【課題】基板の周方向における温度分布を均一にすることのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、反応ガス４が供給されて成膜処理が行われるチャンバ１と、チャンバ１に配置されて基板７が載置されるサセプタ８と、サセプタ８を下方から加熱するヒータ９とを有する。サセプタ８は、リング状の第１のサセプタ部８ａと、第１のサセプタ部８ａに接して設けられ、第１のサセプタ部８ａの開口部分を遮蔽する第２のサセプタ部８ｂとを有し、第２のサセプタ部８ｂの加熱部に対向する面は水平面から傾斜している。また、第１のサセプタ部８ａは、第２のサセプタ部８ｂの厚みに対応した周方向に異なる形状を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ_２Ｏ_３基板上の窒化物半導体層の上面の転位密度が低い結晶積層構造体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一実施の形態において、Ｇａ_２Ｏ_３基板２と、Ｇａ_２Ｏ_３基板２上のＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなるバッファ層３と、バッファ層３上の、酸素を不純物として含むＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなる窒化物半導体層４と、を含む結晶積層構造体１を提供する。窒化物半導体層４のＧａ_２Ｏ_３基板２側の２００ｎｍ以上の厚さの領域４ａの酸素濃度は、１．０×１０^１８／ｃｍ^３以上である。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ_２Ｏ_３基板と窒化物半導体層の間の電気抵抗が低い結晶積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】一実施の形態において、酸素が六角格子配置された面を主面とするＧａ_２Ｏ_３基板２上に、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶を温度Ｔ１で成長させてバッファ層３を形成する工程と、バッファ層３上にＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶を成長させて窒化物半導体層４を形成する工程と、を含む結晶積層構造体１の製造方法を提供する。この製造方法は、バッファ層３を形成するより前に、温度Ｔ１よりも高い温度でＧａ_２Ｏ_３基板２の表面を窒化する工程を含まない。 （もっと読む）

【課題】大型で良質なＩＩＩ族窒化物半導体結晶を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】Ｖ族原料およびＩＩＩ族原料の存在下でＣ面以外を主面とするＩＩＩ族窒化物シード１上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶層３を成長させる際に、成長温度を１０２０℃未満にして行う低温成長工程２を実施する。 （もっと読む）

【課題】積層欠陥の面密度が低減されたＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法は、オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ)のうち、ＳｉＣ単結晶基板上に形成された、所定膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜において積層欠陥になる比率を決定する工程と、比率に基づいて、使用するＳｉＣ単結晶基板の成長面におけるＢＰＤの面密度の上限を決定する工程と、上限以下のＳｉＣ単結晶基板を用いて、比率を決定する工程において用いたエピタキシャル膜の成長条件と同じ条件で、ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】得られるコーティングが０．５マイクロ秒〜１０００マイクロ秒のキャリアライフタイムを有するように、シリコンカーバイドコーティングを基板上に堆積させる方法を提供する。
【解決手段】ａ．ジクロロシランガス、メチルハイドロジェンジクロロシランガス、ジメチルジクロロシランガス、及びそれらの混合物から選択されるクロロシランガスと、炭素含有ガスと、水素ガスとを含む混合ガスを、単結晶シリコンカーバイド基板を含有する反応チャンバ内に導入すること、及びｂ．１２００℃より高いが１８００℃より低い温度に基板を加熱すること、を含むが、但し、反応チャンバ内の圧力は１０ｔｏｒｒ〜２５０ｔｏｒｒの範囲に維持されるものとする。 （もっと読む）

【課題】ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α‐Ｇａ_２Ｏ_３薄膜およびその生成方法を提供する。
【解決手段】（ａ）水、塩酸及び過酸化水素を含む溶液と、ガリウム化合物と、錫（ＩＩ）化合物とを混合して原料溶液を調製する工程と、（ｂ）前記原料溶液をミスト化し、ミスト状原料を調製する工程と、（ｃ）前記ミスト状原料を、キャリアガスによって基板の成膜面に供給する工程と、（ｄ）前記基板を加熱することにより、前記ミスト状原料を熱分解させ、前記基板上に、４価の錫が添加された導電性α‐Ｇａ_２Ｏ_３薄膜を形成する工程と、を備える結晶性の高い導電性α‐Ｇａ_２Ｏ_３薄膜の生成方法とする。 （もっと読む）

