ＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法
【課題】積層欠陥の面密度が低減されたＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法は、オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ)のうち、ＳｉＣ単結晶基板上に形成された、所定膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜において積層欠陥になる比率を決定する工程と、比率に基づいて、使用するＳｉＣ単結晶基板の成長面におけるＢＰＤの面密度の上限を決定する工程と、上限以下のＳｉＣ単結晶基板を用いて、比率を決定する工程において用いたエピタキシャル膜の成長条件と同じ条件で、ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法は、オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ)のうち、ＳｉＣ単結晶基板上に形成された、所定膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜において積層欠陥になる比率を決定する工程と、比率に基づいて、使用するＳｉＣ単結晶基板の成長面におけるＢＰＤの面密度の上限を決定する工程と、上限以下のＳｉＣ単結晶基板を用いて、比率を決定する工程において用いたエピタキシャル膜の成長条件と同じ条件で、ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
炭化珪素（ＳｉＣ）は、シリコン（Ｓｉ）に比べて絶縁破壊電界が約１０倍大きく、バンドギャップも約３倍大きい等の優れた特性を有することから、パワーデバイス、高温動作デバイス等への応用が期待されている。
【０００３】
かかるＳｉＣデバイスは、昇華再結晶法等で成長させたＳｉＣのバルク単結晶から加工して得られたＳｉＣ単結晶基板上に、化学的気相成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）等によってデバイスの活性領域となるＳｉＣエピタキシャル膜を成長させたＳｉＣエピタキシャルウェハを用いて作製されるのが一般的である。
【０００４】
ＳｉＣ単結晶基板には多くの結晶欠陥が存在し、その結晶欠陥がエピタキシャル膜に伝播することが知られている。そのため、その伝播を考慮したエピタキシャル膜の品質向上のための技術開発が進められている。
【０００５】
ＳｉＣ単結晶基板やその上にエピタキシャル膜が形成されたＳｉＣエピタキシャルウェハ内に含まれる転位や積層欠陥などの結晶欠陥を非破壊で検出する手法としては、Ｘ線トポグラフィ法（非特許文献１，２）や、フォトルミネッセンス法（特許文献１）が知られている。
【０００６】
ＳｉＣ単結晶には線状の結晶欠陥として３種類の転位（貫通螺旋転位、貫通刃状転位、基底面転位）が内在することが知られている。貫通螺旋転位（Ｔｈｒｅａｄｉｎｇ Ｓｃｒｅｗ Ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ：ＴＳＤ）はｃ軸方向に伝播するバーガースベクトルが＜０００１＞あるいはその２倍の転位である。また、貫通刃状転位（ＴｈｒｅａｄｉｎｇＥｄｇｅ Ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ：ＴＥＤ）はｃ軸方向に伝播するバーガースベクトルが１／３＜１１−２０＞の転位である。更に、基底面転位（Ｂａｓａｌ Ｐｌａｎｅ Ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ：ＢＰＤ）はｃ面に存在するバーガースベクトルが１／３＜１１−２０＞の転位である。
【０００７】
ＳｉＣエピタキシャル膜は、ＳｉＣ単結晶基板を（０００１）面（ｃ面）から＜１１−２０＞方向に１０°以内のオフ角で傾斜させてステップ密度を故意に高くした面を成長面として、ステップの横方向への結晶成長（ステップフロー成長）によって形成するのが一般的である。
このようにｃ面に対してオフ角を有する面を成長面とするため、ｃ面に存在する基底面転位（ＢＰＤ）も成長面に露出することになる。また、ｃ軸方向に延在する貫通螺旋転位（ＴＳＤ）及び貫通刃状転位（ＴＥＤ）も成長面に露出する。
【０００８】
エピタキシャル膜に伝播した基底面転位（ＢＰＤ）はエピタキシャル膜中で安定でなく、エネルギー的に有利な二つのショックレーの部分転位に容易に分解し、この二つのショックレーの部分転位の間に積層欠陥ができてしまう。積層欠陥はキャリアのライフタイムキラーとして作用するため、電流は積層欠陥が存在しない領域に集中して電流の流れる面積が小さくなる結果、オン抵抗を増大させてしまう。さらに、ｐｎダイオード等のバイポーラデバイスおいては、上記の二つの部分転位の一方はＳｉをコアとして持ち、他方はＣをコアとして持っており、Ｓｉコアを持つ部分転位だけが電子と正孔との再結合エネルギーによって移動することにより、積層欠陥の面積が拡大してしまう（非特許文献３）。
【０００９】
また、エピタキシャル膜中のキャロット欠陥はＳｉＣ単結晶基板の基底面転位（ＢＰＤ）と貫通螺旋転位（ＴＳＤ）との相互作用により形成されることが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−２８９０２３号公報
【非特許文献】
【００１１】
【非特許文献１】J. Crystal Growth,271 (2004) 1
【非特許文献２】Mat. Sci. Forum 527-529 (2006) 23
【非特許文献３】H. Jacobson et al., J. Appl. Phys. 95 (2004) 1485
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述の通り、ＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位（ＢＰＤ）の一部はＳｉＣエピタキシャル膜において積層欠陥になることは知られていた。また、キャロット欠陥はＳｉＣ単結晶基板の基底面転位（ＢＰＤ）と貫通螺旋転位（ＴＳＤ）との相互作用により形成されることが知られていた。
【００１３】
しかしながら、ＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位のうち、ＳｉＣ単結晶基板上に形成するＳｉＣエピタキシャル膜において積層欠陥になる比率は様々な要因に依存するとの認識は当業者にあったものの、その要因にはどのようなものであるか、主要な要因は何であるか等は明確にはわかっていなかった。そのため、実際に、どの程度の基底面転位（ＢＰＤ）の面密度のＳｉＣ単結晶基板を用いれば、ＳｉＣエピタキシャル膜にどの程度の面密度の基底面転位（ＢＰＤ）起因の積層欠陥が形成されるかは当業者であっても推測できなかった。キャロット欠陥についても同様な状況であった。
【００１４】
本発明者らは、所定のオフ角のＳｉＣ単結晶基板上に、所定のエピタキシャル膜の成長条件で、所定の膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜を形成した場合に、そのＳｉＣエピタキシャル膜中に形成される基板の基底面転位（ＢＰＤ）起因の積層欠陥の面密度が、ＳｉＣ単結晶基板中の基底面転位（ＢＰＤ）の面密度にほぼ比例するという規則性を有することを見出した。これにより、所定のオフ角のＳｉＣ単結晶基板を用い、所定のエピタキシャル膜の成長条件で、所定の膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜を形成する場合、そのＳｉＣ単結晶基板の成長面での基底面転位（ＢＰＤ）の面密度が既知であれば、形成されるＳｉＣエピタキシャル膜中の基底面転位（ＢＰＤ）起因の積層欠陥の面密度が予測できることとなり、本発明に想到した。
また、キャロット欠陥についても、基底面転位（ＢＰＤ）及び貫通螺旋転位（ＴＳＤ）の密度が高い場合には、ＳｉＣエピタキシャル膜中のキャロット欠陥の面密度が、ＳｉＣ単結晶基板中の基底面転位（ＢＰＤ）の面密度に相関することを有することを見出した。これにより、所定のオフ角のＳｉＣ単結晶基板を用い、所定のエピタキシャル膜の成長条件で、所定の膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜を形成する場合、そのＳｉＣ単結晶基板の成長面での基底面転位（ＢＰＤ）及び貫通螺旋転位（ＴＳＤ）の面密度が既知であれば、形成されるＳｉＣエピタキシャル膜中のキャロット欠陥の面密度が予測できることとなり、本発明に想到した。
【００１５】
本発明は、ＳｉＣエピタキシャル膜における、ＳｉＣ単結晶基板の成長面の基底面転位を起源とする積層欠陥の面密度が低減されたＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、ＳｉＣエピタキシャル膜における、キャロット欠陥の面密度が低減されたＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
（１）オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を備えたＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法であって、前記オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ)のうち、前記ＳｉＣ単結晶基板上に形成された、所定膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜において積層欠陥になる比率を決定する工程と、前記比率に基づいて、使用するＳｉＣ単結晶基板の成長面におけるＢＰＤの面密度の上限を決定する工程と、前記上限以下のＳｉＣ単結晶基板を用いて、前記比率を決定する工程において用いたエピタキシャル膜の成長条件と同じ条件で、前記ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する工程と、を有することを特徴とするＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
