珪素を腐食する気体に曝される。 （もっと読む）

【課題】たとえば、昇華法によるＳｉＣ単結晶の製造において、単結晶の成長途中での断熱材の劣化を抑制すると共に、坩堝内の温度分布の再現性を高め、さらに製造コストの上昇を抑えることが可能な単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶の製造装置は、導電性の坩堝１０と、坩堝１０の外周に近接して配設され、当該坩堝１０の側方および上方を覆う導電性の炉芯管１１を備える。誘導加熱法を用いて坩堝１０が加熱される際、炉芯管１１は、その下端は坩堝１０の底よりも低い位置となるように設置される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ結晶の結晶性を良好にすることができる、ＳｉＣ結晶の製造方法およびＳｉＣ結晶を提供する。
【解決手段】昇華法によりＳｉＣ結晶を製造する方法において、ＳｉＣ結晶を成長する雰囲気ガスがＨｅを含有することを特徴とする。雰囲気ガスは、Ｎをさらに含有してもよい。雰囲気ガスは、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、ＸｅおよびＲｎからなる群より選ばれた少なくとも一種のガスをさらに含有してもよい。雰囲気ガスにおいて、Ｈｅの分圧が４０％以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素単結晶の品質を低下させることなく、炭化ケイ素単結晶の大口径化に対応できる炭化ケイ素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】本発明による単結晶製造装置１は、炭化ケイ素を含む種結晶１１と、該種結晶１１と対向する側に配設され前記種結晶１１の成長に用いられる昇華用原料１０とを収容する坩堝２を備える炭化ケイ素単結晶の製造装置１である。前記坩堝２は、前記昇華用原料１０が収容される坩堝本体７と、前記種結晶１１が配設される蓋体８とを備え、前記種結晶１１の径方向中央側に対応する前記蓋体８の中央領域における厚みＴ１は、前記種結晶１１の径方向中央側よりも径方向外側に対応する周辺領域における前記蓋体８の厚みＴ２よりも大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】窒化物結晶の不純物濃度を低減できる下地基板、下地基板付窒化物結晶、下地基板の製造方法および窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板１０は、昇華法により窒化物結晶２１を製造するために用いられる下地基板であって、主面１１ａと、主面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有する母材１１と、母材１１の裏面１１ｂに形成された保護層１２とを備え、保護層１２は、窒化物結晶２１の融点よりも高い融点を有する金属、窒化物、炭化物、窒化物の合金、および炭化物の合金からなる群より選ばれた少なくとも一種の物質を主成分とし、残部が不可避的不純物である。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素単結晶の半絶縁性に悪影響を及ぼす、余剰となるｎ型不純物・ｐ型不純物などが炭化ケイ素単結晶に取り込まれることを確実に防止することができる炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素単結晶の製造方法は、配置工程Ｓ１と、昇華・成長工程Ｓ２とを有する。昇華・成長工程Ｓ２では、炭化ケイ素単結晶の成長初期、成長中期、成長後期と変わるに連れて、反応系内に導入するアルゴンガスの流量を変化させる。炭化ケイ素単結晶の成長初期において、基準流量Ａよりも多い流量のアルゴンガスが反応系内に導入される。工程Ｓ２２では、炭化ケイ素単結晶の成長中期において、基準流量Ａのアルゴンガスが反応系内に導入される。工程Ｓ２３では、炭化ケイ素単結晶の成長後期において、基準流量Ａよりも少ない流量のアルゴンガスが反応系内に導入される。 （もっと読む）

【課題】断熱材の全てを交換することなく、品質を向上させることができると共に、長尺化することのできる炭化珪素単結晶の製造装置およびそれを用いた製造方法を提供する。
【解決手段】断熱材を、反応容器９の側壁を囲む円筒状の側壁断熱材１２と、側壁断熱材１２と機械的に分離可能とされた円板部材からなり、多孔質材料で構成された吸収断熱材１３と、を含んで構成する。そして、吸収断熱材１３を、側壁が側壁断熱材１２の内壁と接した状態で、反応容器９のうち一端部と反対側の他端部の端面に配置し、反応容器９内の未反応原料ガスを、吸収断熱材１３を介して真空容器７に備えられた流出口４から排気する。 （もっと読む）

