【課題】結晶欠陥の少ない高品質の窒化物半導体基板を簡易な方法で製造する方法を提供する。
【解決手段】格子定数がａ軸方向に０．３０ｎｍから０．３６ｎｍまで、ｃ軸方向に０．４８ｎｍから０．５８ｎｍまでの化合物半導体元基板１の一方の面上に、第１の窒化物半導体層４を温度Ｔ₁でエピタキシャル成長させ、次いで、温度Ｔ₁より高い温度Ｔ₂において、第１の窒化物半導体層４の形成時に使用されるガスと元基板１とを反応させて元基板１を除去する。 （もっと読む）

ＩＩＩ−窒化物材料の半導体構造および層のエピタキシャル成長中に、連続する層の品質が連続して改善されるように応用可能な方法。中間エピタキシャル層は、成長ピットが、最初の表面に存在する表面転位で形成されるように、最初の表面に成長される。それから、次の層は、横方向に広がって少なくとも交差成長ピットの凝集を密閉するように、エピタキシャル横方向オーバーグロースの知られた現象に従って中間層上に成長される。好ましくは、横方向成長材料中の転位の数を減少させるために、次の層の成長より前に、誘電体材料が不連続に堆積するように誘電体材料の不連続膜が堆積される。本発明の方法は、同じ構造に対して複数回行うことができる。また、これらの方法によって製作された半導体構造。
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【課題】気相成長する窒化物体の縮径を抑制し、品質再現性を向上させるとともに、均質性が高く、割れの発生を抑制する大口径な窒化物体の製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長法によって窒化物単結晶体を種結晶１に成長させて単結晶体をバルク状に作製する窒化物単結晶体の製造方法であって、種結晶１が角錐台形状部１ａを有し、角錐台形状部１ａに窒化物単結晶体を成長させる。角錐台形状部１ａは、（１０−１１）面を有する。 （もっと読む）

【課題】単結晶体が成長して厚くなっても、簡単に割れることがなく、転位や不純物の少ない高品質な単結晶体の成長を連続的に行うことができる単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】反応加熱室２ａ内に種基板３ａを配置し、反応加熱室２ａ内に腐食性ガスを原料ガス５ａ，５ｂとして導入するとともに、種基板３ａを含む領域を加熱して、種基板３ａ上に単結晶体３ｂを気相成長させる単結晶体の製造方法であって、反応加熱室２ａ内には、耐腐食処理を施した熱反射用金属板８ａ，８ｂが、反射面を、種基板３ａを含む領域に向けて配置されている。 （もっと読む）

【課題】 反りが少なくクラックが発生しない導電性の窒化物半導体結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 下地基板の上に、幅或いは直径ｓが１０μｍ〜１００μｍであるドット被覆部或いはストライプ被覆部を間隔ｗが２５０μｍ〜１００００μｍであるように並べたマスクを形成し、ＨＶＰＥ法によって成長温度が１０４０℃〜１１５０℃であって、５／３族比ｂが１〜１０であるような３族、５族原料ガスと、Ｓｉを含むガスとを供給することによって下地基板の上に窒化物半導体結晶を成長させ、下地基板を除去することによって、比抵抗ｒが０．００１５Ωｃｍ≦ｒ≦０．０１Ωｃｍ、厚みが１００μｍ以上、反りの曲率半径Ｕが３．５ｍ≦Ｕ≦８ｍの自立した導電性窒化物半導体基板を得る。 （もっと読む）

【課題】３族窒化物単結晶体が成長して厚くなっても、簡単に割れることなく、高品質な状態で単結晶体の成長を連続的に行うことができる窒化物体の製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長法によって３族窒化物単結晶体３ｂを種基板３ａに連続的に成長させて単結晶体３ｂをバルク状に作製する３族窒化物単結晶体の製造方法であって、結晶成長のために外部から印加する制御温度を、成長させる単結晶体３ｂの厚みの増加に応じて上昇させる。なお、気相成長法はハイドライド気相成長法である。 （もっと読む）

【課題】主面がｍ面とわずかなオフ角を有するIII族窒化物系化合物半導体の製造。
【解決手段】サファイア基板１０に凹凸を設けて、ｃ面又はｃ面と成す角が２０度以下の側面のうちの法線ベクトルの向きが同じ面１０ｃ−１のみを露出させ、他の面はＳｉＯ₂から成るエピ成長マスク２０で覆う（３．Ａ）。ＧａＮ層３０が成長を開始してから（３．Ｂ）、溝部を埋める迄（３．Ｃ）は、常圧で、Ｖ／III比を高く保った。溝部が埋まり、凸部の上面がほぼ覆われて平坦化する（３．Ｄ）までは、減圧で、Ｖ／III比を低く（アンモニアの供給量を１／５と）した。凸部の上面がほぼ覆われて平坦化した後（３．Ｅ）は、常圧で、Ｖ／III比を高くした（アンモニアの供給量を元に戻した）。こうして、主面が、ｍ面とわずかなオフ角を成す平坦な面であるＧａＮ膜が形成できた。 （もっと読む）