（２）前記比率を決定するに際して、前記成長面におけるＢＰＤの面密度、及び、前記成長面のＢＰＤ起因の、前記ＳｉＣエピタキシャル膜中の積層欠陥の面密度を、Ｘ線トポグラフィ、又は、フォトルミネセンスのいずれかの方法で測定することを特徴とする請求項１に記載のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
（３）前記上限が１．０×１０３個/ｃｍ２以下であることを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
（４）オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を備えたＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法であって、前記オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ)のうち、前記ＳｉＣ単結晶基板上に形成された、所定膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜においてキャロット欠陥になる比率を決定する工程と、前記比率に基づいて、使用するＳｉＣ単結晶基板の成長面におけるＢＰＤ及びＴＳＤの面密度の上限を決定する工程と、前記上限以下のＳｉＣ単結晶基板を用いて、前記比率を決定する工程において用いたエピタキシャル膜の成長条件と同じ条件で、前記ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する工程と、を有することを特徴とするＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
（５）オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を備えたＳｉＣエピタキシャルウェハであって、ＳｉＣエピタキシャル膜における、ＳｉＣ単結晶基板のＢＰＤ起因の積層欠陥の面密度が０．１個/ｃｍ２以下であることを特徴とするＳｉＣエピタキシャルウェハ。
【発明の効果】
【００１７】
上記の構成によれば、積層欠陥の面密度が低減されたＳｉＣエピタキシャルウェハを提供することができる。また、キャロット欠陥の面密度が低減されたＳｉＣエピタキシャルウェハを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】ＳｉＣ単結晶基板のトポグラフィ像であり、（ａ）基底面転位（ＢＰＤ）密度が６．５×１０４個／ｃｍ２のもの、（ｂ）基底面転位（ＢＰＤ）密度が５．５×１０３個／ｃｍ２のものである。
【図２】図１で示したＳｉＣ単結晶基板を用いたＳｉＣエピタキシャルウェハのＰＬ像であり、（ａ）積層欠陥（ＳＦ）密度が２．５×１０２個／ｃｍ２のもの、（ｂ）９．２個／ｃｍ２のものである。
【図３】表１に示したデータについて、ＳｉＣ単結晶基板の基底面転位（ＢＰＤ）密度とエピタキシャル膜中の積層欠陥（ＳＦ）密度との相関を示すグラフである。
【図４】ＳｉＣ単結晶基板のトポグラフィ像であり、（ａ）基底面転位（ＢＰＤ）密度が５．０×１０４個／ｃｍ２かつ貫通螺旋転位（ＴＳＤ）密度が２．８×１０４個／ｃｍ２のもの、（ｂ）基底面転位（ＢＰＤ）密度が２．０×１０４個／ｃｍ２かつ貫通螺旋転位（ＴＳＤ）密度が５．４×１０３個／ｃｍ２のものである。
【図５】図４で示したＳｉＣ単結晶基板を用いたＳｉＣエピタキシャルウェハのカンデラ像であり、（ａ）図４（ａ）で示したＳｉＣ単結晶基板を用いたもの、（ｂ）図４（ｂ）で示したＳｉＣ単結晶基板を用いたものである。
【図６】レーザー光を用いる光学式表面検査装置で４°オフ角のＳｉＣエピタキシャルウェハのＳｉ面を測定した像であり、（ａ）本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハ、（ｂ）従来のＳｉＣエピタキシャルウェハ、を示す像である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明を適用したＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法について、図面を用いて詳細に説明する。
【００２０】
［ＳｉＣエピタキシャルウェハ］
図１（ａ）及び（ｂ）は、Ｘ線トポグラフィ法で得られたＳｉＣ単結晶基板のトポグラフィ像を示す。図１（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、基底面転位（ＢＰＤ）の面密度が６．５×１０４個／ｃｍ２、５．５×１０３個／ｃｍ２のものである。
像中の矢印は基底面転位（ＢＰＤ）の一部を示している。
【００２１】
＜Ｘ線トポグラフィ測定＞
本発明においては、反射Ｘ線トポグラフィを用いて炭化珪素単結晶ウェハからのＸ線回折光を測定することにより、ウェハ面内における結晶欠陥を検出することができる。反射Ｘ線トポグラフィを用いることにより、エッチング等破壊的な手法を併用することなく、結晶欠陥の位置の検出を非破壊的に行うことができるという利点がある。
【００２２】
本発明において用いられるＸ線源としては、結晶中の基底面転位、貫通刃状転位、貫通らせん転位を分離して検出するため、シンクロトロン放射光を用いた。本明細書に示したデータはSpring-8のシンクロトロン放射光を用いたものである。
モノクロメーターを用いて波長を１．５４ÅとしたＸ線を入射光として反射Ｘ線トポグラフィの測定を行った。Ｘ線を回折させる際の回折ベクトル（ｇ-vector）としては、本発明の目的を果たすことができる限り特に制限はないが、４Ｈ−ＳｉＣ結晶に対しては１１−２８あるいは１−１０８を用いるのが通常である。本明細書では１１−２８を用いたトポグラフィ像を示している。
Ｘ線をサンプルに照射し、該サンプルから反射してきた回折光を検出することにより、トポグラフ像を得ることができる。このトポグラフ像の取得には、欠陥種を判定するために十分な解像度を得るために、高解像度のＸ線フィルム、原子核乾板などの記録媒体を用いる。今回は原子核乾板を用いた。その画像から、基底面転位、貫通刃状転位、貫通らせん転位の数をカウントした。
【００２３】
図２（ａ）及び（ｂ）は、図１（ａ）及び（ｂ）で示したＳｉＣ単結晶基板に厚さ１０μｍのＳｉＣエピタキシャル膜を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハについて、フォトルミネッセンス(ＰＬ)イメージング法で得られたＰＬ像を示す。なお、図２（ａ）及び（ｂ）のＳｉＣエピタキシャルウェハは同じ製造ロットで同時に成膜したものである。
図２（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、エピタキシャル膜中の積層欠陥（ＳＦ）の面密度が２．５×１０２個／ｃｍ２、９．２個／ｃｍ２のものである。
像中の矢印は基底面転位（ＢＰＤ）の一部、又は、積層欠陥（ＳＦ）の一部を示している。
【００２４】
表１に、ＳｉＣ単結晶基板について４つの基底面転位（ＢＰＤ）の面密度と、そのＢＰＤ面密度のＳｉＣ単結晶基板に厚さ１０μｍのＳｉＣエピタキシャル膜を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハにおけるエピタキシャル膜中の積層欠陥の面密度とを示す。４つの基底面転位（ＢＰＤ）の面密度は、図１に示したＳｉＣ単結晶基板のサンプルの場合のものの他に、３．２×１０４個／ｃｍ２、及び、３．０×１０２個／ｃｍ２のものの場合のものである。
【表１】
【００２５】
図３は、表１に示したデータについて横軸をＳｉＣ単結晶基板の基底面転位（ＢＰＤ）の面密度とし、縦軸をエピタキシャル膜中の積層欠陥（ＳＦ）の面密度としたグラフを示す。
ＢＰＤ面密度とＳＦ面密度とがほぼ比例関係を有することがわかる。かかる関係を有することから、所望のＳＦ面密度を有するＳｉＣエピタキシャルウェハを作製するために要する、ＳｉＣ単結晶基板のＢＰＤ面密度の上限を決定することができる。
【００２６】
図４（ａ）及び（ｂ）は、放射光トポグラフィ法で得られたＳｉＣ単結晶基板のトポグラフィ像を示す。
図４（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、基底面転位（ＢＰＤ）の面密度が５．０×１０４個／ｃｍ２かつ貫通螺旋転位（ＴＳＤ）の面密度が２．８×１０４個／ｃｍ２と、基底面転位（ＢＰＤ）の面密度が２．０×１０４個／ｃｍ２かつ貫通螺旋転位（ＴＳＤ）の面密度が５．４×１０３個／ｃｍ２のものである。
図４（ａ）の像中に、典型的な基底面転位（ＢＰＤ）及び貫通螺旋転位（ＴＳＤ）を示している。
【００２７】
図５（ａ）及び（ｂ）は、図４（ａ）及び（ｂ）で示したＳｉＣ単結晶基板に厚さ１０μｍのＳｉＣエピタキシャル膜を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハについて、光学式表面検査装置（Ｃａｎｄｅｌａ）で得られたカンデラ像を示す。なお、図５（ａ）及び（ｂ）のＳｉＣエピタキシャルウェハは同じ製造ロットで同時に成膜したものである。
図５（ａ）及び（ｂ）のそれぞれにおいて、左側の像は欠陥マップを示すものであり、右側の像は左側の欠陥マップの矢印で示したカンデラ像である。
図５（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、エピタキシャル膜中のキャロット欠陥密度が２０．２個／ｃｍ２のもの、０．２個／ｃｍ２のものである。
【００２８】
［ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法］
以下、本発明の実施形態であるＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法について詳細に説明する。