【課題】種結晶へ粉末原料から昇華ガスを供給し続けることができるＳｉＣ単結晶の製造装置と製造方法を提供する。
【解決手段】第１の部屋（原料室１１ｄ）に配置した炭化珪素原料１４から昇華ガスを供給し、第１の部屋に配置した炭化珪素原料１４から昇華ガスの供給を開始してから一定時間後に第２の部屋（外側容器１１の中空部分、蓋体１３、内側容器１２によって囲まれた空間）に配置した炭化珪素原料１５から多量に昇華ガスを供給し、炭化珪素単結晶８を成長させる。このように、２つの部屋で昇華ガスを発生させ、先に第１の部屋に生じた昇華ガスで炭化珪素単結晶８を成長させ、一定時間後に第２の部屋に生じた昇華ガスで引き続き炭化珪素単結晶８を成長させているので、昇華ガスを供給し続けることができ、昇華ガスの供給低下に伴う炭化珪素単結晶８の成長低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】台座の側壁や台座の周辺部に位置する反応容器の壁面にＳｉＣ多結晶が付着することを抑制することのできるＳｉＣ単結晶の製造装置およびそれを用いたＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】一面が台座１１と対向した状態で当該一面が中空部に配置され、原料ガス３を冷却しながら反応容器９内に導入する冷却管１０と、反応容器９の周囲に配置され、反応容器９を加熱して反応容器９内の温度を制御することにより、冷却管１０からの輻射により冷却されるＳｉＣ単結晶６の成長表面の温度を所定温度に制御する加熱装置１５と、備える。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶の結晶表面の温度分布を直接測定することができる炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】壁部１６ａの内部に水が循環することで水冷される中空筒状の水冷管１６と、水冷管１６の中空部１６ｂに配置され、一定の視野角を持った先端部１７ａが容器９のうち台座１０よりも容器９の底部９ｄ側に配置されると共に台座１０側から容器９の底部９ｄ側に放出される光を先端部１７ａから取り込んで、中間部１７ｂを介して他端部１７ｃに伝達するファイバースコープ１７と、ファイバースコープ１７の他端部１７ｃに伝達された光の強度を検出することにより、視野角に応じた範囲の温度分布を直接測定する可視光用のサーモビューア１８と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】結晶成長中に坩堝内壁より種結晶が剥離、脱落するのを抑制し、かつ、結晶性が良好な窒化アルミニウム単結晶を製造することのできる窒化アルミニウム単結晶の製造方法および製造装置の提供。
【解決手段】本発明の窒化アルミニウム単結晶の製造装置１は、上部に開口部を有し、内底部に原料１２を収納する坩堝１１と、前記開口部近傍に設置された蓋体１３と、蓋体１３の下面側に原料１２と対向するように配置された種子基板１４と、種子基板１４の下部に配置され、かつ、種子基板１４の外周部の少なくとも一部に接し、その中心部に種子基板１４の外径より小さな貫通開口を有する種子基板保持部材１５とを備え、種子基板１４は、種子基板保持部材１５により保持されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】品質を向上した結晶の製造方法および結晶を提供する。
【解決手段】結晶の製造方法は、昇華法により結晶１０を製造する方法であって、結晶１０と異なる材料の下地基板を配置する工程と、設定温度まで昇温することで、下地基板上に第１の結晶１１を成長する工程と、設定温度以上の温度で、第１の結晶１１上に第２の結晶１２を成長する工程とを備えている。第１の結晶１１を成長する工程の雰囲気圧力は、第２の結晶１２を成長する工程の雰囲気圧力よりも低い。 （もっと読む）

【課題】台座上に固定された種結晶を用いて高品質の単結晶を成長させることができる、単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】第１および第２の面Ｐ１、Ｐ２を有し、かつ炭化珪素からなる種結晶１１が準備される。第１の面Ｐ１上に第１の炭化層２２ａが形成されるように、種結晶１１の表面が炭化される。接着剤を挟んで第１の炭化層２２ａと台座４１とが互いに接触させられる。種結晶１１を台座４１に固定するために接着剤が硬化させられる。台座４１に固定された種結晶１１の第２の面Ｐ２上に単結晶５２が成長させられる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素の高品質の単結晶を生成する。
【解決手段】シード結晶とシード・ホルダとの距離を、シード結晶とシード・ホルダとの間の伝導性熱転移が、シード・ホルダに隣接するシード結晶の表面全体に渡って、これらの間の放射性熱転移よりも大きくなるまで、減少させる。特に、シード結晶及びシード・ホルダが直接接触するときに良好な結果が得られ、接触面は常に１０μｍ以下、好ましくは１μｍ未満である。このような関係を得るために、シード・ホルダ２５に固定されているエッジ・リング・シード・キャップ２７にシード結晶２４を支持している。成長する結晶２６もキャップに支持される。 （もっと読む）

