半絶縁性窒化物半導体基板とその製造方法並びに窒化物半導体エピタキシャル基板及び電界効果トランジスタ
【課題】 反りが少なくクラックが発生しない半絶縁性の窒化物半導体結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 下地基板の上に、幅或いは直径sが10μm〜100μmであるドット被覆部或いはストライプ被覆部を間隔wが250μm〜2000μmであるように並べたマスクを形成し、HVPE法によって成長温度が1040℃〜1150℃であって、5/3族比bが1〜10であるような3族、5族原料ガスと、鉄を含むガスとを供給することによって下地基板の上に窒化物半導体結晶を成長させ、下地基板を除去することによって、比抵抗が1×105Ωcm以上、厚みが100μm以上、反りの曲率半径が3m以上の自立した半絶縁性窒化物半導体基板を得、更にその基板を用いたデバイスの作製を得る。
【解決手段】 下地基板の上に、幅或いは直径sが10μm〜100μmであるドット被覆部或いはストライプ被覆部を間隔wが250μm〜2000μmであるように並べたマスクを形成し、HVPE法によって成長温度が1040℃〜1150℃であって、5/3族比bが1〜10であるような3族、5族原料ガスと、鉄を含むガスとを供給することによって下地基板の上に窒化物半導体結晶を成長させ、下地基板を除去することによって、比抵抗が1×105Ωcm以上、厚みが100μm以上、反りの曲率半径が3m以上の自立した半絶縁性窒化物半導体基板を得、更にその基板を用いたデバイスの作製を得る。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明は、半絶縁性の窒化物半導体基板とその製造方法並びに窒化物半導体エピタキシャル基板及び電界効果トランジスタに関する。窒化物半導体というのは窒化ガリウム(GaN)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化インジウム(InN)と混晶のInGaN、AlInGaNなどを指す。下地基板の上に付着した薄膜ではなく、自立した結晶基板を対象にする。ここでは主にGaNについて述べる。窒化ガリウム(GaN)はバンドギャップが広いので青色発光素子の材料として利用される。
【0002】
青色の発光ダイオード、半導体レーザなどの発光素子は従来、サファイヤ単結晶基板(α−Al2O3)の上にInGaN、GaN、AlInGaNなどの窒化物半導体薄膜結晶をエピタキシャル成長させることによって製造されてきた。サファイヤは窒化ガリウムと同じ六方晶系(hexagonal system)である。サファイヤC面結晶の上にGaNのC面薄膜を成長させる。
【0003】
しかしサファイヤ基板は絶縁性でありn電極を底面から取ることができないし、GaNの劈開面と、サファイヤ基板の劈開面が異なるので、切断用機械で分離しなければならず、手間と時間が掛かりチップ分離の歩留まりが悪いという難点がある。
【0004】
また窒化ガリウム(GaN)とサファイヤでは格子定数がかなり違う。サファイヤ基板上に成長させたGaNは多大の転位密度がある。また反りも大きい。そこで窒化ガリウム自体を基板とするため、窒化ガリウムで基板結晶を作製するという試みがなされた。窒化ガリウムはバンドギャップが広く青色発光素子の好適の材料として考えられてきた。発光素子の場合、底面にn電極、頂点にp電極を取るのが好都合なので導電性の高い基板が望まれる。
【0005】
窒化物半導体基板の製造もこれまでは自由電子密度の高いn型の窒化物半導体結晶の成長が目指されてきた。現在2インチ径のn型のGaNの自立基板を製造することが可能になっている。本発明はn型でなく半絶縁性の窒化物半導体の成長に関する。
【0006】
GaNはバンドギャップが広いということの他に電子デバイスとして用いた場合、優れた特質がある。例えば、電界効果トランジスタ(FET)の材料としては現在のところ殆どSiが使われている。しかし電子移動度や耐電圧特性などに関してはSi半導体よりもGaN半導体の方が優れていると思われている。GaNの電子移動度はSiより高いし、ブレークダウン電圧はSiより高い。もしもGaNによってFETを作ることができれば、Siよりも高速で大電流大電圧のFETとなる可能性がある。AlGaN/GaNのような接合を作れば、AlGaN/GaNの境界でやはり二次元電子ガスが生成されるだろうと言われている。二次元電子ガスは高速走行することであろう。
【0007】
本発明は従来のように光素子の材料としてではなく、FETの材料としての窒化物半導体結晶の製造を目指すものである。
【0008】
もしもGaN/AlGaN薄膜を利用したFETを作るとすれば、初めはサファイヤ基板の上に作るということになるであろう。FETはドレイン、ゲート、ソースの電極が半導体層の上に近接して形成され電流は水平に流れる。上面に並べてソース、ゲート、ドレイン電極を設ければ良い。基板内を縦方向に流れる発光素子の場合とはその点で異なる。
【0009】
FETの場合は裏面n電極の問題がないので絶縁性サファイヤ基板でも良いのであるが、やはり格子不整合という問題は残る。さらにコストの問題もありGaN系のFETはまだまだ実用化には遠い。
【0010】
しかしもしもGaNーFETを作る場合、格子整合の点から、サファイヤ基板よりもGaN結晶基板を使ってその上にGaN、AlGaNなどのエピタキシャル薄膜を形成してFETとする方が良いであろう。
【0011】
FETの基板であるから高伝導性のn型でなく、高抵抗の絶縁性のものが望まれる。これまでの発光素子用のGaN結晶基板に要求されてきた性質とは大きく異なる。本発明はFETの基板として用いることのできる絶縁性のGaN基板結晶の製造方法に関する。
【0012】
まずドーパントについて述べる。従来、青色発光素子のためにGaNやInGaNの薄膜が用いられてきた。p型にするにはMgやZnをドープする。n型にするにはSiをドープする。本発明者等はn型GaN基板とするために酸素をドープすれば良いことを最初に見出した。よってn型のドーパントはSi、Oである。それではGaN結晶を絶縁性にするためのドーパントに何を使うか、またどのような条件で作製するのか?という問題がある。
【背景技術】
【0013】
発光素子を製造するため、サファイヤ基板の上に窒化物半導体薄膜(GaN、InGaN、AlGaN薄膜)を形成する場合、MOCVD法が用いられることが多い。気相合成法であるから原料は気体の形で与えられる。窒素はアンモニア(NH3)の形で与えられる。MOCVD法は3族元素を有機金属の形で与える。ガリウム、インジウムなど3族元素の有機金属(トリメチルガリウム、トリエチルインジウムなど)とNH3を原料として加熱したサファイヤ基板の上に供給する。
【0014】
GaN系の半導体薄膜を気相合成法で作るにはHVPE法もよく使われる。これはGa金属融液を入れたGaボートをサセプタの上に設け、HClを吹き込んでGaClを合成しこれをGa原料とするものである。従って原料ガスはGaClとアンモニアである。
【0015】
ドーパントの問題であるが、GaNを絶縁性にするには鉄(Fe)をドープする。鉄(Fe)はGaNのバンドギャップの中に深い準位を形成しn型キャリヤ(自由電子)を捕獲するのでキャリヤが減少する。そのためにGaN結晶は半絶縁性となる。完全な絶縁性でないから半絶縁性(Semi−insulating;SI−GaN)と言うが、FETの基板とするには差し支えない程の高い抵抗率を持っている。気相成長の窒化物半導体の内部へ添加するのだから気体の鉄化合物を使う必要がある。例えばビスシクロペンタジエニル鉄((C5H5)2Fe)、ビスメチルシクロペンタジエニル鉄((CH3C5H4)2Fe)などを使う。
【0016】
特許文献1はGaAs基板の上に窓直径が1〜5μmで、窓ピッチが4μm〜10μmの)マスクを付けGaNバッファ層を形成し、その上にGaNを820℃又は970℃でMOCVD法により、又は970℃、1000℃、1010℃、1020℃、1030℃でHVPE法によりC面成長させて厚いGaN結晶を得るような手法を述べている。
【0017】
特許文献1は微細窓を持つマスクを使うものである。図1にマスクの一例の平面図を示す。広い被覆部Mの中に、多数の小さい窓Wが規則正しく並んでいるようなマスクである。窓Wから下地基板Uが露呈している。被覆部Mの方が開口部(窓W)より面積が広い。
【0018】
マスク法による転位低減の原理を図2によって説明する。図2(1)〜(7)はマスク法の結晶成長の様子の断面図を示す。図2(1)に示すように、マスクMはマスク材を下地基板Uの上に形成し小さい窓Wを規則正しく設けたものである。窒化ガリウムを気相成長させると窓Wの中だけに窒化ガリウム結晶Gができる。結晶Gと下地基板Uの境に多数の上向きの転位Tが発生する(図2(2))。
【0019】
成長が進むと窓W上の結晶の一部がマスクMの上に乗り上がりマスクの上を横方向に伸びていく(図2(3))。横方向に成長するので転位Tも横に伸びる。横面は低面指数のファセットFになる。図2(4)のように結晶Gは上方向にも横方向にも伸び円錐台形状になる。台の上面はC面(C)である。図2(5)のように隣接窓から伸びてきた結晶が接触する。転位Tは横向きに伸び転位Tが衝突する。それによって転位が打ち消し合う。
【0020】
図2(6)のようにファセットFの溝が埋められ小さくなっていく。やがてファセットの成す凹部が埋められて平坦な表面Cとなる。平坦表面はC面である。以後平坦なC面を表面として成長を続ける。転位Tは窓Wの上で多く、マスクMの上で少ない。
【0021】
特許文献1は成長温度や原料分圧などが具体的に示されているので重要な従来技術である。成長温度について引用文献1は次のように述べている。HVPE法の場合、成長温度は970℃、1000℃、1010℃、1020℃、1030℃である。MOCVD法の場合、成長温度は820℃、970℃である。
【0022】
HVPE法では原料はHCl、Ga融液、NH3である。3族原料はGa融液とHClガスを反応させGaClとする。供給される3族原料と5族原料の量ははGaClの分圧PGaClとNH3の分圧PNH3によって表現される。3族と5族原料の比率bはNH3分圧PNH3とGaClの分圧PGaClの比率によって表すことができる。つまりb=PNH3/PGaClというように定義される。
【0023】
マスク法によってできたGaN結晶の比抵抗rはr=0.005Ωcm〜0.08Ωcmの範囲にあるとしている。
【0024】
特許文献1の実施例で述べられたMOCVD法による成長条件は次のようである。
【0025】
成長温度Tq、NH3分圧PNH3、TMG分圧PTMG、5/3族比bの順に示す。
970℃ 20kPa 0.2kPa 100倍
970℃ 25kPa 0.2kPa 100倍
820℃ 20kPa 0.3kPa 67倍
970℃ 20kPa 0.2kPa 100倍
1000℃ 20kPa 0.4kPa 50倍
970℃ 25kPa 0.5kPa 50倍
【0026】
特許文献1の実施例で述べられたHVPE法による成長条件は次のようである。
【0027】
成長温度Tq、NH3分圧PNH3、HCl分圧PHCl、5/3族比bの順に示す。
970℃ 25kPa 2kPa 12.5倍
970℃ 25kPa 2.5kPa 10倍
970℃ 25kPa 0.5kPa 50倍
1000℃ 20kPa 2kPa 10倍
950℃ 25kPa 2kPa 12.5倍
1020℃ 25kPa 2kPa 12.5倍
1000℃ 25kPa 2kPa 12.5倍
1010℃ 25kPa 2kPa 12.5倍
1030℃ 25kPa 2kPa 12.5倍
【0028】
特許文献2はGaAs基板の上に細かい窓を千鳥状に有するマスクを形成しその上にHVPE法でC面を維持しながらGaNを厚く成長させGaAs基板を除去して、20mm以上の直径を持ち70μm以上の厚みを持ち撓み(反り)が50mm直径に換算して0.55mm以下の自立GaN基板を提供している。50mm直径のウエハ−で中心の撓み(反り)が0.55mmということは曲率半径Rに直すと、約600mm=0.6mということである。
【0029】
特許文献2はHVPE法で成長温度を970℃、1020℃、1030℃とし、GaCl分圧PGaClを1kPa又は2kPa(0.01〜0.02atm)とし、NH3分圧を4kPa又は6kPaとしている。GaCl分圧をPGaCl=1kPaとすると表面は平坦であるが反りが大きく内部応力が巨大で割れ易く使用不可能な結晶ができ、70μm以上の膜厚にできないと述べている。
【0030】
反対にGaCl分圧をPGaCl=2kPaとすると表面は荒れているが反りが小さく内部応力の小さい結晶ができると述べている。NH3分圧は6kPa、12kPa、24kPaである。5/3族比bはb=3、6、12である。曲率半径は1m程度である。比抵抗は0.0035〜0.0083Ωcmである。n型結晶である。
【0031】
特許文献2の実施例で述べられた成長条件は次のようである。
【0032】
成長温度Tq、NH3分圧PNH3、GaCl分圧PGaCl、5/3族比bの順に示す。
1030℃ 4kPa 1kPa 4倍
1030℃ 6kPa 1kPa 6倍
970℃ 6kPa 2kPa 3倍
970℃ 6kPa 1kPa 6倍
970℃ 6kPa 1kPa 6倍
1020℃ 6kPa 2kPa 3倍
1020℃ 6kPa 2kPa 3倍
1030℃ 6kPa 1kPa 6倍
970℃ 6kPa 2kPa 3倍
970℃ 12kPa 2kPa 6倍
970℃ 24kPa 2kPa 12倍
【0033】
特許文献3はGaAs基板の上に[11−2]方向に一定間隔をおいて並び[−110]方向に半ピッチずれた点状の窓を有するマスク、或いは[11−2]方向に伸びるストライプ状窓を有するマスク或いは[−110]方向に伸びるストライプ状の窓を有するマスクを形成し、バッファ層を設け、HVPE法によりGaNをC面を保持しながらエピタキシャル成長させ基板とマスクを除去してGaNの自立単結晶基板を製造する方法を提案する。
【0034】
特許文献3も図1のような、小さい多数の窓を狭いピッチで縦横に並べたマスクを下地基板Uの上に形成し、GaNを気相成長させ、転位を減少させる手法である。GaCl分圧PGaClは1kPa(0.01atm)と2kPa(0.02atm)の2つの場合がある。1kPaの場合、表面平坦であるが内部応力が大きく反りも大きく割れ易いGaN結晶ができると述べている。2kPaの場合、表面は粗面であり内部応力が小さく反りが小さく割れ難いGaN結晶ができると述べている。
【0035】
成長温度が1020℃、1030℃の場合は表面平坦で内部応力大きく割れ易いといっている。
【0036】
970℃の成長温度でGaCl分圧が2kPaの場合で厚い結晶の場合に粗面で内部応力が小さく反りも小さいGaN結晶ができると言っている。NH3分圧PNH3は6kPa〜12kPaである。
【0037】
まとめると、特許文献3では、反り、内部応力が小さく割れ難い粗面GaN結晶の製造のための温度は970℃、GaCl分圧は2kPa、NH3分圧は6〜12kPa、5/3族比bは3〜6程度である。比抵抗は0.01Ωcm〜0.017Ωcmでn型である。
【0038】
特許文献3の実施例で述べられたHVPE成長条件は次のようである。
【0039】
成長温度Tq、NH3分圧PNH3、GaCl分圧PGaCl、5/3族比bの順に示す。
1030℃ 4kPa 1kPa 4倍
1030℃ 6kPa 1kPa 6倍
970℃ 6kPa 2kPa 3倍
970℃ 6kPa 1kPa 6倍
970℃ 6kPa 1kPa 6倍
1020℃ 6kPa 2kPa 3倍
1020℃ 6kPa 2kPa 3倍
1030℃ 6kPa 1kPa 6倍
970℃ 6kPa 2kPa 3倍
970℃ 12kPa 2kPa 6倍
970℃ 24kPa 2kPa 12倍
【0040】
特許文献4は2重、3重のELOマスク(Epitaxial Lateral Overgrowth)を交互に重畳するように設けて転位を減らし、Siドープn型のGaN結晶をMOCVD法、HVPE法によってC面を維持しながら成長させる。ELOマスクは窓で転位密度が大、マスク上で転位密度が小となるので窓が食い違うように2重、3重にELOマスクを付けると転位密度を減らせるという。MOCVD法の場合、5/3族比bは、30倍〜2000倍が良い条件であると述べている。
【0041】
実施例では5/3族比b=1200倍、2222倍、1800倍、1500倍、800倍、30倍という比率の原料ガスを用いている。HVPEについては述べていない。n型ドーパントはSiである。シランガス(SiH4)をドーピングに用いる。初めにMOCVD法でELOマスクの窓の上まで台形結晶を作りELOマスク上で合体する直前にHVPE法に切り替える。好ましい成長温度は950℃〜1050℃と述べている。
【0042】
特許文献5は特許文献4とほぼ同じであり、2重、3重のELOマスクによって転位を減らす工夫を提案している。
特許文献6は酸素をn型ドーパントとしてGaNにドーピングすることによってn型GaN基板を製造する方法を初めて提案している。
【0043】
特許文献4、5はシランガス(SiH4)を用いSiをn型ドーパントとして結晶にドーピングしていた。シランガスは爆発の可能性がありn型基板成長のため大量に使うのは危険である。特許文献6は酸素がGaN中で浅いドナー準位を作ることを見出した。原料ガスのNH3、HClなどに水を添加し、GaAs基板の上にELOマスクを設けてHVPE法でGaN結晶を成長させるとC面成長するが、原料から酸素が取り込まれてドナー準位を作りn型キャリヤを発生し結晶をn型とする。しかも広い濃度範囲で活性化率が100%であるという。酸素が基板のような厚い結晶に対し好都合なn型ドーパントであることを初めて明らかにしている。
【0044】
酸素をGaNにドープする場合著しい異方性があることを特許文献7は明らかにしている。C面((0001)面)を通して酸素が入り難く、C面以外の面を通して酸素が入りやすい、という選択性である。特許文献7は、図17に示すように、平均してc軸方向の成長であるが非C面のファセットFを大量に表面に作り出し非C面であるファセットFを通じて酸素を結晶に取り込むか、或いは図18に示すように非C面(hkmn)(≠(0001)面)を持つGaN下地基板を使って非C面表面から酸素をドープする手法を提案している。特許文献7は酸素ドープの顕著な異方性を初めて明らかにしたものである。
【0045】
特許文献7の実施例で述べられたHVPE成長条件は次のようである。
【0046】
成長温度Tq、NH3分圧PNH3、HCl分圧PHCl、5/3族比bの順に示す。
1020℃ 20kPa 1kPa 20倍
【0047】
特許文献8はELO法とは全く違う転位密度減少法を新規に提案する。特許文献8は成長条件を適当に制御することによって、図3のようにファセットF、ファセットからなる大小のピットPを積極的に多数作り出しファセットF、ピットPを埋め込まず成長の終了まで維持する。埋め込まず最後までファセットを維持するのでファセット成長と呼ぶ。ピットPは六角錐か12角錐であるがここでは簡単のため六角錐のピットを示す。
【0048】
図4のピットPの斜視図、図5のピットPの平面図に示すように、ファセットFの凹部(ピットP)を維持しながら成長するとピットP内部ではファセットFの法線方向Vに結晶が成長する。
【0049】
転位Tは成長方向Vに沿って伸びるので、転位Tがファセット法線方向に伸びる。ファセット成長によって転位Tを境界線Bへ引き込む。境界線Bの下に転位Tの集合ができる(面状欠陥PD)。
【0050】
ファセット成長が進むと、さらにピットPの底へと転位を集める。ピットPの底に大量の転位Tの集結部(線状の欠陥集合:H)ができる。転位の総量があまり変わらないとしても、面状欠陥PD、線状欠陥Hに転位が集まるので他の部分の転位密度が減少する。これはELO法と違って、成長中期から終期まで効果がある。全く新規の転位密度減少法である。ファセット成長法と呼ぶ。
【0051】
特許文献8の手法はどこにピットP(凹部)ができるのか分からないのでランダムファセットと呼んでその後の改良形と区別する。できた結晶は表面に甚だしい凹凸がある。
【0052】
特許文献8の実施例で述べられた成長条件は次のようである。
【0053】
成長温度T、NH3分圧PNH3、HCl分圧PHCl、5/3族比bの順に示す。
1050℃ 20kPa 0.5kPa 40倍
1000℃ 30kPa 2kPa 15倍
1050℃ 20kPa 0.5kPa 40倍
1020℃ 20kPa 1kPa 20倍
1000℃ 30kPa 2kPa 15倍
1000℃ 40kPa 3kPa 13倍
980℃ 40kPa 4kPa 10倍
【0054】
特許文献8はファセットピットのできる位置が偶然に支配されるのでランダムファセット法と呼ぶことができよう。それに局所的な特異性がないので一旦集結した転位が成長とともに再離散することもあった。その上にデバイスを作る基板なのであるから、ファセットピットのできる位置を予め指定することができればより好都合である。転位を閉じ込め再離散を無くすことができればより低転位化を徹底できる。
【0055】
特許文献9は図6に示すように、下地基板Uの上に孤立した点状の被覆部Mを規則正しく配列するようなマスクを形成する。下地基板Uが露呈した部分(露呈部E)の方が被覆部(マスク部)Mよりずっと広い。マスクした下地基板Uの上にGaNを気相成長させる。被覆部Mの上では成長が遅れるので被覆部Mを底とする凹部(ファセットピットP)ができる。
【0056】
図9によってドット型マスクによるファセット成長を説明する。図9(1)のように孤立点状の被覆部Mを下地基板Uの上に形成する。窒化ガリウムを気相成長させると図9(2)のように下地基板の露呈部Eの上だけに結晶Gが成長する。被覆部Mの上には成長しない。図9(3)のように露呈部Eの上に結晶が積み上がる。傾斜面は低面指数のファセットFである。図9(4)のように被覆部Mを底とし傾斜面をファセットFとするような六角錐、或いは12角錐のファセットピットPができる。図9(5)のように被覆部Mの上にも結晶が載ってくる。これは転位の高密度に集合した閉鎖欠陥集合領域Hである。ファセットの下は単結晶低転位随伴領域Zとなる。平坦面はC面(C)である。C面の下は単結晶低転位余領域Yとなる。
【0057】
図7の結晶の斜視図、図8の平面図に示すように、結晶表面には、逆円錐形の花弁のようなファセットFよりなるファセットピットPが縦横に並ぶ。茎に当たる部分は転位が集結した閉鎖欠陥集合領域Hである。根に当たる部分は被覆部Mである。平坦面はC面である。C面の下にできる部分(Y)は低転位部分である。ファセットFの下(Z)も低転位部分である。これを他と区別するためドット型ということもある。その方法をドットファセット成長法と仮に呼ぶ。
【0058】
ファセットピットPには先述のようにファセットF上にある転位Tを境界線Bに集めさらにピット底へ集める作用がある。ピット底(被覆部Mの上)は転位の集結した閉鎖欠陥集合領域Hとなる。一旦集結した転位は再離散しない。よって「閉鎖」と呼ぶ。その他の部分は転位の少ない単結晶低転位随伴領域Z(ファセットの下にできる)、単結晶低転位余領域Y(C面の下にできる)となる。Z、Yが低転位となるのである。
【0059】
特許文献9によって、閉鎖欠陥集合領域H、単結晶低転位随伴領域Z、単結晶低転位余領域Yという概念が初めて生じた。マスクと言ってもELOマスクのように小さい窓が細かいピッチで存在するのではない。広い露呈部の中にかなりの大きさの点状(丸、四角など)の被覆部M(図6)を作る。
【0060】
ELOマスクは露呈部E(窓W)が被覆部Mより狭く、露呈部Eは小さく(直径1〜2μm)ピッチも小さい(2μm〜6μm)。
【0061】
反対に特許文献9のファセットピットの基になるマスクは、露呈部Eが被覆部Mより広い。被覆部直径はかなり大きい(直径20μm〜100μm)。被覆部の上がファセットピット底になる。ファセットピットは転位を底部に集合させ捕獲して転位を再び放つことがない。マスクの位置に閉鎖欠陥集合領域Hができ、その周りに低転位部分Z、Yができるという特徴がある。マスクのない露呈部Eの上に低転位のZ、Yができる。Zがファセットの直下に、YがC面成長部分の直下にできる。Z、Yいずれも単結晶で低転位である。点状マスクを中心としてHZYの同心構造ができる。ELOはマスク露呈部E(窓W)の上が高密度転位(H)、被覆部の上が低転位(Z、Y)となる。その関係はまったく反対である。
【0062】
特許文献9の実施例での成長条件は次のようである。
【0063】
成長温度Tq、NH3分圧PNH3、HCl分圧PHCl、5/3族比bの順に示す。
1050℃ 30kPa 2kPa 15倍
1030℃ 30kPa 2.5kPa 12倍
1010℃ 20kPa 2.5kPa 8倍
1030℃ 25kPa 2.5kPa 10倍
1050℃ 30kPa 2.5kPa 12倍
1030℃ 25kPa 2kPa 12.5倍
1030℃ 25kPa 2kPa 12.5倍
【0064】
特許文献9はマスクを規則正しく分布する孤立点(ドット)状としたので、ドットの上には閉鎖欠陥集合領域Hができ、その周辺に単結晶低転位随伴領域Z、単結晶低転位余領域Yができる。半導体レーザや発光ダイオードなどのデバイスをその上に作るので閉鎖欠陥集合領域Hが分散していると不都合ということがある。
【0065】
そこで特許文献10は、図10に示すように、下地基板Uの上に等間隔平行縞状の被覆部Mを有するマスクを形成し、その上にGaNをファセット成長させた。マスクの被覆部Mの幅sと露呈部Eの幅wの合計がピッチpである(p=s+w)。sはwよりずっと小さい。気相成長によって下地基板Uの上にGaNを成長させる。
【0066】
図11に平面図、図12に斜視図を示すように、平坦頂面を持つ平行な多数の山谷型結晶となる。被覆部M上に平行な結晶欠陥集合領域H、露呈部上に平行の低欠陥単結晶領域Z、C面成長領域Yを作る。平行マスクの上にできる転位の集合は結晶欠陥集合領域Hと呼んでいる。それに隣接するファセットの下に連続して成長するのは低欠陥単結晶領域Zと呼ぶ。隣接低欠陥単結晶領域Zの間にC面成長領域Yができることもありできないこともある。
【0067】
特許文献9は孤立点状のマスクの上に欠陥領域Hができたので「閉鎖」という言葉をつけてそれを強調しているが、ストライプマスクの場合、Hは閉じていないから結晶欠陥集合領域Hと呼ぶ。Zが広がって必ずしもHに随伴していないから低欠陥単結晶領域Zと名付けた。Yはできることもできないこともある。C面に伴って発生するからC面成長領域Yと呼ぶ。
【0068】
成長の手法によってはC面成長領域Yが消失することもある。図13に平面図を図14に斜視図を示すように、尖鋭稜線を持つ山谷型の結晶となる。被覆部M上に平行な結晶欠陥集合領域Hができる。これが谷となる。それの隣の露呈部に平行の低欠陥単結晶領域Zができる。山形のファセットF、Fは尖っており、C面の部分がない。C面成長領域Yが消失している。…ZHZH…構造である。
【0069】
図15によってストライプ型ファセット成長法を説明する。
【0070】
図15(1)のように平行線状複数のストライプ被覆部Mを下地基板Uの上に形成する。窒化ガリウムを気相成長させると図15(2)のように下地基板の露呈部Eの上だけに結晶Gが成長する。被覆部Mの上には成長しない。図15(3)のように露呈部Eの上に結晶Gが積み上がる。傾斜面は低面指数のファセットFである。結晶Gは被覆部で区切られた平行島状となる。図15(4)のように被覆部Mを底とし反対向きに傾斜する平行な傾斜面からなるV溝が平行に生ずる。対向する傾斜面は傾き方向が反対で同じ角度を成すファセットF、Fである。隣接マスクの間の平坦面はC面(C)である。
【0071】
やがて図15(5)のように被覆部Mの上にも結晶が乗ってくる。これは転位の高密度に集合した結晶欠陥集合領域Hである。さらに図15(6)のように結晶成長が進む。マスクMの上の結晶欠陥集合領域Hは大体そのままの寸法で上に伸びる。平行なファセットF、Fはより広くなる。ファセットF、Fの直下は低欠陥単結晶領域Zとなる。結晶欠陥集合領域Hと低欠陥単結晶領域Zとの境界は結晶粒界K、Kである。結晶粒界K、Kが転位を結晶欠陥集合領域Hに閉じ込める。
【0072】
マスク中間の平坦面はC面(C)である。C面の下はC面成長領域Yとなる。C面(C)は段々狭くなっていく。ストライプ構造をなす結晶のピッチはマスクピッチpに等しい。マスクピッチpはマスク幅sと露呈部幅wの和である(p=s+w)。さらに結晶成長が進行すると図16(1)のように結晶欠陥集合領域Hを麓とし、C面を尾根とする山脈のような平行の結晶が成長していく。山頂に当たるC面部分(C)は狭くなる。ファセットFの直下は低欠陥単結晶領域Zに、C面の直下はC面成長領域Yとなる。
【0073】
この形状を保持したまま上向きに結晶が成長する場合もある。或いはさらに鋭い峰を持つ平行山脈のようになる場合もある。図16(2)はそのような場合を示す。この場合C面は無くなる。C面成長領域Yも無くなってしまう。
【0074】
特許文献10によって平行に…ZHZYZHZYZH…構造或いは、…ZHZHZH…構造ができる。結晶欠陥集合領域Hに転位が集中して、低欠陥単結晶領域Z、C面成長領域Yは単結晶で低転位となる。
【0075】
特許文献10の手法は平行にマスクを作り平行に結晶欠陥集合領域Hを作るので、ストライプ型ファセット成長法と呼ぶことができる。これは低欠陥単結晶領域Zが直線上に並ぶから半導体レーザ、発光ダイオードなどのデバイスを作り易い。
【0076】
ファセット成長法とELO法は全く違う方法である。マスクの形状、寸法、作用なども異なる。千鳥状に窓が分布するELOマスクとストライプマスクは形状も大きさも違い判然と区別できる。ストライプマスクは、幅sが20μm〜300μm程度でピッチpは100μm〜2000μm程度である。例えばストライプマスクの幅sは50μmで、p=500μmピッチというようにする。
【0077】
ドット型、ストライプ型ファセット成長法では転位がマスク上の結晶欠陥集合領域Hに集中しそれが結晶粒界K、Kによって囲まれるので転位は再離散しない。Hに隣接するZやYが低転位で単結晶となる。その部分をデバイスの電流が通る部分とすれば良い。
【0078】
GaN結晶は{1−100}方向が劈開面であるから、自然劈開によってレーザの共振器ミラーを形成できる。酸素をドーピングしn型とするから電流が通り底面にn電極を形成できる。その点でサファイヤ基板より優れている。
【0079】
ELOは露呈部が小さくその上は高転位密度となり、被覆部が広くその上は低転位となるが、ストライプ型ファセット法では露呈部が広くその上は低転位に、被覆部が狭くその上は高密度転位となる。
【0080】
特許文献10の実施例での成長条件は次のようである。
【0081】
成長温度Tq、NH3分圧PNH3、HCl分圧PHCl、5/3族比bの順に示す。
1050℃ 30kPa 2kPa 15倍
1030℃ 30kPa 2.5kPa 12倍
1050℃ 30kPa 2kPa 15倍
1010℃ 20kPa 2.5kPa 8倍
1030℃ 25kPa 2kPa 12.5倍
1030℃ 25kPa 2.5kPa 10倍
【0082】
特許文献11は、サファイヤ(0001)基板の上に、H2、TMG、アンモニアを原料ガスとし(C5H5)2FeをドーパントとしたMOCVD法、或いはH2、HCl、Ga融液、アンモニアを原料とし(C5H5)2FeをドーパントとしたHVPE法によって鉄ドープGaN結晶を成長させ鉄ドープGaN基板を得るという方法を提案している。
【0083】
特許文献11の実施例(MOCVD法)での成長条件は次のようである。
【0084】
成長温度Tq、NH3分圧PNH3、TMG分圧PTMG、5/3族比bの順に示す。
1000℃ 15kPa 0.3kPa 50倍
【0085】
特許文献11の実施例(HVPE法)での成長条件は次のようである。
【0086】
成長温度Tq、NH3分圧PNH3、HCl分圧PGaCl、5/3族比bの順に示す。
1000℃ 15kPa 0.3kPa 50倍
【0087】
【特許文献1】国際公開WO99/23693(国際出願PCT/JP98/04908)