【００２９】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態であるＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法は、オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を備えたＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法であって、オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ)のうち、ＳｉＣ単結晶基板上に形成された、所定膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜において積層欠陥になる比率を決定する工程と、比率に基づいて、使用するＳｉＣ単結晶基板の成長面におけるＢＰＤの面密度の上限を決定する工程と、上限以下のＳｉＣ単結晶基板を用いて、比率を決定する工程において用いたエピタキシャル膜の成長条件と同じ条件で、ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００３０】
＜ＳｉＣ単結晶基板＞
ＳｉＣ単結晶基板としてはいずれのポリタイプのものも用いることができ、実用的なＳｉＣデバイスを作製する為に主に使用されている４Ｈ−ＳｉＣを用いることができる。ＳｉＣデバイスの基板としては昇華法等で作製したバルク結晶から加工したＳｉＣ単結晶基板を用い、通常、この上にＳｉＣデバイスの活性領域となるＳｉＣエピタキシャル膜を化学的気相成長法（ＣＶＤ）によって形成する。
【００３１】
また、ＳｉＣ単結晶基板のオフ角としてはいずれのオフ角のものも用いることもでき、限定はないが、コスト削減の観点からはオフ角が小さいもの例えば、０．４°〜５°のものが好ましい。０．４°はステップフロー成長をさせることが可能なオフ角として下限といえるものである。
ＳｉＣ単結晶基板が２インチ程度までのサイズの場合では ＳｉＣ単結晶基板のオフ角は主に８°が用いられてきた。このオフ角においてはウェハ表面のテラス幅が小さく、容易にステップフロー成長が得られるが、オフ角が大きいほど、ＳｉＣインゴットから得られるウェハ枚数が少なくなるため、３インチ以上のＳｉＣ基板においては、主に４°程度のオフ角のものが用いられている。
低オフ角になるほど、ＳｉＣ単結晶基板の表面のテラス幅が大きくなるため、ステップ端に取り込まれるマイグレーション原子の取り込まれ速度、すなわちステップ端の成長速度にバラツキが生じやすく、その結果、遅い成長速度のステップに速い成長速度のステップが追いついて合体し、ステップバンチングが発生しやすい。また、例えば、０．４°のオフ角の基板では４°のオフ角の基板に比べてテラス幅は１０倍になり、ステップフロー成長させる長さが一桁長くなるので、４°のオフ角の基板で用いられてきたステップフロー成長の条件を調整する必要がある点に留意する必要がある。
【００３２】
ＳｉＣ単結晶基板としてはＳｉＣエピタキシャル層の成長面が凸状に加工されたものを用いることができる。
ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造（ＳｉＣエピタキシャル層の形成（成長））の際、ＳｉＣ単結晶基板の裏面は加熱されたサセプタから直接加熱されるが、おもて面（ＳｉＣエピタキシャル層の形成面）は真空空間に剥き出しの状態にあり、直接加熱されない。さらに、キャリアガスである水素がおもて面上を流れるため、熱が持ち去られる。これらの事情から、エピタキシャル成長時のおもて面は裏面に対して低い温度になる。この温度差に起因して熱膨張の大きさがおもて面は裏面よりも小さく、エピタキシャル成長時にはＳｉＣ単結晶基板はおもて面が凹むように変形する。そこで、ＳｉＣ単結晶基板としてＳｉＣエピタキシャル層の成長面が凸状に加工されたものを用いることで、ＳｉＣ単結晶基板としてエピタキシャル成長時の基板の凹み（反り）を解消した状態でエピタキシャル成長を行うことが可能となる。
【００３３】
ＳｉＣエピタキシャル層の厚さは特に限定はないが、例えば、典型的な成長速度４μｍ／ｈで２．５時間成膜を行うと１０μｍ厚となる。
【００３４】
＜研磨工程＞
ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を形成する前にまず、ＳｉＣ単結晶基板について研磨を行う。
この研磨工程では、特開２０１１−４９４９６号公報に記載されている、その表面の格子乱れ層が３ｎｍ以下となる程度を目安として研磨する。
「格子乱れ層」とは、特開２０１１−４９４９６号公報の図７及び図８に示されている通り、ＴＥＭの格子像（格子が確認できる像）において、ＳｉＣ単結晶の原子層（格子）に対応する縞状構造又はその縞の一部が明瞭になっていない層をいう。
【００３５】
ここで、ＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ)の面密度は主に、この＜研磨工程＞の仕上げ程度で決まる。
所望の積層欠陥（ＳＦ）の面密度のＳｉＣエピタキシャルウェハを得るためには、ＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ)の面密度を＜上限決定工程＞で決定した上限の面密度以下となるまで、以下に記載する研磨方法を用いて研磨する。
例えば、積層欠陥面密度を０．１個／ｃｍ２以下のＳｉＣエピタキシャルウェハを製造するために要する＜研磨工程＞の仕上げ程度が、上述した格子乱れ層が３ｎｍ以下となる程度に相当する。
【００３６】
以下に、本工程の実施形態について説明する。
研磨工程は、通常ラップと呼ばれる粗研磨、ポリッシュとよばれる精密研磨、さらに超精密研磨である化学的機械研磨（以下、ＣＭＰという）など複数の研磨工程が含まれる。研磨工程は湿式で行われることが多いが、この工程で共通するのは、研磨布を貼付した回転する定盤に、研磨スラリーを供給しつつ、炭化珪素基板を接着した研磨ヘッドを押しあてて行われることである。本発明で用いる研磨スラリーは、基本的にはそれらの形態で用いられるが、研磨スラリーを用いる湿式研磨であれば形態は問わない。
【００３７】
砥粒として用いられる粒子はこのｐＨ領域において溶解せず分散する粒子であればよい。本発明においては研磨液のｐＨが２未満であるのが好ましく、この場合、研磨粒子としてはダイヤモンド、炭化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ケイ素などが使用できる。本発明において砥粒として用いられるのは平均径１〜４００ｎｍ、望ましくは１０〜２００ｎｍ、さらに望ましくは１０〜１５０ｎｍの研磨粒子である。良好な最終仕上げ面を得るためには、粒子径の小さなものが安価に市販されている点でシリカが好適である。さらに好ましくはコロイダルシリカである。コロイダルシリカ等の研磨剤の粒径は、加工速度、面粗さ等の加工特性によって適宜選択することができる。より高い研磨速度を要求する場合は粒子径の大きな研磨材を使用することができる。面粗さが小さい、すなわち高度に平滑な面を必要とするときは小さな粒子径の研磨材を使用することができる。平均粒子径が４００ｎｍを超えるものは高価である割には研磨速度が高くなく、不経済である。粒子径が１ｎｍ未満のような極端に小さいものは研磨速度が著しく低下する。
【００３８】
研磨材粒子の添加量としては１質量％〜３０質量％、望ましくは１．５質量％〜１５質量％である。３０質量％を超えると研磨材粒子の乾燥速度が速くなり、スクラッチの原因となる恐れが高くなり、また、不経済である。また、研磨材粒子が１質量％未満では加工速度が低くなりすぎるため好ましくない。
【００３９】
本発明における研磨スラリーは水系研磨スラリーであり、２０℃におけるｐＨは２．０未満、望ましくは１．５未満、さらに望ましくは１．２未満である。ｐＨが２．０以上の領域では十分な研磨速度が得られない。一方で、スラリーをｐＨ２未満とすることによって、通常の室内環境下においても炭化珪素に対する化学的反応性が著しく増加し、超精密研磨が可能になる。炭化珪素は研磨スラリー中にある酸化物粒子の機械的作用によって直接除去されるのではなく、研磨液が炭化珪素単結晶表面を酸化ケイ素に化学反応させ、その酸化ケイ素を砥粒が機械作用的に取り除いていくという機構であると考えられる。したがって研磨液組成を炭化珪素が反応しやすくなるような液性にすること、すなわちｐＨを２未満にすることと、砥粒として適度な硬度をもつ酸化物粒子を選定することはスクラッチ傷や加工変質層のない、平滑な面を得るために非常に重要である。
【００４０】
研磨スラリーは、塩酸、硝酸、燐酸、硫酸からなる酸のうち、少なくとも１種類以上、望ましくは２種類以上を用いてｐＨを２未満になるよう調整する。複数の酸を用いることが有効であることの原因は不明であるが、実験で確かめられており、複数の酸が相互に作用し、効果を高めている可能性がある。酸の添加量としては、たとえば、硫酸０．５〜５質量％、燐酸０．５〜５質量％、硝酸０．５〜５質量％、塩酸０．５〜５質量％の範囲で、適宜、種類と量を選定し、ｐＨが２未満となるようにするとよい。
【００４１】
無機酸が有効であるのは有機酸に比べ強酸であり、所定の強酸性研磨液に調整するには極めて好都合であるためである。有機酸を使用したのでは強酸性研磨液の調整に困難が伴う。
炭化珪素の研磨は、強酸性研磨液によって炭化珪素の表面に生成した酸化膜に対する反応性により、酸化層を酸化物粒子により除去することで行われるが、この表面酸化を加速するために、研磨スラリーに酸化剤を添加すると更に優れた効果が認められる。酸化剤としては過酸化水素、過塩素酸、重クロム酸カリウム、過硫酸アンモニウムサルフェートなどが挙げられる。たとえば、過酸化水素水であれば０．５〜５質量％、望ましくは１．５〜４質量％加えることにより研磨速度が向上するが、酸化剤は過酸化水素水に限定されるものではない。
【００４２】
研磨スラリーは研磨材のゲル化を抑制するためにゲル化防止剤を添加することが出来る。ゲル化防止剤の種類としては、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリエチレンホスホン酸等のリン酸エステル系のキレート剤が好適に用いられる。ゲル化防止剤は０．０１〜６質量％の範囲、好ましくは０．０５〜２質量％で添加するのがよい。
