【課題】エピタキシャル成長用基板上に直接ＧａＮ系半導体厚膜層を成長させるＧａＮ系半導体基板の製造方法により、ＧａＮ系半導体基板を生産性よく製造できる技術を提供する。
【解決手段】９００℃〜１０５０℃の成長温度で窒化物系化合物半導体層を直接エピタキシャル成長させる際に、成長温度までの昇温プロセスにおいて表面粗さが１０ｎｍを超えて劣化しないエピタキシャル成長用基板を用いる。
具体的には、１２００℃以上１４００℃以下で５〜２０時間保持するインゴットアニール処理を施されたＮＧＯ基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】気相成長装置の成長室内の基板以外の部分へのＧａ含有窒化物の随伴的な付着、特に厚膜形成を行いたい場合の当該Ｇａ含有窒化物の随伴的な付着を防止することにより当該付着による様々な問題を解消し、且つ基板上へのＧａ含有窒化物半導体の成長が阻害されることなく、生産性が高いＧａ含有窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】ガリウム化合物を含む第一ガスと、窒素化合物を含む第二ガスを、気相成長装置の成長室内へ供給して、成長室内に設置した基板上にＧａ含有窒化物半導体を成長させるＧａ含有窒化物半導体の製造方法であって、第一ガス及び第二ガスを成長室内へ供給している期間において、平均の成長速度が６６μｍ／ｈ以上となるように、特定の供給量となるＨＣｌガスを含む第三ガスを前記第一ガスの供給口とは別の供給口から前記成長室内へ供給することを特徴とするＧａ含有窒化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 厚み分布が小さく、温度変化による転位および不純物が少ない高品質な単結晶体を提供する。
【解決手段】 単結晶を形成させるための主面が水平となるように設けられた種基板を、回転軸が鉛直方向となるように回転させる工程と、前記種基板に向かって開口したガス供給口を先端に有し、同軸構造の外筒部と内筒部とから構成されたガス供給管の前記ガス供給口において、前記内筒部から３族元素ガスまたは５族元素ガスのいずれか一方を前記種基板に直接供給させ、前記内筒部と前記外筒部との間から３族元素ガスまたは５族元素ガスの他方のガスを、前記内筒部からのガス供給速度よりも遅いガス供給速度にて、前記種基板に直接供給させる工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】結晶性を良好に維持するとともに、成長させる結晶の面積を大きくする結晶成長方法、結晶基板、および半導体デバイスを提供する。
【解決手段】結晶成長方法によれば、複数の種基板１０を、種基板１０の成長する面が{００１}面となるように種基板１０の側部１１側にずらして配置する配置工程と、ハイドライド気相成長法により、複数の種基板１０の各々の表面１２上にＡｌ_xＩｎ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）結晶２０を成長させる成長工程とを備えている。そして、成長工程では、複数の種基板１０の各々の表面１２上に成長した結晶２０の各々が一体化するように１１００℃を超えて１３００℃以下の温度で成長させることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体層の成長方法、及びそれにより形成される窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】 基板を準備し、該基板上に窒化物半導体ドットを形成し、窒化物半導体ドット上に窒化物半導体層を成長させる窒化物半導体層の成長方法である。このように成長された窒化物半導体層を基板から分離して、窒化物半導体基板として使用できる。 （もっと読む）

【課題】化学蒸着（ＣＶＤ）による大面積の単結晶ダイヤモンドプレートの製造方法を提供する。
【解決手段】化学蒸着によりダイヤモンド基体上にホモエピタキシャル成長したダイヤモンドを、ダイヤモンド成長が起こった基体の表面を横切って切り離すことにより得られる単結晶ダイヤモンドプレートであって、それの向かい合う側に主表面を有し且つそれら主表面と交差する転位を有している該ダイヤモンドプレートにおいて、主表面と交差する前記転位の密度が、５０／ｍｍ^２を超えておらず、そして、少なくとも１つの長さ寸法が１０ｍｍを超えている （もっと読む）

