【課題】単結晶製造装置において、良質な単結晶を成長させると共に、繰り返し使用可能な枠および基板ホルダーを提供する。
【解決手段】気相法によって基板７上に単結晶１０を成長させる単結晶製造装置において、貴金属枠５を配置し、貴金属枠５の枠内で単結晶１０を成長させ、かつ、貴金属枠５の線膨張係数が、単結晶１０の線膨張係数と比較して、±１．０×１０^−６（１／Ｋ）の範囲にあるものとする。また、基板７の単結晶成長面には、成長方向制御薄膜６を形成しておく。 （もっと読む）

【課題】80torr程度を超えるような高圧下におけるプラズマＣＶＤ法による単結晶ダイヤモンドの製造においても、基板温度の上昇を抑制して、良質な単結晶ダイヤモンドを速い成長速度で合成することを可能とする。
【解決手段】合成室内の圧力を80torr以上とするプラズマCVD法による単結晶ダイヤモン
ドの製造方法において、ヘリウムガスを添加した原料ガスを用いることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】 紫外発光素子などの半導体素子を形成するために好適に使用できるＡｌNなどのIII族窒化物単結晶自立基板であって、結晶面の曲率半径が大きなＡｌ系III族窒化物単結晶自立基板を提供する。
【解決手段】 サファイアなどの不活性ガス中８００℃において実質的に分解しない無機物質であって、８００〜１６００℃で水素ガスなどの還元性ガスと接触することにより分解して揮発性物質を生成する無機物質の単結晶からなるベース基板上に、厚さ３〜２００ｎｍのＡｌ系III族窒化物単結晶薄膜層を形成した後に、アンモニアガスを含む還元性ガス雰囲気中８００〜１６００℃で加熱処理することにより、得られた積層基板のベース基板とＡｌ系III族窒化物単結晶薄膜層との界面に空隙を形成し、次いで上記Ａｌ系III族窒化物単結晶薄膜層上にIII族窒化物単結晶厚膜を形成し、これを分離することにより自立基板を得る。 （もっと読む）

【課題】 気相成長室内の基板（種結晶基板）以外の部分に原料ガスの反応生成物が付着し堆積するのを大幅に抑制して、窒化物体の生産性を向上させることができ、低コストに窒化物体を製造することができる窒化物体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 窒化物体の製造方法は、基板３の表面に気相成長法によって窒化物体を成長させる窒化物体の製造方法であって、気相成長室（石英管）１内において７００℃以上に加熱された基板３を保持する保持体２ａ，２ｂが熱輻射率が１未満で水素及び塩素を含む原料ガスに対する耐腐食性を有する材料から成るものである。この構成により、保持体２ａ，２ｂが気相成長室１内の内壁、各部材等からの輻射熱を吸収しにくいものとなるため、保持体２ａ，２ｂの温度上昇が抑えられ、その結果保持体２ａ，２ｂへの原料ガスに起因する反応生成物の付着、堆積が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】製造過程においてクラックの発生を抑制できる窒化ガリウムの結晶成長方法および窒化ガリウム基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウムの結晶成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される（ステップＳ１）。そして、下地基板上に、第１の窒化ガリウム層が成長される（ステップＳ２）。そして、第１の窒化ガリウム層よりも脆性の低い第２の窒化ガリウム層が成長される（ステップＳ３）。 （もっと読む）

【課題】自立基板の反りを低減した窒化物半導体自立基板及び窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体自立基板は、窒化物半導体結晶からなる窒化物半導体自立基板において、窒化物半導体自立基板の内部に、基板表面と平行な断面において１０個／ｃｍ^２以上から６００個／ｃｍ^２以下の密度でインバージョンドメインを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体材料、電子部品、光学部品、切削・耐磨工具などに用いられる大面積で高品質なダイヤモンド単結晶基板を高速に製造する方法を提供する。
【解決手段】種基板１として、主面の面方位が略＜１００＞方向に揃った複数個のダイヤモンド単結晶基板を並べて配置し、気相合成法により種基板１上にダイヤモンド単結晶を成長させるダイヤモンド単結晶基板の製造方法であって、種基板１の主面の面方位が｛１００｝面に対する傾きが５度以下であり、第一の段階における成長パラメータαが２．０以上３．０未満であり、第二の段階におけるαが３．０以上である。 （もっと読む）