【００４３】
本発明の研磨工程において表面の格子乱れ層を３ｎｍ以下にするには、ＣＭＰ前の機械研磨において加工圧力を３５０ｇ／ｃｍ２以下にし、直径５μｍ以下の砥粒を用いることによって、ダメージ層を５０ｎｍに抑えておくのが好ましく、さらにＣＭＰにおいては、研磨スラリーとして平均粒子径が１０ｎｍ〜１５０ｎｍの研磨材粒子及び無機酸を含み、２０℃におけるｐＨが２未満であるのが好ましく、研磨材粒子がシリカであって、１質量％から３０質量％含むのがさらに好ましく、無機酸が塩酸、硝酸、燐酸、硫酸のうちの少なくとも１種類であるのがより好ましい。
【００４４】
図６（ａ）は、格子乱れ層が１０ｎｍ以上残る程度の仕上げで研磨を行ったＳｉＣ単結晶基板に１０ｎｍ厚のＳｉＣエピタキシャル膜を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハについて、フォトルミネッセンス(ＰＬ)イメージング法で得られたＰＬ像を示す。図中上のＰＬ像は検出波長が７５０ｎｍ以上の赤外波長のものであり、像中で周囲より暗く観察される部分はキャリアトラップとなる積層欠陥を示すものである（矢印はその一部を示す）。また、下のＰＬ像はバンドパスフィルタを用いて検出した検出波長が４５０±１０ｎｍものであり、像中で周囲より白く観察される部分は８Ｈ構造を有する積層欠陥を示すものである（矢印はその一部を示す）。
図６（ｂ）は、図６（ａ）に示したサンプルを再度、格子乱れ層が３ｎｍ以下となるまで研磨し直したＳｉＣ単結晶基板に、同様に１０ｎｍ厚のＳｉＣエピタキシャル膜を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハについて得られたＰＬ像を示す。
図６（ｂ）のＰＬ像では、積層欠陥はほとんど観察されず、研磨によって積層欠陥に変換される基底面転位(ＢＰＤ)を低減できることがわかった。特に、格子乱れ層が３ｎｍ以下となるまで研磨することにより、基底面転位(ＢＰＤ)を有効に低減することができることがわかった。
【００４５】
＜基底面転位密度測定工程＞
研磨後のＳｉＣ単結晶基板の成長面について、反射Ｘ線トポグラフィを用いてその基底面転位の密度を測定する。
【００４６】
＜清浄化（ガスエッチング）工程＞
清浄化工程では、水素雰囲気下で、前記研磨（凸状加工した場合は、研磨及び凸状加工）後の基板を１４００〜１８００℃にしてその表面を清浄化（ガスエッチング）する。
【００４７】
以下、本工程の実施形態について説明する。
ガスエッチングは、ＳｉＣ単結晶基板を１４００〜１８００℃に保持し、水素ガスの流量を４０〜１２０ｓｌｍ、圧力を１００〜２５０ｍｂａｒとして、５〜３０分間行う。
【００４８】
研磨後のＳｉＣ単結晶基板を洗浄した後、基板をエピタキシャル成長装置例えば、量産型の複数枚プラネタリー型ＣＶＤ装置内にセットする。装置内に水素ガスを導入後、圧力を１００〜２５０ｍｂａｒに調整する。その後、装置の温度を上げ、基板温度を１４００〜１６００℃、好ましくは１４８０℃以上にして、１〜３０分間、水素ガスによって基板表面のガスエッチングを行う。かかる条件で水素ガスによるガスエッチングを行った場合、エッチング量は０．０５〜０．４μｍ程度になる。
【００４９】
基板表面は研磨工程によりダメージを受けており、ＴＥＭにおいて「格子乱れ層」として検出できるダメージだけでなく、ＴＥＭによって検出できない格子の歪み等がさらに深くまで存在していると考えられる。ガスエッチングはこのようにダメージを受けた層（以下「ダメージ層」という）を除去することを目的としているが、ガスエッチングが十分ではなく、ダメージ層が残留すると、エピタキシャル成長層中に異種ポリタイプや転位、積層欠陥などが導入されてしまうし、また、エッチングを施しすぎると、基板表面で表面再構成が生じ、エピタキシャル成長開始前にステップバンチングを生じさせてしまう。そのため、ダメージ層とガスエッチング量とを最適化することが重要であるが、本発明者らは、鋭意研究の結果、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハの製造における十分条件として、基板表面の格子乱れ層を３ｎｍ以下にまで薄くした時のダメージ層と、上述のガスエッチング条件との組み合わせを見出したのである。
【００５０】
清浄化（ガスエッチング）工程後の基板の表面について、光学式表面検査装置を用いてウェハ全面の３５％以上の領域を解析したエピタキシャル層最表面の二乗平均粗さＲｑが１．３ｎｍ以下であることが確認できる。また、原子間力顕微鏡を用いて測定した場合、１０μｍ□では１．０ｎｍ以下であり、また、２００μｍ□では１．０ｎｍ以下であり、かつ２００μｍ□に観察される長さ１００〜５００μｍのステップバンチング（短いステップバンチング）における最大高低差Ｒｙが３．０ｎｍ以下であることが確認できる。また、このステップの線密度が５ｍｍ−１以下であることが確認できる。
この後の成膜工程及び降温工程において、この基板表面の平坦性を維持することが重要となる。
【００５１】
水素ガスにＳｉＨ４ガス及び／又はＣ３Ｈ８ガスを添加することもできる。らせん転位に起因したシャローピットに短いステップバンチングが付随して発生する場合があるが、リアクタ内の環境をＳｉリッチにするため、０．００９ｍｏｌ％未満の濃度のＳｉＨ４ガスを水素ガスに添加してガスエッチングを行うことにより、シャローピットの深さを浅くすることができ、シャローピットに付随する短いステップバンチングの発生を抑制できる。
ＳｉＨ４ガス及び／又はＣ３Ｈ８ガスを添加した場合は、成膜（エピタキシャル成長）工程前に、一旦排気を行って水素ガス雰囲気にするのが好ましい。
【００５２】
＜成膜（エピタキシャル成長）工程＞
成膜（エピタキシャル成長）工程では、（エピタキシャル膜の成長温度が清浄化（ガスエッチング）温度よりも高い場合では昇温後に）前記清浄化後の基板の表面に、炭化珪素のエピタキシャル成長に必要とされる量のＳｉＨ４ガスとＣ３Ｈ８ガスとを濃度比Ｃ/Ｓｉが０．７〜１．２で同時に供給して炭化珪素をエピタキシャル成長させる。
【００５３】
また、「同時に供給」とは、完全に同一時刻であることまでは要しないが、数秒以内であることを意味する。後述する実施例で示したアイクストロン社製Ｈｏｔ Ｗａｌｌ ＳｉＣ ＣＶＤ（ＶＰ２４００ＨＷ）を用いた場合、ＳｉＨ４ガスとＣ３Ｈ８ガスの供給時間差が５秒以内であれば、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハが製造できた。
【００５４】
ＳｉＨ４ガス及びＣ３Ｈ８ガスの各流量、圧力、基板温度、成長温度はそれぞれ、１５〜１５０ｓｃｃｍ、３．５〜６０ｓｃｃｍ、８０〜２５０ｍｂａｒ、１６００℃より高く１８００℃以下、成長速度は毎時１〜２０μｍの範囲内で、オフ角、膜厚、キャリア濃度の均一性、成長速度を制御しながら決定する。成膜開始と同時にドーピングガスとして窒素ガスを導入することで、エピタキシャル層中のキャリア濃度を制御することができる。成長中のステップバンチングを抑制する方法として成長表面におけるＳｉ原子のマイグレーションを増やすために、供給する原料ガスの濃度比Ｃ/Ｓｉを低くすることが知られているが、本発明ではＣ/Ｓｉは０．７〜１．２である。また、成長させるエピタキシャル層は通常、膜厚については５〜２０μｍ程度であり、キャリア濃度については２〜１５×１０１５ｃｍ−３程度である。
【００５５】
成長温度及び成長速度は、ＳｉＣ単結晶基板のオフ角に応じて、
（１）オフ角が０．４°〜２°の４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板を用いる場合は、炭化珪素膜をエピタキシャル成長させる成長温度を１６００〜１６４０℃とするときは、成長速度を１〜３μｍ／ｈとして行い、成長温度を１６４０〜１７００℃とするときは、成長速度を３〜４μｍ／ｈとして行い、成長温度を１７００〜１８００℃とするときは、成長速度を４〜１０μｍ／ｈとして行い、
（２）オフ角が２°〜５°の４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板を用いる場合は、炭化珪素膜をエピタキシャル成長させる成長温度を１６００〜１６４０℃とするときは、成長速度を２〜４μｍ／ｈとして行い、成長温度を１６４０〜１７００℃とするときは、成長速度を４〜１０μｍ／ｈとして行い、成長温度を１７００〜１８００℃とするときは、成長速度を１０〜２０μｍ／ｈとして行う。
【００５６】
＜降温工程＞
降温工程では、ＳｉＨ４ガスとＣ３Ｈ８ガスの供給を同時に停止し、ＳｉＨ４ガスとＣ３Ｈ８ガスとを排気するまで基板温度を保持し、その後降温するのが好ましい。
【００５７】
成膜後、ＳｉＨ４ガスとＣ３Ｈ８ガスの供給、並びにドーピングガスとして導入窒素ガスを止めて降温するが、このときにもＳｉＣエピタキシャル膜表面ではガスエッチングが生じて表面のモフォロジーを悪化させ得る。この表面モフォロジーの悪化を抑制するため、ＳｉＨ４ガスおよびＣ３Ｈ８ガスの供給を停止するタイミングと、降温のタイミングとが重要である。ＳｉＨ４ガスとＣ３Ｈ８ガスの供給を同時に停止した後、供給したこれらのガスが基板表面から無くなるまで成長温度を保持し、その後平均毎分５０℃程度の速度で室温まで降温することにより、モフォロジーの悪化が抑制されることがわかった。
【００５８】
＜変換比率決定工程＞
この工程では、オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ)のうち、ＳｉＣ単結晶基板上に形成された、所定膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜において積層欠陥になる比率を決定する。
【００５９】
まず、以上の工程により作製したＳｉＣエピタキシャルウェハについて、フォトルミネッセンス(ＰＬ)イメージング法を用いて、ＳｉＣエピタキシャル膜中の積層欠陥（ＳＦ）の面密度を測定する。