【課題】十分な導電性を付与したIII族窒化物結晶を短時間で成長可能とする。
【解決手段】III族のハロゲン化物ガスとＮＨ_３ガスを用いてIII族窒化物結晶を下地基板上に４５０μｍ／ｈｏｕｒよりも大きく２ｍｍ／ｈｏｕｒ以下の範囲の成長速度で成長する場合において、ドーピング原料としてＧｅＣｌ_４を用いることによりIII族窒化物結晶
中にＧｅをドーピングし、III族窒化物結晶の比抵抗が１×１０^−３Ωｃｍ以上１×１０
^−２Ωｃｍ以下となるようにする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶を凸面成長させられるようにする。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶製造装置１のうち加熱容器８における反応容器９側の端部に縮径部８ｄを設け、この縮径部８ｄにより原料ガス３の流束がＳｉＣ単結晶の成長面上において面内分布を持つようにする。これにより、ＳｉＣ単結晶を凸面成長させることが可能となる。したがって、外周部から中心部に向かって多系などのマクロ欠陥、基底面転位などのミクロ欠陥が伸展するという問題が発生することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】安価に、反りの少ない窒化物半導体を成長することができる窒化物半導体の成長方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体の成長方法は、気相成長法により、基板１０上に、窒化物半導体の結晶からなる第１凹凸構造３０を形成し、該第１凹凸構造３０の凸部の上部から窒化物半導体を選択的に成長させることにより、前記第１凹凸構造３０上に、窒化物半導体の結晶からなる第２凹凸構造３２を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エッチングガスを使用しなくても、種結晶が設置される台座周囲にＳｉＣ多結晶が堆積することを抑制できるＳｉＣ単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】台座１０の円板部１０ａの背面に温度調整パイプ１１ａを備え、温度調整パイプ１１ａによって台座１０の円板部を冷却する。これにより、種結晶５の表面の温度を所望温度に維持しつつ、台座１０の周囲の温度をそれよりも高温にすることができる。つまり、台座１０の円板部１０ａを背面側から冷却することにより、相対的に台座１０の周囲の温度を台座１０の中央部よりも高温にできるので、エッチングガスを使用しなくても、種結晶５が設置される台座１０の周囲にＳｉＣ多結晶が堆積することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】反応容器内において結晶成長面以外の場所に形成されてしまう不要なＳｉＣ多結晶の成長をエッチングガスによらずに抑制することにより、原料ガスの出口の詰まりを防止する方法を提供する。
【解決手段】反応容器９の中空部９ｃの外周に、反応容器９の中心軸に沿って延びる第１導入通路９ｄを設け、反応容器９の側部９ｅに、第１導入通路９ｄと反応容器９の中空部９ｃとを接続する第１出口通路９ｉを設ける。そして、第１導入通路９ｄを介して第１出口通路９ｉから反応容器９の中空部９ｃに不活性ガス１５を流すことにより、反応容器９の内壁９ｍと台座１０との間を通過する原料ガス３を希釈する。 （もっと読む）

【課題】 成長終了後の冷却時に基板やエピタキシャル層の破壊を防止することのでき、エピタキシャル層の形状を保ったまま基板から剥離することのできる窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 単結晶基板（例えば、ＮｄＧａＯ₃単結晶基板）上に窒化ガリウム系化合物半導体（例えば、ＧａＮ）の結晶をエピタキシャル成長させた後、降温速度を毎分５℃以下、好ましくは毎分２℃以下（例えば毎分１．３℃）の条件で冷却するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体素子への適用が可能な低欠陥密度の化合物半導体結晶基板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】立方晶｛００１｝面を表面とする単結晶基板上に、エピタキシャル成長により２種類の元素Ａ、Ｂからなる化合物単結晶を成長させる化合物単結晶の製造方法において、反位相領域境界面ならびに元素ＡおよびＢに起因する積層欠陥を、表面に平行な＜１１０＞方向にそれぞれ等価に生じさせながら化合物単結晶を成長させる工程（Ｉ）と、工程（Ｉ）において生じた元素Ａに起因する積層欠陥を、反位相領域境界面と会合消滅させる工程（II）と、工程（Ｉ）において生じた元素Ｂに起因する積層欠陥を、自己消滅させる工程（III）と、反位相領域境界を完全に会合消滅させる工程（IV）と、を有し、工程（IV）は、工程（II）および（III）と並行して、又は、工程（II）および（III）の後に行う。 （もっと読む）