【0088】
【特許文献2】特許第3788037号(特願平10−171276、特開2000−012900)
【0089】
【特許文献3】特許第3788041号(特願平10−183446、特開2000−022212)
【0090】
【特許文献4】国際公開WO98/47170(国際出願PCT/JP98/01640)
【0091】
【特許文献5】EPC公開 EP0942459 A1 (EPC出願番号9891274.8)
【0092】
【特許文献6】特許第3788104号(特開2000−044400、特願平11−144151/優先権主張 特願平10−147716)
【0093】
【特許文献7】特許第3826825号(特開2002−373864、特願2002−103723/優先権主張 特願2001−113872)
【0094】
【特許文献8】特開2001−102307(特願平11−273882)
【0095】
【特許文献9】特許第3864870号(特開2003−165799、特願2002−230925/特願2001−284323)
【0096】
【特許文献10】特許第3801125号(特開2003−183100、特願2002−269387/優先権主張 特願2001−311018)
【0097】
【特許文献11】特開2005−306723(特願2005−075734/優先権主張 特願2004−085372)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0098】
これまでに述べたものは、青色発光ダイオード、半導体レーザの基板として用いられるn型のGaN基板である。AlやInを少し含むAlInGaN基板も作製が試みられているが発光素子の基板としての用途のためのものである。それはn型で導電率が高く高密度電流を流すことができる。ドーパントはシリコン(Si)のことも酸素(O)のこともある。
【0099】
ところが本発明が目的とするのはn型ではなく半絶縁性(semi−insulating:SI)のGaN基板結晶である。発光素子用n−基板ではなくFETなどの用途のためのSI基板である。
【0100】
発光素子の場合は基板に高密度の電流を流すので転位から劣化が進行する恐れがあった。
【0101】
横型電子デバイス用の半絶縁性基板(SI−GaN基板)の場合は高電圧、大電流に耐えるだけの耐電圧性、高抵抗である必要がある。基板が高い転位密度を有すると、リーク電流の原因となり好ましくない。基板の上に規則正しい格子構造を持ったGaN、InGaN、AlGaN薄膜を何層にも形成するから転位は少ない方が良い。半絶縁性基板の場合、絶縁性が高く反りが少なく転位密度が低くクラック発生の少ない基板であることが強く望まれる。
【0102】
従来技術(特許文献1〜10)で挙げたGaN基板は何れも低抵抗率である。
【0103】
特許文献1は0.005〜0.08Ωcm、特許文献2は0.0035〜0.0083Ωcmだと言っている。特許文献3のGaN基板は0.01〜0.017Ωcmだと述べている。
【0104】
これらはn型のドーパントを入れたとは記載されていないので5族の空孔がドナーレベルを作ったか原料ガス中に含まれるn型ドーパント元素が入ったかと考えられる。
【0105】
特許文献4は抵抗率を具体的に書いていない。これはSiをドーパントとして意図して低抵抗n型GaN基板を作ろうとしている。従って抵抗率は特許文献1〜3よりさらに低いだろうと推測される。これらの記述から従来のGaN結晶の比抵抗の上限は0.08Ωcm程度であろうと思われる。
【0106】
横型電子デバイス用の基板としての絶縁性基板とするには、このような低抵抗のものでは役に立たない。絶縁性3−5族窒化物基板としては、比抵抗が105Ωcm以上であることが望まれる。目的によっては106Ωcm以上或いは107Ωcm以上が要求されることもある。
【0107】
従来のGaN結晶製造技術ではそのような高抵抗の結晶を作ることができない。どうすればよいのか?5族空孔がドナーとなるのでそれを防ぐためには5族の供給を高めれば良い。既に述べたようにMOCVD法では5/3族比bが1000倍〜2000倍ということを言っており、それ以上に5族比率を高めると原料の無駄も多くなる。HVPEの場合の5/3族比bは12倍〜50倍程度のものが多い。5族原料比率をさらに上げることはできるがそれは原料の損失になり好ましいとは言えない。
【0108】
高純度の原料を使って不純物が入らないようにすればより高抵抗の窒化ガリウム結晶を作ることができるであろう。しかしそれにしても自然にはn型になり横型電子デバイス用に使える絶縁性は得られない。
【0109】
その他の選択肢として、他の元素を添加することによってn型キャリヤの動きを抑えるということが考えられる。特許文献11は鉄ドープGaN結晶が半絶縁性であるということを述べている。気相成長法であるから気体の状態で鉄化合物を与える必要がある。特許文献11はサファイヤ基板の上に、ビスシクロペンタジエニル鉄をドーパントとし、窒化ガリウムをMOCVD法で作製している。特許文献11はマスクを用いないでサファイヤ基板の上に鉄ドープGaN結晶を成長させる。
【0110】
鉄によってGaN結晶の抵抗率を高めることができるというのは新規な知見である。半絶縁性GaNを作るには鉄ドープが有力な手段であることが特許文献11から分かった。その他に、FETなどの電気素子の基板とするには、反りが少なくクラック発生率が低いということも重要である。特許文献11ではクラックの発生や割れについては全く述べられてはいない。
【課題を解決するための手段】
【0111】
本発明の鉄ドープ窒化物半導体基板製造方法は、下地基板にドットマスク或いはストライプマスクを付け、基板温度を1040℃〜1150℃とし、その上にHVPE法によって、5族と3族ガス原料の比率bが1〜10であるようアンモニアガスと3族ガスと鉄化合物ガスとを供給しながら、マスク付き下地基板の上に窒化物半導体結晶を厚く成長させ、下地基板を除去して、100μm以上の厚みを持ち比抵抗が1×105Ωcm以上の自立した鉄ドープ半絶縁性窒化物半導体結晶基板を得る。
【0112】
下地基板は、(111)面GaAsウエハ−、サファイヤウエハ−、SiCウエハ−、GaNウエハ−などを用いることができる。
【0113】
図19はHVPE炉の概略縦断面図を示す。縦長の反応炉2の外側にはヒータ3が設けられる。ヒータ3は縦方向に伸び幾つかに分割されており上下方向に任意の温度分布を作り出すことができる。反応炉2はホットウオールを持つ。反応炉2の中上部にはGa融液を溜めたGa溜め4が設けられる。反応炉2の下方には、回転昇降自在の回転軸に支持されたサセプタ5がある。サセプタ5の上には下地基板6が戴置される。第1原料ガス供給管7は水素(H2)と塩化水素(HCl)のガスをGa溜め4に供給する。HClとGaとが反応してGaClガスができる。これが下方へ移動する。第2原料ガス供給管8は水素(H2)とアンモニア(NH3)ガスを下地基板6の上方へ流す。GaClとNH3が反応してGaNができる。第3原料ガス供給管10は鉄(Fe)の気体化合物とキャリヤガス(H2)の混合ガスを反応炉内に供給する。合成されたGaNの内部に鉄がドープされる。反応後、排ガス、未反応ガスはガス排出管9から排出される。
【0114】
鉄はビスシクロペンタジエニル(C5H5)2Fe或いはビスメチルシクロペンタジエニル(CH3C5H4)2Feを原料として用いる。これらはガス状であるから反応炉に上方のガス流路から気体として吹き込まれる。これらが熱分解して結晶の中へ取り込まれる。或いはHClと反応してFeClやFeCl2、FeCl3となってから結晶の中へ吹き込まれる。
【0115】
そのようにして作製された窒化物半導体基板の中の鉄の濃度Feは、1×1020cm−3≧Fe≧1×1016cm−3とする。窒化物半導体基板の抵抗率は1×105Ωcm以上である。
【0116】
マスクはSiO2、SiON、SiN、AlN、Al2O3などである。マスクの寸法はストライプマスクの場合被覆部幅sが10μm〜100μmとする。被覆部の間隔wは250μm〜2000μmとする。ピッチpはp=s+wである。ピッチはp=260μm〜2100μmである。
【0117】
ドットマスクの場合は被覆部直径sが10μm〜100μmとする。被覆部の間隔はw=250μm〜2000μmとする。ピッチpは260μm〜2100μmである。
【0118】
基板温度が1040℃〜1080℃ではマスクの位置で低く、露呈部で高くなるファセット面を持つ山形の結晶(II型)が成長する(図20)。マスク上は結晶欠陥集合領域Hとなり、露呈部のマスク近くのファセットFの直下は低欠陥単結晶領域Zとなる。
【0119】
図20は図21との対比を強調するために山形だけでなる理想形を書いている。これはストライプマスクで特別の場合だけ実現する。ドットマスクの場合は幾何学的な制約からこのようにならない。ドットマスクでもストライプマスクでも、実際にはマスクの中間位置にC面ができ(破線で示す)その下に、C面成長領域Yができることが多い。HとZ或いはHとZとYというように異なるものが混在する構造となるから緊張を緩和できる。
【0120】
図20のII型は上面にファセットFを持ち、ファセットFを通じて酸素を多く吸い込みやすいという傾向がある。それでn型不純物である酸素によって、鉄ドーピングの効果が打ち消されることがある。すると鉄の濃度を上げる必要があり全体としての不純物の量が増えることもある。
【0121】
基板温度がより高い1080℃〜1150℃では表面が一様高さの結晶(I型)が成長する(図21)。表面はほぼ平坦なC面である。これも図20との対比を強調するための理想形を書いている。実際にはマスクMの上の部分が僅かに窪みとなることも多い。マスク上は結晶欠陥集合領域Hとなるからである。露呈部上は低欠陥単結晶領域ZとC面成長領域Yが混在したようになる。異なる組織が交替する構造なので応力緩和できる。
【0122】
I型はファセットFを殆ど持たずに成長するので酸素を取り込まない。だから鉄ドープの効果が顕著になる。全体としての不純物濃度を減らすことができる。不純物が少ないので内部応力が小さく、クラックがより入り難いという利点がある。つまりI型は鉄ドープ窒化物半導体として最適の構造である。I型を作るにはより高温で5/3族比bが低い方が良い。1080℃〜1150℃の高温で、5/3族比bを1〜10とする。さらに温度を1090℃〜1150℃、5/3族比bを1〜5程度にするとより確実にI型にすることができる。
【0123】
5/3族比b=1〜10で、基板温度1080℃近く(1070℃〜1090℃)ではI型とII型が混合した台形頂点を持つような結晶ができる(図24)。
3つの断面図(図20、21、24)を示したが、ある温度で断面形状が突然変化するというような相転移が起こるのではなくて、温度や5/3族比bによって連続的に断面形状が変化していく。温度が1140〜1150℃で5/3族比b1〜3で図21のような理想的な平坦型ができる。温度が下がるにつれ、5/3族比bが上がるにつれて図21の平坦型から図20の山形へ変化していく。
【0124】
基板温度が1050℃〜1150℃というのは窒化物半導体の気相成長法の成長温度としては高い方である。温度を高くすれば、大型マスクであっても、表面を平坦にして成長させることが可能だというのがI型成長の意味するところである。
【0125】
5/3族比bが1〜10というのは、窒化物半導体の気相成長法では極めて小さい極限と言って良い。低5/3族比bと、高成長温度によって鉄ドープの窒化物半導体を成長させるというのが本発明の思想である。
【0126】
これまでの従来例において、基板温度と5/3族比bがどのような値であったのか?特許文献を引用し説明した時に、成長温度(基板温度)や5/3族比bを挙げておいた。
【0127】
成長温度、5/3族比bの関係を分かり易くするため図22に示した。横軸は成長温度(基板温度)である。縦軸は5/3族比bを対数表示したものである。黒丸の点は従来例におけるHVPE法による基板温度と5/3族比bを示す。黒丸を白丸で囲んだものは従来例におけるMOCVD法によるものである。添え数字は引用した特許文献の番号を示す。実施例1つに1つの点が対応する。
【0128】
例えば970℃、100倍のところに3つの白黒丸があり、1、1、1の数字がある。それは特許文献1のMOCVD法の実施例3つが970℃、100倍だったということである。特許文献1は温度は950℃〜1020℃の間にHVPEについての実施例を示す9つの黒丸がある。
【0129】
特許文献4は明確な実施例がなくMOCVD法で温度については960℃〜1050℃の幅を持ち、5/3族比b=1000倍、800倍…などであるから連続直線で表現している。
【0130】
本発明のII型に関して、温度、5/3族比bの点を白三角で示す。温度1050℃で、5/3族比b=2.5が14点ある。温度1050℃で5/3族比b=5が1点ある。温度1050℃で5/3族比b=10が1点ある。
【0131】
本発明のI型に関して、温度、5/3族比bの点を白丸で示す。温度1110℃で、5/3族比b=2.5が19点ある。温度1110℃で5/3族比b=3が1点ある。温度1110℃で5/3族比b=1が1点、温度1100℃で5/3族比b=2.5が1点ある。
【0132】
本発明の温度、5/3族比bの範囲を破線で囲んでいる。1080℃は中間的な混合型の温度である。
【0133】
特許文献2、3はピッチの大きいマスクを使わない。5/3族比bが3である8つの実施例がある。5/3族比bが4であるような2つの実施例がある。5/3族比bが6であるような10つの実施例がある。しかし基板温度は970℃、1020℃、1030℃であって、本発明の下限である1040℃以下である。特許文献2、3はピッチの広いマスクを使わないし、鉄ドープをしていない。本発明と特許文献2、3は3重の相違がある。
【0134】
特許文献8はファセット成長法の最初のものであるがピッチの大きいマスクを使わない。成長温度が1050℃である。5/3族比b=40である。鉄ドープしない。本発明と特許文献8は3つの点で異なる。
【0135】
特許文献9、10はピッチの広いマスクを使う。成長温度が1030℃、1050℃である時、5/3族比b=12、12.5、15倍である。5/3族比b=8である時温度は1010℃である。これも鉄ドープしない。本発明のII型は特許文献9、10は2つの点で異なる。本発明のI型は表面がほぼ平坦だから、特許文献9、10と3つの点で異なる。
【0136】
特許文献11は鉄ドープする唯一の文献である。MOCVD法で温度1000℃、5/3族比b=50倍、HVPEで温度1000℃、5/3族比b=50倍である。マスクを使わない。本発明と特許文献は、成長温度、5/3族比b、マスク有無の3つの点で異なる。
【発明の効果】
【0137】
鉄をドープしたのでこれが内在的なドナーを打ち消して、比抵抗が107Ωcm以上の半絶縁性窒化物半導体基板を得ることができる。
【0138】
繰り返しピッチの大きいマスクを下地基板に形成してその上に結晶成長するので、内部に結晶欠陥集合領域Hや低欠陥単結晶領域Z、C面成長領域Yなど異なる組織の構造ができる。それが内部応力を緩和するので、反りが少ない結晶を得ることができる。
【0139】
繰り返しピッチの大きいマスクを下地基板に形成してその上に結晶成長するので、内部に結晶欠陥集合領域Hや低欠陥単結晶領域Z、C面成長領域Yなど異なる組織の構造ができる。それが内部応力を緩和するのでクラックの発生が少ない基板を得ることができる。
【0140】
成長温度を1040℃〜1150℃の高温とし、5/3族比bを1〜10という低い値とするので繰り返しピッチの大きいマスクを形成した下地基板の上でも表面のかなり平坦な結晶を成長でき、それによって酸素の混入をかなり防ぐことができる。
【0141】
酸素の混入を防ぐことができるので結晶構造の乱れが少なく、反り、クラックが少なくなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0142】
特許文献11は、基板温度を1000℃にし、5/3族比bを50倍にしてサファイヤ基板の上に鉄ドープGaNを成長させる。特許文献11のように、下地基板に直接に鉄ドープGaNを気相成長すると、異質の鉄が入り格子構造を歪める。不純物濃度(鉄濃度)が高いと大きい応力が生じ応力緩和できず、内部歪みが大きくなりクラック、反りが大きくなる。内部応力を緩和しないと、反り、クラックを抑制しつつ高濃度にFeドープできない。
【0143】
特許文献8、9、10で提案されたファセット成長法は、下地基板の上に露呈部の広いマスクを設け、マスクの上に結晶欠陥を集中させることにより周辺部(Z、Y)での転位を減らす作用がある。それらは転位の減少を意図していた。
【0144】
半絶縁性基板の場合は大電流、高電圧に耐えるため転位密度が低いことが望ましい。
【0145】
さらに、特許文献8、9、10のファセット成長法は、異なる構造の部分H、Z、Yが結晶中に発生するのでそれが応力を緩和する。そのために反りを減らしクラック発生を抑制するという効果もあることが分かってきた。
【0146】
それで本発明は、鉄ドープのGaN結晶を作る場合もファセット成長の手法を利用する。ファセット成長法は特許文献8のようにマスクの無いものもあるが、特許文献9、10のように、マスクを下地基板に付けてH、Z、Yの部分ができる位置を予め指定できるものもある。
【0147】
欠陥の集結した結晶欠陥集合領域Hと、欠陥の少ない低欠陥単結晶領域Z、C面成長領域Yとが交替する構造は内部応力を緩和できる。不純物ドープにより歪みがあってもその応力を減殺できる。
【0148】
従ってマスクを付けファセット成長する手法は、高濃度に不純物を入れる鉄ドープGaN結晶の製造に有用である。
【0149】
マスク被覆部で結晶の成長が遅れ露呈部では成長が先行するのでファセットができ、転位密度は減少する。ところがファセットがあると特許文献7にあるようにファセットを通じて酸素が余計に結晶内部にドープされることが分かってきた。
【0150】
酸素は特許文献6にあるようにn型キャリヤを発生するので鉄ドープの効果を減殺する。酸素が取り込まれるとそれを補償する為に大量の鉄原子をドープしなければならない。そうなると酸素も鉄も高濃度に結晶に含まれることになる。
【0151】
酸素も鉄もGaNの本来の構成要素でない。大量にドープされると結晶の格子構造を乱す。高濃度の酸素、鉄の添加は結晶の規則性を低下させる。それは転位密度を高めるし内部応力を増やして反りを大きくする。クラックの発生率も上がる。半絶縁性にするため鉄ドープは仕方がない。しかし酸素は不要である。よって酸素濃度をできるだけ低く抑えたい。例えば、原料ガスをできるだけ精製し酸素、水分を除去するということが必要になる。しかしそれでも水分を完全に除去するのは難しい。原料ガスに幾分の酸素、水分が残る。
【0152】
酸素は特許文献7のようにC面からは入り難くファセットを通して容易に入る。ということは酸素混入を減らすにはファセットを作らずC面で成長させる、ということが有望だと思われる。
【0153】
特許文献8、9、10より以前はC面成長をしていたわけである。よって特許文献1〜5のそれまでの通常のC面成長に戻るということも考えられる。しかしそれは特許文献11と同じことになる。クラックや反りの点で満足できない。
【0154】
特許文献8、9、10のファセット成長法は転位を減らすだけでなく内部応力を減らし反りを軽減する作用がある。転位減少効果ではなく内部応力減少効果が要求されるのである。それで本発明者は、特許文献9、10のような被覆部より露呈部が広く被覆部、露呈部のピッチが大きいというようなマスクを使い、温度と5/3族比bを適当な範囲に制御し、ファセットを抑制することによって、反りが小さくクラックの発生の少ない結晶成長をするということに思い到った。
【0155】
例えば50μm幅の平行マスクを500μm間隔で設けた基板の上にファセットを作らないで成長させる、それにはどうすれば良いのか?そのためには成長温度をより高くし、3族原料(Gaなど)をより多く供給すると良いということが分かってきた。
【0156】
1080℃以上の高い温度で5/3族比bが1〜10のように低いと、ピッチの大きいマスクの上であってもC面を保持して成長するようになることが分かってきた。1090℃以上で5/3族比bを1〜5にするとより確実にC面を維持して成長するようである。図21に示す通りである。1110℃の基板温度であると5/3族比bが1〜10でファセットを作らないで結晶成長する。すると酸素があまり入らない。酸素は鉄ドープの作用を打ち消すのであるが、酸素が入らないと鉄ドープの効果が強く現れる。そのため窒化物半導体結晶は半絶縁性になるのである。マスクの上に成長させるから、H、Z、Yのような異質の部分が生成される。それが内部応力を減少させるので反り、クラックを減らす。
【0157】
酸素が入ってもそれを打ち消す量の鉄をドープすれば良い。不純物がたくさん入っても内部応力が小さければ良い。既に述べたように、H、Z、Yなどの異質の部分が混在する構造があれば反りやクラックを減らすことができる。それで温度を少し下げても、マスク構造があれば応力を減らすことができる。より低温の1040℃程度まで基板温度を下げてマスク構造の上に窒化物半導体結晶を成長させる。すると、C面成長でなくファセット成長になる。図20のようになる。ファセットFを作りながら成長するのであるが、5/3族比bが低いとある程度酸素の侵入を防ぐことができるようである。 さらに、成長初期はファセット成長させるように温度、5/3族比bを適当な範囲に制御して転位と内部応力を減らし、次にC面成長させるように温度、5/3族比を適当な範囲に制御して酸素の取り込み量を減らして少ないFeドープ量で高抵抗のGaN基板を作製することもできる。
【0158】
区別するため、図21のように成長後に表面平坦な結晶をI型と呼ぶ。図20のような表面が山谷形のものをII型と呼ぶことにする。
【0159】
5/3族比bが1〜10のように低くて、温度が1040℃〜1070℃である場合、II型の結晶(図20)ができる。結晶欠陥集合領域Hが低く、ファセットが続いて低欠陥単結晶領域Zがその下にできる。これはストライプ型マスクを使いC面がない極限の場合の断面図を書いている。ストライプマスクの場合でも中間にC面があり、C面成長領域Yが存在する場合もある。ドットマスクの場合は必ずC面があり、C面成長領域Yが存在する。
【0160】
5/3族比bが1〜10のように低く、温度が1090℃〜1150℃のように高いと、I型の結晶(図21)ができる。表面は平坦であり、マスクの直上には結晶欠陥集合領域Hがありそれらが表面に露呈している。そのほかの部分は低欠陥単結晶領域ZとC面成長領域Yの混合である。
【0161】
温度がそれらの中間の場合(1070℃〜1090℃)は混合型となる。図24のような台形形状の結晶ができる。マスクの上には結晶欠陥集合領域Hができる。露呈部の上には低欠陥単結晶領域Z、C面成長領域Yができる。
【0162】
マスクの上に生成する結晶欠陥集合領域Hは、これまでの研究でかなりのことが分かってきた。結晶欠陥集合領域Hはコアと簡単に呼ぶこともある。結晶欠陥集合領域Hは転位を集めた部分である。
【0163】
結晶欠陥集合領域Hには3つの異なる場合がある。
【0164】
1つは多結晶である。方位の異なる結晶粒が多数存在する。
【0165】
もう1つの場合は方位が他の部分(Z、Y)と異なる単結晶である。他の部分はc軸が上向きになる単結晶である。c軸が斜めになる単結晶ということがある。そのような結晶欠陥集合領域Hは傾斜層と呼ぶ。
【0166】
残りの1つの場合はc軸が下を向くような単結晶である。つまり他の部分(Z、Y)と結晶軸の方向が全く反転している単結晶なのである。それを反転層と呼ぶ。反転層が最も転位を閉じ込める力が大きい。次いでc軸が傾いた単結晶である傾斜層が転位を閉じ込める力がある。多結晶は転位を捕獲しておく力が最も弱い。
【0167】
ドット型ストライプ型の何れの場合も下地基板に設けるマスクはELO(1〜2μm直径、3〜5μmピッチ;露呈部狭小)よりずっとピッチが大きくて露呈部が広い。よってZ、Y、Hのような異なる部分からなる構造を持つことができるのである。
【0168】
マスクの寸法はストライプマスクの場合、被覆部幅sが10μm〜100μmとする。隣接被覆部間隔wは250μm〜2000μmとする。図25にそれを示す。
【0169】
ドットマスクの場合は被覆部直径sが10μm〜100μmとする。被覆部の間隔wは250μm〜2000μmとする。図26にそれを示す。マスク部直径が10μm未満であると結晶欠陥集合領域Hの形成維持が巧くいかない。結晶欠陥集合領域Hができても途中で消失する。間隔が2000μmを越えてもHZY構造はできるのであるが結晶がかなり厚くないと結晶欠陥集合領域Hによる転位の完全な捕獲ができない。
【0170】
ELO法のようにマスクの寸法が小さい場合は結晶成長と共に表面が平坦(C面)になりマスクの影響はすぐになくなってしまう。しかしマスクの寸法が大きいと成長が進んでもなかなか表面が平坦にならない。ファセット成長法(特許文献9、10)は最後までファセットを維持して転位を減らすものである。
【0171】
さらに問題は反りやクラックである。特許文献11のようにマスク無しの下地基板の上に鉄ドープGaNをC面成長させると自立基板とした時に割れたり強く反ったりする。
【0172】
本発明は内部にZ、H、Yなど異質の構造部を混在させることによって内部応力を減らす。そのためにピッチpの広い(間隔w、幅s共に広い;p=s+w)マスクを使ってZ、H、Yなどの構造物を作る。しかしファセットが優越すると酸素が入ってしまうので、温度を上げ5/3族比bを下げてなるべく平坦表面のI型になるようにして結晶を作る。I型が一層望ましい。
【0173】
しかしII型でも半絶縁性になり、反りやクラックも満足できる範囲にあるのでII型も利用可能であり、本発明の範囲に含まれる。
【0174】
上に述べたような直径(幅)、間隔の広いマスクを下地基板に形成し、基板温度を1040℃以上に高くして、HVPE法で、5/3族比bが1〜10の5族、3族原料と鉄化合物ガス原料を供給しながら、下地基板の上に窒化物半導体結晶を合成し、下地基板を除去する。酸素量が比較的少なく、反りが少なく、クラック発生率が低い自立鉄ドープ窒化物半導体結晶を作るというのが本発明の骨子である。
【実施例1】
【0175】
(111)Ga面のGaAsを下地基板としドットマスク或いはストライプマスクを形成した。マスクはSiO2であり厚みは60nm〜200nmである。マスクの寸法(s,w,p)については後に述べる。その上にGaN膜をHVPE法によって成長させた。初めにバッファ層を形成し、次いで厚いエピタキシャル成長層を形成した。バッファ層の条件は以下のようである。
【0176】
バッファ層の成長の条件
基板温度 500℃〜550℃
GaCl分圧 PGaCl=80Pa (0.0008atm)
NH3分圧 PNHE3=16kPa (0.16atm )
バッファ層膜厚 50nm
【0177】
バッファ層成長時の5/3族比bはb=200である。本発明では成長温度と5/3族比bを重視するがそれはエピタキシャル成長(厚膜成長)時の値であり、バッファ層形成時の5/3族比bは問題にしていない。
【0178】
基板内に、「クラックが発生した」というのは長さが2.0mm以上の表面線状割れが生じた場合、或いは0.5mm〜2.0mmの表面線状割れが3本以上生じた場合、或いは0.3mm〜0.5mmの表面線状割れが21本以上発生したことを言う。
【0179】
基板内に、「クラックが生じない」というのは、2.0mm以上の表面線状割れが0で、0.5mm〜2.0mmの線状割れが2本以下であり、0.3mm〜0.5mmの割れが20本以下であることをいう。
【0180】
クラック発生率(%)というのは成長させた基板の内、クラックが発生した基板の枚数を全体の基板の枚数で割って100を掛けた値である。ドナー密度Dというのはn型不純物の濃度を言う。ここではSiをドープしていないのでドナーは酸素(O)である。つまりドナー密度Dというのはドナー準位を作る酸素濃度ということである。酸素濃度、鉄濃度共にSIMSによって測定した。
【0181】
基板の反りUは曲率半径R(m)で表現する。
【0182】
たくさんの実験を繰り返し行った。
【0183】
ここで45個の試料について述べる。試料に1〜45の番号を付ける。1〜36、44、45は本発明の実施例である。試料37〜43は比較例である。試料1〜36、44、45の実施例の内、試料1〜21、44はI型(平坦表面)である。試料22〜36、45はII型(山形)である。
【0184】
比較例はマスクを下地基板に付けておらず平坦下地基板の上に直接に結晶を気相成長させている。比較例37〜43はマスクの影響を確かめるために特に実験したもので従来技術ではない。温度、5/3族比bは本発明の限定の範囲内としたものもある。
【0185】
表1に、試料番号、コア間隔(μm)、コア幅(μm)、成長温度(℃)、PGa(GaCl分圧;kPa)、PN(アンモニア分圧;kPa)、基板寸法(mm、インチ(″)、厚み(μm)、コアの種類、結晶面タイプ、Fe密度(cm−3)、ドナー密度(酸素量;cm−3)、比抵抗(Ωcm)、クラック発生率(%)、反り(反りの曲率半径;m)を示す。
【0186】
【表1】
【0187】
[実施例A:半絶縁性基板の実施例]
[試料1(実施例;I型)]
18mm角の正方形GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。18mm角の矩形ウエハ−を下地基板に使ったのが試料1の特徴である。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。
【0188】
GaAs基板を加工除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。鉄の取り込み量が少ない。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性がやや低いのは鉄密度が低いからである。しかしそれでも半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは4%であった。クラック発生率は極めて低い。全試料の中で最小である。反りはU=5.6mである。反りは十分に小さい。
【0189】
[試料2(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。
【0190】
GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。鉄の取り込み量が少ない。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性がやや低いのは鉄密度が低いからである。しかしそれでも半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは12%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=5.2mである。反りは十分に小さい。
【0191】
[試料3(実施例;I型)]
3インチ(75mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。これは基板の寸法が大きいというところが特徴である。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。
【0192】
GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。鉄の取り込み量が少ない。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性がやや低いのは鉄密度が低いからである。しかしそれでも半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは18%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=6.0mである。反りは十分に小さい。
【0193】
[試料4(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。