次に、予め測定して得られたＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ)の面密度と、ここで得られた積層欠陥（ＳＦ）の面密度とから、ＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ)のうち、ＳｉＣ単結晶基板上に形成された、所定膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜において積層欠陥になる比率を決定する。
具体的には例えば、図３に示したグラフからその比率を決定することができる。
変換比率を決定するサンプルは同時に成膜したものを用いることが好ましい。製造ロットが異なると、成長条件にバラツキが出やすいからである。
【００６０】
＜ＢＰＤ面密度の上限決定工程＞
この工程では、決定した比率に基づいて、使用するＳｉＣ単結晶基板の成長面におけるＢＰＤの面密度の上限を決定する。
すなわち、決定した比率から、所望の積層欠陥面密度以下のＳｉＣエピタキシャルウェハを得るために、使用することができるＳｉＣ単結晶基板の成長面におけるＢＰＤの面密度の上限を決定する。
【００６１】
＜ＳｉＣエピタキシャル膜形成工程＞
この工程では、決定した上限以下のＳｉＣ単結晶基板を用いて、比率を決定する工程において用いたエピタキシャル膜の成長条件と同じ条件で、ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する。
【００６２】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態であるＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法は、オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を備えたＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法であって、オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ)及び貫通螺旋転位（ＴＳＤ）のうち、ＳｉＣ単結晶基板上に形成された、所定膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜においてキャロット欠陥になる比率を決定する工程と、比率に基づいて、使用するＳｉＣ単結晶基板の成長面におけるＢＰＤの面密度の上限を決定する工程と、上限以下のＳｉＣ単結晶基板を用いて、比率を決定する工程において用いたエピタキシャル膜の成長条件と同じ条件で、ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００６３】
本実施形態のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法について、第１の実施形態と異なる点について以下に説明する。
【００６４】
＜基底面転位密度及び貫通螺旋転位密度の測定工程＞
研磨後のＳｉＣ単結晶基板の成長面について、反射Ｘ線トポグラフィを用いてその基底面転位の密度及び貫通螺旋転位の密度を測定する。
【００６５】
＜変換比率決定工程＞
この工程では、オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ) 及び貫通螺旋転位（ＴＳＤ）のうち、ＳｉＣ単結晶基板上に形成された、所定膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜においてキャロット欠陥になる比率を決定する。
【００６６】
なお、キャロット欠陥は基底面転位（ＢＰＤ）と貫通螺旋転位（ＴＳＤ）との相互作用により形成されるため、キャロット欠陥の変換比率はそれら２変数（２種類の転位密度）に依存する。すなわち、例えば、基底面転位の面密度が同じでも、貫通螺旋転位の面密度が異なる場合には、キャロット欠陥の変換比率は異なるものとなる。
しかしながら、貫通螺旋転位の面密度が十分に高い場合（例えば、基底面転位の面密度が１０４個／ｃｍ２以上に対して、貫通螺旋転位の面密度が１０３個／ｃｍ２以上の場合）には、キャロット欠陥の変換比率は基底面転位の面密度の１／１００００〜１／１０００００程度となる。
従って、基底面転位の面密度との関係で貫通螺旋転位の面密度が十分に高い場合には、基底面転位の面密度に対するキャロット欠陥の変換比率を当該比率として用いることができる。
【００６７】
まず、作製したＳｉＣエピタキシャルウェハについて、フォトルミネッセンス(ＰＬ)イメージング法を用いて、ＳｉＣエピタキシャル膜中のキャロット欠陥の面密度を測定する。
次に、予め測定して得られたＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ) 及び貫通螺旋転位（ＴＳＤ）と、ここで得られたキャロット欠陥の面密度とから、ＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ)のうち、ＳｉＣ単結晶基板上に形成された、所定膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜においてキャロット欠陥になる比率を決定する。
変換比率を決定するサンプルは同時に成膜したものを用いることが好ましい。製造ロットが異なると、成長条件にバラツキが出やすいからである。
【００６８】
＜ＢＰＤ及びＴＳＤ面密度の上限決定工程＞
この工程では、決定した比率に基づいて、使用するＳｉＣ単結晶基板の成長面におけるＢＰＤ及びＴＳＤの面密度の上限を決定する。
すなわち、決定した比率から、所望の積層欠陥面密度以下のＳｉＣエピタキシャルウェハを得るために、使用することができるＳｉＣ単結晶基板の成長面におけるＢＰＤ及びＴＳＤの面密度の上限を決定する。
【００６９】
＜ＳｉＣエピタキシャル膜形成工程＞
この工程では、決定した上限以下のＳｉＣ単結晶基板を用いて、比率を決定する工程において用いたエピタキシャル膜の成長条件と同じ条件で、ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する。
【実施例】
【００７０】
以下、実施例によって本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
本実施例では、珪素含有ガスとしてＳｉＨ４ガスおよび炭素含有ガスとしてＣ３Ｈ８ガス、ドーピングガスとしてＮ２ガス、キャリアガスおよびエッチングガスとしてＨ２ガスを使用し、量産型の複数枚プラネタリー（自公転）型ＣＶＤ装置であるアイクストロン社製Ｈｏｔ Ｗａｌｌ ＳｉＣ ＣＶＤ（ＶＰ２４００ＨＷ）によって、４Ｈ−ＳｉＣ単結晶の（０００１）面に対して＜１１−２０＞軸方向へ微傾斜させたＳｉ面又はＣ面にＳｉＣエピタキシャル膜を成長させた。
【００７１】
（実施例１）
４°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板のＳｉ面上にＳｉＣエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハを製造する。
本実施例では、４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板については、凸状加工を施していない。
【００７２】
まず、積層欠陥（ＳＦ）への変換効率を決定するために、４枚のＳｉＣ単結晶基板について４種類の研磨条件で研磨を行った。表１で示した４つの基底面転位（ＢＰＤ）の面密度がそれらの研磨条件で研磨したＳｉＣ単結晶基板の基底面転位（ＢＰＤ）の面密度に相当する。
なお、最もＢＰＤ密度が低いものは以下の研磨条件で行った。すなわち、ＣＭＰ前の機械研磨は直径５μｍ以下の砥粒を用いて、加工圧力を３５０ｇ／ｃｍ２で行った。また、ＣＭＰは、研磨材粒子として平均粒子径が１０〜１５０ｎｍのシリカ粒子を用い、無機酸として硫酸を含み、２０℃におけるｐＨが１．９の研磨スラリーを用いて、３０分間行った。これにより、表面の格子乱れ層を３ｎｍ以下とした。
【００７３】
研磨後の基板をＲＣＡ洗浄後、成長装置内に導入した。尚、ＲＣＡ洗浄とは、Ｓｉウェハに対して一般的に用いられている湿式洗浄方法であり、硫酸・アンモニア・塩酸と過酸化水素水を混合した溶液ならびにフッ化水素酸水溶液を用いて、基板表面の有機物や重金属、パーティクルを除去することができる。
清浄化（ガスエッチング）工程は、水素ガスの流量１００ｓｌｍ、リアクタ内圧力を２００ｍｂａｒ、基板温度を１５００℃で、２０分間行った。
ＳｉＣエピタキシャル成長工程では、基板温度を１６５０℃とし、ＳｉＨ４ガス及びＣ３Ｈ８ガスが基板主面に同時に供給されるように、Ｃ３Ｈ８ガス２４ｓｃｃｍ及びＳｉＨ４ガス８ｓｃｃｍを同時に供給開始して行った。Ｃ／Ｓｉは１．０を選択した。リアクタ内圧力を２００ｍｂａｒとし、成長速度５μｍ／ｈで２時間成長工程を実施して、厚さ１０μｍのＳｉＣエピタキシャル層を成膜した。
【００７４】
次に、得られたＳｉＣエピタキシャルウェハについて、フォトルミネッセンス(ＰＬ)イメージング法を用いて、ＳｉＣエピタキシャル膜中の積層欠陥（ＳＦ）の面密度を測定した。表１で示した４つの積層欠陥（ＳＦ）の面密度が得られた値である。
【００７５】
次に、積層欠陥の面密度が０．１個/ｃｍ２以下のＳｉＣエピタキシャルウェハを得るために、図３で示したグラフに基づいて、使用するＳｉＣ単結晶基板の成長面におけるＢＰＤの面密度の上限として１．０×１０３個/ｃｍ２に決定した。
この上限のＢＰＤ面密度のＳｉＣ単結晶基板を得るために、研磨条件を調整して表面の格子乱れ層を２．５ｎｍ以下とした。
【００７６】
研磨後のＳｉＣ単結晶基板の成長面について、反射Ｘ線トポグラフィを用いてその基底面転位の密度を測定したところ、０．９×１０３個/ｃｍ２であった。
このＳｉＣ単結晶基板を用いて、上述の条件と同じ条件で基板の処理及びＳｉＣエピタキシャル層の形成を行うことにより、ＳｉＣエピタキシャルウェハを作製した。