【課題】 反りが少なくクラックが発生しない半絶縁性の窒化物半導体結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 下地基板の上に、幅或いは直径ｓが１０μｍ〜１００μｍであるドット被覆部或いはストライプ被覆部を間隔ｗが２５０μｍ〜２０００μｍであるように並べたマスクを形成し、ＨＶＰＥ法によって成長温度が１０４０℃〜１１５０℃であって、５／３族比ｂが１〜１０であるような３族、５族原料ガスと、鉄を含むガスとを供給することによって下地基板の上に窒化物半導体結晶を成長させ、下地基板を除去することによって、比抵抗が１×１０^５Ωｃｍ以上、厚みが１００μｍ以上、反りの曲率半径が３ｍ以上の自立した半絶縁性窒化物半導体基板を得、更にその基板を用いたデバイスの作製を得る。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶インゴットの径を大きくできるようにすることで歩留まり良くＳｉＣ単結晶を製造できるようにする。
【解決手段】原料ガス加熱容器８内に排気管９を配置することにより、反応容器１０内において原料ガス１１を反応容器１０の中心から離れた外周側から中心側に向かって流動させるようにしている。これにより、ＳｉＣ単結晶インゴット１４の成長面の広範囲にわたって原料ガス１１を供給できるため、ＳｉＣ単結晶インゴット１４の径を大きくでき、歩留まり良くＳｉＣ単結晶を製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】例えば高周波数装置のような後続する装置製造に適する電気特性と構造性質を有する高い抵抗率の炭化ケイ素基板を提供する。
【解決手段】高い抵抗率の炭化ケイ素の単結晶を製造する方法であって、ケイ素原子を含むガスの流れを囲いに導入し、炭素原子を含むガスの流れを前記囲いに導入し、炭化ケイ素の種結晶を含む前記囲いを１９００℃よりも高温に加熱するに際し、前記種結晶の温度が、加熱された前記囲いに導入された前記ケイ素および炭素原子を含むガスの分圧下において前記種結晶が分解する温度よりも低くなるようにし、前記ケイ素および炭素原子を含むガスの流れおよび前記１９００℃よりも高い温度を、バルク結晶を成長するに十分な時間維持し、前記バルク結晶の成長の間に、少なくとも一つの深い不純物を前記結晶に導入して少なくとも一つの深い内因性欠陥の形成を促し、これにより高い抵抗率の前記結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】複数枚のＩＩＩ族窒化物単結晶基板を形成することができ、かつ、結晶成長を繰り返してもＩＩＩ族窒化物単結晶基板を切り出すことができる領域が減少しないＩＩＩ族窒化物単結晶の製造方法、及びこの製造方法を用いて製造したＩＩＩ族窒化物単結晶からＩＩＩ族窒化物単結晶基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物単結晶の製造方法は、成長方向に垂直で第１の所定の面積を有する第１の結晶面１２、及び成長方向に傾斜して第２の所定の面積を有する第２の結晶面１３を有した種結晶を準備する種結晶準備工程と、成長条件を制御して、第１の所定の面積及び第２の所定の面積をそれぞれ所定の面積に維持しつつ、第１の結晶面１２及び第２の結晶面１３上にＩＩＩ族窒化物単結晶を成長させる結晶成長工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】多結晶の成長を抑えて、目的とする窒化物半導体を効率よく成長させることができるとともに、成長させた窒化物半導体結晶に割れを生じさせることなく容易に取り出すことができるような窒化物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】主面とその裏面を備える種結晶１１０を支持体１０７の上に裏面が接するように設置し、主面に原料ガスＧ３，Ｇ４を供給することにより窒化物半導体結晶を成長させる工程を含む窒化物半導体結晶の製造方法であって、種結晶１１０の裏面外縁の少なくとも一部が原料ガスＧ３，Ｇ４に触れる状態で露出している。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤダイヤモンド層を提供すること。
【解決手段】研磨工具へのインサートとして用いるためのＣＶＤダイヤモンド層であって、
（ｉ）層が少なくとも０．０５原子％の濃度でホウ素ドーパント原子を含有すること；及び
（ii）長さ１８ｍｍ、幅２ｍｍ及び厚さ１．４ｍｍ以下のサンプルに対して三点曲げ試験によって測定して、テンション状態にある成核相による少なくとも６００ＭＰａの平均引張り破断強度と、テンション状態にある成長面による少なくとも３００ＭＰａの平均引張り破断強度を特徴とするＣＶＤダイヤモンド層。 （もっと読む）