【0194】
GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1016cm−3である。鉄の取り込み量が少ない。比抵抗は1×106Ωcmであった。絶縁性がやや低いのは鉄密度が低いからである。しかしそれでも半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは12%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=5.8mである。反りは十分に小さい。
【0195】
[試料5(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=10kPa(0.1atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0196】
5/3族比bはb=1である。この試料は5/3族比bを1にしたのが特徴である。GaNの成長でこのように5/3族比bが低いということは嘗てなかった。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1016cm−3である。鉄の取り込み量が少ない。比抵抗は1×106Ωcmであった。絶縁性がやや低いのは鉄密度が低いからである。しかしそれでも半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは12%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=5.9mである。反りは十分に小さい。
【0197】
[試料6(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=3.3kPa(0.033atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。5/3族比bはb=3である。この試料は5/3族比bを3にしたのが特徴である。
【0198】
コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1016cm−3である。鉄の取り込み量が少ない。比抵抗は1×106Ωcmであった。絶縁性がやや低いのは鉄密度が低いからである。しかしそれでも半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは15%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=5.8mである。反りは十分に小さい。
【0199】
[試料7(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0200】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1019cm−3である。多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×1011Ωcmであった。極めて高い絶縁性である。絶縁性が高いのは酸素(ドナー)が少なく鉄濃度が高いからである。半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは26%であった。クラック発生率はやや低い。反りはU=5.6mである。反りは十分に小さい。これは絶縁性の高いところが特徴である。
【0201】
[試料8(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0202】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=5×1019cm−3である。極めて多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×1012Ωcmであった。頗る高い絶縁性である。絶縁性が高いのは酸素(ドナー)が少なく鉄濃度が高いからである。半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは20%であった。クラック発生率はやや低い。反りはU=5.9mである。反りは十分に小さい。これは絶縁性の特に高いところが特徴である。
【0203】
[試料9(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。
【0204】
GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は多結晶Pである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。かなりの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。しかし半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは16%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=5.7mである。反りは十分に小さい。マスク上の結晶が反転層Jでなく多結晶Pとなっているところがこの特徴である。クラックや反り、比抵抗などはマスク上の結晶が反転層Jとなっている場合とあまり変わりがない。
【0205】
[試料10(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0206】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は傾斜層Aである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。かなりの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。しかし半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは17%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=5.9mである。反りは十分に小さい。マスク上の結晶が反転層Jでなく傾斜層Aとなっているところがこの特徴である。クラックや反り、比抵抗などはマスク上の結晶が反転層Jとなっている場合とあまり変わりがない。
【0207】
[試料11(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=10μmの平行ストライプマスクを形成した。これはストライプマスク幅sを10μm(0.01mm)まで狭くしたところに特徴がある。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0208】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。かなりの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。しかし半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは17%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=5.2mである。反りは十分に小さい。マスク幅sが小さいと反りがより大きく或いは小さくなる可能性があるがs=10μmとしても反りはあまり大きくならない。s=10μmでもs=50μmでも反りは似たようなものである。
【0209】
[試料12(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=25μmの平行ストライプマスクを形成した。これはストライプマスク幅sを25μm(0.025mm)まで狭くしたところに特徴がある。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。5/3族比bはb=2.5である。
【0210】
コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。甚だ低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。かなりの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。しかし半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは19%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=5.2mである。反りは十分に小さい。マスク幅sが小さいと反りがより大きく或いは小さくなる可能性があるが、s=25μmとしても反りはあまり大きくならない。s=25μmでもs=50μmでも反りは似たようなものである。
【0211】
[試料13(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=100μmの平行ストライプマスクを形成した。これはストライプマスク幅sを100μm(0.1mm)まで広げたところに特徴がある。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。
【0212】
ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。かなりの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。しかし半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは19%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=5.1mである。反りは十分に小さい。マスク幅sが大きいと反りがより大きく或いは小さくなる可能性があるが、s=100μmとしても反りはあまり大きくならない。s=100μmでもs=50μmでも反りは似たようなものである。
【0213】
[試料14(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=250μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。これはストライプ間隔wを250μm(0.25mm)まで狭めたところに特徴がある。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0214】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。かなりの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。しかし半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは18%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=6.0mである。反りは十分に小さい。コア間隔wが狭いと反りがより小さくクラックがより減少する可能性があるがw=500μmでもw=250μmでも反りやクラックはあまり変わらない。
【0215】
[試料15(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=750μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。これはストライプ間隔wを750μm(0.75mm)まで広げたところに特徴がある。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。
【0216】
ドナー密度はD=1×1015cm−3である。低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。かなりの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。しかし半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは18%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=5.9mである。反りは十分に小さい。コア間隔wが広いと反りが大きくなる可能性があるが、w=750μmであってもまだ反りは大きくならないということである。
【0217】
[試料16(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=1000μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。これはストライプ間隔wを1000μm(1mm)まで広げたところに特徴がある。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0218】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。かなりの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。しかし半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは17%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=5.7mである。反りは十分に小さい。コア間隔wが大きいと反りが大きくなる可能性があるがw=1000μmであってもまだ反りは大きくならないということである。
【0219】
[試料17(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=1500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。これはストライプ間隔wを1500μm(1.5mm)まで広げたところに特徴がある。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0220】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。かなりの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。しかし半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは19%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=3.9mである。反りはやや大きい。反りUの大きいのはコア間隔wが広い(w=1500μm)からであろう。許容最大反りUcが2m〜3.5mである場合この試料の基板も使用可能である。許容最大反りUcが4m〜5mの場合この試料は不合格となる。許される反りの最大値Ucの値は目的によって異なる。
【0221】
[試料18(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=2000μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。これはストライプ間隔wを2000μm(2mm)まで広げたところに特徴がある。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。
【0222】
結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。かなりの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。しかし半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは17%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=3.3mである。反りはやや大きい。反りUの大きいのはコア間隔wが広い(w=2000μm)からであろう。許容最大反りUcが2m〜3mである場合この試料の基板も使用可能である。許容最大反りUcが3.5m〜5mの場合この試料は不合格となる。許される反りの最大値Ucの値は目的によって異なる。
【0223】
[試料19(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0224】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1017cm−3である。かなり高いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。かなりの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×105Ωcmであった。絶縁性は極めて低い。それでも半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは24%であった。クラック発生はやや多いが使用可能な半絶縁性基板である。反りはU=5.5mである。反りは小さい。
【0225】
[試料20(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0226】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1017cm−3である。かなり高いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1019cm−3である。多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性はあまり高くない。それでも半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは16%であった。クラック発生の少ない良い半絶縁性基板である。反りはU=5.2mである。反りは小さい。
【0227】
[試料21(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はまずTg=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長した後、Tq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが1000μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して1100℃で成長した部分からGaN基板を切出して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0228】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1017cm−3である。かなり高いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=5×1019cm−3である。多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×108Ωcmであった。絶縁性はやや高い。半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは27%であった。クラック発生がかなり多いが使用可能な半絶縁性基板である。反りはU=5.3mである。反りは小さい。
【0229】
[試料22(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0230】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。かなりの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性はあまり高くない。しかしそれでも半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは17%であった。クラック発生の少ない良い半絶縁性基板である。反りはU=5.0mである。反りは小さい。
【0231】
[試料23(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0232】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1016cm−3である。かなりの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×106Ωcmであった。絶縁性はやや低い。それでも半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは13%であった。クラック発生の少ない良い半絶縁性基板である。反りはU=5.5mである。反りは小さい。
【0233】
[試料24(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0234】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1017cm−3である。かなり高い値である。鉄密度(Fe)はF=1×1019cm−3である。多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。しかし半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは16%であった。クラック発生の少ない良い半絶縁性基板である。反りはU=5.7mである。反りは小さい。
【0235】
[試料25(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0236】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1017cm−3である。かなり高い値である。鉄密度(Fe)はF=5×1019cm−3である。極めて多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×108Ωcmであった。絶縁性はやや高い。半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは29%であった。かなり大きい値であるが有用な基板である。反りはU=5.3mである。反りは小さい。
【0237】
[試料26(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0238】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1019cm−3である。極めて高い値である。鉄密度(Fe)はF=7×1019cm−3である。極めて多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×105Ωcmであった。絶縁性は極めて低い。しかし半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは29%であった。かなり大きい値であるが有用な基板である。反りはU=6.0mである。反りは小さい。
【0239】
[試料27(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0240】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1019cm−3である。極めて高い値である。鉄密度(Fe)はF=8×1019cm−3である。極めて多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。しかし半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは28%であった。かなり大きい値であるが有用な基板である。反りはU=5.1mである。反りは小さい。
【0241】
[試料28(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0242】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1017cm−3である。かなり高い値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。やや鉄の取り込みが少ない。比抵抗は1×105Ωcmであった。絶縁性は極めて低い。しかし半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは23%であった。かなり大きい値であるが有用な基板である。反りはU=5.7mである。反りは小さい。
【0243】
[試料29(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0244】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。低い値である。鉄密度(Fe)はF=1×1019cm−3である。多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×1011Ωcmであった。絶縁性は極めて高い。半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは27%であった。かなり大きい値であるが有用な基板である。反りはU=5.4mである。反りは小さい。
【0245】
[試料30(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0246】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。低い値である。鉄密度(Fe)はF=5×1019cm−3である。極めて多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×1012Ωcmであった。絶縁性は極めて高い。クラック発生率Kは18%であった。これはかなり低い値である。反りはU=5.7mである。反りが小さい。
【0247】
[試料31(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0248】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1019cm−3である。非常に高い値である。鉄密度(Fe)はF=7×1019cm−3である。極めて多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×105Ωcmであった。絶縁性は極めて低い。クラック発生率Kは27%であった。これはかなり高い値であるがそれでも有用な基板である。反りはU=6.0mである。反りが小さい。
【0249】
[試料32(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0250】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1019cm−3である。極めて高い値である。鉄密度(Fe)はF=8×1019cm−3である。極めて多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。クラック発生率Kは29%であった。これはかなり高い値であるがそれでも有用な基板である。反りはU=5.6mである。反りが小さいということである。
【0251】
[試料33(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0252】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。低いドナー密度である。鉄密度(Fe)はF=7×1019cm−3である。極めて多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は3×1012Ωcmであった。絶縁性は極めて高い。クラック発生率Kは27%であった。これはかなり高い値であるがそれでも有用な基板である。反りはU=5.5mである。反りが小さいということである。
【0253】
[試料34(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0254】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。低い値である。II型であるから酸素が大量にドープされる。鉄密度(Fe)はF=8×1019cm−3である。極めて多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は5×1012Ωcmであった。絶縁性は極めて高い。クラック発生率Kは28%であった。これはかなり高い値であるがそれでも有用な基板である。反りはU=5.0mである。反りが小さいということである。
【0255】
[試料35(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=2kPa(0.02atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。
【0256】
GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。5/3族比bはb=5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1019cm−3である。II型であるから酸素が大量にドープされる。鉄密度(Fe)はF=7×1019cm−3である。極めて多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×105Ωcmであった。絶縁性は極めて低い。クラック発生率Kは29%であった。これはかなり高い値であるがそれでも有用な基板である。反りはU=5.0mである。反りが小さいということである。
【0257】
[試料36(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=1kPa(0.01atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。
【0258】
GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。5/3族比bはb=10である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1019cm−3である。極めて高い値である。II型であるから酸素が大量にドープされる。鉄量(Fe)はF=8×1019cm−3である。極めて多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。クラック発生率Kは28%であった。これはかなり高い値であるがそれでも有用な基板である。反りはU=5.0mである。反りが小さいということである。
【0259】
[試料37(比較例;マスク無し)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、マスクを形成しない。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。マスクがないのでコアが存在しない。基板の上に一様に平坦なC面の結晶が成長する。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0260】
