基板（２）の結晶面に柱状エピタキシャルによって材料を堆積し、カラム（４）が連続層（５）を与えるように継続することからなる構造体を製造する方法。前記表面は、ナノメートルスケールのバンプ（３）の周期的なアレイを備え、各々のバンプ（３）は、支持領域（３５）を有し、前記バンプ（３）のアレイの周期（３８）を調整することができる、その結晶格子がねじれ角及び／又は傾斜角を有し及び／又は界面格子不適合を有する２つの結晶素子（１１、１２）間の結合界面（１５）の近傍に位置する結晶領域（１６）内に生成される結晶欠陥及び／又は歪み場のアレイから得られる。前記アレイの周期（３８）、前記バンプの高さ（３６）及びそれらの支持領域（３５）の大きさは、連続層（４０）がバンプの存在なしにエピタキシャル成長を用いて得られる厚さより大きい臨界厚さを有するように調整される。
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３Ｄ島または特徴が成長パラメーターを調整することのみで生み出される、エピタキシャル・ラテラル・オーバーグロース技術の新たな修正法を用いて、高特性自立ＧａＮが得られる。これらの島を平滑化させること（２Ｄ成長）は、次いで高い横方向成長を生じる成長条件を設けることにより達成される。３Ｄ‐２Ｄ成長の繰返しは貫通転位のマルチベンディングをもたらし、こうして厚い層、即ち貫通転位密度１０^６ｃｍ^−２以下の自立ＧａＮを生産する。 （もっと読む）

本発明は、Ｘ線トポグラフィーにより特徴付けられる拡張欠陥密度が、０．０１４ｃｍ^２を超える面積にわたって４００／ｃｍ^２未満である、単結晶ＣＶＤダイヤモンド材料に関する。本発明は、更に、基板が、０．０１４ｃｍ^２を超える面積にわたって４００／ｃｍ^２未満の、Ｘ線トポグラフィーにより特徴付けられる拡張欠陥の密度；０．１ｍｍ^３を超える容量にわたって１×１０^−５未満の光学等方性；及び２０アーク秒未満の、（００４）反射に対するＦＷＨＭ Ｘ線ロッキングカーブ幅の少なくとも１つを有する、その上でＣＶＤ単結晶ダイヤモンドを成長させるための基板を選択する工程を含む、前請求項のいずれかに記載のＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料の製造方法に関する。
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【課題】形成工程を単純化することにより、コストが低減される窒化ガリウム基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ装置の反応チャンバ内でＨＣｌ及びＮＨ_３ガス雰囲気で窒化ガリウム基板１１をエッチングして１０〜１０００ｎｍの厚さの多孔性窒化ガリウム層１１ａを形成するステップを含み、ひいては、単一の反応チャンバ内でインシチュで窒化ガリウム成長層２０を形成するステップをさらに含む窒化ガリウム基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】製作工程が単純で製造コストが低く、収率の高いフリースタンディング窒化ガリウム基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ装置の反応器内でＨＣｌ及びＮＨ_３ガス雰囲気で窒化ガリウム層を表面処理して多孔性窒化ガリウム層を形成するステップと、単一の反応器内でインシチュで窒化ガリウム結晶成長層を形成するステップと、冷却により窒化ガリウム結晶成長層が自発的に分離されるステップと、を含むフリースタンディング窒化ガリウム基板の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも約３０ＭＰａ ｍ^1/2の靭性を有するマイクロ波プラズマ化学気相析出によって成長させた単結晶ダイヤモンドに関する。本発明は、少なくとも約３０ＭＰａ ｍ^1/2の靭性を有する単結晶ダイヤモンドを生成する方法にも関する。本発明はさらに、単結晶ＣＶＤダイヤモンドを単結晶ダイヤモンド基材上に三次元で生成するプロセスに関する。
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本発明は、一実施形態では、合成ダイヤモンド、および複数の種ダイヤモンド上でそうしたダイヤモンドを成長させ、その成長ダイヤモンドにイオンを注入し、複数の種ダイヤモンドから成長ダイヤモンドを分離する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 １０^６ｃｍ^−２以下の低転位密度のＧａＮ単結晶基板を提供すること。
【解決手段】 気相成長の成長表面が平面状態でなく、ファセット面が集合した三次元的な凹部のファセット構造を持つようにし、最後までファセット構造を持ったまま、成長の終了までファセット構造を埋め込まないで成長させることにより転位をファセット底部に集合させ、ファセット底部に続く線領域以外の部分の転位を低減するようにして得た単結晶窒化ガリウム。 （もっと読む）