【課題】薄膜化をするための加工をする際に発生するクラックを抑制し、かつ厚みの大きい窒化ガリウム結晶を成長させることのできる、窒化ガリウム結晶の成長方法、窒化ガリウム結晶基板、エピウエハ、エピウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム結晶の成長方法は、キャリアガスと、窒化ガリウムの原料と、ドーパントとしてのシリコンを含むガスとを用いて、ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）法により下地基板上に窒化ガリウム結晶を成長させる窒化ガリウム結晶の成長方法である。窒化ガリウム結晶の成長時におけるキャリアガスの露点が−６０℃以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】水平型ＨＶＰＥ装置を用いて単結晶窒化アルミニウム膜等のIII族窒化物を製造するに際し、原料ガスの有効利用を図ると共に、基板外での結晶成長を抑制し、経時的に成膜速度を低下させることなく長時間安定して製膜することができ、３００μｍを越えるような膜厚のIII族窒化物単結晶膜を効率良く製造することができる装置を提供する。
【解決手段】サセプタ１３０に保持される基板１４０を加熱するための加熱手段１２０と、III族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとの組み合わせからなる原料ガスを反応部１１１内に供給する原料ガス供給手段１５０と、を備える水平型ＨＶＰＥ装置１００において、反応部１１１の底面に設けられた穴にサセプタ１３０を回転可能に収納設置すると共に、断熱機構及び／又は冷却機構をサセプタ１３０に配設して成膜時におけるサセプタ１３０の周縁端部１３３の温度を基板１４０の温度よりも１５０℃以上低温とする。 （もっと読む）

【課題】アズグロウンの状態での基板の反りを小さくすることにより、基板表面の面方位のばらつきを低減させることができるＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法、並びに当該基板を使用した基板面内均一性に優れたＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板裏面の転位密度が３×１０^６ｃｍ^−２以下であり、かつ厚さ方向において基板裏面から表面に至るまで転位密度が３×１０^６ｃｍ^−２／ｍｍ以下の割合で減少しているＧａＮ自立基板１０を用いて、その上にＧａＮ系半導体結晶からなるエピタキシャル層を形成して発光素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ単結晶層に基づく良質の結晶成長が可能な、新たな窒化物単結晶基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】窒化物単結晶基板の製造方法は、母基板３１上に酸化膜または窒化膜から成る犠牲層３２を形成する段階と、犠牲層３２上に多結晶状のＺｎＯ層３３を形成する段階と、ＺｎＯ層３３を部分的に分解してナノサイズのＺｎＯパターン３３’を形成する段階と、ＺｎＯパターン３３’をシードとして窒化物バッファ層３４を形成する段階と、窒化物バッファ層３４上に窒化物単結晶３５を成長させる段階と、犠牲層３２を化学的に除去することにより母基板３１から窒化物単結晶３５を分離させる段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上させた発光素子などの半導体装置を得ることが可能なＧａＮ基板、当該ＧａＮ基板の主表面上にエピタキシャル層を形成したエピタキシャル層付き基板、半導体装置およびＧａＮ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板は、主表面を有するＧａＮ基板であって、主表面の法線ベクトルに対し、面方位［０００１］に対応するベクトルＡＢを、互いに異なる２つのオフ角θ１およびθ２だけ傾斜させたベクトルＡＤの方向に傾斜させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡単な工程により、安価でストレスフリーなＧａＮ系窒化物半導体の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板を準備する工程と、該基板上にＧａＮドット及びＮＨ_４Ｃｌ層を形成する工程と、ＧａＮドット及びＮＨ_４Ｃｌ層上に低温ＧａＮバッファ層を形成する工程、低温ＧａＮバッファ層上にＧａＮ系窒化物半導体層を形成する工程と、基板温度を常温に戻すことによりＧａＮ系窒化物半導体層を基板より自然剥離させる工程とを含む、ＧａＮ系窒化物半導体自立基板の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】種基板に多結晶の半導体結晶が付着することを抑制する半導体結晶の成長方法および半導体結晶基板を提供する。
【解決手段】半導体結晶の成長方法は、気相成長法により半導体結晶を成長させる方法であって、以下の工程を実施する。まず、種基板１１を準備する工程を実施する。次に、半導体結晶と同じ組成の結晶からなる枠状部２１を種基板１１の側面を囲むように配置して、種基板１１上に気相成長法により半導体結晶を成長させる工程を実施する。 （もっと読む）