【課題】バッファー層にレーザー光線を照射することによりサファイア基板を剥離する際に、レーザー光線の適正な出力を設定する出力設定方法およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】エピタキシー基板の表面にバッファー層を介して積層された光デバイス層にレーザー光線を照射することにより、エピタキシー基板を剥離する際のレーザー光線の出力を設定する方法であって、エピタキシー基板の裏面側からバッファー層にレーザー光線を、出力を変更しつつ照射するレーザー光線照射工程と、レーザー光線照射工程によって発生するプラズマにおけるバッファー層を形成する物質の波長域の光強度を、バッファー層に照射したレーザー光線の出力に対応して表示手段に表示するプラズマ光強度表示工程と、表示手段に表示されたレーザー光線の出力に対応したプラズマの光強度に基づいて、適正なレーザー光線の出力を設定する出力設定工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、シリコンウエーハ中の酸素等不純物の悪影響がエピタキシャル層の撮像素子形成部分まで及ばないエピタキシャルウエーハ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 撮像素子製造用のエピタキシャルウエーハを製造する方法であって、前記エピタキシャル層の成長前に、前記撮像素子の製造後において前記エピタキシャル層中の酸素濃度が４×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上となる領域の厚さＸを計算し、前記エピタキシャル層の成長において、前記エピタキシャル層を、前記厚さＸに加えて、更に前記撮像素子の製造後におけるエピタキシャル層中の酸素濃度が４×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満となる領域の厚さが６μｍ以上となる厚さで成長することを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】歪み層形成に供されるウェーハで転位発生に対して耐性が高いエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】シリコンエピタキシャル層表面の酸素濃度が１．０×１０^１７〜１２×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３とされてなるエピタキシャルウェーハの製造方法であって、酸素濃度設定熱処理の処理温度Ｘと処理時間Ｙとが、処理温度Ｘが８００℃〜１４００℃の範囲、処理時間Ｙが１８０ｍｉｎ以下で、かつ、
Ｙ ≧ １．２１×１０^１０ ｅｘｐ（−０．０１７６Ｘ）
の関係を満たすように設定される。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板の表面を保護することができる方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板８０が準備される。２μｇ／ｍ³以上の二酸化窒素濃度を有する雰囲気に炭化珪素基板８０をさらすことによって、炭化珪素基板８０上に酸化膜７０が形成される。 （もっと読む）

【課題】チャネル移動度の低下を抑制しつつ閾値電圧を制御する炭化珪素半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、（ｂ）二酸化珪素膜が形成された炭化珪素基板を窒化処理する工程と、（ｃ）窒化処理された炭化珪素基板を水蒸気を含んだ酸素雰囲気で熱処理する工程とを備える。工程（ｃ）は、（ｃ１）窒化処理された炭化珪素基板を投入した熱処理炉の温度を不活性ガス雰囲気中で昇温又は降温する工程を含む。工程（ｃ１）は、窒化処理直後のチャネル移動度をμ_ch、昇温又は降温開始時刻をｔ＝０、熱処理開始時刻をｔ＝ｔ₁、熱処理終了時刻をｔ＝ｔ₂、熱処理炉からの基板取出時刻をｔ＝ｔ₃、ボルツマン定数をｋ、時刻ｔにおける熱処理炉の温度をＴ（Ｋ）とした場合に、式（１）により求められる炭化珪素基板中のチャネル移動度の低下率が１０％以下となるように昇温速度及び／又は降温速度を決定する。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置においては、シリコンエピタキシャル層に結晶欠陥が生じ易いという問題がある。
【解決手段】半導体装置１は、シリコン基板１０、歪み付与層２０、シリコン層３０、ＦＥＴ４０、および素子分離領域５０を備えている。シリコン基板１０上には、歪み付与層２０が設けられている。歪み付与層２０上には、シリコン層３０が設けられている。歪み付与層２０は、シリコン層３０中のＦＥＴ４０のチャネル部に格子歪みを生じさせる。シリコン層３０中には、ＦＥＴ４０が設けられている。ＦＥＴ４０は、ソース・ドレイン領域４２、ＳＤ ｅｘｔｅｎｓｉｏｎ領域４３、ゲート電極４４およびサイドウォール４６を含んでいる。ソース・ドレイン領域４２と上述の歪み付与層２０とは、互いに離間している。ＦＥＴ４０の周囲には、素子分離領域５０が設けられている。素子分離領域５０は、シリコン層３０を貫通して歪み付与層２０まで達している。 （もっと読む）