例えば、光学用途に適している、ハイカラーを有するＣＶＤダイヤモンド層を形成する方法。この方法は、第１の種類の不純物原子がＣＶＤ合成雰囲気中に存在することにより引き起こされるカラーに対する悪影響に対抗するために第２の種類の不純物原子種を含む気体源を加えることを含む。説明される方法は、単結晶ダイヤモンド及び多結晶ダイヤモンドの両方の生成に適用される。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長法による単結晶の製造方法、特に、気相合成法を利用したダイヤモンド単結晶の製造方法において、比較的短時間に低コストで大型のダイヤモンド単結晶を得ることが可能な新規な方法を提供する。
【解決手段】（１００）面が優先的に成長する単結晶のエピタキシャル成長法において、（１）単結晶の｛１００｝基板上に結晶を成長させ、（２）成長した結晶の側面に、成長方向の｛１００｝面と異なる他の｛１００｝面に平行な表面を形成し、（３）形成された｛１００｝面上に結晶を成長させる、ことによる単結晶の製造方法であって、上記（２）及び（３）の工程を１回又は２回以上行う。ダイヤモンド単結晶支持体として、結晶載置部が支持体の外周縁部に対して隆起した形状をなし、該載置部を支持体の外周縁部から離隔した位置に有し、該載置部が凹部によって形成されている金属製支持体を用いる。 （もっと読む）

本発明は、無色の単結晶ダイヤモンドを高成長速度で製造するための方法に関する。このダイヤモンドの製造方法は、ダイヤモンドの成長表面の温度をそのダイヤモンドの成長表面を横断する全ての温度勾配が約２０℃未満となるように制御すること、および単結晶ダイヤモンドを、ダイヤモンドの成長表面上でのマイクロ波プラズマ化学蒸着により、成長温度で、Ｈ₂の単位あたり約８％〜約２０％のＣＨ₄およびＣＨ₄の単位あたり約５〜約２５％のＯ₂を含む雰囲気を有する被着チャンバ内で成長させることを含む。本発明の方法は１０カラットより大きいダイヤモンドを製造することができる。本発明の方法を用いる成長速度は５０μｍ／時を上回るものであり得る。
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【課題】半導体材料、電子部品、光学部品などに用いられる、小傾角粒界のない大面積・高品質なダイヤモンド単結晶基板の製造法及びダイヤモンド単結晶基板を提供することを目的とする。
【解決手段】種基板として、主面の面方位が、｛１００｝面または｛１１１｝面に対して８度以下の傾き範囲に収まる、ダイヤモンド単結晶種基板を用意する工程と、この種基板の片側の主面に対して、主面の外周方向に傾けた、それぞれ方位の異なる面を複数面加工形成する工程とを備え、しかる後に気相合成法によりダイヤモンド単結晶を成長させるダイヤモンド単結晶基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 スピーカーの振動板に用いられるような立体的形状を有するダイヤモンド膜を製造する際に、ダイヤモンド膜を形成させる成形型に工夫を加えることにより、ダイヤモンド膜を量産できるようにする方法を提供する。
【解決手段】 ダイヤモンド膜１２の成形型として、このダイヤモンド膜１２の形状に合わせた形状を有する高融点金属材料の薄板１１よりなる成形型を用いる。この成形型の表面上に、化学的気相成長法によりダイヤモンド膜１２を形成し、その後、この成形型の表面上に形成されたダイヤモンド膜１２を前記成形型から分離して、立体的な形状の成型ダイヤモンド膜を得る。 （もっと読む）

【課題】 加工時におけるクラックの発生を防止することができる炭化珪素インゴットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 柱状をなす炭化珪素単結晶１１における少なくとも外周面に表面層１２が形成されている。表面層１２は自身に圧縮応力が作用することにより炭化珪素単結晶１１に引張応力が働く。特に、表面層１２と炭化珪素単結晶１１との不純物濃度の差によって自身に圧縮応力が作用し、不純物が窒素であり、表面層１２の方が炭化珪素単結晶１１よりも窒素濃度が低くなっている。 （もっと読む）