5/3族比bはb=2.5である。表面に露呈した結晶面はC面である。C面が平坦面となっている。マスクがないのでC面成長となっている。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。C面成長なので酸素(ドナー)が結晶内部へ入り難くドナー密度が極めて低い。酸素が殆どドープされない。鉄量(Fe)はF=1×1017cm−3である。かなりの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。クラック発生率Kは77%であった。きわめて高い値である。反りはU=1.4mである。甚だ反りが大きいということである。マスクを下地基板に作ることなくGaNを成長させたからである。デバイスをその上に形成する基板としては不適である。
【0261】
[試料38(比較例;マスク無し)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、マスクを形成しない。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。マスクがないのでコアが存在しない。基板の上に一様に平坦なC面の結晶が成長する。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0262】
5/3族比bはb=2.5である。表面に露呈した結晶面はC面である。C面が平坦面となっている。マスクがないのでC面成長となっている。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。C面成長なので酸素(ドナー)が結晶内部へ入り難くドナー密度が極めて低い。酸素が殆どドープされない。鉄量(Fe)はF=1×1016cm−3である。鉄の取り込み量は非常に少ない。比抵抗は1×106Ωcmであった。絶縁性はやや低い。クラック発生率Kは75%であった。極めて高い値である。反りはU=1.6mである。甚だ反りが大きいということである。マスクを下地基板に作ることなくGaNを成長させたからである。デバイスをその上に形成する基板としては不適である。
【0263】
[試料39(比較例;マスク無し)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、マスクを形成しない。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1030℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。マスクがないのでコアが存在しない。基板の上に一様に平坦なC面の結晶が成長する。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0264】
5/3族比bはb=2.5である。表面に露呈した結晶面はC面である。C面が平坦面となっている。マスクがないのでC面成長となっている。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。C面成長なので酸素(ドナー)が結晶内部へ入り難くドナー密度が極めて低い。酸素が殆どドープされない。鉄量(Fe)はF=1×1019cm−3である。鉄がかなり高濃度に取り込まれている。比抵抗は1×1011Ωcmであった。絶縁性は高い。クラック発生率Kは88%であった。極めて高い値である。反りはU=1.9mである。甚だ反りが大きいということである。デバイスをその上に形成する基板としては不適である。
【0265】
[試料40(比較例;マスク無し)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、マスクを形成しない。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1030℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。マスクがないのでコアが存在しない。基板の上に一様に平坦なC面の結晶が成長する。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0266】
5/3族比bはb=2.5である。表面に露呈した結晶面はC面である。C面が平坦面となっている。マスクがないのでC面成長となっている。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。C面成長なので酸素(ドナー)が結晶内部へ入り難くドナー密度が極めて低い。酸素が殆どドープされない。鉄量(Fe)はF=5×1019cm−3である。鉄が高濃度に取り込まれている。比抵抗は1×1012
cmであった。絶縁性は高い。クラック発生率Kは97%であった。極めて高い値である。反りはU=1.8mである。甚だ反りが大きいということである。デバイスをその上に形成する基板としては不適である。
【0267】
[試料41(比較例;マスク無し)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、マスクを形成しない。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1010℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。マスクがないのでコアが存在しない。基板の上に一様に平坦なC面の結晶が成長する。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0268】
5/3族比bはb=2.5である。表面に露呈した結晶面はC面である。C面が平坦面となっている。マスクがないのでC面成長となっている。ドナー密度はD=1×1017cm−3である。C面成長ではあるが、かなり高いドナー密度を有する。鉄量(Fe)はF=1×1017cm−3である。鉄がかなり取り込まれている。比抵抗は1×105
cmであった。絶縁性は非常に低い。クラック発生率Kは68%であった。高い値である。反りはU=1.4mである。甚だ反りが大きいということである。デバイスをその上に形成する基板としては不適である。
【0269】
[試料42(比較例;マスク無し)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、マスクを形成しない。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1010℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。マスクがないのでコアが存在しない。基板の上に一様に平坦なC面の結晶が成長する。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0270】
5/3族比bはb=2.5である。表面に露呈した結晶面はC面である。C面が平坦面となっている。マスクがないのでC面成長となっている。ドナー密度はD=1×1017cm−3である。C面成長ではあるが、かなり高いドナー密度を有する。鉄量(Fe)はF=1×1019cm−3である。鉄が高濃度に取り込まれている。比抵抗は1×107cmであった。絶縁性は高くない。クラック発生率Kは90%であった。極めて高い値である。反りはU=1.4mである。甚だ反りが大きいということである。デバイスをその上に形成する基板としては不適である。
【0271】
[試料43(比較例;マスク無し)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、マスクを形成しない。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。マスクがないのでコアが存在しない。基板の上に一様に平坦なC面の結晶が成長する。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0272】
5/3族比bはb=2.5である。表面に露呈した結晶面はC面である。C面が平坦面となっている。マスクがないのでC面成長となっている。ドナー密度はD=1×1017cm−3である。C面成長ではあるが、かなり高いドナー密度を有する。鉄量(Fe)はF=5×1019cm−3である。鉄が高濃度に取り込まれている。比抵抗は1×108cmであった。絶縁性はやや高い。クラック発生率Kは95%であった。極めて高い値である。反りはU=1.6mである。甚だ反りが大きいということである。マスクを形成しなかったからである。デバイスをその上に形成する基板としては不適である。
【0273】
[試料44(実施例;I型 ドットタイプ)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ドットコア間隔wがw=500μm、マスク径がs=50μmのドットマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1100℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。
【0274】
GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。鉄の取り込み量は多くない。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性がやや低いのは鉄密度が低いからである。しかしそれでも半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは20%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=3.2mである。
【0275】
[試料45(実施例;II型 ドットタイプ)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ドットコア間隔wがw=500μm、マスク径がs=50μmのドットマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0276】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。鉄の取り込み量は多くない。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性はあまり高くない。しかしそれでも半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは18%であった。クラック発生の少ない良い半絶縁性基板である。反りはU=4.0mである。反りは小さい。
【0277】
[実施例B:半絶縁性基板を用いたデバイスの実施例]
[ストライプ型半絶縁性基板を用いたデバイスの作製]
[デバイス試料46(実施例;I型)]
試料3で作製した結晶タイプI型の3インチ半絶縁基板(ストライプコア
間隔500μm、マスク幅50μm)比抵抗1×107Ωcmの基板上に有機金属気相成長法(OMVPE法)により、HEMT(高電子移動度トランジスタ)構造のエピタキシャルウエハーを作製した(図28)。OMVPE装置のリアクタにGaN基板を置き、水素、窒素、アンモニアを含むガスをリアクタ内に供給して、GaN基板の温度を1100℃において20分間熱処理を行なった。次に、GaN基板の温度を1130℃に昇温させ、アンモニア、トリメチルガリウム(TMG)をリアクタに供給して、厚さ1.5μmのGaNエピ層をGaN基板上に成長させた。トリメチルアルミニウム(TMA)、TMG、アンモニアをリアクタに供給して、厚さ30nm、Al組成20%のAlGaN膜を前記GaNエピ層上に成長させた。これらの工程によりエピタキシャル基板(図28)を作製した。
【0278】
次に、以下の工程により、HEMTデバイス(図29)を作製した。エピタキシャル基板(図28)の表面にフォトリソグラフィ、EB蒸着、リフトオフによりソース電極、及びドレイン電極を作製した。電極は、Ti/Al/Ti/Au(20/100/20/300nm)を用いた。リフトオフ後600℃、1分間の合金化熱処理を行なった。
【0279】
次に、同様な工程によりゲート電極を作製した。ゲートはストライプコア(欠陥集合領域)に平行な方向に配置し、ストライプコア上に形成しないように作製した。ゲート電極として、Ni/Au(50/500nm)を用いた。ゲート長は2μmであった。(これをデバイス試料46とする。)
【0280】
[デバイス試料47(比較例)]
比較試料47として、Feドープ半絶縁性ランダムコア基板上に、同様に、HEMT構造エピ成長を行い、HEMTを作製した。ランダムコアというのは結晶欠陥集合領域Hがランダムに分布している結晶ということである。下地基板の上にマスクを付けないでファセット成長させるとファセットピットがランダムに発生しそれが結晶欠陥集合領域Hとなるので、結晶欠陥集合領域H(コア)がランダムに分布するのである。
【0281】
[デバイス試料48(比較例)]
また、比較試料48としてサファイヤ基板上に、同様にして、HEMT構造エピ成長を行なった。エピ成長工程では、サファイヤ基板を1170℃、10分間熱処理を行い、次に種付け層を成長させ、その後、GaN基板の場合と同様にGaNエピ層、AlGaNエピ層を成長させ、エピタキシャル基板とした(図30)。次に同様の工程でHEMT作製を行なった(図31)。
【0282】
デバイス試料46、47、48のゲートリーク電流を比較した。ゲート電圧5Vにおいて、試料46ではゲート電流密度1×106A/cm2と小さい値が得られたが、試料47では1×103A/cm2、試料48では1×102A/cm2と試料46に比べ、ゲートリーク電流が大きく増加した。ゲートリーク電流が小さい方が、トランジスタのピンチオフが良好であるので、高性能なトランジスタが実現できる。
【0283】
デバイス試料47でゲートリーク電流が増加した原因は、ゲート電極下にランダムコアが存在しており、転位起因のリーク電流が増加したためと考えられる。
【0284】
デバイス試料48でゲートリーク電流が増加した原因は、基板がサファイヤであるためにエピ層中の転位密度が大きくなり(〜1×109/cm2)、転位起因のリーク電流が大きくなったためと考えられる。
以上より、本発明により、ゲートリーク電流が小さい高性能なHEMT及びHEMTエピタキシャル基板を実現できる。
【0285】
[実施例C:ドットタイプ半絶縁性基板を用いたデバイスの実施例]
[ドット型半絶縁性基板を用いたデバイスの作製]
[デバイス試料49(実施例;I型 ドットタイプ)]
試料44で作製した結晶タイプI型の2インチ半絶縁基板(ドットコア間隔500μm、マスク径50μm)比抵抗1×107Ωcmの基板上に有機金属気相成長法(OMVPE法)により、HEMT(高電子移動度トランジスタ)構造のエピタキシャルウエハーを作製した(図28)。OMVPE装置のリアクタにGaN基板を置き、水素、窒素、アンモニアを含むガスをリアクタ内に供給して、GaN基板の温度を1100℃において20分間熱処理を行なった。次に、GaN基板の温度を1130℃に昇温させ、アンモニア、トリメチルガリウム(TMG)をリアクタに供給して、厚さ1.5μmのGaNエピ層をGaN基板上に成長させた。トリメチルアルミニウム(TMA)、TMG、アンモニアをリアクタに供給して、厚さ30nm、Al組成20%のAlGaN膜を前記GaNエピ層上に成長させた。これらの工程によりエピタキシャル基板(図28)を作製した。
【0286】
次に、以下の工程により、HEMTデバイス(図29)を作製した。エピタキシャル基板(図28)の表面にフォトリソグラフィ、EB蒸着、リフトオフによりソース電極、及びドレイン電極を作製した。電極は、Ti/Al/Ti/Au(20/100/20/300nm)を用いた。リフトオフ後600℃、1分間の合金化熱処理を行なった。
【0287】
次に、同様な工程によりゲート電極を作製した。ゲート電極はドットコア領域(欠陥集合領域)上に形成しないように作製した。ゲート電極として、Ni/Au(50/500nm)を用いた。ゲート長は2μmであった。(これをデバイス試料49とする。)
【0288】
[デバイス試料50(比較例)]
比較試料50として、Feドープ半絶縁性ランダムコア基板上に、同様に、HEMT構造エピ成長を行い、HEMTを作製した。
【0289】
[デバイス試料51(比較例)]
また、比較試料51としてサファイヤ基板上に、同様にして、HEMT構造エピ成長を行なった。エピ成長工程では、サファイヤ基板を1170℃、10分間熱処理を行い、次に種付け層を成長させ、その後、GaN基板の場合と同様にGaNエピ層、AlGaNエピ層を成長させ、エピタキシャル基板とした(図30)。次に同様の工程でHEMT作製を行なった(図31)。
【0290】
デバイス試料49、50、51のゲートリーク電流を比較した。ゲート電圧5Vにおいて、試料49ではゲート電流密度1×106A/cm2と小さい値が得られたが、試料50では1×103A/cm2、試料51では1×102A/cm2と試料49に比べ、ゲートリーク電流が大きく増加した。ゲートリーク電流が小さい方が、トランジスタのピンチオフが良好であるので、高性能なトランジスタが実現できる。
【0291】
デバイス試料50でゲートリーク電流が増加した原因は、ゲート電極下にランダムコアが存在しており、転位起因のリーク電流が増加したためと考えられる。
【0292】
デバイス試料51でゲートリーク電流が増加した原因は、基板がサファイヤであるためにエピ層中の転位密度が大きくなり(〜1×109/cm2)、転位起因のリーク電流が大きくなったためと考えられる。
以上より、本発明により、ゲートリーク電流が小さい高性能なHEMT及びHEMTエピタキシャル基板を実現できる。
【0293】
以上の試料1〜36、44、45の実施例について、図22に温度、5/3族比bの値を白丸(II型)と白三角(I型)で示している。何れも、破線で囲まれた範囲(1040℃〜1150℃、5/3族比b=1〜10)にある。比較例37〜43は、温度と5/3族比bに関し、破線枠の内部に含まれるものも含まれないものもある。破線枠内部にあってもこれら比較例はクラックや反りの点で不適である。それはマスクを付けていないからである。比較例はマスクの効果を調べるためのものである。
【0294】
図23は試料1〜45について、反りの曲率半径(m)を横軸に、クラック発生率(%)を縦軸にして、点によって反り、クラック発生率を示したものである。添え数字は試料の番号を表す。白丸はI型の試料1〜21、44を示す。白三角はII型の試料22〜36、45を表す。白四角は比較例の試料37〜43に対応する。
【0295】
比較例の試料37〜43は強い反り(曲率半径が1m〜2m)を持ち、クラック発生率が68〜97%であり半導体デバイス作製の基板として不適当である。これは下地基板にマスクがないからである。
【0296】
I型とII型を比較すると反り(曲率半径)は5m〜6mの間にあってあまり変わらない。反りの曲率半径はI、II型の何れも3m以上である。3m〜7mの間に分布している。クラック発生率はいずれも30%以下である。クラック発生率がI型は4%〜27%の間にあり、大部分は10%〜20%の間に分布する。II型はクラック発生率が13%〜29%の間にあり、大部分は25%〜29%の間にある。クラックの点からI型の方がII型より優れている。I型、II型共に半絶縁性基板として利用できる。
【0297】
図27に試料1〜45のドナー密度(cm−3)と鉄(Fe)密度(cm−3)の分布をグラフにして示す。横軸がドナー(酸素)の密度、縦軸が鉄密度である。白丸がI型、白三角がII型、白四角が比較例を示す。添え字は試料の番号を表す。II型(白三角)がドナー密度が高いということが分かる。I型でドナー密度の高いものもあるが(試料19、20、21)大多数のI型はドナー密度が低い。
【0298】
II型では鉄ドープ量とドナー量が大体比例して増大するが、I型ではドナーが少なくても鉄量が多いというようにできる。この点でもI型がより優れている。
【0299】
さらに、I、II型の1〜36の試料と比較例37〜43の試料の転位密度をリン酸、硫酸のエッチング溶液200℃でエッチングすることで測定した。測定は微分干渉式光学顕微鏡の対物100倍を用いて、100×100μmの領域でエッチピットの数を数えることで行った。その結果、比較例37〜43の試料の転位密度(エッチピット密度)は何れも2×107〜108/cm2であるのに対して、1〜36の試料は何れも5×106/cm2以下であり、特に結晶の反りの曲率半径が4mを超えるものは2×106/cm2以下、5mを越えるものは105/cm2台以下、結晶面のタイプがIIであるものはIに比べて約半分であった。しかしながら、試料21は結晶面タイプがIであるにも拘らず、成長初期でファセット面成長しているため、曲率半径がほぼ同等の試料2、11、12、20と比較して約半分、タイプIIで曲率半径が同等の試料25と転位密度は同じであった。
また、試料1〜36の作製に用いたGaAs基板の替わりに、サファイヤ基板、SiC基板を用いても試料1〜36と同等の結晶面、Fe密度、ドナー密度、比抵抗、クラック発生率、反りの曲率半径を有する基板が得られた。
また、試料1〜36のGaN基板を下地基板にして試料1〜36と同様の条件で成長させた結果、試料1〜36と同等の結晶面、Fe密度、ドナー密度、比抵抗、クラック発生率、反りの曲率半径を有する基板が得られた。
【図面の簡単な説明】
【0300】
【図1】下地基板の上に形成され広い被覆部の中に多数の小さい窓(露呈部)が狭い繰り返しピッチで存在するマスクの平面図。
【0301】
【図2】下地基板の上にマスクを付けその上に窒化ガリウムを気相成長させる工程を説明するための工程図。
【0302】
【図3】結晶表面に、寸法の異なる多数のファセットピットがランダムに発生するランダムファセット成長法による結晶の一部斜視図。
【0303】
【図4】ファセットピットを成長の終了まで維持するファセット成長において、成長方向と転位方向が平行なのでファセットピットの内部で転位がファセット法線方向に伸びファセットの境界に到り、境界を伝って下降しピット底部に集結することを説明するためのピット斜視図。
【0304】
【図5】ファセットピットを成長の終了まで維持するファセット成長において、成長方向と転位方向が平行なのでファセットピットの内部で転位がファセット法線方向に伸びファセットの境界に到り、境界を伝って下降しピット底部に集結することを説明するためのピット平面図。
【0305】
【図6】ファセットピットを成長終了まで維持するファセット成長を行うため、下地基板の上に形成され、多数の点状の被覆部が広い間隔をおいて規則正しく縦横に存在するドット型マスクの一部の平面図。
【0306】
【図7】ドット型マスクを設けた下地基板の上にGaN結晶を気相成長させ被覆部Mの上に底があるファセットピットを作り出したドット型ファセット成長法によるGaN結晶の表面の斜視図。
【0307】
【図8】ドット型マスクを設けた下地基板の上にGaN結晶を気相成長させ被覆部Mの上に底があるファセットピットを作り出したドット型ファセット成長法によるGaN結晶の平面図。
【0308】
【図9】ドット型マスクを設けた下地基板の上にGaN結晶を気相成長させ被覆部Mの上に底があるファセットピットを作り出しファセットピットが大きくなり、マスク上にも結晶欠陥集合領域Hが発生するまでの過程を示すファセット成長の工程毎の縦断面図。
【0309】
【図10】ファセットピットを成長終了まで維持するファセット成長を行うため、下地基板の上に形成され、平行線状の複数の被覆部が広い間隔をおいて規則正しく縦に存在するストライプ型マスクの一部の平面図。
【0310】
【図11】ストライプ型マスクを設けた下地基板の上にGaN結晶を気相成長させ、被覆部Mの上に谷が、被覆部中間に平坦頂面が、頂面と谷の間に傾斜したファセットが存在する多数の山谷構造を作り出したストライプ型ファセット成長法によるGaN結晶の平面図。
【0311】
【図12】ストライプ型マスクを設けた下地基板の上にGaN結晶を気相成長させ、被覆部Mの上に谷が、被覆部中間に平坦頂面が、頂面と谷の間に傾斜したファセットが存在する多数の山谷構造を作り出したストライプ型ファセット成長法によるGaN結晶の斜視図。
【0312】
【図13】ストライプ型マスクを設けた下地基板の上にGaN結晶を気相成長させ、被覆部Mの上に谷が、被覆部中間に尖鋭稜線が、尖鋭稜線と谷の間に傾斜したファセットが存在する多数の山谷構造を作り出したストライプ型ファセット成長法によるGaN結晶の平面図。
【0313】
【図14】ストライプ型マスクを設けた下地基板の上にGaN結晶を気相成長させ、被覆部Mの上に谷が、被覆部中間に尖鋭稜線が、尖鋭稜線と谷の間に傾斜したファセットが存在する多数の山谷構造を作り出したストライプ型ファセット成長法によるGaN結晶の斜視図。
【0314】
【図15】下地基板の上にストライプ型マスクを形成し、その上にGaNを気相成長させると、先に露呈部で成長が進行するので露呈部にC面とファセットを持つ結晶が成長しマスクの上には低い結晶欠陥集合領域Hができ、マスク直上は谷、マスク中間は山となる平行山谷構造となる過程を示す工程断面図。
【0315】
【図16】ストライプ型マスクファセット法において、図15より後でさらに結晶成長が進んでいき山が高く谷が大きくなっていく過程を示す工程断面図。
【0316】
【図17】特許文献7(特許第3826825号)が提案したもので、酸素はC面から殆ど入らずファセットを通って結晶に大量に取り込まれるという選択性があるので、ファセットを作ってc軸方向に結晶成長させることによって高濃度に酸素をドープできるようにしたGaN結晶の断面図。
【0317】
【図18】特許文献7(特許第3826825号)が提案したもので、酸素はC面から殆ど入らずファセットを通って結晶に大量に取り込まれるという選択性があるので、C面以外の表面を持つ結晶を作ってその上にGaNを結晶成長させることによって高濃度に酸素をドープできるようにしたGaN結晶の断面図。
【0318】
【図19】本発明の鉄ドープ窒化物半導体結晶を作り出すためのHVPE炉の断面図。
【0319】
【図20】本発明の手法で作製した山谷構造を持つII型の窒化物半導体結晶の形状を示す断面図。
【0320】
【図21】本発明の手法で作製した平坦表面を持つI型の窒化物半導体結晶の形状を示す断面図。
【0321】
【図22】従来技術を述べる特許文献1〜11の気相成長法と、本発明の気相成長法とにおいて、実施例毎に、成長温度と、5/3族比bを座標として示すグラフ。横軸は成長温度(℃)である。縦軸は5/3族比bを対数で表示するものである。
【0322】
【図23】本発明の実施例及び比較例である試料1〜43の反りの曲率半径(m)とクラック発生率(%)を、反りとクラックを横縦座標とする空間に点で示したグラフ。横に振った数字は試料番号である。白丸はI型、白三角はII型、白四角は比較例である。比較例は公知ではない。
【0323】
【図24】本発明の手法で作製した平坦面一部にファセット面を持つIとIIの混合型の窒化物半導体結晶の形状を示す断面図。
【0324】
【図25】複数平行被覆部よりなるストライプマスクを下地基板に形成してその上に窒化物半導体を気相成長させる本発明の手法においてストライプマスクの幅s、間隔wの寸法を示す平面図。
【0325】
【図26】縦横並列複数点状被覆部よりなるドットマスクを下地基板に形成してその上に窒化物半導体を気相成長させる本発明の手法においてドットマスクの直径s、間隔wの寸法を示す平面図。
【0326】
【図27】ドナー密度(cm−3)の対数と鉄密度(cm−3)の対数を横縦の座標とするグラフにおいて、本発明の明細書に記載したGaNの気相成長の試料1〜43を点で表したもの。数字は試料の番号である。白丸はI型、白三角はII型、白四角は比較例である。比較例は公知でない。
【0327】
【図28】SI−GaN(半絶縁性GaN)基板の上にGaN薄膜を成長させたエピタキシャル基板の縦断面図。
【0328】
【図29】SI−GaN(半絶縁性GaN)基板の上にGaN薄膜を成長させたエピタキシャル基板の上に電極を付けて作成したHEMTの縦断面図。
【0329】
【図30】サファイヤ基板の上にGaN薄膜を成長させたエピタキシャル基板の縦断面図。
【0330】
【図31】サファイヤ基板の上にGaN薄膜を成長させたエピタキシャル基板の上に電極を付けて作成したHEMTの縦断面図。
【符号の説明】
【0331】
U 下地基板
M マスク被覆部
E マスクによって覆われない露呈部
W マスクの窓
T 転位
G 結晶
F ファセット
C C面
P ファセットピット
V 成長方向
H 結晶欠陥集合領域 (閉鎖欠陥集合領域)
Z 低欠陥単結晶領域 (単結晶低転位随伴領域)
Y C面成長領域 (単結晶低転位余領域)
K 結晶粒界
s マスク被覆部の直径または幅
w マスク被覆部の間隔
p マスク被覆部の繰り返しピッチ
2 反応炉
3 ヒータ
4 Ga溜め
5 サセプタ
6 下地基板
7 第1原料ガス供給管
8 第2原料ガス供給管
9 ガス排出管
10第3原料ガス供給管
【技術分野】
【0001】
この発明は、半絶縁性の窒化物半導体基板とその製造方法並びに窒化物半導体エピタキシャル基板及び電界効果トランジスタに関する。窒化物半導体というのは窒化ガリウム(GaN)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化インジウム(InN)と混晶のInGaN、AlInGaNなどを指す。下地基板の上に付着した薄膜ではなく、自立した結晶基板を対象にする。ここでは主にGaNについて述べる。窒化ガリウム(GaN)はバンドギャップが広いので青色発光素子の材料として利用される。
【0002】
青色の発光ダイオード、半導体レーザなどの発光素子は従来、サファイヤ単結晶基板(α−Al2O3)の上にInGaN、GaN、AlInGaNなどの窒化物半導体薄膜結晶をエピタキシャル成長させることによって製造されてきた。サファイヤは窒化ガリウムと同じ六方晶系(hexagonal system)である。サファイヤC面結晶の上にGaNのC面薄膜を成長させる。
【0003】
しかしサファイヤ基板は絶縁性でありn電極を底面から取ることができないし、GaNの劈開面と、サファイヤ基板の劈開面が異なるので、切断用機械で分離しなければならず、手間と時間が掛かりチップ分離の歩留まりが悪いという難点がある。
【0004】
また窒化ガリウム(GaN)とサファイヤでは格子定数がかなり違う。サファイヤ基板上に成長させたGaNは多大の転位密度がある。また反りも大きい。そこで窒化ガリウム自体を基板とするため、窒化ガリウムで基板結晶を作製するという試みがなされた。窒化ガリウムはバンドギャップが広く青色発光素子の好適の材料として考えられてきた。発光素子の場合、底面にn電極、頂点にp電極を取るのが好都合なので導電性の高い基板が望まれる。
【0005】
窒化物半導体基板の製造もこれまでは自由電子密度の高いn型の窒化物半導体結晶の成長が目指されてきた。現在2インチ径のn型のGaNの自立基板を製造することが可能になっている。本発明はn型でなく半絶縁性の窒化物半導体の成長に関する。
【0006】
GaNはバンドギャップが広いということの他に電子デバイスとして用いた場合、優れた特質がある。例えば、電界効果トランジスタ(FET)の材料としては現在のところ殆どSiが使われている。しかし電子移動度や耐電圧特性などに関してはSi半導体よりもGaN半導体の方が優れていると思われている。GaNの電子移動度はSiより高いし、ブレークダウン電圧はSiより高い。もしもGaNによってFETを作ることができれば、Siよりも高速で大電流大電圧のFETとなる可能性がある。AlGaN/GaNのような接合を作れば、AlGaN/GaNの境界でやはり二次元電子ガスが生成されるだろうと言われている。二次元電子ガスは高速走行することであろう。
【0007】
本発明は従来のように光素子の材料としてではなく、FETの材料としての窒化物半導体結晶の製造を目指すものである。
【0008】
もしもGaN/AlGaN薄膜を利用したFETを作るとすれば、初めはサファイヤ基板の上に作るということになるであろう。FETはドレイン、ゲート、ソースの電極が半導体層の上に近接して形成され電流は水平に流れる。上面に並べてソース、ゲート、ドレイン電極を設ければ良い。基板内を縦方向に流れる発光素子の場合とはその点で異なる。