【課題】量産に用い得る厚さと面積を確保しながら、容易な生産方法でかけやわれの発生を抑制してオリエンテーションフラットを形成することを目的とする。
【解決手段】窒化ガリウム結晶体２７から、ファセット１５を有する硬質の立体構造物１４を陵線等に平行に除去することで、欠けや割れの発生を抑制した窒化ガリウム基板を提供できる。しかも、ファセット１５を有する硬質の立体構造物１４の陵線等は特有の結晶方位を有し、かつ、明瞭であるので、立体構造物１４の陵線等に平行に切断加工した窒化ガリウム結晶体２７の切断線２１をデバイス加工の基準線となるオリエンテーションフラットに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハを製造するための新規な方法を提供する。
【解決手段】本発明は、ウェーハを製造するための方法に関し、この方法は、半導体基板上にドープト層を設けるステップと、ドープト層上に第１の半導体層を設けるステップと、第１の半導体層上に埋込み酸化物層を設けるステップと、埋込み酸化物層上に第２の半導体層を設けるステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】トレンチ埋め込みエピタキシャル成長の制御パラメータを変更した際にエピタキシャルの成長反応の変化傾向を簡便に知ることができ、結果として、最適な成長条件を簡便に見つけ出すことが可能な、トレンチ埋め込みエピタキシャル成長条件の最適化方法を提供する。
【解決手段】シリコンソースガスにエッチングガスを混合した混合ガスを原料ガスとし、この原料ガスをＨ₂キャリアガスで流通させることにより、シリコン基板表面に形成したトレンチ内部にエピタキシャル層を成長させてトレンチ内部をエピタキシャル層で埋め込む工程を含む半導体基板の製造方法における、トレンチ内部をエピタキシャル層で埋め込む際のエピタキシャル成長の最適条件を求める方法であって、ある特定のアスペクト比のトレンチ内部を埋め込む際のエピタキシャル成長の最適条件をエピタキシャル成長速度のＨ₂キャリアガスの流量依存性により求めることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャル成長中における基板からエピタキシャル層へのオートドープ量を抑制し、抵抗分布及び膜厚分布の良好なエピタキシャルウェーハを得ることができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 シリコン単結晶基板上にシリコン単結晶をエピタキシャル成長させて、エピタキシャル層を積層するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、抵抗率が０．５ｍΩ・ｃｍ以上１０．０ｍΩ・ｃｍ以下であり、リンまたはヒ素がドープされている前記シリコン単結晶基板上に、成長速度を３μｍ／分以上１５μｍ／分以下として、抵抗率が０．５Ω・ｃｍ以上２０００Ω・ｃｍ以下である前記エピタキシャル層を成長させることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】縦型の半導体素子の形成が可能で、かつ高品質な単結晶ＳｉＣ基板の使用量を減らすことが可能であるＳｉＣ半導体基板を提供する。
【解決手段】支持基板１と、支持基板１の表面に接合されることにより支持基板１と一体化された単結晶ＳｉＣ層２と、を有するＳｉＣ半導体基板において、支持基板１を、単結晶ＳｉＣより比抵抗が低い材料を用いて構成された基板１ａと、当該基板１ａを被覆するＳｉＣ組成薄膜１ｂとを備えたものとする。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型固体撮像素子をより高い歩留まりで製造することが可能なエピタキシャル基板およびその製造方法を提供する
【解決手段】本発明の裏面照射型固体撮像素子用エピタキシャル基板１００は、炭素、または、炭素および窒素が添加され、抵抗率が１００Ω・ｃｍ未満であるｐ型シリコン基板１と、該ｐ型シリコン基板上のｐ型第１エピタキシャル層２と、該第１エピタキシャル層上のｐ型またはｎ型第２エピタキシャル層３と、を有し、前記第１エピタキシャル層２は、ｐ型不純物のピーク濃度が２．７×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１．１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】チャネル移動度を大きくし、チャネル抵抗を低減できるＭＯＳゲート型炭化珪素半導体装置の提供。
【構成】トレンチの側壁に接するゲート酸化膜とチャネル反転層表面との間に他導電型シリコン半導体層が形成されるＭＯＳゲート型炭化珪素半導体装置であって、他導電型シリコン半導体層がアモルファスシリコン層で形成し、レーザー光を前記アモルファスシリコン層に対して前記ＭＯＳゲート型炭化珪素半導体装置のチャネル電流が流れる方向と交差しない方向へスキャンしてアモルファスシリコン層をポリシリコンに変換する。 （もっと読む）