【課題】基板上に窒化物体を成長させる際に生じる成長用基板の反りを抑制して、基板上の窒化物体の窒化物体の品質および再現性を向上させる窒化物体の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物体の成長用基板３を保持する保持体１を用いた窒化物体の製造方法であって、（１）成長用基板３の主面のうち窒化物体を成長させない側の非成長主面の全面が保持体１と密着しないようにして、保持体１により成長用基板３を保持する工程と、（２）保持した基板３上に気相成長法により窒化物体を成長させる工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】気相合成法により高品質で大型な単結晶を作製することを可能とするダイヤモンド単結晶基板を提供すること
【解決手段】一部、又は全てが気相合成法で作製したダイヤモンド単結晶である基板において基板内で厚み分布がある面を持ち、厚みの最大部分と最小部分との比（最大厚み／最小厚み）が１．０５以上１．３以下であり、厚みの最大部分が該基板の面積で外周位置にあり、厚みの最小部分が最大部分よりも基板中央部分にあることを特徴とするダイヤモンド単結晶基板。 （もっと読む）

【課題】短時間かつ低コストで大面積、厚膜品のダイヤモンド単結晶を提供し、抵抗率の高い気相合成法によってダイヤモンド単結晶基板を提供する。
【解決手段】種基板１であるダイヤモンド単結晶を用意する工程と、前記ダイヤモンド単結晶から気相合成法によって単結晶を成長させる工程と、を有し、前記単結晶を成長させる工程において、水素と、炭素源を含んだ合成ガス中に窒素ガスを添加することにより、単結晶基板中の炭素原子に対する窒素原子の含有量が５ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下とするとともに、さらに、前記ダイヤモンド単結晶の周辺にＳｉ基板２を配置することにより、単結晶基板中の炭素原子に対するＳｉ原子の含有量を１．０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下とし、抵抗率が１．０×１０16Ω・cm以上であるダイヤモンド単結晶基板。 （もっと読む）

【課題】半導体用途に利用できる高品質な単結晶ダイヤモンドを提供し、かかるダイヤモンド単結晶基板を、従来よりも短時間で作製しかつコストを低廉化させるダイヤモンド単結晶基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ダイヤモンド単結晶基板であって窒素原子含有量の異なる少なくとも二以上の層から形成されており、窒素原子を含有した第一層と、該第一層に比較して窒素原子の含有量が低い第二層とを有し、これらの層が気相合成法によって形成されていることを特徴とするダイヤモンド単結晶基板である。好ましくは前記第一層における窒素含有量が２０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下であり、前記第二層の窒素含有量が５ｐｐｍ以上２０ｐｐｍ未満であるダイヤモンド単結晶基板である。 （もっと読む）

【課題】実質的に表面欠陥がない基体の上に化学蒸着により成長したダイヤモンドから、化学蒸着によって、単結晶ダイヤモンドの大面積プレートを製造する方法。化学蒸着によりホモエピタキシャル成長した前記ダイヤモンド及び前記基体は、ダイヤモンド成長が起こった基体の表面を横切って切り離し、化学蒸着による単結晶ダイヤモンドの大面積プレートを製造することである。
【解決手段】化学蒸着による（００１）単結晶ダイヤモンドプレートにおいて、それの向かい合う側に、｛１００｝側表面によって範囲が定められる主表面を有する前記ダイヤモンドプレートであって、各々の主表面が、１０ｍｍを超える少なくとも１つの長さ寸法を有している、上記ダイヤモンドプレート。 （もっと読む）

【課題】基板との界面において歪みを抑制しつつ室温下で窒化ガリウム単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】所定圧力に調整されたチャンバ１１内に設置された基板１３に対して、室温下でIII族原料ガスとしてのトリメチルガリウムガスとＶ族原料ガスとしてのアンモニアガスを１：１０００以上の流量比率で同時に供給し、更に基板１３に対して波長２２０ｎｍ以下の光を照射する。これにより、基板１３との界面において正方晶の窒化ガリウムが混在されていない、六方晶のみの窒化ガリウム単結晶を基板１３上において生成することができる。 （もっと読む）

【課題】所望の主面を有する板状の窒化物半導体結晶を簡便な方法で効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】種結晶１０９上の結晶成長面を成長方向に投影した投影面の長手方向の長さＬと最大幅Ｗの比（Ｌ／Ｗ）が２〜４００であって、最大幅Ｗが５ｍｍ以下である種結晶１０９に対して、原料ガスを供給することによって種結晶１０９上に板状の窒化物半導体結晶を成長させる。種結晶１０９の結晶成長面は、＋Ｃ面、｛１０−１Ｘ｝面および｛１１−２Ｙ｝面からなる群より選択される１以上の面である。 （もっと読む）