【0009】
FETの場合は裏面n電極の問題がないので絶縁性サファイヤ基板でも良いのであるが、やはり格子不整合という問題は残る。さらにコストの問題もありGaN系のFETはまだまだ実用化には遠い。
【0010】
しかしもしもGaNーFETを作る場合、格子整合の点から、サファイヤ基板よりもGaN結晶基板を使ってその上にGaN、AlGaNなどのエピタキシャル薄膜を形成してFETとする方が良いであろう。
【0011】
FETの基板であるから高伝導性のn型でなく、高抵抗の絶縁性のものが望まれる。これまでの発光素子用のGaN結晶基板に要求されてきた性質とは大きく異なる。本発明はFETの基板として用いることのできる絶縁性のGaN基板結晶の製造方法に関する。
【0012】
まずドーパントについて述べる。従来、青色発光素子のためにGaNやInGaNの薄膜が用いられてきた。p型にするにはMgやZnをドープする。n型にするにはSiをドープする。本発明者等はn型GaN基板とするために酸素をドープすれば良いことを最初に見出した。よってn型のドーパントはSi、Oである。それではGaN結晶を絶縁性にするためのドーパントに何を使うか、またどのような条件で作製するのか?という問題がある。
【背景技術】
【0013】
発光素子を製造するため、サファイヤ基板の上に窒化物半導体薄膜(GaN、InGaN、AlGaN薄膜)を形成する場合、MOCVD法が用いられることが多い。気相合成法であるから原料は気体の形で与えられる。窒素はアンモニア(NH3)の形で与えられる。MOCVD法は3族元素を有機金属の形で与える。ガリウム、インジウムなど3族元素の有機金属(トリメチルガリウム、トリエチルインジウムなど)とNH3を原料として加熱したサファイヤ基板の上に供給する。
【0014】
GaN系の半導体薄膜を気相合成法で作るにはHVPE法もよく使われる。これはGa金属融液を入れたGaボートをサセプタの上に設け、HClを吹き込んでGaClを合成しこれをGa原料とするものである。従って原料ガスはGaClとアンモニアである。
【0015】
ドーパントの問題であるが、GaNを絶縁性にするには鉄(Fe)をドープする。鉄(Fe)はGaNのバンドギャップの中に深い準位を形成しn型キャリヤ(自由電子)を捕獲するのでキャリヤが減少する。そのためにGaN結晶は半絶縁性となる。完全な絶縁性でないから半絶縁性(Semi−insulating;SI−GaN)と言うが、FETの基板とするには差し支えない程の高い抵抗率を持っている。気相成長の窒化物半導体の内部へ添加するのだから気体の鉄化合物を使う必要がある。例えばビスシクロペンタジエニル鉄((C5H5)2Fe)、ビスメチルシクロペンタジエニル鉄((CH3C5H4)2Fe)などを使う。
【0016】
特許文献1はGaAs基板の上に窓直径が1〜5μmで、窓ピッチが4μm〜10μmの)マスクを付けGaNバッファ層を形成し、その上にGaNを820℃又は970℃でMOCVD法により、又は970℃、1000℃、1010℃、1020℃、1030℃でHVPE法によりC面成長させて厚いGaN結晶を得るような手法を述べている。
【0017】
特許文献1は微細窓を持つマスクを使うものである。図1にマスクの一例の平面図を示す。広い被覆部Mの中に、多数の小さい窓Wが規則正しく並んでいるようなマスクである。窓Wから下地基板Uが露呈している。被覆部Mの方が開口部(窓W)より面積が広い。
【0018】
マスク法による転位低減の原理を図2によって説明する。図2(1)〜(7)はマスク法の結晶成長の様子の断面図を示す。図2(1)に示すように、マスクMはマスク材を下地基板Uの上に形成し小さい窓Wを規則正しく設けたものである。窒化ガリウムを気相成長させると窓Wの中だけに窒化ガリウム結晶Gができる。結晶Gと下地基板Uの境に多数の上向きの転位Tが発生する(図2(2))。
【0019】
成長が進むと窓W上の結晶の一部がマスクMの上に乗り上がりマスクの上を横方向に伸びていく(図2(3))。横方向に成長するので転位Tも横に伸びる。横面は低面指数のファセットFになる。図2(4)のように結晶Gは上方向にも横方向にも伸び円錐台形状になる。台の上面はC面(C)である。図2(5)のように隣接窓から伸びてきた結晶が接触する。転位Tは横向きに伸び転位Tが衝突する。それによって転位が打ち消し合う。
【0020】
図2(6)のようにファセットFの溝が埋められ小さくなっていく。やがてファセットの成す凹部が埋められて平坦な表面Cとなる。平坦表面はC面である。以後平坦なC面を表面として成長を続ける。転位Tは窓Wの上で多く、マスクMの上で少ない。
【0021】
特許文献1は成長温度や原料分圧などが具体的に示されているので重要な従来技術である。成長温度について引用文献1は次のように述べている。HVPE法の場合、成長温度は970℃、1000℃、1010℃、1020℃、1030℃である。MOCVD法の場合、成長温度は820℃、970℃である。
【0022】
HVPE法では原料はHCl、Ga融液、NH3である。3族原料はGa融液とHClガスを反応させGaClとする。供給される3族原料と5族原料の量ははGaClの分圧PGaClとNH3の分圧PNH3によって表現される。3族と5族原料の比率bはNH3分圧PNH3とGaClの分圧PGaClの比率によって表すことができる。つまりb=PNH3/PGaClというように定義される。
【0023】
マスク法によってできたGaN結晶の比抵抗rはr=0.005Ωcm〜0.08Ωcmの範囲にあるとしている。
【0024】
特許文献1の実施例で述べられたMOCVD法による成長条件は次のようである。
【0025】
成長温度Tq、NH3分圧PNH3、TMG分圧PTMG、5/3族比bの順に示す。
970℃ 20kPa 0.2kPa 100倍
970℃ 25kPa 0.2kPa 100倍
820℃ 20kPa 0.3kPa 67倍
970℃ 20kPa 0.2kPa 100倍
1000℃ 20kPa 0.4kPa 50倍
970℃ 25kPa 0.5kPa 50倍
【0026】
特許文献1の実施例で述べられたHVPE法による成長条件は次のようである。
【0027】
成長温度Tq、NH3分圧PNH3、HCl分圧PHCl、5/3族比bの順に示す。
970℃ 25kPa 2kPa 12.5倍
970℃ 25kPa 2.5kPa 10倍
970℃ 25kPa 0.5kPa 50倍
1000℃ 20kPa 2kPa 10倍
950℃ 25kPa 2kPa 12.5倍
1020℃ 25kPa 2kPa 12.5倍
1000℃ 25kPa 2kPa 12.5倍
1010℃ 25kPa 2kPa 12.5倍
1030℃ 25kPa 2kPa 12.5倍
【0028】
特許文献2はGaAs基板の上に細かい窓を千鳥状に有するマスクを形成しその上にHVPE法でC面を維持しながらGaNを厚く成長させGaAs基板を除去して、20mm以上の直径を持ち70μm以上の厚みを持ち撓み(反り)が50mm直径に換算して0.55mm以下の自立GaN基板を提供している。50mm直径のウエハ−で中心の撓み(反り)が0.55mmということは曲率半径Rに直すと、約600mm=0.6mということである。
【0029】
特許文献2はHVPE法で成長温度を970℃、1020℃、1030℃とし、GaCl分圧PGaClを1kPa又は2kPa(0.01〜0.02atm)とし、NH3分圧を4kPa又は6kPaとしている。GaCl分圧をPGaCl=1kPaとすると表面は平坦であるが反りが大きく内部応力が巨大で割れ易く使用不可能な結晶ができ、70μm以上の膜厚にできないと述べている。
【0030】
反対にGaCl分圧をPGaCl=2kPaとすると表面は荒れているが反りが小さく内部応力の小さい結晶ができると述べている。NH3分圧は6kPa、12kPa、24kPaである。5/3族比bはb=3、6、12である。曲率半径は1m程度である。比抵抗は0.0035〜0.0083Ωcmである。n型結晶である。
【0031】
特許文献2の実施例で述べられた成長条件は次のようである。
【0032】
成長温度Tq、NH3分圧PNH3、GaCl分圧PGaCl、5/3族比bの順に示す。
1030℃ 4kPa 1kPa 4倍
1030℃ 6kPa 1kPa 6倍
970℃ 6kPa 2kPa 3倍
970℃ 6kPa 1kPa 6倍
970℃ 6kPa 1kPa 6倍
1020℃ 6kPa 2kPa 3倍
1020℃ 6kPa 2kPa 3倍
1030℃ 6kPa 1kPa 6倍
970℃ 6kPa 2kPa 3倍
970℃ 12kPa 2kPa 6倍
970℃ 24kPa 2kPa 12倍
【0033】
特許文献3はGaAs基板の上に[11−2]方向に一定間隔をおいて並び[−110]方向に半ピッチずれた点状の窓を有するマスク、或いは[11−2]方向に伸びるストライプ状窓を有するマスク或いは[−110]方向に伸びるストライプ状の窓を有するマスクを形成し、バッファ層を設け、HVPE法によりGaNをC面を保持しながらエピタキシャル成長させ基板とマスクを除去してGaNの自立単結晶基板を製造する方法を提案する。
【0034】
特許文献3も図1のような、小さい多数の窓を狭いピッチで縦横に並べたマスクを下地基板Uの上に形成し、GaNを気相成長させ、転位を減少させる手法である。GaCl分圧PGaClは1kPa(0.01atm)と2kPa(0.02atm)の2つの場合がある。1kPaの場合、表面平坦であるが内部応力が大きく反りも大きく割れ易いGaN結晶ができると述べている。2kPaの場合、表面は粗面であり内部応力が小さく反りが小さく割れ難いGaN結晶ができると述べている。
【0035】
成長温度が1020℃、1030℃の場合は表面平坦で内部応力大きく割れ易いといっている。
【0036】
970℃の成長温度でGaCl分圧が2kPaの場合で厚い結晶の場合に粗面で内部応力が小さく反りも小さいGaN結晶ができると言っている。NH3分圧PNH3は6kPa〜12kPaである。
【0037】
まとめると、特許文献3では、反り、内部応力が小さく割れ難い粗面GaN結晶の製造のための温度は970℃、GaCl分圧は2kPa、NH3分圧は6〜12kPa、5/3族比bは3〜6程度である。比抵抗は0.01Ωcm〜0.017Ωcmでn型である。
【0038】
特許文献3の実施例で述べられたHVPE成長条件は次のようである。
【0039】
成長温度Tq、NH3分圧PNH3、GaCl分圧PGaCl、5/3族比bの順に示す。
1030℃ 4kPa 1kPa 4倍
1030℃ 6kPa 1kPa 6倍
970℃ 6kPa 2kPa 3倍
970℃ 6kPa 1kPa 6倍
970℃ 6kPa 1kPa 6倍
1020℃ 6kPa 2kPa 3倍
1020℃ 6kPa 2kPa 3倍
1030℃ 6kPa 1kPa 6倍
970℃ 6kPa 2kPa 3倍
970℃ 12kPa 2kPa 6倍
970℃ 24kPa 2kPa 12倍
【0040】
特許文献4は2重、3重のELOマスク(Epitaxial Lateral Overgrowth)を交互に重畳するように設けて転位を減らし、Siドープn型のGaN結晶をMOCVD法、HVPE法によってC面を維持しながら成長させる。ELOマスクは窓で転位密度が大、マスク上で転位密度が小となるので窓が食い違うように2重、3重にELOマスクを付けると転位密度を減らせるという。MOCVD法の場合、5/3族比bは、30倍〜2000倍が良い条件であると述べている。
【0041】
実施例では5/3族比b=1200倍、2222倍、1800倍、1500倍、800倍、30倍という比率の原料ガスを用いている。HVPEについては述べていない。n型ドーパントはSiである。シランガス(SiH4)をドーピングに用いる。初めにMOCVD法でELOマスクの窓の上まで台形結晶を作りELOマスク上で合体する直前にHVPE法に切り替える。好ましい成長温度は950℃〜1050℃と述べている。
【0042】
特許文献5は特許文献4とほぼ同じであり、2重、3重のELOマスクによって転位を減らす工夫を提案している。
特許文献6は酸素をn型ドーパントとしてGaNにドーピングすることによってn型GaN基板を製造する方法を初めて提案している。
【0043】
特許文献4、5はシランガス(SiH4)を用いSiをn型ドーパントとして結晶にドーピングしていた。シランガスは爆発の可能性がありn型基板成長のため大量に使うのは危険である。特許文献6は酸素がGaN中で浅いドナー準位を作ることを見出した。原料ガスのNH3、HClなどに水を添加し、GaAs基板の上にELOマスクを設けてHVPE法でGaN結晶を成長させるとC面成長するが、原料から酸素が取り込まれてドナー準位を作りn型キャリヤを発生し結晶をn型とする。しかも広い濃度範囲で活性化率が100%であるという。酸素が基板のような厚い結晶に対し好都合なn型ドーパントであることを初めて明らかにしている。
【0044】
酸素をGaNにドープする場合著しい異方性があることを特許文献7は明らかにしている。C面((0001)面)を通して酸素が入り難く、C面以外の面を通して酸素が入りやすい、という選択性である。特許文献7は、図17に示すように、平均してc軸方向の成長であるが非C面のファセットFを大量に表面に作り出し非C面であるファセットFを通じて酸素を結晶に取り込むか、或いは図18に示すように非C面(hkmn)(≠(0001)面)を持つGaN下地基板を使って非C面表面から酸素をドープする手法を提案している。特許文献7は酸素ドープの顕著な異方性を初めて明らかにしたものである。
【0045】
特許文献7の実施例で述べられたHVPE成長条件は次のようである。
【0046】
成長温度Tq、NH3分圧PNH3、HCl分圧PHCl、5/3族比bの順に示す。
1020℃ 20kPa 1kPa 20倍
【0047】
特許文献8はELO法とは全く違う転位密度減少法を新規に提案する。特許文献8は成長条件を適当に制御することによって、図3のようにファセットF、ファセットからなる大小のピットPを積極的に多数作り出しファセットF、ピットPを埋め込まず成長の終了まで維持する。埋め込まず最後までファセットを維持するのでファセット成長と呼ぶ。ピットPは六角錐か12角錐であるがここでは簡単のため六角錐のピットを示す。
【0048】
図4のピットPの斜視図、図5のピットPの平面図に示すように、ファセットFの凹部(ピットP)を維持しながら成長するとピットP内部ではファセットFの法線方向Vに結晶が成長する。
【0049】
転位Tは成長方向Vに沿って伸びるので、転位Tがファセット法線方向に伸びる。ファセット成長によって転位Tを境界線Bへ引き込む。境界線Bの下に転位Tの集合ができる(面状欠陥PD)。
【0050】
ファセット成長が進むと、さらにピットPの底へと転位を集める。ピットPの底に大量の転位Tの集結部(線状の欠陥集合:H)ができる。転位の総量があまり変わらないとしても、面状欠陥PD、線状欠陥Hに転位が集まるので他の部分の転位密度が減少する。これはELO法と違って、成長中期から終期まで効果がある。全く新規の転位密度減少法である。ファセット成長法と呼ぶ。
【0051】
特許文献8の手法はどこにピットP(凹部)ができるのか分からないのでランダムファセットと呼んでその後の改良形と区別する。できた結晶は表面に甚だしい凹凸がある。
【0052】
特許文献8の実施例で述べられた成長条件は次のようである。
【0053】
成長温度T、NH3分圧PNH3、HCl分圧PHCl、5/3族比bの順に示す。
1050℃ 20kPa 0.5kPa 40倍
1000℃ 30kPa 2kPa 15倍
1050℃ 20kPa 0.5kPa 40倍
1020℃ 20kPa 1kPa 20倍
1000℃ 30kPa 2kPa 15倍
1000℃ 40kPa 3kPa 13倍
980℃ 40kPa 4kPa 10倍
【0054】
特許文献8はファセットピットのできる位置が偶然に支配されるのでランダムファセット法と呼ぶことができよう。それに局所的な特異性がないので一旦集結した転位が成長とともに再離散することもあった。その上にデバイスを作る基板なのであるから、ファセットピットのできる位置を予め指定することができればより好都合である。転位を閉じ込め再離散を無くすことができればより低転位化を徹底できる。
【0055】
特許文献9は図6に示すように、下地基板Uの上に孤立した点状の被覆部Mを規則正しく配列するようなマスクを形成する。下地基板Uが露呈した部分(露呈部E)の方が被覆部(マスク部)Mよりずっと広い。マスクした下地基板Uの上にGaNを気相成長させる。被覆部Mの上では成長が遅れるので被覆部Mを底とする凹部(ファセットピットP)ができる。
【0056】
図9によってドット型マスクによるファセット成長を説明する。図9(1)のように孤立点状の被覆部Mを下地基板Uの上に形成する。窒化ガリウムを気相成長させると図9(2)のように下地基板の露呈部Eの上だけに結晶Gが成長する。被覆部Mの上には成長しない。図9(3)のように露呈部Eの上に結晶が積み上がる。傾斜面は低面指数のファセットFである。図9(4)のように被覆部Mを底とし傾斜面をファセットFとするような六角錐、或いは12角錐のファセットピットPができる。図9(5)のように被覆部Mの上にも結晶が載ってくる。これは転位の高密度に集合した閉鎖欠陥集合領域Hである。ファセットの下は単結晶低転位随伴領域Zとなる。平坦面はC面(C)である。C面の下は単結晶低転位余領域Yとなる。
【0057】
図7の結晶の斜視図、図8の平面図に示すように、結晶表面には、逆円錐形の花弁のようなファセットFよりなるファセットピットPが縦横に並ぶ。茎に当たる部分は転位が集結した閉鎖欠陥集合領域Hである。根に当たる部分は被覆部Mである。平坦面はC面である。C面の下にできる部分(Y)は低転位部分である。ファセットFの下(Z)も低転位部分である。これを他と区別するためドット型ということもある。その方法をドットファセット成長法と仮に呼ぶ。
【0058】
ファセットピットPには先述のようにファセットF上にある転位Tを境界線Bに集めさらにピット底へ集める作用がある。ピット底(被覆部Mの上)は転位の集結した閉鎖欠陥集合領域Hとなる。一旦集結した転位は再離散しない。よって「閉鎖」と呼ぶ。その他の部分は転位の少ない単結晶低転位随伴領域Z(ファセットの下にできる)、単結晶低転位余領域Y(C面の下にできる)となる。Z、Yが低転位となるのである。
【0059】
特許文献9によって、閉鎖欠陥集合領域H、単結晶低転位随伴領域Z、単結晶低転位余領域Yという概念が初めて生じた。マスクと言ってもELOマスクのように小さい窓が細かいピッチで存在するのではない。広い露呈部の中にかなりの大きさの点状(丸、四角など)の被覆部M(図6)を作る。
【0060】
ELOマスクは露呈部E(窓W)が被覆部Mより狭く、露呈部Eは小さく(直径1〜2μm)ピッチも小さい(2μm〜6μm)。
【0061】
反対に特許文献9のファセットピットの基になるマスクは、露呈部Eが被覆部Mより広い。被覆部直径はかなり大きい(直径20μm〜100μm)。被覆部の上がファセットピット底になる。ファセットピットは転位を底部に集合させ捕獲して転位を再び放つことがない。マスクの位置に閉鎖欠陥集合領域Hができ、その周りに低転位部分Z、Yができるという特徴がある。マスクのない露呈部Eの上に低転位のZ、Yができる。Zがファセットの直下に、YがC面成長部分の直下にできる。Z、Yいずれも単結晶で低転位である。点状マスクを中心としてHZYの同心構造ができる。ELOはマスク露呈部E(窓W)の上が高密度転位(H)、被覆部の上が低転位(Z、Y)となる。その関係はまったく反対である。
【0062】
特許文献9の実施例での成長条件は次のようである。
【0063】
成長温度Tq、NH3分圧PNH3、HCl分圧PHCl、5/3族比bの順に示す。
1050℃ 30kPa 2kPa 15倍
1030℃ 30kPa 2.5kPa 12倍
1010℃ 20kPa 2.5kPa 8倍
1030℃ 25kPa 2.5kPa 10倍
1050℃ 30kPa 2.5kPa 12倍
1030℃ 25kPa 2kPa 12.5倍
1030℃ 25kPa 2kPa 12.5倍
【0064】
特許文献9はマスクを規則正しく分布する孤立点(ドット)状としたので、ドットの上には閉鎖欠陥集合領域Hができ、その周辺に単結晶低転位随伴領域Z、単結晶低転位余領域Yができる。半導体レーザや発光ダイオードなどのデバイスをその上に作るので閉鎖欠陥集合領域Hが分散していると不都合ということがある。
【0065】
そこで特許文献10は、図10に示すように、下地基板Uの上に等間隔平行縞状の被覆部Mを有するマスクを形成し、その上にGaNをファセット成長させた。マスクの被覆部Mの幅sと露呈部Eの幅wの合計がピッチpである(p=s+w)。sはwよりずっと小さい。気相成長によって下地基板Uの上にGaNを成長させる。
【0066】
図11に平面図、図12に斜視図を示すように、平坦頂面を持つ平行な多数の山谷型結晶となる。被覆部M上に平行な結晶欠陥集合領域H、露呈部上に平行の低欠陥単結晶領域Z、C面成長領域Yを作る。平行マスクの上にできる転位の集合は結晶欠陥集合領域Hと呼んでいる。それに隣接するファセットの下に連続して成長するのは低欠陥単結晶領域Zと呼ぶ。隣接低欠陥単結晶領域Zの間にC面成長領域Yができることもありできないこともある。
【0067】
特許文献9は孤立点状のマスクの上に欠陥領域Hができたので「閉鎖」という言葉をつけてそれを強調しているが、ストライプマスクの場合、Hは閉じていないから結晶欠陥集合領域Hと呼ぶ。Zが広がって必ずしもHに随伴していないから低欠陥単結晶領域Zと名付けた。Yはできることもできないこともある。C面に伴って発生するからC面成長領域Yと呼ぶ。
【0068】
成長の手法によってはC面成長領域Yが消失することもある。図13に平面図を図14に斜視図を示すように、尖鋭稜線を持つ山谷型の結晶となる。被覆部M上に平行な結晶欠陥集合領域Hができる。これが谷となる。それの隣の露呈部に平行の低欠陥単結晶領域Zができる。山形のファセットF、Fは尖っており、C面の部分がない。C面成長領域Yが消失している。…ZHZH…構造である。
【0069】
図15によってストライプ型ファセット成長法を説明する。
【0070】
図15(1)のように平行線状複数のストライプ被覆部Mを下地基板Uの上に形成する。窒化ガリウムを気相成長させると図15(2)のように下地基板の露呈部Eの上だけに結晶Gが成長する。被覆部Mの上には成長しない。図15(3)のように露呈部Eの上に結晶Gが積み上がる。傾斜面は低面指数のファセットFである。結晶Gは被覆部で区切られた平行島状となる。図15(4)のように被覆部Mを底とし反対向きに傾斜する平行な傾斜面からなるV溝が平行に生ずる。対向する傾斜面は傾き方向が反対で同じ角度を成すファセットF、Fである。隣接マスクの間の平坦面はC面(C)である。
【0071】
やがて図15(5)のように被覆部Mの上にも結晶が乗ってくる。これは転位の高密度に集合した結晶欠陥集合領域Hである。さらに図15(6)のように結晶成長が進む。マスクMの上の結晶欠陥集合領域Hは大体そのままの寸法で上に伸びる。平行なファセットF、Fはより広くなる。ファセットF、Fの直下は低欠陥単結晶領域Zとなる。結晶欠陥集合領域Hと低欠陥単結晶領域Zとの境界は結晶粒界K、Kである。結晶粒界K、Kが転位を結晶欠陥集合領域Hに閉じ込める。
【0072】
マスク中間の平坦面はC面(C)である。C面の下はC面成長領域Yとなる。C面(C)は段々狭くなっていく。ストライプ構造をなす結晶のピッチはマスクピッチpに等しい。マスクピッチpはマスク幅sと露呈部幅wの和である(p=s+w)。さらに結晶成長が進行すると図16(1)のように結晶欠陥集合領域Hを麓とし、C面を尾根とする山脈のような平行の結晶が成長していく。山頂に当たるC面部分(C)は狭くなる。ファセットFの直下は低欠陥単結晶領域Zに、C面の直下はC面成長領域Yとなる。
【0073】
この形状を保持したまま上向きに結晶が成長する場合もある。或いはさらに鋭い峰を持つ平行山脈のようになる場合もある。図16(2)はそのような場合を示す。この場合C面は無くなる。C面成長領域Yも無くなってしまう。
【0074】
特許文献10によって平行に…ZHZYZHZYZH…構造或いは、…ZHZHZH…構造ができる。結晶欠陥集合領域Hに転位が集中して、低欠陥単結晶領域Z、C面成長領域Yは単結晶で低転位となる。
【0075】
特許文献10の手法は平行にマスクを作り平行に結晶欠陥集合領域Hを作るので、ストライプ型ファセット成長法と呼ぶことができる。これは低欠陥単結晶領域Zが直線上に並ぶから半導体レーザ、発光ダイオードなどのデバイスを作り易い。
【0076】
ファセット成長法とELO法は全く違う方法である。マスクの形状、寸法、作用なども異なる。千鳥状に窓が分布するELOマスクとストライプマスクは形状も大きさも違い判然と区別できる。ストライプマスクは、幅sが20μm〜300μm程度でピッチpは100μm〜2000μm程度である。例えばストライプマスクの幅sは50μmで、p=500μmピッチというようにする。
【0077】
ドット型、ストライプ型ファセット成長法では転位がマスク上の結晶欠陥集合領域Hに集中しそれが結晶粒界K、Kによって囲まれるので転位は再離散しない。Hに隣接するZやYが低転位で単結晶となる。その部分をデバイスの電流が通る部分とすれば良い。
【0078】
GaN結晶は{1−100}方向が劈開面であるから、自然劈開によってレーザの共振器ミラーを形成できる。酸素をドーピングしn型とするから電流が通り底面にn電極を形成できる。その点でサファイヤ基板より優れている。
【0079】
ELOは露呈部が小さくその上は高転位密度となり、被覆部が広くその上は低転位となるが、ストライプ型ファセット法では露呈部が広くその上は低転位に、被覆部が狭くその上は高密度転位となる。
【0080】
特許文献10の実施例での成長条件は次のようである。
【0081】
成長温度Tq、NH3分圧PNH3、HCl分圧PHCl、5/3族比bの順に示す。
1050℃ 30kPa 2kPa 15倍
1030℃ 30kPa 2.5kPa 12倍
1050℃ 30kPa 2kPa 15倍
1010℃ 20kPa 2.5kPa 8倍
1030℃ 25kPa 2kPa 12.5倍
1030℃ 25kPa 2.5kPa 10倍
【0082】
特許文献11は、サファイヤ(0001)基板の上に、H2、TMG、アンモニアを原料ガスとし(C5H5)2FeをドーパントとしたMOCVD法、或いはH2、HCl、Ga融液、アンモニアを原料とし(C5H5)2FeをドーパントとしたHVPE法によって鉄ドープGaN結晶を成長させ鉄ドープGaN基板を得るという方法を提案している。
【0083】
特許文献11の実施例(MOCVD法)での成長条件は次のようである。
【0084】
成長温度Tq、NH3分圧PNH3、TMG分圧PTMG、5/3族比bの順に示す。
1000℃ 15kPa 0.3kPa 50倍
【0085】
特許文献11の実施例(HVPE法)での成長条件は次のようである。
【0086】
成長温度Tq、NH3分圧PNH3、HCl分圧PGaCl、5/3族比bの順に示す。
1000℃ 15kPa 0.3kPa 50倍
【0087】
【特許文献1】国際公開WO99/23693(国際出願PCT/JP98/04908)
【0088】
【特許文献2】特許第3788037号(特願平10−171276、特開2000−012900)
【0089】
【特許文献3】特許第3788041号(特願平10−183446、特開2000−022212)
【0090】
【特許文献4】国際公開WO98/47170(国際出願PCT/JP98/01640)
【0091】
【特許文献5】EPC公開 EP0942459 A1 (EPC出願番号9891274.8)
【0092】
【特許文献6】特許第3788104号(特開2000−044400、特願平11−144151/優先権主張 特願平10−147716)
【0093】
【特許文献7】特許第3826825号(特開2002−373864、特願2002−103723/優先権主張 特願2001−113872)
【0094】
【特許文献8】特開2001−102307(特願平11−273882)
【0095】
【特許文献9】特許第3864870号(特開2003−165799、特願2002−230925/特願2001−284323)
【0096】
【特許文献10】特許第3801125号(特開2003−183100、特願2002−269387/優先権主張 特願2001−311018)
【0097】
【特許文献11】特開2005−306723(特願2005−075734/優先権主張 特願2004−085372)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0098】
これまでに述べたものは、青色発光ダイオード、半導体レーザの基板として用いられるn型のGaN基板である。AlやInを少し含むAlInGaN基板も作製が試みられているが発光素子の基板としての用途のためのものである。それはn型で導電率が高く高密度電流を流すことができる。ドーパントはシリコン(Si)のことも酸素(O)のこともある。
【0099】
ところが本発明が目的とするのはn型ではなく半絶縁性(semi−insulating:SI)のGaN基板結晶である。発光素子用n−基板ではなくFETなどの用途のためのSI基板である。
【0100】
発光素子の場合は基板に高密度の電流を流すので転位から劣化が進行する恐れがあった。
【0101】
横型電子デバイス用の半絶縁性基板(SI−GaN基板)の場合は高電圧、大電流に耐えるだけの耐電圧性、高抵抗である必要がある。基板が高い転位密度を有すると、リーク電流の原因となり好ましくない。基板の上に規則正しい格子構造を持ったGaN、InGaN、AlGaN薄膜を何層にも形成するから転位は少ない方が良い。半絶縁性基板の場合、絶縁性が高く反りが少なく転位密度が低くクラック発生の少ない基板であることが強く望まれる。
【0102】
従来技術(特許文献1〜10)で挙げたGaN基板は何れも低抵抗率である。
【0103】
特許文献1は0.005〜0.08Ωcm、特許文献2は0.0035〜0.0083Ωcmだと言っている。特許文献3のGaN基板は0.01〜0.017Ωcmだと述べている。
【0104】
これらはn型のドーパントを入れたとは記載されていないので5族の空孔がドナーレベルを作ったか原料ガス中に含まれるn型ドーパント元素が入ったかと考えられる。
【0105】
特許文献4は抵抗率を具体的に書いていない。これはSiをドーパントとして意図して低抵抗n型GaN基板を作ろうとしている。従って抵抗率は特許文献1〜3よりさらに低いだろうと推測される。これらの記述から従来のGaN結晶の比抵抗の上限は0.08Ωcm程度であろうと思われる。
【0106】
横型電子デバイス用の基板としての絶縁性基板とするには、このような低抵抗のものでは役に立たない。絶縁性3−5族窒化物基板としては、比抵抗が105Ωcm以上であることが望まれる。目的によっては106Ωcm以上或いは107Ωcm以上が要求されることもある。
【0107】
従来のGaN結晶製造技術ではそのような高抵抗の結晶を作ることができない。どうすればよいのか?5族空孔がドナーとなるのでそれを防ぐためには5族の供給を高めれば良い。既に述べたようにMOCVD法では5/3族比bが1000倍〜2000倍ということを言っており、それ以上に5族比率を高めると原料の無駄も多くなる。HVPEの場合の5/3族比bは12倍〜50倍程度のものが多い。5族原料比率をさらに上げることはできるがそれは原料の損失になり好ましいとは言えない。
【0108】
高純度の原料を使って不純物が入らないようにすればより高抵抗の窒化ガリウム結晶を作ることができるであろう。しかしそれにしても自然にはn型になり横型電子デバイス用に使える絶縁性は得られない。
【0109】