【課題】触媒金属の混入を抑えることの可能な窒化ガリウム柱状構造の形成方法、及び該方法を用いる窒化ガリウム柱状構造の形成装置を提供する。
【解決手段】
窒化ガリウム柱状構造を下地層上に反応性スパッタによって形成する。このとき、真空槽１１内に供給されるアルゴンガス及び窒素ガスの総流量に占める窒素ガスの流量の割合である窒素濃度を窒化ガリウム膜の成長速度が窒素供給によって律速され、且つ、窒化ガリウムの成長速度における極大値の９１％以上１００％以下の窒化ガリウムの成長速度となるような窒素濃度とする。また、基板Ｓの温度Ｔ、ガリウムのターゲット１４に供給される周波数が１３．５６ＭＨｚであるバイアス電力Ｐが、６００≦Ｔ≦１２００、０＜Ｐ≦４．６３、Ｐ＜０．００８８Ｔ−６．６０、Ｐ≧０．０１１６Ｔ−１１．３７を満たす条件にて窒化ガリウム柱状構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】クラックが入り難い高抵抗な窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】下地基板の表面に、第１の層Ｂと第２の層Ｆからなる窒化物半導体層１を形成し、その窒化物半導体層１を下地基板から分離して得られる直径４０ｍｍ以上、厚さ２００μｍ以上の自立した窒化物半導体基板１０であって、第２の層Ｆは、その表面の面内の平均転位密度が１×１０³ｃｍ^-2以上、１×１０⁸ｃｍ^-2未満であると共に、電気抵抗率が０．０２Ωｃｍより大きくなるように形成されており、第１の層Ｂは、第２の層Ｆよりも電気抵抗率が低くなるように形成されているものである。 （もっと読む）

【課題】加工変質層の除去処理にかかる時間を減少させつつも、加工変質層に由来するエピタキシャル膜の欠陥の発生を抑制できる炭化珪素単結晶エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶エピタキシャルウエハの製造において、炭化珪素単結晶基板１００を１６００℃以上に加熱し、Ｃ／Ｓｉ比が１．０以下となるように、原料ガスを供給し、エピタキシャル膜の成長速度を２．０μｍ／ｈ以下にする。このとき、キャリアガスの流量を５０ｓｌｍ以上にし、原料ガスとしてモノシランの流量を２０ｓｃｃｍ以下にし、成長装置の前記炭化珪素単結晶基板１００が配置された空間の圧力を１００ｍｂａｒ以上にすることにより、エピタキシャル膜の成長速度を２．０μｍ／ｈ以下にすることができる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも原子レベルで平坦な表面を有する窒化物半導体薄膜及びその成長方法を提供する。
【解決手段】ミスカットを有するGaN基板１０１のステップフロー成長（工程１）により制限領域内に形成されたテラス２０２に、工程１よりもキャリアガスに含まれる水素の組成を少なくして、トリメチルガリウム(TMG)又はトリエチルガリウム(TEG)を供給し、テラス２０２の上にGaNの２次元核３０１を１個以上100個以下発生させる（工程２）。次に、工程２よりもキャリアガスに含まれる水素の組成を多くする（工程３）。これにより、複数の２次元核３０１が横方向成長して１分子層の厚さの連続的なGaN薄膜３０２となる。工程２と工程３を交互に繰り返すことにより、２分子層以上の厚さのGaN薄膜３０３を成長させる。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質な３Ｃ−ＳｉＣ層を形成することが可能な立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１の上面１１ａに炭化層１２を形成する第１の工程と、シリコン基板１１の温度を第２の温度範囲の温度まで下降させる第２の工程と、シリコン基板１１の温度が第２の温度範囲の温度となったところで、シリコン原料ガスを導入し、シリコン基板１１と炭化層１２の間の界面に形成された空孔１１ｈにシリコンをエピタキシャル成長させて空孔１１ｈを埋める第３の工程と、シリコン原料ガスの導入を止め、炭素原料ガスを導入しつつシリコン基板１１の温度を第３の温度範囲の温度まで上昇させる第４の工程と、シリコン基板１１の温度が第３の温度範囲の温度となったところで、シリコン原料ガス及び炭素原料ガスを導入し、炭化層１２上に立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させる第５の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】厚いＧａＮ膜を成長中に剥離して、高品質のＧａＮ自立基板を歩留まり良く製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＧａＮ自立基板を製造する方法であって、サファイア基板上にＺｎＯ膜を形成する工程と、８５０℃以下の温度で前記ＺｎＯ膜上にＧａＮ膜を剥離しないように形成する低温成長工程と、その後、昇温して９５０℃以上の温度で、ＧａＮ膜を追加形成するとともに該ＧａＮ膜を基板から剥離させて、ＧａＮ自立基板を得る高温成長工程とを含むことを特徴とするＧａＮ自立基板の製造方法。 （もっと読む）