得られたＳｉＣエピタキシャルウェハについて、フォトルミネッセンス(ＰＬ)イメージング法で積層欠陥の面密度を測定したところ、０．０９個/ｃｍ２であった。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
炭化珪素（ＳｉＣ）は、シリコン（Ｓｉ）に比べて絶縁破壊電界が約１０倍大きく、バンドギャップも約３倍大きい等の優れた特性を有することから、パワーデバイス、高温動作デバイス等への応用が期待されている。
【０００３】
かかるＳｉＣデバイスは、昇華再結晶法等で成長させたＳｉＣのバルク単結晶から加工して得られたＳｉＣ単結晶基板上に、化学的気相成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）等によってデバイスの活性領域となるＳｉＣエピタキシャル膜を成長させたＳｉＣエピタキシャルウェハを用いて作製されるのが一般的である。
【０００４】
ＳｉＣ単結晶基板には多くの結晶欠陥が存在し、その結晶欠陥がエピタキシャル膜に伝播することが知られている。そのため、その伝播を考慮したエピタキシャル膜の品質向上のための技術開発が進められている。
【０００５】
ＳｉＣ単結晶基板やその上にエピタキシャル膜が形成されたＳｉＣエピタキシャルウェハ内に含まれる転位や積層欠陥などの結晶欠陥を非破壊で検出する手法としては、Ｘ線トポグラフィ法（非特許文献１，２）や、フォトルミネッセンス法（特許文献１）が知られている。
【０００６】
ＳｉＣ単結晶には線状の結晶欠陥として３種類の転位（貫通螺旋転位、貫通刃状転位、基底面転位）が内在することが知られている。貫通螺旋転位（Ｔｈｒｅａｄｉｎｇ Ｓｃｒｅｗ Ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ：ＴＳＤ）はｃ軸方向に伝播するバーガースベクトルが＜０００１＞あるいはその２倍の転位である。また、貫通刃状転位（ＴｈｒｅａｄｉｎｇＥｄｇｅ Ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ：ＴＥＤ）はｃ軸方向に伝播するバーガースベクトルが１／３＜１１−２０＞の転位である。更に、基底面転位（Ｂａｓａｌ Ｐｌａｎｅ Ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ：ＢＰＤ）はｃ面に存在するバーガースベクトルが１／３＜１１−２０＞の転位である。
【０００７】
ＳｉＣエピタキシャル膜は、ＳｉＣ単結晶基板を（０００１）面（ｃ面）から＜１１−２０＞方向に１０°以内のオフ角で傾斜させてステップ密度を故意に高くした面を成長面として、ステップの横方向への結晶成長（ステップフロー成長）によって形成するのが一般的である。
このようにｃ面に対してオフ角を有する面を成長面とするため、ｃ面に存在する基底面転位（ＢＰＤ）も成長面に露出することになる。また、ｃ軸方向に延在する貫通螺旋転位（ＴＳＤ）及び貫通刃状転位（ＴＥＤ）も成長面に露出する。
【０００８】
エピタキシャル膜に伝播した基底面転位（ＢＰＤ）はエピタキシャル膜中で安定でなく、エネルギー的に有利な二つのショックレーの部分転位に容易に分解し、この二つのショックレーの部分転位の間に積層欠陥ができてしまう。積層欠陥はキャリアのライフタイムキラーとして作用するため、電流は積層欠陥が存在しない領域に集中して電流の流れる面積が小さくなる結果、オン抵抗を増大させてしまう。さらに、ｐｎダイオード等のバイポーラデバイスおいては、上記の二つの部分転位の一方はＳｉをコアとして持ち、他方はＣをコアとして持っており、Ｓｉコアを持つ部分転位だけが電子と正孔との再結合エネルギーによって移動することにより、積層欠陥の面積が拡大してしまう（非特許文献３）。
【０００９】
また、エピタキシャル膜中のキャロット欠陥はＳｉＣ単結晶基板の基底面転位（ＢＰＤ）と貫通螺旋転位（ＴＳＤ）との相互作用により形成されることが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−２８９０２３号公報
【非特許文献】
【００１１】
【非特許文献１】J. Crystal Growth,271 (2004) 1
【非特許文献２】Mat. Sci. Forum 527-529 (2006) 23
【非特許文献３】H. Jacobson et al., J. Appl. Phys. 95 (2004) 1485
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述の通り、ＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位（ＢＰＤ）の一部はＳｉＣエピタキシャル膜において積層欠陥になることは知られていた。また、キャロット欠陥はＳｉＣ単結晶基板の基底面転位（ＢＰＤ）と貫通螺旋転位（ＴＳＤ）との相互作用により形成されることが知られていた。
【００１３】
しかしながら、ＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位のうち、ＳｉＣ単結晶基板上に形成するＳｉＣエピタキシャル膜において積層欠陥になる比率は様々な要因に依存するとの認識は当業者にあったものの、その要因にはどのようなものであるか、主要な要因は何であるか等は明確にはわかっていなかった。そのため、実際に、どの程度の基底面転位（ＢＰＤ）の面密度のＳｉＣ単結晶基板を用いれば、ＳｉＣエピタキシャル膜にどの程度の面密度の基底面転位（ＢＰＤ）起因の積層欠陥が形成されるかは当業者であっても推測できなかった。キャロット欠陥についても同様な状況であった。
【００１４】
本発明者らは、所定のオフ角のＳｉＣ単結晶基板上に、所定のエピタキシャル膜の成長条件で、所定の膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜を形成した場合に、そのＳｉＣエピタキシャル膜中に形成される基板の基底面転位（ＢＰＤ）起因の積層欠陥の面密度が、ＳｉＣ単結晶基板中の基底面転位（ＢＰＤ）の面密度にほぼ比例するという規則性を有することを見出した。これにより、所定のオフ角のＳｉＣ単結晶基板を用い、所定のエピタキシャル膜の成長条件で、所定の膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜を形成する場合、そのＳｉＣ単結晶基板の成長面での基底面転位（ＢＰＤ）の面密度が既知であれば、形成されるＳｉＣエピタキシャル膜中の基底面転位（ＢＰＤ）起因の積層欠陥の面密度が予測できることとなり、本発明に想到した。
また、キャロット欠陥についても、基底面転位（ＢＰＤ）及び貫通螺旋転位（ＴＳＤ）の密度が高い場合には、ＳｉＣエピタキシャル膜中のキャロット欠陥の面密度が、ＳｉＣ単結晶基板中の基底面転位（ＢＰＤ）の面密度に相関することを有することを見出した。これにより、所定のオフ角のＳｉＣ単結晶基板を用い、所定のエピタキシャル膜の成長条件で、所定の膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜を形成する場合、そのＳｉＣ単結晶基板の成長面での基底面転位（ＢＰＤ）及び貫通螺旋転位（ＴＳＤ）の面密度が既知であれば、形成されるＳｉＣエピタキシャル膜中のキャロット欠陥の面密度が予測できることとなり、本発明に想到した。
【００１５】
本発明は、ＳｉＣエピタキシャル膜における、ＳｉＣ単結晶基板の成長面の基底面転位を起源とする積層欠陥の面密度が低減されたＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、ＳｉＣエピタキシャル膜における、キャロット欠陥の面密度が低減されたＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
（１）オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を備えたＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法であって、前記オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ)のうち、前記ＳｉＣ単結晶基板上に形成された、所定膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜において積層欠陥になる比率を決定する工程と、前記比率に基づいて、使用するＳｉＣ単結晶基板の成長面におけるＢＰＤの面密度の上限を決定する工程と、前記上限以下のＳｉＣ単結晶基板を用いて、前記比率を決定する工程において用いたエピタキシャル膜の成長条件と同じ条件で、前記ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する工程と、を有することを特徴とするＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
（２）前記比率を決定するに際して、前記成長面におけるＢＰＤの面密度、及び、前記成長面のＢＰＤ起因の、前記ＳｉＣエピタキシャル膜中の積層欠陥の面密度を、Ｘ線トポグラフィ、又は、フォトルミネセンスのいずれかの方法で測定することを特徴とする請求項１に記載のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
（３）前記上限が１．０×１０３個/ｃｍ２以下であることを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
（４）オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を備えたＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法であって、前記オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ)のうち、前記ＳｉＣ単結晶基板上に形成された、所定膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜においてキャロット欠陥になる比率を決定する工程と、前記比率に基づいて、使用するＳｉＣ単結晶基板の成長面におけるＢＰＤ及びＴＳＤの面密度の上限を決定する工程と、前記上限以下のＳｉＣ単結晶基板を用いて、前記比率を決定する工程において用いたエピタキシャル膜の成長条件と同じ条件で、前記ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する工程と、を有することを特徴とするＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