【課題】生成された結晶に含まれる酸素の濃度を低くすることができるＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族元素酸化物Ｇａ_２Ｏ_３と還元性ガスＨ_２２１ｂとを加熱状態で反応させて、ＩＩＩ族元素酸化物Ｇａ_２Ｏ_３の還元物ガスＧａ_２Ｏを生成させる還元物ガス生成工程と、還元物ガスＧａ_２Ｏと窒素含有ガス２３ｃとを反応させて、ＩＩＩ族元素窒化物結晶２４を生成する結晶生成工程とを有する。ＩＩＩ族元素窒化物結晶２４は、ＧａＮ結晶である。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物の結晶体の基板を製造する際における剥離バッファー層をエッチングするための時間を短縮する方法を提供する。
【解決手段】基板の製造方法は、下地基板の上にバッファー層を形成するバッファー層形成工程Ｓ１と、バッファー層の上に、バッファー層の一部を覆うマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程Ｓ２と、バッファー層及びマスクパターンを覆うように、ＩＩＩ族窒化物の結晶体を成長させる成長工程Ｓ５と、マスクパターンの第１のエッチャントを用いてマスクパターンを選択的にエッチングすることにより、バッファー層の第２のエッチャントを供給するための経路を形成する経路形成工程Ｓ６と、経路を介して第２のエッチャントを供給してバッファー層を選択的にエッチングすることにより、結晶体を下地基板から分離する分離工程Ｓ７とを備える。 （もっと読む）

【課題】水素化ガリウムガスの発生反応を促進し、窒化ガリウム結晶の成長速度を向上するのに寄与し、窒化ガリウム結晶に酸素をｎ型ドーパントとしてドープすることで、所望のキャリア濃度を有する不純物の少ない窒化ガリウム結晶を、結晶成長用装置の腐食を生ずることなく製造する方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム１０と水素Ｈ２を反応させることにより水素化ガリウムガスを発生させる。その水素化ガリウムガスを含窒素化合物と反応させることで、窒化ガリウムの結晶を成長させる。その水素化ガリウムガスの発生に伴って発生する水分子由来の酸素を、窒化ガリウムの結晶を成長させる工程においてｎ型ドーパントとして窒化ガリウム結晶にドープする。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体の転位密度の更なる低減と同時に、自立基板製造時および半導体素子製造時のケミカルリフトオフ所要時間の大幅な短縮が可能な手法を提供する。
【解決手段】基板上１にAlN単結晶層２またはＡｌを含むIII族窒化物単結晶層２を０．００５μm以上１０μm以下の厚みで形成したAlNテンプレート基板１，２又はサファイア基板１を窒化処理したAlNテンプレート基板１，２、もしくはAlN単結晶基板上に、金属層３，４を成膜する工程と、金属層３，４の上に開口部６’を有するパターンマスク膜６を形成する工程と、マスク開口部６’に露呈した部位の金属層３をアンモニア混合ガス雰囲気中で加熱処理を行い金属窒化物層７を形成する工程と、金属窒化物層７を核としてIII族窒化物半導体層８を成膜する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】冷却部が破損して冷却用の液体が漏れ出しても、装置内の急激な圧力上昇を抑制することのできる炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】真空容器１０内に、その内部空間３１に種結晶３３が配置されるルツボ３０と、ルツボ３０の内部空間３１に下方からＳｉを含有するガスとＣを含有するガスとを含む混合ガスを供給するためのガス導入管５０と、ガス導入管５０の近傍であって混合ガスの供給経路を妨げない位置にルツボ３０とは離れて配置された冷却部７０とを備える炭化珪素単結晶の製造装置であって、混合ガスをルツボの内部空間に供給するための開口部がルツボ３０の底部に設けられ、また、冷却部７０とルツボ３０の内部空間３１との間に、冷却部７０から漏れ出た液体がルツボ３０の内部空間３１で飛散するのを遮る遮蔽部９０が、混合ガスの供給経路を除いて配置される。 （もっと読む）

【課題】連続運転不要な気相合成法により得られる、高品質で大面積のダイヤモンド多結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンドと異なる成膜用種基板を用意し、気相合成法により厚さ５００μｍ未満のダイヤモンド多結晶を成膜した後、ダイヤモンド多結晶と種基板を分離してダイヤモンド多結晶自立板とし、ダイヤモンド多結晶自立板上に、さらに気相合成法によりダイヤモンド多結晶を追加成長して、板厚５００μｍ以上のダイヤモンド多結晶基板とすることにより、基板両面研磨後、波長４００ｎｍの光透過率が３５％以上であるダイヤモンド多結晶基板が得られる。 （もっと読む）