【課題】複雑で高コストとなる処理工程を経ることなく、微小な構造の位置制御性およびサイズ均一性を高める。
【解決手段】第１の物質からなる基板の上に第２の物質を堆積させ、ステップが規則的に配列する二次元表面相１１を形成する（Ｓ２）。ついで、二次元表面相１１の上に第３の物質を配置することにより、二次元表面相１１上のステップに第３の物質を含む液滴を配列させる（Ｓ３）。ついで、液滴島２１を結晶化させることにより、微小構造２２を形成する（Ｓ４）。 （もっと読む）

【課題】 種結晶の外周部の消失を防止しつつ種結晶の清浄面を露出させて当該清浄面から結晶成長を開始させることができる炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 反応容器６内での台座部の表面に炭化珪素種結晶７が接合されている。反応容器６内にモノシランとプロパンとを含む混合ガスが導入される。種結晶７に至るガス流路において下流ほど低い温度勾配を有する温度雰囲気下で、混合ガスが種結晶７に送られて炭化珪素単結晶２０が成長する。種結晶７の外周部近傍かつ種結晶７より高温側に、種結晶７とは空間を隔てて固形炭化珪素３１が配置され、エッチングガスを種結晶７に対し供給して種結晶７の外周部に比べて高温の固形炭化珪素３１から昇華したＳｉＣ成分ガスを炭化珪素種結晶７の外周部に供給しながらエッチングガスにより種結晶７の清浄面を露出させた後に、種結晶７の清浄面から結晶成長を開始させる。 （もっと読む）

【課題】 比抵抗が制御された低転位密度のＩＩＩ族窒化物半導体基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 下地基板１上に第１のＩＩＩ族窒化物半導体層１１をエピタキシャル成長させる成長工程と、第１のＩＩＩ族窒化物半導体層１１を裁断および／または表面研磨してＩＩＩ族窒化物半導体基板１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄを形成する加工工程とを含み、上記成長工程において、第１のＩＩＩ族窒化物半導体層１１に、不純物元素としてＣ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｂｅ、Ｚｎ、ＶおよびＳｂからなる群から選ばれる少なくとも１種類の元素を１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上添加する。 （もっと読む）

本発明は、種基板を使用してc面配向のGaN又はAl_xGa_1-xN基板を製造する方法に関する。この方法では、種基板として正方晶系（100）又は（-100）配向のLiAlO₂ 種基板を使用し、窒素化合物含有雰囲気中、LiAlO₂ の分解温度よりも低温度で窒化を行い、温度500 ~ 700℃ でGaCl又はAlCl 、あるいはGaClとAlClの混合物を窒素化合物含有雰囲気に添加することによって核形成層を成長させ、核形成層上に、900℃〜1050℃ の温度範囲でGaCl又はAlCl 、もしくはGaCl/AlCl混合物を窒素化合物含有雰囲気中で使用するハイドライド気相成長法（HVPE）によって単結晶性のc面配向GaN層又はAl_xGa_1-xN層を成長させて、基板を冷却する。 （もっと読む）

化学蒸着法プロセスを使用するなど、ナノチューブがナノワイヤテンプレート上のシースとして合成される、均一なナノチューブの製造方法が記載される。例えば、単結晶酸化亜鉛（ＺｎＯ）ナノワイヤは、窒化ガリウム（ＧａＮ）がその上にエピタキシャル成長されるテンプレートとして利用される。ＺｎＯテンプレートは、次に、熱還元および蒸発によってなど除去される。完成された単結晶ＧａＮナノチューブは、好ましくは３０ｎｍから２００ｎｍの範囲の内径、および５ｎｍから５０ｎｍの壁厚みを有する。透過電子顕微鏡研究は、結果としてのナノチューブが、ウルツ鉱構造を有する単結晶であり、＜００１＞方向に沿って配向されていることを示す。本発明は、層状ではない結晶構造を有する材料の単結晶ナノチューブを例示する。同様に「エピタキシャルキャスティング」アプローチは、他の固体材料および半導体の列および単結晶ナノチューブを作るために使用されることができる。さらに、複数シースならびに複数の長手方向セグメントを有するナノチューブの製造が記載される。 （もっと読む）

【課題】 所望の口径の結晶を得ることができるＳｉＣ単結晶の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 ＳｉＣ種結晶１３からＳｉＣ単結晶１４を成長させる際において、Ｘ線発生装置２１とイメージ管２２を用いて結晶口径を測定する。そして、上下動機構１７により結晶１４のガイド部材６ａへの挿入量を変化させて、測定した結晶口径を任意の設定値に合わせ込む。 （もっと読む）