【課題】結晶格子面の反りが小さく、欠陥密度が低く高品質であって、加工時にクラックが発生しない炭化珪素単結晶及びその製造方法、並びに炭化珪素単結晶ウェーハ及び炭化珪素単結晶インゴットを提供する。
【解決手段】台座６ｃに装着された炭化珪素種結晶４上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、炭化珪素種結晶４の結晶格子面の反りを測定する工程と、前記成長時において、前記反りを解消する方向に炭化珪素種結晶４を反らせる材料からなる台座６ｃを選択する工程と、前記台座６ｃに炭化珪素種結晶４を装着する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】歪みのない高品質の炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】台座１０に配置された炭化珪素種結晶１３に炭化珪素原料の昇華ガスを供給して、炭化珪素種結晶１３上に炭化珪素の単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、台座１０と前記炭化珪素種結晶１３との間に炭化珪素からなる離間部材１１を配置して、離間部材１１を前記台座１０上に非接着で支持部材１２によって機械的に保持し、離間部材１１の前記台座１０と反対側の面に炭化珪素種結晶１３を接着し、離間部材１１の炭化珪素種結晶１３との接着面が支持部材１２の最下位置から鉛直方向に５ｍｍ以上離間するように、離間部材１１と支持部材１２とを相対的に配置して、炭化珪素単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】結晶の品質を保ちつつ、さらに口径拡大や長尺化した単結晶を得ることのできるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】中空部を有する筒部４１ａ〜４４ａを備えたガイド部材４１〜４４を容器本体１０の軸方向に複数積層することにより、ガイド部４０を構成する。そして、積層方向に隣接する二つのガイド部材４１〜４４の相対する先端面のうち、いずれか一方のガイド部材の先端面には他方のガイド部材の先端面に向かって突出する複数の突出部を周方向に離間して備え、種結晶側のガイド部材を、ＳｉＣ原料３０側のガイド部材に突出部を介して積層する。 （もっと読む）

【課題】成長した単結晶の径方向端部に凹面が形成されることなく、良好な品質の単結晶を製造することができる炭化ケイ素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】本発明による単結晶製造装置１は、昇華用原料３を収容する坩堝本体５と、前記坩堝本体５に取り付けられ、種結晶が取り付けられる種結晶支持部７を有する蓋体９と、前記種結晶支持部７の外周近傍から前記昇華用原料３に向けて筒状に延びるガイド部材１１とを備え、前記ガイド部材１１の内部に、単結晶よりも熱伝導率が低く設定された断熱材１５を設けている。 （もっと読む）

【課題】結晶の品質を保ちつつ、さらに口径拡大や長尺化した単結晶を得ることのできるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】容器本体１０のうち種結晶２３とＳｉＣ原料３０との間に、昇華ガスを種結晶２３へ導くと共に、ＳｉＣ単結晶２２の成長空間を構成するガイド部４０を配置し、ガイド部４０を、中空部を有する筒部４１ａ〜４４ａを備えた複数のガイド部材４１〜４４を有する構成とし、複数のガイド部材４１〜４４を、容器本体１０の軸方向においてそれぞれ離間した状態で容器本体１０の内部に備える。 （もっと読む）

【課題】より安価に化合物結晶を製造することができる化合物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶５の表面の少なくとも一部と塊状の固形物からなる固体原料３の表面の少なくとも一部とが間隔を空けて互いに向かい合うように種結晶５と固体原料３とを配置する工程と、固体原料３を加熱する工程と、固体原料３の加熱により固体原料３が昇華して発生した昇華ガスを、互いに向かい合っている種結晶５の表面と固体原料３の表面との間の領域から実質的に外部に漏洩させずに種結晶５の表面上に化合物結晶を成長させる工程と、を含む、化合物結晶の製造方法。 （もっと読む）