（５）オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を備えたＳｉＣエピタキシャルウェハであって、ＳｉＣエピタキシャル膜における、ＳｉＣ単結晶基板のＢＰＤ起因の積層欠陥の面密度が０．１個/ｃｍ２以下であることを特徴とするＳｉＣエピタキシャルウェハ。
【発明の効果】
【００１７】
上記の構成によれば、積層欠陥の面密度が低減されたＳｉＣエピタキシャルウェハを提供することができる。また、キャロット欠陥の面密度が低減されたＳｉＣエピタキシャルウェハを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】ＳｉＣ単結晶基板のトポグラフィ像であり、（ａ）基底面転位（ＢＰＤ）密度が６．５×１０４個／ｃｍ２のもの、（ｂ）基底面転位（ＢＰＤ）密度が５．５×１０３個／ｃｍ２のものである。
【図２】図１で示したＳｉＣ単結晶基板を用いたＳｉＣエピタキシャルウェハのＰＬ像であり、（ａ）積層欠陥（ＳＦ）密度が２．５×１０２個／ｃｍ２のもの、（ｂ）９．２個／ｃｍ２のものである。
【図３】表１に示したデータについて、ＳｉＣ単結晶基板の基底面転位（ＢＰＤ）密度とエピタキシャル膜中の積層欠陥（ＳＦ）密度との相関を示すグラフである。
【図４】ＳｉＣ単結晶基板のトポグラフィ像であり、（ａ）基底面転位（ＢＰＤ）密度が５．０×１０４個／ｃｍ２かつ貫通螺旋転位（ＴＳＤ）密度が２．８×１０４個／ｃｍ２のもの、（ｂ）基底面転位（ＢＰＤ）密度が２．０×１０４個／ｃｍ２かつ貫通螺旋転位（ＴＳＤ）密度が５．４×１０３個／ｃｍ２のものである。
【図５】図４で示したＳｉＣ単結晶基板を用いたＳｉＣエピタキシャルウェハのカンデラ像であり、（ａ）図４（ａ）で示したＳｉＣ単結晶基板を用いたもの、（ｂ）図４（ｂ）で示したＳｉＣ単結晶基板を用いたものである。
【図６】レーザー光を用いる光学式表面検査装置で４°オフ角のＳｉＣエピタキシャルウェハのＳｉ面を測定した像であり、（ａ）本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハ、（ｂ）従来のＳｉＣエピタキシャルウェハ、を示す像である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明を適用したＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法について、図面を用いて詳細に説明する。
【００２０】
［ＳｉＣエピタキシャルウェハ］
図１（ａ）及び（ｂ）は、Ｘ線トポグラフィ法で得られたＳｉＣ単結晶基板のトポグラフィ像を示す。図１（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、基底面転位（ＢＰＤ）の面密度が６．５×１０４個／ｃｍ２、５．５×１０３個／ｃｍ２のものである。
像中の矢印は基底面転位（ＢＰＤ）の一部を示している。
【００２１】
＜Ｘ線トポグラフィ測定＞
本発明においては、反射Ｘ線トポグラフィを用いて炭化珪素単結晶ウェハからのＸ線回折光を測定することにより、ウェハ面内における結晶欠陥を検出することができる。反射Ｘ線トポグラフィを用いることにより、エッチング等破壊的な手法を併用することなく、結晶欠陥の位置の検出を非破壊的に行うことができるという利点がある。
【００２２】
本発明において用いられるＸ線源としては、結晶中の基底面転位、貫通刃状転位、貫通らせん転位を分離して検出するため、シンクロトロン放射光を用いた。本明細書に示したデータはSpring-8のシンクロトロン放射光を用いたものである。
モノクロメーターを用いて波長を１．５４ÅとしたＸ線を入射光として反射Ｘ線トポグラフィの測定を行った。Ｘ線を回折させる際の回折ベクトル（ｇ-vector）としては、本発明の目的を果たすことができる限り特に制限はないが、４Ｈ−ＳｉＣ結晶に対しては１１−２８あるいは１−１０８を用いるのが通常である。本明細書では１１−２８を用いたトポグラフィ像を示している。
Ｘ線をサンプルに照射し、該サンプルから反射してきた回折光を検出することにより、トポグラフ像を得ることができる。このトポグラフ像の取得には、欠陥種を判定するために十分な解像度を得るために、高解像度のＸ線フィルム、原子核乾板などの記録媒体を用いる。今回は原子核乾板を用いた。その画像から、基底面転位、貫通刃状転位、貫通らせん転位の数をカウントした。
【００２３】
図２（ａ）及び（ｂ）は、図１（ａ）及び（ｂ）で示したＳｉＣ単結晶基板に厚さ１０μｍのＳｉＣエピタキシャル膜を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハについて、フォトルミネッセンス(ＰＬ)イメージング法で得られたＰＬ像を示す。なお、図２（ａ）及び（ｂ）のＳｉＣエピタキシャルウェハは同じ製造ロットで同時に成膜したものである。
図２（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、エピタキシャル膜中の積層欠陥（ＳＦ）の面密度が２．５×１０２個／ｃｍ２、９．２個／ｃｍ２のものである。
像中の矢印は基底面転位（ＢＰＤ）の一部、又は、積層欠陥（ＳＦ）の一部を示している。
【００２４】
表１に、ＳｉＣ単結晶基板について４つの基底面転位（ＢＰＤ）の面密度と、そのＢＰＤ面密度のＳｉＣ単結晶基板に厚さ１０μｍのＳｉＣエピタキシャル膜を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハにおけるエピタキシャル膜中の積層欠陥の面密度とを示す。４つの基底面転位（ＢＰＤ）の面密度は、図１に示したＳｉＣ単結晶基板のサンプルの場合のものの他に、３．２×１０４個／ｃｍ２、及び、３．０×１０２個／ｃｍ２のものの場合のものである。
【表１】
【００２５】
図３は、表１に示したデータについて横軸をＳｉＣ単結晶基板の基底面転位（ＢＰＤ）の面密度とし、縦軸をエピタキシャル膜中の積層欠陥（ＳＦ）の面密度としたグラフを示す。
ＢＰＤ面密度とＳＦ面密度とがほぼ比例関係を有することがわかる。かかる関係を有することから、所望のＳＦ面密度を有するＳｉＣエピタキシャルウェハを作製するために要する、ＳｉＣ単結晶基板のＢＰＤ面密度の上限を決定することができる。
【００２６】
図４（ａ）及び（ｂ）は、放射光トポグラフィ法で得られたＳｉＣ単結晶基板のトポグラフィ像を示す。
図４（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、基底面転位（ＢＰＤ）の面密度が５．０×１０４個／ｃｍ２かつ貫通螺旋転位（ＴＳＤ）の面密度が２．８×１０４個／ｃｍ２と、基底面転位（ＢＰＤ）の面密度が２．０×１０４個／ｃｍ２かつ貫通螺旋転位（ＴＳＤ）の面密度が５．４×１０３個／ｃｍ２のものである。
図４（ａ）の像中に、典型的な基底面転位（ＢＰＤ）及び貫通螺旋転位（ＴＳＤ）を示している。
【００２７】
図５（ａ）及び（ｂ）は、図４（ａ）及び（ｂ）で示したＳｉＣ単結晶基板に厚さ１０μｍのＳｉＣエピタキシャル膜を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハについて、光学式表面検査装置（Ｃａｎｄｅｌａ）で得られたカンデラ像を示す。なお、図５（ａ）及び（ｂ）のＳｉＣエピタキシャルウェハは同じ製造ロットで同時に成膜したものである。
図５（ａ）及び（ｂ）のそれぞれにおいて、左側の像は欠陥マップを示すものであり、右側の像は左側の欠陥マップの矢印で示したカンデラ像である。
図５（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、エピタキシャル膜中のキャロット欠陥密度が２０．２個／ｃｍ２のもの、０．２個／ｃｍ２のものである。
【００２８】
［ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法］
以下、本発明の実施形態であるＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法について詳細に説明する。
【００２９】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態であるＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法は、オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を備えたＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法であって、オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ)のうち、ＳｉＣ単結晶基板上に形成された、所定膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜において積層欠陥になる比率を決定する工程と、比率に基づいて、使用するＳｉＣ単結晶基板の成長面におけるＢＰＤの面密度の上限を決定する工程と、上限以下のＳｉＣ単結晶基板を用いて、比率を決定する工程において用いたエピタキシャル膜の成長条件と同じ条件で、ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００３０】
＜ＳｉＣ単結晶基板＞
ＳｉＣ単結晶基板としてはいずれのポリタイプのものも用いることができ、実用的なＳｉＣデバイスを作製する為に主に使用されている４Ｈ−ＳｉＣを用いることができる。ＳｉＣデバイスの基板としては昇華法等で作製したバルク結晶から加工したＳｉＣ単結晶基板を用い、通常、この上にＳｉＣデバイスの活性領域となるＳｉＣエピタキシャル膜を化学的気相成長法（ＣＶＤ）によって形成する。