その他の選択肢として、他の元素を添加することによってn型キャリヤの動きを抑えるということが考えられる。特許文献11は鉄ドープGaN結晶が半絶縁性であるということを述べている。気相成長法であるから気体の状態で鉄化合物を与える必要がある。特許文献11はサファイヤ基板の上に、ビスシクロペンタジエニル鉄をドーパントとし、窒化ガリウムをMOCVD法で作製している。特許文献11はマスクを用いないでサファイヤ基板の上に鉄ドープGaN結晶を成長させる。
【0110】
鉄によってGaN結晶の抵抗率を高めることができるというのは新規な知見である。半絶縁性GaNを作るには鉄ドープが有力な手段であることが特許文献11から分かった。その他に、FETなどの電気素子の基板とするには、反りが少なくクラック発生率が低いということも重要である。特許文献11ではクラックの発生や割れについては全く述べられてはいない。
【課題を解決するための手段】
【0111】
本発明の鉄ドープ窒化物半導体基板製造方法は、下地基板にドットマスク或いはストライプマスクを付け、基板温度を1040℃〜1150℃とし、その上にHVPE法によって、5族と3族ガス原料の比率bが1〜10であるようアンモニアガスと3族ガスと鉄化合物ガスとを供給しながら、マスク付き下地基板の上に窒化物半導体結晶を厚く成長させ、下地基板を除去して、100μm以上の厚みを持ち比抵抗が1×105Ωcm以上の自立した鉄ドープ半絶縁性窒化物半導体結晶基板を得る。
【0112】
下地基板は、(111)面GaAsウエハ−、サファイヤウエハ−、SiCウエハ−、GaNウエハ−などを用いることができる。
【0113】
図19はHVPE炉の概略縦断面図を示す。縦長の反応炉2の外側にはヒータ3が設けられる。ヒータ3は縦方向に伸び幾つかに分割されており上下方向に任意の温度分布を作り出すことができる。反応炉2はホットウオールを持つ。反応炉2の中上部にはGa融液を溜めたGa溜め4が設けられる。反応炉2の下方には、回転昇降自在の回転軸に支持されたサセプタ5がある。サセプタ5の上には下地基板6が戴置される。第1原料ガス供給管7は水素(H2)と塩化水素(HCl)のガスをGa溜め4に供給する。HClとGaとが反応してGaClガスができる。これが下方へ移動する。第2原料ガス供給管8は水素(H2)とアンモニア(NH3)ガスを下地基板6の上方へ流す。GaClとNH3が反応してGaNができる。第3原料ガス供給管10は鉄(Fe)の気体化合物とキャリヤガス(H2)の混合ガスを反応炉内に供給する。合成されたGaNの内部に鉄がドープされる。反応後、排ガス、未反応ガスはガス排出管9から排出される。
【0114】
鉄はビスシクロペンタジエニル(C5H5)2Fe或いはビスメチルシクロペンタジエニル(CH3C5H4)2Feを原料として用いる。これらはガス状であるから反応炉に上方のガス流路から気体として吹き込まれる。これらが熱分解して結晶の中へ取り込まれる。或いはHClと反応してFeClやFeCl2、FeCl3となってから結晶の中へ吹き込まれる。
【0115】
そのようにして作製された窒化物半導体基板の中の鉄の濃度Feは、1×1020cm−3≧Fe≧1×1016cm−3とする。窒化物半導体基板の抵抗率は1×105Ωcm以上である。
【0116】
マスクはSiO2、SiON、SiN、AlN、Al2O3などである。マスクの寸法はストライプマスクの場合被覆部幅sが10μm〜100μmとする。被覆部の間隔wは250μm〜2000μmとする。ピッチpはp=s+wである。ピッチはp=260μm〜2100μmである。
【0117】
ドットマスクの場合は被覆部直径sが10μm〜100μmとする。被覆部の間隔はw=250μm〜2000μmとする。ピッチpは260μm〜2100μmである。
【0118】
基板温度が1040℃〜1080℃ではマスクの位置で低く、露呈部で高くなるファセット面を持つ山形の結晶(II型)が成長する(図20)。マスク上は結晶欠陥集合領域Hとなり、露呈部のマスク近くのファセットFの直下は低欠陥単結晶領域Zとなる。
【0119】
図20は図21との対比を強調するために山形だけでなる理想形を書いている。これはストライプマスクで特別の場合だけ実現する。ドットマスクの場合は幾何学的な制約からこのようにならない。ドットマスクでもストライプマスクでも、実際にはマスクの中間位置にC面ができ(破線で示す)その下に、C面成長領域Yができることが多い。HとZ或いはHとZとYというように異なるものが混在する構造となるから緊張を緩和できる。
【0120】
図20のII型は上面にファセットFを持ち、ファセットFを通じて酸素を多く吸い込みやすいという傾向がある。それでn型不純物である酸素によって、鉄ドーピングの効果が打ち消されることがある。すると鉄の濃度を上げる必要があり全体としての不純物の量が増えることもある。
【0121】
基板温度がより高い1080℃〜1150℃では表面が一様高さの結晶(I型)が成長する(図21)。表面はほぼ平坦なC面である。これも図20との対比を強調するための理想形を書いている。実際にはマスクMの上の部分が僅かに窪みとなることも多い。マスク上は結晶欠陥集合領域Hとなるからである。露呈部上は低欠陥単結晶領域ZとC面成長領域Yが混在したようになる。異なる組織が交替する構造なので応力緩和できる。
【0122】
I型はファセットFを殆ど持たずに成長するので酸素を取り込まない。だから鉄ドープの効果が顕著になる。全体としての不純物濃度を減らすことができる。不純物が少ないので内部応力が小さく、クラックがより入り難いという利点がある。つまりI型は鉄ドープ窒化物半導体として最適の構造である。I型を作るにはより高温で5/3族比bが低い方が良い。1080℃〜1150℃の高温で、5/3族比bを1〜10とする。さらに温度を1090℃〜1150℃、5/3族比bを1〜5程度にするとより確実にI型にすることができる。
【0123】
5/3族比b=1〜10で、基板温度1080℃近く(1070℃〜1090℃)ではI型とII型が混合した台形頂点を持つような結晶ができる(図24)。
3つの断面図(図20、21、24)を示したが、ある温度で断面形状が突然変化するというような相転移が起こるのではなくて、温度や5/3族比bによって連続的に断面形状が変化していく。温度が1140〜1150℃で5/3族比b1〜3で図21のような理想的な平坦型ができる。温度が下がるにつれ、5/3族比bが上がるにつれて図21の平坦型から図20の山形へ変化していく。
【0124】
基板温度が1050℃〜1150℃というのは窒化物半導体の気相成長法の成長温度としては高い方である。温度を高くすれば、大型マスクであっても、表面を平坦にして成長させることが可能だというのがI型成長の意味するところである。
【0125】
5/3族比bが1〜10というのは、窒化物半導体の気相成長法では極めて小さい極限と言って良い。低5/3族比bと、高成長温度によって鉄ドープの窒化物半導体を成長させるというのが本発明の思想である。
【0126】
これまでの従来例において、基板温度と5/3族比bがどのような値であったのか?特許文献を引用し説明した時に、成長温度(基板温度)や5/3族比bを挙げておいた。
【0127】
成長温度、5/3族比bの関係を分かり易くするため図22に示した。横軸は成長温度(基板温度)である。縦軸は5/3族比bを対数表示したものである。黒丸の点は従来例におけるHVPE法による基板温度と5/3族比bを示す。黒丸を白丸で囲んだものは従来例におけるMOCVD法によるものである。添え数字は引用した特許文献の番号を示す。実施例1つに1つの点が対応する。
【0128】
例えば970℃、100倍のところに3つの白黒丸があり、1、1、1の数字がある。それは特許文献1のMOCVD法の実施例3つが970℃、100倍だったということである。特許文献1は温度は950℃〜1020℃の間にHVPEについての実施例を示す9つの黒丸がある。
【0129】
特許文献4は明確な実施例がなくMOCVD法で温度については960℃〜1050℃の幅を持ち、5/3族比b=1000倍、800倍…などであるから連続直線で表現している。
【0130】
本発明のII型に関して、温度、5/3族比bの点を白三角で示す。温度1050℃で、5/3族比b=2.5が14点ある。温度1050℃で5/3族比b=5が1点ある。温度1050℃で5/3族比b=10が1点ある。
【0131】
本発明のI型に関して、温度、5/3族比bの点を白丸で示す。温度1110℃で、5/3族比b=2.5が19点ある。温度1110℃で5/3族比b=3が1点ある。温度1110℃で5/3族比b=1が1点、温度1100℃で5/3族比b=2.5が1点ある。
【0132】
本発明の温度、5/3族比bの範囲を破線で囲んでいる。1080℃は中間的な混合型の温度である。
【0133】
特許文献2、3はピッチの大きいマスクを使わない。5/3族比bが3である8つの実施例がある。5/3族比bが4であるような2つの実施例がある。5/3族比bが6であるような10つの実施例がある。しかし基板温度は970℃、1020℃、1030℃であって、本発明の下限である1040℃以下である。特許文献2、3はピッチの広いマスクを使わないし、鉄ドープをしていない。本発明と特許文献2、3は3重の相違がある。
【0134】
特許文献8はファセット成長法の最初のものであるがピッチの大きいマスクを使わない。成長温度が1050℃である。5/3族比b=40である。鉄ドープしない。本発明と特許文献8は3つの点で異なる。
【0135】
特許文献9、10はピッチの広いマスクを使う。成長温度が1030℃、1050℃である時、5/3族比b=12、12.5、15倍である。5/3族比b=8である時温度は1010℃である。これも鉄ドープしない。本発明のII型は特許文献9、10は2つの点で異なる。本発明のI型は表面がほぼ平坦だから、特許文献9、10と3つの点で異なる。
【0136】
特許文献11は鉄ドープする唯一の文献である。MOCVD法で温度1000℃、5/3族比b=50倍、HVPEで温度1000℃、5/3族比b=50倍である。マスクを使わない。本発明と特許文献は、成長温度、5/3族比b、マスク有無の3つの点で異なる。
【発明の効果】
【0137】
鉄をドープしたのでこれが内在的なドナーを打ち消して、比抵抗が107Ωcm以上の半絶縁性窒化物半導体基板を得ることができる。
【0138】
繰り返しピッチの大きいマスクを下地基板に形成してその上に結晶成長するので、内部に結晶欠陥集合領域Hや低欠陥単結晶領域Z、C面成長領域Yなど異なる組織の構造ができる。それが内部応力を緩和するので、反りが少ない結晶を得ることができる。
【0139】
繰り返しピッチの大きいマスクを下地基板に形成してその上に結晶成長するので、内部に結晶欠陥集合領域Hや低欠陥単結晶領域Z、C面成長領域Yなど異なる組織の構造ができる。それが内部応力を緩和するのでクラックの発生が少ない基板を得ることができる。
【0140】
成長温度を1040℃〜1150℃の高温とし、5/3族比bを1〜10という低い値とするので繰り返しピッチの大きいマスクを形成した下地基板の上でも表面のかなり平坦な結晶を成長でき、それによって酸素の混入をかなり防ぐことができる。
【0141】
酸素の混入を防ぐことができるので結晶構造の乱れが少なく、反り、クラックが少なくなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0142】
特許文献11は、基板温度を1000℃にし、5/3族比bを50倍にしてサファイヤ基板の上に鉄ドープGaNを成長させる。特許文献11のように、下地基板に直接に鉄ドープGaNを気相成長すると、異質の鉄が入り格子構造を歪める。不純物濃度(鉄濃度)が高いと大きい応力が生じ応力緩和できず、内部歪みが大きくなりクラック、反りが大きくなる。内部応力を緩和しないと、反り、クラックを抑制しつつ高濃度にFeドープできない。
【0143】
特許文献8、9、10で提案されたファセット成長法は、下地基板の上に露呈部の広いマスクを設け、マスクの上に結晶欠陥を集中させることにより周辺部(Z、Y)での転位を減らす作用がある。それらは転位の減少を意図していた。
【0144】
半絶縁性基板の場合は大電流、高電圧に耐えるため転位密度が低いことが望ましい。
【0145】
さらに、特許文献8、9、10のファセット成長法は、異なる構造の部分H、Z、Yが結晶中に発生するのでそれが応力を緩和する。そのために反りを減らしクラック発生を抑制するという効果もあることが分かってきた。
【0146】
それで本発明は、鉄ドープのGaN結晶を作る場合もファセット成長の手法を利用する。ファセット成長法は特許文献8のようにマスクの無いものもあるが、特許文献9、10のように、マスクを下地基板に付けてH、Z、Yの部分ができる位置を予め指定できるものもある。
【0147】
欠陥の集結した結晶欠陥集合領域Hと、欠陥の少ない低欠陥単結晶領域Z、C面成長領域Yとが交替する構造は内部応力を緩和できる。不純物ドープにより歪みがあってもその応力を減殺できる。
【0148】
従ってマスクを付けファセット成長する手法は、高濃度に不純物を入れる鉄ドープGaN結晶の製造に有用である。
【0149】
マスク被覆部で結晶の成長が遅れ露呈部では成長が先行するのでファセットができ、転位密度は減少する。ところがファセットがあると特許文献7にあるようにファセットを通じて酸素が余計に結晶内部にドープされることが分かってきた。
【0150】
酸素は特許文献6にあるようにn型キャリヤを発生するので鉄ドープの効果を減殺する。酸素が取り込まれるとそれを補償する為に大量の鉄原子をドープしなければならない。そうなると酸素も鉄も高濃度に結晶に含まれることになる。
【0151】
酸素も鉄もGaNの本来の構成要素でない。大量にドープされると結晶の格子構造を乱す。高濃度の酸素、鉄の添加は結晶の規則性を低下させる。それは転位密度を高めるし内部応力を増やして反りを大きくする。クラックの発生率も上がる。半絶縁性にするため鉄ドープは仕方がない。しかし酸素は不要である。よって酸素濃度をできるだけ低く抑えたい。例えば、原料ガスをできるだけ精製し酸素、水分を除去するということが必要になる。しかしそれでも水分を完全に除去するのは難しい。原料ガスに幾分の酸素、水分が残る。
【0152】
酸素は特許文献7のようにC面からは入り難くファセットを通して容易に入る。ということは酸素混入を減らすにはファセットを作らずC面で成長させる、ということが有望だと思われる。
【0153】
特許文献8、9、10より以前はC面成長をしていたわけである。よって特許文献1〜5のそれまでの通常のC面成長に戻るということも考えられる。しかしそれは特許文献11と同じことになる。クラックや反りの点で満足できない。
【0154】
特許文献8、9、10のファセット成長法は転位を減らすだけでなく内部応力を減らし反りを軽減する作用がある。転位減少効果ではなく内部応力減少効果が要求されるのである。それで本発明者は、特許文献9、10のような被覆部より露呈部が広く被覆部、露呈部のピッチが大きいというようなマスクを使い、温度と5/3族比bを適当な範囲に制御し、ファセットを抑制することによって、反りが小さくクラックの発生の少ない結晶成長をするということに思い到った。
【0155】
例えば50μm幅の平行マスクを500μm間隔で設けた基板の上にファセットを作らないで成長させる、それにはどうすれば良いのか?そのためには成長温度をより高くし、3族原料(Gaなど)をより多く供給すると良いということが分かってきた。
【0156】
1080℃以上の高い温度で5/3族比bが1〜10のように低いと、ピッチの大きいマスクの上であってもC面を保持して成長するようになることが分かってきた。1090℃以上で5/3族比bを1〜5にするとより確実にC面を維持して成長するようである。図21に示す通りである。1110℃の基板温度であると5/3族比bが1〜10でファセットを作らないで結晶成長する。すると酸素があまり入らない。酸素は鉄ドープの作用を打ち消すのであるが、酸素が入らないと鉄ドープの効果が強く現れる。そのため窒化物半導体結晶は半絶縁性になるのである。マスクの上に成長させるから、H、Z、Yのような異質の部分が生成される。それが内部応力を減少させるので反り、クラックを減らす。
【0157】
酸素が入ってもそれを打ち消す量の鉄をドープすれば良い。不純物がたくさん入っても内部応力が小さければ良い。既に述べたように、H、Z、Yなどの異質の部分が混在する構造があれば反りやクラックを減らすことができる。それで温度を少し下げても、マスク構造があれば応力を減らすことができる。より低温の1040℃程度まで基板温度を下げてマスク構造の上に窒化物半導体結晶を成長させる。すると、C面成長でなくファセット成長になる。図20のようになる。ファセットFを作りながら成長するのであるが、5/3族比bが低いとある程度酸素の侵入を防ぐことができるようである。 さらに、成長初期はファセット成長させるように温度、5/3族比bを適当な範囲に制御して転位と内部応力を減らし、次にC面成長させるように温度、5/3族比を適当な範囲に制御して酸素の取り込み量を減らして少ないFeドープ量で高抵抗のGaN基板を作製することもできる。
【0158】
区別するため、図21のように成長後に表面平坦な結晶をI型と呼ぶ。図20のような表面が山谷形のものをII型と呼ぶことにする。
【0159】
5/3族比bが1〜10のように低くて、温度が1040℃〜1070℃である場合、II型の結晶(図20)ができる。結晶欠陥集合領域Hが低く、ファセットが続いて低欠陥単結晶領域Zがその下にできる。これはストライプ型マスクを使いC面がない極限の場合の断面図を書いている。ストライプマスクの場合でも中間にC面があり、C面成長領域Yが存在する場合もある。ドットマスクの場合は必ずC面があり、C面成長領域Yが存在する。
【0160】
5/3族比bが1〜10のように低く、温度が1090℃〜1150℃のように高いと、I型の結晶(図21)ができる。表面は平坦であり、マスクの直上には結晶欠陥集合領域Hがありそれらが表面に露呈している。そのほかの部分は低欠陥単結晶領域ZとC面成長領域Yの混合である。
【0161】
温度がそれらの中間の場合(1070℃〜1090℃)は混合型となる。図24のような台形形状の結晶ができる。マスクの上には結晶欠陥集合領域Hができる。露呈部の上には低欠陥単結晶領域Z、C面成長領域Yができる。
【0162】
マスクの上に生成する結晶欠陥集合領域Hは、これまでの研究でかなりのことが分かってきた。結晶欠陥集合領域Hはコアと簡単に呼ぶこともある。結晶欠陥集合領域Hは転位を集めた部分である。
【0163】
結晶欠陥集合領域Hには3つの異なる場合がある。
【0164】
1つは多結晶である。方位の異なる結晶粒が多数存在する。
【0165】
もう1つの場合は方位が他の部分(Z、Y)と異なる単結晶である。他の部分はc軸が上向きになる単結晶である。c軸が斜めになる単結晶ということがある。そのような結晶欠陥集合領域Hは傾斜層と呼ぶ。
【0166】
残りの1つの場合はc軸が下を向くような単結晶である。つまり他の部分(Z、Y)と結晶軸の方向が全く反転している単結晶なのである。それを反転層と呼ぶ。反転層が最も転位を閉じ込める力が大きい。次いでc軸が傾いた単結晶である傾斜層が転位を閉じ込める力がある。多結晶は転位を捕獲しておく力が最も弱い。
【0167】
ドット型ストライプ型の何れの場合も下地基板に設けるマスクはELO(1〜2μm直径、3〜5μmピッチ;露呈部狭小)よりずっとピッチが大きくて露呈部が広い。よってZ、Y、Hのような異なる部分からなる構造を持つことができるのである。
【0168】
マスクの寸法はストライプマスクの場合、被覆部幅sが10μm〜100μmとする。隣接被覆部間隔wは250μm〜2000μmとする。図25にそれを示す。
【0169】
ドットマスクの場合は被覆部直径sが10μm〜100μmとする。被覆部の間隔wは250μm〜2000μmとする。図26にそれを示す。マスク部直径が10μm未満であると結晶欠陥集合領域Hの形成維持が巧くいかない。結晶欠陥集合領域Hができても途中で消失する。間隔が2000μmを越えてもHZY構造はできるのであるが結晶がかなり厚くないと結晶欠陥集合領域Hによる転位の完全な捕獲ができない。
【0170】
ELO法のようにマスクの寸法が小さい場合は結晶成長と共に表面が平坦(C面)になりマスクの影響はすぐになくなってしまう。しかしマスクの寸法が大きいと成長が進んでもなかなか表面が平坦にならない。ファセット成長法(特許文献9、10)は最後までファセットを維持して転位を減らすものである。
【0171】
さらに問題は反りやクラックである。特許文献11のようにマスク無しの下地基板の上に鉄ドープGaNをC面成長させると自立基板とした時に割れたり強く反ったりする。
【0172】
本発明は内部にZ、H、Yなど異質の構造部を混在させることによって内部応力を減らす。そのためにピッチpの広い(間隔w、幅s共に広い;p=s+w)マスクを使ってZ、H、Yなどの構造物を作る。しかしファセットが優越すると酸素が入ってしまうので、温度を上げ5/3族比bを下げてなるべく平坦表面のI型になるようにして結晶を作る。I型が一層望ましい。
【0173】
しかしII型でも半絶縁性になり、反りやクラックも満足できる範囲にあるのでII型も利用可能であり、本発明の範囲に含まれる。
【0174】
上に述べたような直径(幅)、間隔の広いマスクを下地基板に形成し、基板温度を1040℃以上に高くして、HVPE法で、5/3族比bが1〜10の5族、3族原料と鉄化合物ガス原料を供給しながら、下地基板の上に窒化物半導体結晶を合成し、下地基板を除去する。酸素量が比較的少なく、反りが少なく、クラック発生率が低い自立鉄ドープ窒化物半導体結晶を作るというのが本発明の骨子である。
【実施例1】
【0175】
(111)Ga面のGaAsを下地基板としドットマスク或いはストライプマスクを形成した。マスクはSiO2であり厚みは60nm〜200nmである。マスクの寸法(s,w,p)については後に述べる。その上にGaN膜をHVPE法によって成長させた。初めにバッファ層を形成し、次いで厚いエピタキシャル成長層を形成した。バッファ層の条件は以下のようである。
【0176】
バッファ層の成長の条件
基板温度 500℃〜550℃
GaCl分圧 PGaCl=80Pa (0.0008atm)
NH3分圧 PNHE3=16kPa (0.16atm )
バッファ層膜厚 50nm
【0177】
バッファ層成長時の5/3族比bはb=200である。本発明では成長温度と5/3族比bを重視するがそれはエピタキシャル成長(厚膜成長)時の値であり、バッファ層形成時の5/3族比bは問題にしていない。
【0178】
基板内に、「クラックが発生した」というのは長さが2.0mm以上の表面線状割れが生じた場合、或いは0.5mm〜2.0mmの表面線状割れが3本以上生じた場合、或いは0.3mm〜0.5mmの表面線状割れが21本以上発生したことを言う。
【0179】
基板内に、「クラックが生じない」というのは、2.0mm以上の表面線状割れが0で、0.5mm〜2.0mmの線状割れが2本以下であり、0.3mm〜0.5mmの割れが20本以下であることをいう。
【0180】
クラック発生率(%)というのは成長させた基板の内、クラックが発生した基板の枚数を全体の基板の枚数で割って100を掛けた値である。ドナー密度Dというのはn型不純物の濃度を言う。ここではSiをドープしていないのでドナーは酸素(O)である。つまりドナー密度Dというのはドナー準位を作る酸素濃度ということである。酸素濃度、鉄濃度共にSIMSによって測定した。
【0181】
基板の反りUは曲率半径R(m)で表現する。
【0182】
たくさんの実験を繰り返し行った。
【0183】
ここで45個の試料について述べる。試料に1〜45の番号を付ける。1〜36、44、45は本発明の実施例である。試料37〜43は比較例である。試料1〜36、44、45の実施例の内、試料1〜21、44はI型(平坦表面)である。試料22〜36、45はII型(山形)である。
【0184】
比較例はマスクを下地基板に付けておらず平坦下地基板の上に直接に結晶を気相成長させている。比較例37〜43はマスクの影響を確かめるために特に実験したもので従来技術ではない。温度、5/3族比bは本発明の限定の範囲内としたものもある。
【0185】
表1に、試料番号、コア間隔(μm)、コア幅(μm)、成長温度(℃)、PGa(GaCl分圧;kPa)、PN(アンモニア分圧;kPa)、基板寸法(mm、インチ(″)、厚み(μm)、コアの種類、結晶面タイプ、Fe密度(cm−3)、ドナー密度(酸素量;cm−3)、比抵抗(Ωcm)、クラック発生率(%)、反り(反りの曲率半径;m)を示す。
【0186】
【表1】
【0187】
[実施例A:半絶縁性基板の実施例]
[試料1(実施例;I型)]
18mm角の正方形GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。18mm角の矩形ウエハ−を下地基板に使ったのが試料1の特徴である。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。
【0188】
GaAs基板を加工除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。鉄の取り込み量が少ない。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性がやや低いのは鉄密度が低いからである。しかしそれでも半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは4%であった。クラック発生率は極めて低い。全試料の中で最小である。反りはU=5.6mである。反りは十分に小さい。
【0189】
[試料2(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。
【0190】
GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。鉄の取り込み量が少ない。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性がやや低いのは鉄密度が低いからである。しかしそれでも半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは12%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=5.2mである。反りは十分に小さい。
【0191】
[試料3(実施例;I型)]
3インチ(75mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。これは基板の寸法が大きいというところが特徴である。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。
【0192】
GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。鉄の取り込み量が少ない。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性がやや低いのは鉄密度が低いからである。しかしそれでも半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは18%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=6.0mである。反りは十分に小さい。
【0193】
[試料4(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。
【0194】
GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1016cm−3である。鉄の取り込み量が少ない。比抵抗は1×106Ωcmであった。絶縁性がやや低いのは鉄密度が低いからである。しかしそれでも半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは12%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=5.8mである。反りは十分に小さい。
【0195】
[試料5(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=10kPa(0.1atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0196】
5/3族比bはb=1である。この試料は5/3族比bを1にしたのが特徴である。GaNの成長でこのように5/3族比bが低いということは嘗てなかった。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1016cm−3である。鉄の取り込み量が少ない。比抵抗は1×106Ωcmであった。絶縁性がやや低いのは鉄密度が低いからである。しかしそれでも半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは12%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=5.9mである。反りは十分に小さい。
【0197】
[試料6(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=3.3kPa(0.033atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。5/3族比bはb=3である。この試料は5/3族比bを3にしたのが特徴である。
【0198】
コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1016cm−3である。鉄の取り込み量が少ない。比抵抗は1×106Ωcmであった。絶縁性がやや低いのは鉄密度が低いからである。しかしそれでも半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは15%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=5.8mである。反りは十分に小さい。
【0199】
[試料7(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0200】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1019cm−3である。多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×1011Ωcmであった。極めて高い絶縁性である。絶縁性が高いのは酸素(ドナー)が少なく鉄濃度が高いからである。半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは26%であった。クラック発生率はやや低い。反りはU=5.6mである。反りは十分に小さい。これは絶縁性の高いところが特徴である。
【0201】
[試料8(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0202】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=5×1019cm−3である。極めて多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×1012Ωcmであった。頗る高い絶縁性である。絶縁性が高いのは酸素(ドナー)が少なく鉄濃度が高いからである。半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは20%であった。クラック発生率はやや低い。反りはU=5.9mである。反りは十分に小さい。これは絶縁性の特に高いところが特徴である。
【0203】
[試料9(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。
【0204】
GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は多結晶Pである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。かなりの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。しかし半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは16%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=5.7mである。反りは十分に小さい。マスク上の結晶が反転層Jでなく多結晶Pとなっているところがこの特徴である。クラックや反り、比抵抗などはマスク上の結晶が反転層Jとなっている場合とあまり変わりがない。
【0205】
[試料10(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0206】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は傾斜層Aである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。かなりの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。しかし半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは17%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=5.9mである。反りは十分に小さい。マスク上の結晶が反転層Jでなく傾斜層Aとなっているところがこの特徴である。クラックや反り、比抵抗などはマスク上の結晶が反転層Jとなっている場合とあまり変わりがない。
【0207】
[試料11(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=10μmの平行ストライプマスクを形成した。これはストライプマスク幅sを10μm(0.01mm)まで狭くしたところに特徴がある。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0208】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。かなりの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。しかし半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは17%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=5.2mである。反りは十分に小さい。マスク幅sが小さいと反りがより大きく或いは小さくなる可能性があるがs=10μmとしても反りはあまり大きくならない。s=10μmでもs=50μmでも反りは似たようなものである。
【0209】
[試料12(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=25μmの平行ストライプマスクを形成した。これはストライプマスク幅sを25μm(0.025mm)まで狭くしたところに特徴がある。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。5/3族比bはb=2.5である。
【0210】
コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。甚だ低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。かなりの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。しかし半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは19%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=5.2mである。反りは十分に小さい。マスク幅sが小さいと反りがより大きく或いは小さくなる可能性があるが、s=25μmとしても反りはあまり大きくならない。s=25μmでもs=50μmでも反りは似たようなものである。
【0211】
[試料13(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=100μmの平行ストライプマスクを形成した。これはストライプマスク幅sを100μm(0.1mm)まで広げたところに特徴がある。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。
【0212】
ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。かなりの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。しかし半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは19%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=5.1mである。反りは十分に小さい。マスク幅sが大きいと反りがより大きく或いは小さくなる可能性があるが、s=100μmとしても反りはあまり大きくならない。s=100μmでもs=50μmでも反りは似たようなものである。
【0213】
[試料14(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=250μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。これはストライプ間隔wを250μm(0.25mm)まで狭めたところに特徴がある。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0214】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。かなりの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。しかし半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは18%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=6.0mである。反りは十分に小さい。コア間隔wが狭いと反りがより小さくクラックがより減少する可能性があるがw=500μmでもw=250μmでも反りやクラックはあまり変わらない。
【0215】
[試料15(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=750μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。これはストライプ間隔wを750μm(0.75mm)まで広げたところに特徴がある。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。
【0216】
ドナー密度はD=1×1015cm−3である。低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。かなりの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。しかし半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは18%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=5.9mである。反りは十分に小さい。コア間隔wが広いと反りが大きくなる可能性があるが、w=750μmであってもまだ反りは大きくならないということである。
【0217】
[試料16(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=1000μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。これはストライプ間隔wを1000μm(1mm)まで広げたところに特徴がある。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0218】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。かなりの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。しかし半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは17%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=5.7mである。反りは十分に小さい。コア間隔wが大きいと反りが大きくなる可能性があるがw=1000μmであってもまだ反りは大きくならないということである。
【0219】
[試料17(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=1500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。これはストライプ間隔wを1500μm(1.5mm)まで広げたところに特徴がある。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0220】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。かなりの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。しかし半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは19%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=3.9mである。反りはやや大きい。反りUの大きいのはコア間隔wが広い(w=1500μm)からであろう。許容最大反りUcが2m〜3.5mである場合この試料の基板も使用可能である。許容最大反りUcが4m〜5mの場合この試料は不合格となる。許される反りの最大値Ucの値は目的によって異なる。
【0221】
[試料18(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=2000μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。これはストライプ間隔wを2000μm(2mm)まで広げたところに特徴がある。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。
【0222】
結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。かなりの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。しかし半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは17%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=3.3mである。反りはやや大きい。反りUの大きいのはコア間隔wが広い(w=2000μm)からであろう。許容最大反りUcが2m〜3mである場合この試料の基板も使用可能である。許容最大反りUcが3.5m〜5mの場合この試料は不合格となる。許される反りの最大値Ucの値は目的によって異なる。
【0223】
[試料19(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0224】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1017cm−3である。かなり高いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。かなりの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×105Ωcmであった。絶縁性は極めて低い。それでも半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは24%であった。クラック発生はやや多いが使用可能な半絶縁性基板である。反りはU=5.5mである。反りは小さい。
【0225】
[試料20(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0226】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1017cm−3である。かなり高いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1019cm−3である。多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性はあまり高くない。それでも半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは16%であった。クラック発生の少ない良い半絶縁性基板である。反りはU=5.2mである。反りは小さい。
【0227】
[試料21(実施例;I型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はまずTg=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長した後、Tq=1110℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが1000μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して1100℃で成長した部分からGaN基板を切出して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0228】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1017cm−3である。かなり高いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=5×1019cm−3である。多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×108Ωcmであった。絶縁性はやや高い。半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは27%であった。クラック発生がかなり多いが使用可能な半絶縁性基板である。反りはU=5.3mである。反りは小さい。
【0229】
[試料22(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0230】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。かなりの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性はあまり高くない。しかしそれでも半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは17%であった。クラック発生の少ない良い半絶縁性基板である。反りはU=5.0mである。反りは小さい。
【0231】
[試料23(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0232】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1016cm−3である。かなりの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×106Ωcmであった。絶縁性はやや低い。それでも半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは13%であった。クラック発生の少ない良い半絶縁性基板である。反りはU=5.5mである。反りは小さい。
【0233】
[試料24(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0234】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1017cm−3である。かなり高い値である。鉄密度(Fe)はF=1×1019cm−3である。多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。しかし半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは16%であった。クラック発生の少ない良い半絶縁性基板である。反りはU=5.7mである。反りは小さい。
【0235】
[試料25(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0236】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1017cm−3である。かなり高い値である。鉄密度(Fe)はF=5×1019cm−3である。極めて多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×108Ωcmであった。絶縁性はやや高い。半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは29%であった。かなり大きい値であるが有用な基板である。反りはU=5.3mである。反りは小さい。
【0237】
[試料26(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0238】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1019cm−3である。極めて高い値である。鉄密度(Fe)はF=7×1019cm−3である。極めて多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×105Ωcmであった。絶縁性は極めて低い。しかし半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは29%であった。かなり大きい値であるが有用な基板である。反りはU=6.0mである。反りは小さい。
【0239】
[試料27(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0240】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1019cm−3である。極めて高い値である。鉄密度(Fe)はF=8×1019cm−3である。極めて多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。しかし半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは28%であった。かなり大きい値であるが有用な基板である。反りはU=5.1mである。反りは小さい。
【0241】
[試料28(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0242】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1017cm−3である。かなり高い値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。やや鉄の取り込みが少ない。比抵抗は1×105Ωcmであった。絶縁性は極めて低い。しかし半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは23%であった。かなり大きい値であるが有用な基板である。反りはU=5.7mである。反りは小さい。
【0243】
[試料29(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0244】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。低い値である。鉄密度(Fe)はF=1×1019cm−3である。多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×1011Ωcmであった。絶縁性は極めて高い。半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは27%であった。かなり大きい値であるが有用な基板である。反りはU=5.4mである。反りは小さい。
【0245】
[試料30(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0246】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。低い値である。鉄密度(Fe)はF=5×1019cm−3である。極めて多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×1012Ωcmであった。絶縁性は極めて高い。クラック発生率Kは18%であった。これはかなり低い値である。反りはU=5.7mである。反りが小さい。
【0247】
[試料31(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0248】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1019cm−3である。非常に高い値である。鉄密度(Fe)はF=7×1019cm−3である。極めて多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×105Ωcmであった。絶縁性は極めて低い。クラック発生率Kは27%であった。これはかなり高い値であるがそれでも有用な基板である。反りはU=6.0mである。反りが小さい。
【0249】
[試料32(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0250】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1019cm−3である。極めて高い値である。鉄密度(Fe)はF=8×1019cm−3である。極めて多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。クラック発生率Kは29%であった。これはかなり高い値であるがそれでも有用な基板である。反りはU=5.6mである。反りが小さいということである。
【0251】
[試料33(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0252】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。低いドナー密度である。鉄密度(Fe)はF=7×1019cm−3である。極めて多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は3×1012Ωcmであった。絶縁性は極めて高い。クラック発生率Kは27%であった。これはかなり高い値であるがそれでも有用な基板である。反りはU=5.5mである。反りが小さいということである。
【0253】
[試料34(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0254】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。低い値である。II型であるから酸素が大量にドープされる。鉄密度(Fe)はF=8×1019cm−3である。極めて多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は5×1012Ωcmであった。絶縁性は極めて高い。クラック発生率Kは28%であった。これはかなり高い値であるがそれでも有用な基板である。反りはU=5.0mである。反りが小さいということである。
【0255】
[試料35(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=2kPa(0.02atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。
【0256】
GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。5/3族比bはb=5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1019cm−3である。II型であるから酸素が大量にドープされる。鉄密度(Fe)はF=7×1019cm−3である。極めて多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×105Ωcmであった。絶縁性は極めて低い。クラック発生率Kは29%であった。これはかなり高い値であるがそれでも有用な基板である。反りはU=5.0mである。反りが小さいということである。
【0257】
[試料36(実施例;II型)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ストライプコア間隔wがw=500μm、マスク幅がs=50μmの平行ストライプマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=1kPa(0.01atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。
【0258】
GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。5/3族比bはb=10である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1019cm−3である。極めて高い値である。II型であるから酸素が大量にドープされる。鉄量(Fe)はF=8×1019cm−3である。極めて多くの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。クラック発生率Kは28%であった。これはかなり高い値であるがそれでも有用な基板である。反りはU=5.0mである。反りが小さいということである。
【0259】
[試料37(比較例;マスク無し)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、マスクを形成しない。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。マスクがないのでコアが存在しない。基板の上に一様に平坦なC面の結晶が成長する。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0260】
5/3族比bはb=2.5である。表面に露呈した結晶面はC面である。C面が平坦面となっている。マスクがないのでC面成長となっている。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。C面成長なので酸素(ドナー)が結晶内部へ入り難くドナー密度が極めて低い。酸素が殆どドープされない。鉄量(Fe)はF=1×1017cm−3である。かなりの鉄が取り込まれている。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性は高くない。クラック発生率Kは77%であった。きわめて高い値である。反りはU=1.4mである。甚だ反りが大きいということである。マスクを下地基板に作ることなくGaNを成長させたからである。デバイスをその上に形成する基板としては不適である。
【0261】
[試料38(比較例;マスク無し)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、マスクを形成しない。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。マスクがないのでコアが存在しない。基板の上に一様に平坦なC面の結晶が成長する。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0262】
5/3族比bはb=2.5である。表面に露呈した結晶面はC面である。C面が平坦面となっている。マスクがないのでC面成長となっている。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。C面成長なので酸素(ドナー)が結晶内部へ入り難くドナー密度が極めて低い。酸素が殆どドープされない。鉄量(Fe)はF=1×1016cm−3である。鉄の取り込み量は非常に少ない。比抵抗は1×106Ωcmであった。絶縁性はやや低い。クラック発生率Kは75%であった。極めて高い値である。反りはU=1.6mである。甚だ反りが大きいということである。マスクを下地基板に作ることなくGaNを成長させたからである。デバイスをその上に形成する基板としては不適である。
【0263】
[試料39(比較例;マスク無し)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、マスクを形成しない。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1030℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。マスクがないのでコアが存在しない。基板の上に一様に平坦なC面の結晶が成長する。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0264】
5/3族比bはb=2.5である。表面に露呈した結晶面はC面である。C面が平坦面となっている。マスクがないのでC面成長となっている。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。C面成長なので酸素(ドナー)が結晶内部へ入り難くドナー密度が極めて低い。酸素が殆どドープされない。鉄量(Fe)はF=1×1019cm−3である。鉄がかなり高濃度に取り込まれている。比抵抗は1×1011Ωcmであった。絶縁性は高い。クラック発生率Kは88%であった。極めて高い値である。反りはU=1.9mである。甚だ反りが大きいということである。デバイスをその上に形成する基板としては不適である。
【0265】
[試料40(比較例;マスク無し)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、マスクを形成しない。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1030℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。マスクがないのでコアが存在しない。基板の上に一様に平坦なC面の結晶が成長する。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0266】
5/3族比bはb=2.5である。表面に露呈した結晶面はC面である。C面が平坦面となっている。マスクがないのでC面成長となっている。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。C面成長なので酸素(ドナー)が結晶内部へ入り難くドナー密度が極めて低い。酸素が殆どドープされない。鉄量(Fe)はF=5×1019cm−3である。鉄が高濃度に取り込まれている。比抵抗は1×1012