【目的】
ｐ型ドーパント濃度の制御性に優れ、高品質なｐ型ＺｎＯ系結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、分子構造中に酸素原子を含まない有機金属化合物と極性酸素材料とを用いてＺｎＯ系結晶層を成長する単結晶成長工程を有し、上記単結晶成長工程は、ＴＢＰ（ターシャリーブチルホスフィン）を供給する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 高品質なシリコン膜を高速で結晶成長させる技術を提供する。
【解決手段】 １２００℃〜１４００℃に加熱されているとともに１５００ｒｐｍ〜３５００ｒｐｍで回転している基板６に向けて、基板の表面に直交する方向から、塩化シランガス１８を供給する。このときの塩化シランガス１８の供給量を、基板６の表面１ｃｍ^２当たり２００μｍｏｌ／分以上とする。 （もっと読む）

【課題】種原子層が成膜されていない基板上に、種原子を含まないウィスカ集合体を直接成長させることを可能としたウィスカ集合体の製造方法を提供する。
【解決手段】被形成基板の対面に種基板を配置し、シリコンを含むガスを導入し減圧化学気相成長を行う。被形成基板は、減圧化学気相成長を行う時の温度に耐えられる物であれば、種類を問わない。種原子を含まないシリコンウィスカ集合体を、被形成基板上に接して、直接成長させることができる。更に、形成されたウィスカ集合体の表面形状特性を利用することで、ウィスカ集合体が形成された基板を太陽電池や、リチウムイオン二次電池等へ応用することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れたＩＩＩ族窒化物半導体基板を製造することを課題とする。
【解決手段】ｃ面よりａ面方向もしくはｍ面方向に角度Ｒ（０°＜Ｒ≦９０°）となる傾斜面を有する酸化物基板、炭化物基板、またはＩＩＩ族窒化物半導体基板を準備する工程と、前記準備した基板１を選択的にエッチングし、平坦面２と、平坦面２より突出している突起部３と、平坦面２より掘り下げられている溝部４と、を形成するエッチング工程と、エッチングされ、平坦面２、突起部３、および、溝部４が形成された基板１上に、ＩＩＩ族窒化物をエピタキシャル成長する成長工程と、を有するＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】三角欠陥及び積層欠陥が低減され、キャリア濃度及び膜厚の均一性が高く、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハであって、前記ＳｉＣエピタキシャル層の表面の三角形状の欠陥密度が１個／ｃｍ^２以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】立方晶炭化ケイ素と格子定数が異なるシリコン基板上に、結晶欠陥が少なくかつ高品質の立方晶炭化ケイ素膜を有する立方晶炭化ケイ素膜付き基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の立方晶炭化ケイ素膜付き基板１は、シリコン基板２の表面２ａに立方晶炭化ケイ素膜３が形成され、このシリコン基板２の立方晶炭化ケイ素膜３との界面近傍に、シリコン基板２の表面２ａから内部に向かって漸次縮小する略四角錐状の空孔４が多数形成されている。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長温度を低下させても、結晶欠陥が少ない高品質の立方晶炭化ケイ素膜を高速にて成長させることが可能な立方晶炭化ケイ素膜の製造方法及び立方晶炭化ケイ素膜付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の立方晶炭化ケイ素膜の製造方法は、シリコン基板の上に炭素を含むガスを導入し、このシリコン基板を立方晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長温度まで急速加熱してシリコン基板の表面を炭化することにより立方晶炭化ケイ素膜を形成する第１の工程、この立方晶炭化ケイ素膜を立方晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長温度に保持しつつ、この立方晶炭化ケイ素膜の上に、炭素を含むガス及びケイ素を含むガスを導入し、この立方晶炭化ケイ素膜をさらにエピタキシャル成長させる第２の工程、を有する。 （もっと読む）