【課題】大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材１０であって、単結晶シリコン基板１３と、単結晶シリコン基板１３の単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたＭｇＯ膜１１と、ＭｇＯ膜１１上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１２とからなる。 （もっと読む）

【課題】大口径で主面の面方位が（０００１）および（０００−１）以外で主面内における転位密度が実質的に均一であるＧａＮ単結晶基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ単結晶基板２０ｐは、主面２０ｐｍの面積が１０ｃｍ²以上であり、主面２０ｐｍの面方位が（０００１）面または（０００−１）面２０ｃに対して６５°以上８５°以下で傾斜しており、主面２０ｐｍ内における転位密度の分布が実質的に均一、たとえば主面２０ｐｍ内における平均転位密度に対する転位密度のばらつきが±１００％以内である。 （もっと読む）

【課題】 ピットの発生が抑制され、バルク状でかつ結晶性の高い単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】 単結晶体の製造方法は、種基板の上面であって、中心から周縁にかけて設けられた平面部と該平面部の周囲を囲むように周縁に設けられた傾斜部とを有する前記上面のうち、前記傾斜部上にマスクを設ける工程１と、前記工程１の後、気相成長法によって前記種基板上に単結晶のホモエピタキシャル成長を行う工程２と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】長時間に亘り結晶成長速度が安定しており、良好な品質の窒化アルミニウム単結晶を生産性良好に製造することのできる窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】気相法による窒化アルミニウム単結晶２４の製造方法であって、成長容器２と連通され、窒素ガス導入部１７を具備した原料ガス発生容器１１と、原料ガス発生容器１１の上面に設けられたフィーダー１３と、フィーダー１３の上面に設けられ、原料２１を連続的に供給する原料ホッパー１２とを備え、酸化アルミニウム粉末とカーボン粉末とを混合させてなる原料２１を、原料ガス発生容器１１に供給し、原料ガス発生容器１１を加熱することにより発生させたＡｌガスと、窒素ガス導入部１７より原料ガス発生容器１１へ供給された窒素とを、成長容器２内へ輸送し、成長容器２の成長部で連続的に窒化アルミニウム単結晶２４を成長させる。 （もっと読む）

【課題】｛０００１｝以外の面方位の主面を有する結晶性の高いＩＩＩ族窒化物結晶を高い結晶成長速度で成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物バルク結晶１から、｛２０−２１｝、｛２０−２−１｝、｛２２−４１｝および｛２２−４−１}からなる群から選ばれるいずれかの結晶幾何学的に等価な面方位に対するオフ角が５°以下の面方位を有する主面１０ｐｍ，１０ｑｍを有する複数のＩＩＩ族窒化物結晶基板１０ｐ，１０ｑを切り出す工程と、基板１０ｐ，１０ｑの主面１０ｐｍ，１０ｑｍが互いに平行で、かつ、基板１０ｐ，１０ｑの［０００１］方向が同一になるように、横方向に基板１０ｐ，１０ｑを互いに隣接させて配置する工程と、基板１０ｐ，１０ｑの主面１０ｐｍ，１０ｑｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】球面研磨等を施すことなく、自立基板表面における単一の結晶面の面積を再現性良く大きくすることができるＩＩＩ族窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体自立基板５０は、基板５０表面がアズグロウンであり、基板５０表面の半分以上の領域が、ＩＩＩ族極性のＣ面からｍ軸方向若しくはａ軸方向に、又はＭ面からｃ軸方向若しくはａ軸方向に傾いたオフ角を有する単一の結晶面からなる。 （もっと読む）