cmであった。絶縁性は高い。クラック発生率Kは97%であった。極めて高い値である。反りはU=1.8mである。甚だ反りが大きいということである。デバイスをその上に形成する基板としては不適である。
【0267】
[試料41(比較例;マスク無し)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、マスクを形成しない。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1010℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。マスクがないのでコアが存在しない。基板の上に一様に平坦なC面の結晶が成長する。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0268】
5/3族比bはb=2.5である。表面に露呈した結晶面はC面である。C面が平坦面となっている。マスクがないのでC面成長となっている。ドナー密度はD=1×1017cm−3である。C面成長ではあるが、かなり高いドナー密度を有する。鉄量(Fe)はF=1×1017cm−3である。鉄がかなり取り込まれている。比抵抗は1×105
cmであった。絶縁性は非常に低い。クラック発生率Kは68%であった。高い値である。反りはU=1.4mである。甚だ反りが大きいということである。デバイスをその上に形成する基板としては不適である。
【0269】
[試料42(比較例;マスク無し)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、マスクを形成しない。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1010℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。マスクがないのでコアが存在しない。基板の上に一様に平坦なC面の結晶が成長する。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0270】
5/3族比bはb=2.5である。表面に露呈した結晶面はC面である。C面が平坦面となっている。マスクがないのでC面成長となっている。ドナー密度はD=1×1017cm−3である。C面成長ではあるが、かなり高いドナー密度を有する。鉄量(Fe)はF=1×1019cm−3である。鉄が高濃度に取り込まれている。比抵抗は1×107cmであった。絶縁性は高くない。クラック発生率Kは90%であった。極めて高い値である。反りはU=1.4mである。甚だ反りが大きいということである。デバイスをその上に形成する基板としては不適である。
【0271】
[試料43(比較例;マスク無し)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、マスクを形成しない。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。マスクがないのでコアが存在しない。基板の上に一様に平坦なC面の結晶が成長する。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0272】
5/3族比bはb=2.5である。表面に露呈した結晶面はC面である。C面が平坦面となっている。マスクがないのでC面成長となっている。ドナー密度はD=1×1017cm−3である。C面成長ではあるが、かなり高いドナー密度を有する。鉄量(Fe)はF=5×1019cm−3である。鉄が高濃度に取り込まれている。比抵抗は1×108cmであった。絶縁性はやや高い。クラック発生率Kは95%であった。極めて高い値である。反りはU=1.6mである。甚だ反りが大きいということである。マスクを形成しなかったからである。デバイスをその上に形成する基板としては不適である。
【0273】
[試料44(実施例;I型 ドットタイプ)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ドットコア間隔wがw=500μm、マスク径がs=50μmのドットマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1100℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。
【0274】
GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはI型である。成長温度Tqが高いのでI型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。鉄の取り込み量は多くない。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性がやや低いのは鉄密度が低いからである。しかしそれでも半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは20%であった。クラック発生率は極めて低い。反りはU=3.2mである。
【0275】
[試料45(実施例;II型 ドットタイプ)]
2インチ(50mm直径)GaAs基板の上に、ドットコア間隔wがw=500μm、マスク径がs=50μmのドットマスクを形成した。バッファ層を形成した後エピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長温度はTq=1050℃、NH3分圧PNH3=10kPa(0.1atm)、GaCl分圧PGaCl=4kPa(0.04atm)で厚みが400μm以上になるまでエピタキシャル成長させた。GaAs基板を除去して400μm厚みのGaNの単独自立基板とした。
【0276】
5/3族比bはb=2.5である。コアの結晶種類は反転層Jである。結晶面タイプはII型である。成長温度Tqがやや低いのでII型になったのである。ドナー密度はD=1×1015cm−3である。極めて低いドナー密度の値である。鉄密度(Fe)はF=1×1017cm−3である。鉄の取り込み量は多くない。比抵抗は1×107Ωcmであった。絶縁性はあまり高くない。しかしそれでも半絶縁性基板として使用可能である。クラック発生率Kは18%であった。クラック発生の少ない良い半絶縁性基板である。反りはU=4.0mである。反りは小さい。
【0277】
[実施例B:半絶縁性基板を用いたデバイスの実施例]
[ストライプ型半絶縁性基板を用いたデバイスの作製]
[デバイス試料46(実施例;I型)]
試料3で作製した結晶タイプI型の3インチ半絶縁基板(ストライプコア
間隔500μm、マスク幅50μm)比抵抗1×107Ωcmの基板上に有機金属気相成長法(OMVPE法)により、HEMT(高電子移動度トランジスタ)構造のエピタキシャルウエハーを作製した(図28)。OMVPE装置のリアクタにGaN基板を置き、水素、窒素、アンモニアを含むガスをリアクタ内に供給して、GaN基板の温度を1100℃において20分間熱処理を行なった。次に、GaN基板の温度を1130℃に昇温させ、アンモニア、トリメチルガリウム(TMG)をリアクタに供給して、厚さ1.5μmのGaNエピ層をGaN基板上に成長させた。トリメチルアルミニウム(TMA)、TMG、アンモニアをリアクタに供給して、厚さ30nm、Al組成20%のAlGaN膜を前記GaNエピ層上に成長させた。これらの工程によりエピタキシャル基板(図28)を作製した。
【0278】
次に、以下の工程により、HEMTデバイス(図29)を作製した。エピタキシャル基板(図28)の表面にフォトリソグラフィ、EB蒸着、リフトオフによりソース電極、及びドレイン電極を作製した。電極は、Ti/Al/Ti/Au(20/100/20/300nm)を用いた。リフトオフ後600℃、1分間の合金化熱処理を行なった。
【0279】
次に、同様な工程によりゲート電極を作製した。ゲートはストライプコア(欠陥集合領域)に平行な方向に配置し、ストライプコア上に形成しないように作製した。ゲート電極として、Ni/Au(50/500nm)を用いた。ゲート長は2μmであった。(これをデバイス試料46とする。)
【0280】
[デバイス試料47(比較例)]
比較試料47として、Feドープ半絶縁性ランダムコア基板上に、同様に、HEMT構造エピ成長を行い、HEMTを作製した。ランダムコアというのは結晶欠陥集合領域Hがランダムに分布している結晶ということである。下地基板の上にマスクを付けないでファセット成長させるとファセットピットがランダムに発生しそれが結晶欠陥集合領域Hとなるので、結晶欠陥集合領域H(コア)がランダムに分布するのである。
【0281】
[デバイス試料48(比較例)]
また、比較試料48としてサファイヤ基板上に、同様にして、HEMT構造エピ成長を行なった。エピ成長工程では、サファイヤ基板を1170℃、10分間熱処理を行い、次に種付け層を成長させ、その後、GaN基板の場合と同様にGaNエピ層、AlGaNエピ層を成長させ、エピタキシャル基板とした(図30)。次に同様の工程でHEMT作製を行なった(図31)。
【0282】
デバイス試料46、47、48のゲートリーク電流を比較した。ゲート電圧5Vにおいて、試料46ではゲート電流密度1×106A/cm2と小さい値が得られたが、試料47では1×103A/cm2、試料48では1×102A/cm2と試料46に比べ、ゲートリーク電流が大きく増加した。ゲートリーク電流が小さい方が、トランジスタのピンチオフが良好であるので、高性能なトランジスタが実現できる。
【0283】
デバイス試料47でゲートリーク電流が増加した原因は、ゲート電極下にランダムコアが存在しており、転位起因のリーク電流が増加したためと考えられる。
【0284】
デバイス試料48でゲートリーク電流が増加した原因は、基板がサファイヤであるためにエピ層中の転位密度が大きくなり(〜1×109/cm2)、転位起因のリーク電流が大きくなったためと考えられる。
以上より、本発明により、ゲートリーク電流が小さい高性能なHEMT及びHEMTエピタキシャル基板を実現できる。
【0285】
[実施例C:ドットタイプ半絶縁性基板を用いたデバイスの実施例]
[ドット型半絶縁性基板を用いたデバイスの作製]
[デバイス試料49(実施例;I型 ドットタイプ)]
試料44で作製した結晶タイプI型の2インチ半絶縁基板(ドットコア間隔500μm、マスク径50μm)比抵抗1×107Ωcmの基板上に有機金属気相成長法(OMVPE法)により、HEMT(高電子移動度トランジスタ)構造のエピタキシャルウエハーを作製した(図28)。OMVPE装置のリアクタにGaN基板を置き、水素、窒素、アンモニアを含むガスをリアクタ内に供給して、GaN基板の温度を1100℃において20分間熱処理を行なった。次に、GaN基板の温度を1130℃に昇温させ、アンモニア、トリメチルガリウム(TMG)をリアクタに供給して、厚さ1.5μmのGaNエピ層をGaN基板上に成長させた。トリメチルアルミニウム(TMA)、TMG、アンモニアをリアクタに供給して、厚さ30nm、Al組成20%のAlGaN膜を前記GaNエピ層上に成長させた。これらの工程によりエピタキシャル基板(図28)を作製した。
【0286】
次に、以下の工程により、HEMTデバイス(図29)を作製した。エピタキシャル基板(図28)の表面にフォトリソグラフィ、EB蒸着、リフトオフによりソース電極、及びドレイン電極を作製した。電極は、Ti/Al/Ti/Au(20/100/20/300nm)を用いた。リフトオフ後600℃、1分間の合金化熱処理を行なった。
【0287】
次に、同様な工程によりゲート電極を作製した。ゲート電極はドットコア領域(欠陥集合領域)上に形成しないように作製した。ゲート電極として、Ni/Au(50/500nm)を用いた。ゲート長は2μmであった。(これをデバイス試料49とする。)
【0288】
[デバイス試料50(比較例)]
比較試料50として、Feドープ半絶縁性ランダムコア基板上に、同様に、HEMT構造エピ成長を行い、HEMTを作製した。
【0289】
[デバイス試料51(比較例)]
また、比較試料51としてサファイヤ基板上に、同様にして、HEMT構造エピ成長を行なった。エピ成長工程では、サファイヤ基板を1170℃、10分間熱処理を行い、次に種付け層を成長させ、その後、GaN基板の場合と同様にGaNエピ層、AlGaNエピ層を成長させ、エピタキシャル基板とした(図30)。次に同様の工程でHEMT作製を行なった(図31)。
【0290】
デバイス試料49、50、51のゲートリーク電流を比較した。ゲート電圧5Vにおいて、試料49ではゲート電流密度1×106A/cm2と小さい値が得られたが、試料50では1×103A/cm2、試料51では1×102A/cm2と試料49に比べ、ゲートリーク電流が大きく増加した。ゲートリーク電流が小さい方が、トランジスタのピンチオフが良好であるので、高性能なトランジスタが実現できる。
【0291】
デバイス試料50でゲートリーク電流が増加した原因は、ゲート電極下にランダムコアが存在しており、転位起因のリーク電流が増加したためと考えられる。
【0292】
デバイス試料51でゲートリーク電流が増加した原因は、基板がサファイヤであるためにエピ層中の転位密度が大きくなり(〜1×109/cm2)、転位起因のリーク電流が大きくなったためと考えられる。
以上より、本発明により、ゲートリーク電流が小さい高性能なHEMT及びHEMTエピタキシャル基板を実現できる。
【0293】
以上の試料1〜36、44、45の実施例について、図22に温度、5/3族比bの値を白丸(II型)と白三角(I型)で示している。何れも、破線で囲まれた範囲(1040℃〜1150℃、5/3族比b=1〜10)にある。比較例37〜43は、温度と5/3族比bに関し、破線枠の内部に含まれるものも含まれないものもある。破線枠内部にあってもこれら比較例はクラックや反りの点で不適である。それはマスクを付けていないからである。比較例はマスクの効果を調べるためのものである。
【0294】
図23は試料1〜45について、反りの曲率半径(m)を横軸に、クラック発生率(%)を縦軸にして、点によって反り、クラック発生率を示したものである。添え数字は試料の番号を表す。白丸はI型の試料1〜21、44を示す。白三角はII型の試料22〜36、45を表す。白四角は比較例の試料37〜43に対応する。
【0295】
比較例の試料37〜43は強い反り(曲率半径が1m〜2m)を持ち、クラック発生率が68〜97%であり半導体デバイス作製の基板として不適当である。これは下地基板にマスクがないからである。
【0296】
I型とII型を比較すると反り(曲率半径)は5m〜6mの間にあってあまり変わらない。反りの曲率半径はI、II型の何れも3m以上である。3m〜7mの間に分布している。クラック発生率はいずれも30%以下である。クラック発生率がI型は4%〜27%の間にあり、大部分は10%〜20%の間に分布する。II型はクラック発生率が13%〜29%の間にあり、大部分は25%〜29%の間にある。クラックの点からI型の方がII型より優れている。I型、II型共に半絶縁性基板として利用できる。
【0297】
図27に試料1〜45のドナー密度(cm−3)と鉄(Fe)密度(cm−3)の分布をグラフにして示す。横軸がドナー(酸素)の密度、縦軸が鉄密度である。白丸がI型、白三角がII型、白四角が比較例を示す。添え字は試料の番号を表す。II型(白三角)がドナー密度が高いということが分かる。I型でドナー密度の高いものもあるが(試料19、20、21)大多数のI型はドナー密度が低い。
【0298】
II型では鉄ドープ量とドナー量が大体比例して増大するが、I型ではドナーが少なくても鉄量が多いというようにできる。この点でもI型がより優れている。
【0299】
さらに、I、II型の1〜36の試料と比較例37〜43の試料の転位密度をリン酸、硫酸のエッチング溶液200℃でエッチングすることで測定した。測定は微分干渉式光学顕微鏡の対物100倍を用いて、100×100μmの領域でエッチピットの数を数えることで行った。その結果、比較例37〜43の試料の転位密度(エッチピット密度)は何れも2×107〜108/cm2であるのに対して、1〜36の試料は何れも5×106/cm2以下であり、特に結晶の反りの曲率半径が4mを超えるものは2×106/cm2以下、5mを越えるものは105/cm2台以下、結晶面のタイプがIIであるものはIに比べて約半分であった。しかしながら、試料21は結晶面タイプがIであるにも拘らず、成長初期でファセット面成長しているため、曲率半径がほぼ同等の試料2、11、12、20と比較して約半分、タイプIIで曲率半径が同等の試料25と転位密度は同じであった。
また、試料1〜36の作製に用いたGaAs基板の替わりに、サファイヤ基板、SiC基板を用いても試料1〜36と同等の結晶面、Fe密度、ドナー密度、比抵抗、クラック発生率、反りの曲率半径を有する基板が得られた。
また、試料1〜36のGaN基板を下地基板にして試料1〜36と同様の条件で成長させた結果、試料1〜36と同等の結晶面、Fe密度、ドナー密度、比抵抗、クラック発生率、反りの曲率半径を有する基板が得られた。
【図面の簡単な説明】
【0300】
【図1】下地基板の上に形成され広い被覆部の中に多数の小さい窓(露呈部)が狭い繰り返しピッチで存在するマスクの平面図。
【0301】
【図2】下地基板の上にマスクを付けその上に窒化ガリウムを気相成長させる工程を説明するための工程図。
【0302】
【図3】結晶表面に、寸法の異なる多数のファセットピットがランダムに発生するランダムファセット成長法による結晶の一部斜視図。
【0303】
【図4】ファセットピットを成長の終了まで維持するファセット成長において、成長方向と転位方向が平行なのでファセットピットの内部で転位がファセット法線方向に伸びファセットの境界に到り、境界を伝って下降しピット底部に集結することを説明するためのピット斜視図。
【0304】
【図5】ファセットピットを成長の終了まで維持するファセット成長において、成長方向と転位方向が平行なのでファセットピットの内部で転位がファセット法線方向に伸びファセットの境界に到り、境界を伝って下降しピット底部に集結することを説明するためのピット平面図。
【0305】
【図6】ファセットピットを成長終了まで維持するファセット成長を行うため、下地基板の上に形成され、多数の点状の被覆部が広い間隔をおいて規則正しく縦横に存在するドット型マスクの一部の平面図。
【0306】
【図7】ドット型マスクを設けた下地基板の上にGaN結晶を気相成長させ被覆部Mの上に底があるファセットピットを作り出したドット型ファセット成長法によるGaN結晶の表面の斜視図。
【0307】
【図8】ドット型マスクを設けた下地基板の上にGaN結晶を気相成長させ被覆部Mの上に底があるファセットピットを作り出したドット型ファセット成長法によるGaN結晶の平面図。
【0308】
【図9】ドット型マスクを設けた下地基板の上にGaN結晶を気相成長させ被覆部Mの上に底があるファセットピットを作り出しファセットピットが大きくなり、マスク上にも結晶欠陥集合領域Hが発生するまでの過程を示すファセット成長の工程毎の縦断面図。
【0309】
【図10】ファセットピットを成長終了まで維持するファセット成長を行うため、下地基板の上に形成され、平行線状の複数の被覆部が広い間隔をおいて規則正しく縦に存在するストライプ型マスクの一部の平面図。
【0310】
【図11】ストライプ型マスクを設けた下地基板の上にGaN結晶を気相成長させ、被覆部Mの上に谷が、被覆部中間に平坦頂面が、頂面と谷の間に傾斜したファセットが存在する多数の山谷構造を作り出したストライプ型ファセット成長法によるGaN結晶の平面図。
【0311】
【図12】ストライプ型マスクを設けた下地基板の上にGaN結晶を気相成長させ、被覆部Mの上に谷が、被覆部中間に平坦頂面が、頂面と谷の間に傾斜したファセットが存在する多数の山谷構造を作り出したストライプ型ファセット成長法によるGaN結晶の斜視図。
【0312】
【図13】ストライプ型マスクを設けた下地基板の上にGaN結晶を気相成長させ、被覆部Mの上に谷が、被覆部中間に尖鋭稜線が、尖鋭稜線と谷の間に傾斜したファセットが存在する多数の山谷構造を作り出したストライプ型ファセット成長法によるGaN結晶の平面図。
【0313】
【図14】ストライプ型マスクを設けた下地基板の上にGaN結晶を気相成長させ、被覆部Mの上に谷が、被覆部中間に尖鋭稜線が、尖鋭稜線と谷の間に傾斜したファセットが存在する多数の山谷構造を作り出したストライプ型ファセット成長法によるGaN結晶の斜視図。
【0314】
【図15】下地基板の上にストライプ型マスクを形成し、その上にGaNを気相成長させると、先に露呈部で成長が進行するので露呈部にC面とファセットを持つ結晶が成長しマスクの上には低い結晶欠陥集合領域Hができ、マスク直上は谷、マスク中間は山となる平行山谷構造となる過程を示す工程断面図。
【0315】
【図16】ストライプ型マスクファセット法において、図15より後でさらに結晶成長が進んでいき山が高く谷が大きくなっていく過程を示す工程断面図。
【0316】
【図17】特許文献7(特許第3826825号)が提案したもので、酸素はC面から殆ど入らずファセットを通って結晶に大量に取り込まれるという選択性があるので、ファセットを作ってc軸方向に結晶成長させることによって高濃度に酸素をドープできるようにしたGaN結晶の断面図。
【0317】
【図18】特許文献7(特許第3826825号)が提案したもので、酸素はC面から殆ど入らずファセットを通って結晶に大量に取り込まれるという選択性があるので、C面以外の表面を持つ結晶を作ってその上にGaNを結晶成長させることによって高濃度に酸素をドープできるようにしたGaN結晶の断面図。
【0318】
【図19】本発明の鉄ドープ窒化物半導体結晶を作り出すためのHVPE炉の断面図。
【0319】
【図20】本発明の手法で作製した山谷構造を持つII型の窒化物半導体結晶の形状を示す断面図。
【0320】
【図21】本発明の手法で作製した平坦表面を持つI型の窒化物半導体結晶の形状を示す断面図。
【0321】
【図22】従来技術を述べる特許文献1〜11の気相成長法と、本発明の気相成長法とにおいて、実施例毎に、成長温度と、5/3族比bを座標として示すグラフ。横軸は成長温度(℃)である。縦軸は5/3族比bを対数で表示するものである。
【0322】
【図23】本発明の実施例及び比較例である試料1〜43の反りの曲率半径(m)とクラック発生率(%)を、反りとクラックを横縦座標とする空間に点で示したグラフ。横に振った数字は試料番号である。白丸はI型、白三角はII型、白四角は比較例である。比較例は公知ではない。
【0323】
【図24】本発明の手法で作製した平坦面一部にファセット面を持つIとIIの混合型の窒化物半導体結晶の形状を示す断面図。
【0324】
【図25】複数平行被覆部よりなるストライプマスクを下地基板に形成してその上に窒化物半導体を気相成長させる本発明の手法においてストライプマスクの幅s、間隔wの寸法を示す平面図。
【0325】
【図26】縦横並列複数点状被覆部よりなるドットマスクを下地基板に形成してその上に窒化物半導体を気相成長させる本発明の手法においてドットマスクの直径s、間隔wの寸法を示す平面図。
【0326】
【図27】ドナー密度(cm−3)の対数と鉄密度(cm−3)の対数を横縦の座標とするグラフにおいて、本発明の明細書に記載したGaNの気相成長の試料1〜43を点で表したもの。数字は試料の番号である。白丸はI型、白三角はII型、白四角は比較例である。比較例は公知でない。
【0327】
【図28】SI−GaN(半絶縁性GaN)基板の上にGaN薄膜を成長させたエピタキシャル基板の縦断面図。
【0328】
【図29】SI−GaN(半絶縁性GaN)基板の上にGaN薄膜を成長させたエピタキシャル基板の上に電極を付けて作成したHEMTの縦断面図。
【0329】
【図30】サファイヤ基板の上にGaN薄膜を成長させたエピタキシャル基板の縦断面図。
【0330】
【図31】サファイヤ基板の上にGaN薄膜を成長させたエピタキシャル基板の上に電極を付けて作成したHEMTの縦断面図。
【符号の説明】
【0331】
U 下地基板
M マスク被覆部
E マスクによって覆われない露呈部
W マスクの窓
T 転位
G 結晶
F ファセット
C C面
P ファセットピット
V 成長方向
H 結晶欠陥集合領域 (閉鎖欠陥集合領域)
Z 低欠陥単結晶領域 (単結晶低転位随伴領域)
Y C面成長領域 (単結晶低転位余領域)
K 結晶粒界
s マスク被覆部の直径または幅
w マスク被覆部の間隔
p マスク被覆部の繰り返しピッチ
2 反応炉
3 ヒータ
4 Ga溜め
5 サセプタ
6 下地基板
7 第1原料ガス供給管
8 第2原料ガス供給管
9 ガス排出管
10第3原料ガス供給管
【特許請求の範囲】
【請求項1】
下地基板の上に、幅或いは直径sが10μm〜100μmであるドット被覆部或いはストライプ被覆部を間隔wが250μm〜2000μmであるように並べたマスクを形成し、HVPE法によって成長温度が1040℃〜1150℃であって、5/3族比bが1〜10であるような3族、5族原料ガスと、鉄を含むガスとを供給することによって下地基板の上に窒化物半導体結晶を成長させ、下地基板を除去することによって、比抵抗が1×105Ωcm以上、厚みが100μm以上の自立した半絶縁性窒化物半導体基板を得るようにしたことを特徴とする半絶縁性窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項2】
成長温度が1090℃〜1150℃であり、5/3族比bが1〜5であって、被覆部を除いて表面がほぼ平坦な結晶を成長させることを特徴とする請求項1に記載の半絶縁性窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項3】
成長温度が1040℃〜1070℃であり、5/3族比bが1〜10であって、被覆部を底とし隣接被覆部の中間を山とするファセット面を持つ結晶を成長させることを特徴とする請求項1に記載の半絶縁性窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項4】
直径又は幅sが10μm〜100μmで間隔wが250μm〜2000μmで繰り返す点状或いは平行線状の結晶欠陥集合領域Hと、隣接する結晶欠陥集合領域H、Hの間に繰り返し存在する低欠陥単結晶領域Zと低欠陥単結晶領域Z、Zの間に存在するC面成長領域Yとを含み、比抵抗が1×105Ωcm以上、厚みが100μm以上、反りの曲率半径が3m以上であることを特徴とする半絶縁性窒化物半導体基板。
【請求項5】
直径又は幅sが10μm〜100μmで間隔wが250μm〜2000μmで繰り返す点状或いは平行線状の結晶欠陥集合領域Hと、隣接する結晶欠陥集合領域H、Hの間に繰り返し存在する低欠陥単結晶領域Zと低欠陥単結晶領域Z、Zの間に存在するC面成長領域Yとを含み、比抵抗が1×105Ωcm以上、厚みが100μm以上の半絶縁性窒化物半導体基板と、この基板上に設けられた窒化物半導体エピタキシャル膜を備え、反りの曲率半径が3m以上であることを特徴とする窒化物半導体エピタキシャル基板。
【請求項6】
直径又は幅sが10μm〜100μmで間隔wが250μm〜2000μmで繰り返す点状或いは平行線状の結晶欠陥集合領域Hと、隣接する結晶欠陥集合領域H、Hの間に繰り返し存在する低欠陥単結晶領域Zと低欠陥単結晶領域Z、Zの間に存在するC面成長領域Yとを含み、比抵抗が1×105Ωcm以上である半絶縁性窒化物半導体基板と、
前記半絶縁性窒化物半導体基板の上に設けられた窒化物半導体エピタキシャル膜と、
前記窒化物半導体エピタキシャル膜に設けられたゲート電極と、
前記窒化物半導体エピタキシャル膜に設けられたソース電極と、
前記窒化物半導体エピタキシャル膜に設けられたドレイン電極を備え前記ゲート電極が結晶欠陥集合領域H以外に形成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
【請求項1】
下地基板の上に、幅或いは直径sが10μm〜100μmであるドット被覆部或いはストライプ被覆部を間隔wが250μm〜2000μmであるように並べたマスクを形成し、HVPE法によって成長温度が1040℃〜1150℃であって、5/3族比bが1〜10であるような3族、5族原料ガスと、鉄を含むガスとを供給することによって下地基板の上に窒化物半導体結晶を成長させ、下地基板を除去することによって、比抵抗が1×105Ωcm以上、厚みが100μm以上の自立した半絶縁性窒化物半導体基板を得るようにしたことを特徴とする半絶縁性窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項2】
成長温度が1090℃〜1150℃であり、5/3族比bが1〜5であって、被覆部を除いて表面がほぼ平坦な結晶を成長させることを特徴とする請求項1に記載の半絶縁性窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項3】
成長温度が1040℃〜1070℃であり、5/3族比bが1〜10であって、被覆部を底とし隣接被覆部の中間を山とするファセット面を持つ結晶を成長させることを特徴とする請求項1に記載の半絶縁性窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項4】
直径又は幅sが10μm〜100μmで間隔wが250μm〜2000μmで繰り返す点状或いは平行線状の結晶欠陥集合領域Hと、隣接する結晶欠陥集合領域H、Hの間に繰り返し存在する低欠陥単結晶領域Zと低欠陥単結晶領域Z、Zの間に存在するC面成長領域Yとを含み、比抵抗が1×105Ωcm以上、厚みが100μm以上、反りの曲率半径が3m以上であることを特徴とする半絶縁性窒化物半導体基板。
【請求項5】
直径又は幅sが10μm〜100μmで間隔wが250μm〜2000μmで繰り返す点状或いは平行線状の結晶欠陥集合領域Hと、隣接する結晶欠陥集合領域H、Hの間に繰り返し存在する低欠陥単結晶領域Zと低欠陥単結晶領域Z、Zの間に存在するC面成長領域Yとを含み、比抵抗が1×105Ωcm以上、厚みが100μm以上の半絶縁性窒化物半導体基板と、この基板上に設けられた窒化物半導体エピタキシャル膜を備え、反りの曲率半径が3m以上であることを特徴とする窒化物半導体エピタキシャル基板。
【請求項6】
直径又は幅sが10μm〜100μmで間隔wが250μm〜2000μmで繰り返す点状或いは平行線状の結晶欠陥集合領域Hと、隣接する結晶欠陥集合領域H、Hの間に繰り返し存在する低欠陥単結晶領域Zと低欠陥単結晶領域Z、Zの間に存在するC面成長領域Yとを含み、比抵抗が1×105Ωcm以上である半絶縁性窒化物半導体基板と、
前記半絶縁性窒化物半導体基板の上に設けられた窒化物半導体エピタキシャル膜と、
前記窒化物半導体エピタキシャル膜に設けられたゲート電極と、
前記窒化物半導体エピタキシャル膜に設けられたソース電極と、
前記窒化物半導体エピタキシャル膜に設けられたドレイン電極を備え前記ゲート電極が結晶欠陥集合領域H以外に形成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【公開番号】特開2009−120465(P2009−120465A)
【公開日】平成21年6月4日(2009.6.4)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−113287(P2008−113287)
【出願日】平成20年4月24日(2008.4.24)
【出願人】(000002130)住友電気工業株式会社 (12,747)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成21年6月4日(2009.6.4)
【国際特許分類】
【出願日】平成20年4月24日(2008.4.24)
【出願人】(000002130)住友電気工業株式会社 (12,747)
【Fターム(参考)】
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