【課題】活性材料要素をしじたいに移し替えるコストを低減する。
【解決手段】第１の材料から成る活性要素の表面上における支持体２への接合対象部位に非晶質材料６を蒸着する工程を備え、第２の材料が第１の材料よりも希少ではないことを特徴とする。更に、特に光学、電子工学又は光電子工学用の基板を製造する際に第１の材料から成る活性要素８を第２の材料から成る支持体２の表面に接合する操作を行う基板製造方法にも関する。この方法は、活性要素８又は支持体２が少なくともその表面上の接合対象部位に多結晶材料を含み、接合に先立ち、この多結晶材料を含む表面上に非晶質材料６の層を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面保護膜の剥離ムラやウォーターマークの発生、及びＳｉ基板への不純物吸着等の問題を抑制することにより、固体撮像装置を作製した場合に暗電流の白傷欠陥の発生を効果的に防止可能なエピタキシャル基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉからなるＣＺ基板１１上に、アクリル樹脂をベースポリマーとする有機膜１２を形成する。有機膜１２を介してＣＺ基板１１に炭素イオンを注入し、ＣＺ基板１１中に炭素注入領域１３を形成する。その後、有機膜１２を比較的強い酸化剤であるＳＰＭ（硫酸過酸化水素水）の溶液によるウェットエッチング、若しくは水素ガスを用いたドライエッチングで洗浄して除去する。その後はＣＺ基板１１の表面にＳｉ材料を用いてＳｉエピタキシャル層１４を形成し、エピタキシャル基板を得る。 （もっと読む）

【課題】複合基板を用いた半導体装置の製造において単結晶炭化珪素基板の間の隙間に起因した工程変動を抑制する。
【解決手段】第１の単結晶炭化珪素基板１１の第１の辺Ｓ１と、第２の単結晶炭化珪素基板１２の第２の辺Ｓ２とが直線状に並ぶように、第１の単結晶炭化珪素基板１１の第１の頂点Ｐ１と、第２の単結晶炭化珪素基板１２の第２の頂点Ｐ２とが互いに突き合わされている。また第１の辺の少なくとも一部と、第２の辺の少なくとも一部とが、第３の単結晶炭化珪素基板１３の第３の辺Ｓ３に突き合わされている。 （もっと読む）

【課題】複合基板が有する複数の炭化珪素基板の間の隙間への異物の残留を防ぐことができる複合基板を提供する。
【解決手段】第１の炭化珪素基板１１は、支持部３０に接合された第１の裏面Ｂ１と、第１の裏面Ｂ１に対向する第１の表面Ｔ１と、第１の裏面Ｂ１および第１の表面Ｔ１をつなぐ第１の側面Ｓ１とを有する。第２の炭化珪素基板１２は、支持部３０に接合された第２の裏面Ｂ２と、第２の裏面Ｂ２に対向する第２の表面Ｔ２と、第２の裏面Ｂ２および第２の表面Ｔ２をつなぎ、第１の側面Ｓ１との間に隙間ＧＰを形成する第２の側面Ｓ２とを有する。閉塞部２１は隙間ＧＰを閉塞している。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板を有する複合基板を用いた半導体装置の製造工程において、炭化珪素基板の間の隙間に起因した工程変動を抑制する。
【解決手段】支持部３０と第１および第２の炭化珪素基板１１、１２とを有する接合基板が準備される。第１の炭化珪素基板１１は、支持部３０に接合された第１の裏面と、第１の裏面に対向する第１の表面と、第１の裏面および第１の表面をつなぐ第１の側面とを有する。第２の炭化珪素基板１２は、支持部３０に接合された第２の裏面と、第２の裏面に対向する第２の表面と、第２の裏面および第２の表面をつなぎ、第１の側面との間に隙間を形成する第２の側面とを有する。隙間を充填する充填部４０が形成される。次に第１および第２の表面が研磨される。次に充填部４０が除去される。次に隙間を閉塞する閉塞部が形成される。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長法により堆積させたＳｉＣ層の表面から深い位置に形成された結晶欠陥でも、確実に除去することができる方法を提供する。
【解決手段】単結晶ＳｉＣからなる半導体基板１表面にエピタキシャル層２を積層させて形成したＳｉＣ基板の表面にレジスト膜１２を形成し、基板裏面から紫外線を照射することで、表面のレジスト膜１２を露光する。結晶欠陥１１のある部分は、レジスト膜１２は露光されないため、開口が形成される。その開口部内にイオン注入することで、エピタキシャル層２、半導体基板１を高抵抗化し、結晶欠陥を除去する。最後に、レジスト膜１２を除去することで、半導体装置を形成することができるＳｉＣ基板が得られる。 （もっと読む）