【００３１】
また、ＳｉＣ単結晶基板のオフ角としてはいずれのオフ角のものも用いることもでき、限定はないが、コスト削減の観点からはオフ角が小さいもの例えば、０．４°〜５°のものが好ましい。０．４°はステップフロー成長をさせることが可能なオフ角として下限といえるものである。
ＳｉＣ単結晶基板が２インチ程度までのサイズの場合では ＳｉＣ単結晶基板のオフ角は主に８°が用いられてきた。このオフ角においてはウェハ表面のテラス幅が小さく、容易にステップフロー成長が得られるが、オフ角が大きいほど、ＳｉＣインゴットから得られるウェハ枚数が少なくなるため、３インチ以上のＳｉＣ基板においては、主に４°程度のオフ角のものが用いられている。
低オフ角になるほど、ＳｉＣ単結晶基板の表面のテラス幅が大きくなるため、ステップ端に取り込まれるマイグレーション原子の取り込まれ速度、すなわちステップ端の成長速度にバラツキが生じやすく、その結果、遅い成長速度のステップに速い成長速度のステップが追いついて合体し、ステップバンチングが発生しやすい。また、例えば、０．４°のオフ角の基板では４°のオフ角の基板に比べてテラス幅は１０倍になり、ステップフロー成長させる長さが一桁長くなるので、４°のオフ角の基板で用いられてきたステップフロー成長の条件を調整する必要がある点に留意する必要がある。
【００３２】
ＳｉＣ単結晶基板としてはＳｉＣエピタキシャル層の成長面が凸状に加工されたものを用いることができる。
ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造（ＳｉＣエピタキシャル層の形成（成長））の際、ＳｉＣ単結晶基板の裏面は加熱されたサセプタから直接加熱されるが、おもて面（ＳｉＣエピタキシャル層の形成面）は真空空間に剥き出しの状態にあり、直接加熱されない。さらに、キャリアガスである水素がおもて面上を流れるため、熱が持ち去られる。これらの事情から、エピタキシャル成長時のおもて面は裏面に対して低い温度になる。この温度差に起因して熱膨張の大きさがおもて面は裏面よりも小さく、エピタキシャル成長時にはＳｉＣ単結晶基板はおもて面が凹むように変形する。そこで、ＳｉＣ単結晶基板としてＳｉＣエピタキシャル層の成長面が凸状に加工されたものを用いることで、ＳｉＣ単結晶基板としてエピタキシャル成長時の基板の凹み（反り）を解消した状態でエピタキシャル成長を行うことが可能となる。
【００３３】
ＳｉＣエピタキシャル層の厚さは特に限定はないが、例えば、典型的な成長速度４μｍ／ｈで２．５時間成膜を行うと１０μｍ厚となる。
【００３４】
＜研磨工程＞
ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を形成する前にまず、ＳｉＣ単結晶基板について研磨を行う。
この研磨工程では、特開２０１１−４９４９６号公報に記載されている、その表面の格子乱れ層が３ｎｍ以下となる程度を目安として研磨する。
「格子乱れ層」とは、特開２０１１−４９４９６号公報の図７及び図８に示されている通り、ＴＥＭの格子像（格子が確認できる像）において、ＳｉＣ単結晶の原子層（格子）に対応する縞状構造又はその縞の一部が明瞭になっていない層をいう。
【００３５】
ここで、ＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ)の面密度は主に、この＜研磨工程＞の仕上げ程度で決まる。
所望の積層欠陥（ＳＦ）の面密度のＳｉＣエピタキシャルウェハを得るためには、ＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ)の面密度を＜上限決定工程＞で決定した上限の面密度以下となるまで、以下に記載する研磨方法を用いて研磨する。
例えば、積層欠陥面密度を０．１個／ｃｍ２以下のＳｉＣエピタキシャルウェハを製造するために要する＜研磨工程＞の仕上げ程度が、上述した格子乱れ層が３ｎｍ以下となる程度に相当する。
【００３６】
以下に、本工程の実施形態について説明する。
研磨工程は、通常ラップと呼ばれる粗研磨、ポリッシュとよばれる精密研磨、さらに超精密研磨である化学的機械研磨（以下、ＣＭＰという）など複数の研磨工程が含まれる。研磨工程は湿式で行われることが多いが、この工程で共通するのは、研磨布を貼付した回転する定盤に、研磨スラリーを供給しつつ、炭化珪素基板を接着した研磨ヘッドを押しあてて行われることである。本発明で用いる研磨スラリーは、基本的にはそれらの形態で用いられるが、研磨スラリーを用いる湿式研磨であれば形態は問わない。
【００３７】
砥粒として用いられる粒子はこのｐＨ領域において溶解せず分散する粒子であればよい。本発明においては研磨液のｐＨが２未満であるのが好ましく、この場合、研磨粒子としてはダイヤモンド、炭化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ケイ素などが使用できる。本発明において砥粒として用いられるのは平均径１〜４００ｎｍ、望ましくは１０〜２００ｎｍ、さらに望ましくは１０〜１５０ｎｍの研磨粒子である。良好な最終仕上げ面を得るためには、粒子径の小さなものが安価に市販されている点でシリカが好適である。さらに好ましくはコロイダルシリカである。コロイダルシリカ等の研磨剤の粒径は、加工速度、面粗さ等の加工特性によって適宜選択することができる。より高い研磨速度を要求する場合は粒子径の大きな研磨材を使用することができる。面粗さが小さい、すなわち高度に平滑な面を必要とするときは小さな粒子径の研磨材を使用することができる。平均粒子径が４００ｎｍを超えるものは高価である割には研磨速度が高くなく、不経済である。粒子径が１ｎｍ未満のような極端に小さいものは研磨速度が著しく低下する。
【００３８】
研磨材粒子の添加量としては１質量％〜３０質量％、望ましくは１．５質量％〜１５質量％である。３０質量％を超えると研磨材粒子の乾燥速度が速くなり、スクラッチの原因となる恐れが高くなり、また、不経済である。また、研磨材粒子が１質量％未満では加工速度が低くなりすぎるため好ましくない。
【００３９】
本発明における研磨スラリーは水系研磨スラリーであり、２０℃におけるｐＨは２．０未満、望ましくは１．５未満、さらに望ましくは１．２未満である。ｐＨが２．０以上の領域では十分な研磨速度が得られない。一方で、スラリーをｐＨ２未満とすることによって、通常の室内環境下においても炭化珪素に対する化学的反応性が著しく増加し、超精密研磨が可能になる。炭化珪素は研磨スラリー中にある酸化物粒子の機械的作用によって直接除去されるのではなく、研磨液が炭化珪素単結晶表面を酸化ケイ素に化学反応させ、その酸化ケイ素を砥粒が機械作用的に取り除いていくという機構であると考えられる。したがって研磨液組成を炭化珪素が反応しやすくなるような液性にすること、すなわちｐＨを２未満にすることと、砥粒として適度な硬度をもつ酸化物粒子を選定することはスクラッチ傷や加工変質層のない、平滑な面を得るために非常に重要である。
【００４０】
研磨スラリーは、塩酸、硝酸、燐酸、硫酸からなる酸のうち、少なくとも１種類以上、望ましくは２種類以上を用いてｐＨを２未満になるよう調整する。複数の酸を用いることが有効であることの原因は不明であるが、実験で確かめられており、複数の酸が相互に作用し、効果を高めている可能性がある。酸の添加量としては、たとえば、硫酸０．５〜５質量％、燐酸０．５〜５質量％、硝酸０．５〜５質量％、塩酸０．５〜５質量％の範囲で、適宜、種類と量を選定し、ｐＨが２未満となるようにするとよい。
【００４１】
無機酸が有効であるのは有機酸に比べ強酸であり、所定の強酸性研磨液に調整するには極めて好都合であるためである。有機酸を使用したのでは強酸性研磨液の調整に困難が伴う。
炭化珪素の研磨は、強酸性研磨液によって炭化珪素の表面に生成した酸化膜に対する反応性により、酸化層を酸化物粒子により除去することで行われるが、この表面酸化を加速するために、研磨スラリーに酸化剤を添加すると更に優れた効果が認められる。酸化剤としては過酸化水素、過塩素酸、重クロム酸カリウム、過硫酸アンモニウムサルフェートなどが挙げられる。たとえば、過酸化水素水であれば０．５〜５質量％、望ましくは１．５〜４質量％加えることにより研磨速度が向上するが、酸化剤は過酸化水素水に限定されるものではない。
【００４２】
研磨スラリーは研磨材のゲル化を抑制するためにゲル化防止剤を添加することが出来る。ゲル化防止剤の種類としては、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリエチレンホスホン酸等のリン酸エステル系のキレート剤が好適に用いられる。ゲル化防止剤は０．０１〜６質量％の範囲、好ましくは０．０５〜２質量％で添加するのがよい。
【００４３】
本発明の研磨工程において表面の格子乱れ層を３ｎｍ以下にするには、ＣＭＰ前の機械研磨において加工圧力を３５０ｇ／ｃｍ２以下にし、直径５μｍ以下の砥粒を用いることによって、ダメージ層を５０ｎｍに抑えておくのが好ましく、さらにＣＭＰにおいては、研磨スラリーとして平均粒子径が１０ｎｍ〜１５０ｎｍの研磨材粒子及び無機酸を含み、２０℃におけるｐＨが２未満であるのが好ましく、研磨材粒子がシリカであって、１質量％から３０質量％含むのがさらに好ましく、無機酸が塩酸、硝酸、燐酸、硫酸のうちの少なくとも１種類であるのがより好ましい。
【００４４】
図６（ａ）は、格子乱れ層が１０ｎｍ以上残る程度の仕上げで研磨を行ったＳｉＣ単結晶基板に１０ｎｍ厚のＳｉＣエピタキシャル膜を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハについて、フォトルミネッセンス(ＰＬ)イメージング法で得られたＰＬ像を示す。図中上のＰＬ像は検出波長が７５０ｎｍ以上の赤外波長のものであり、像中で周囲より暗く観察される部分はキャリアトラップとなる積層欠陥を示すものである（矢印はその一部を示す）。また、下のＰＬ像はバンドパスフィルタを用いて検出した検出波長が４５０±１０ｎｍものであり、像中で周囲より白く観察される部分は８Ｈ構造を有する積層欠陥を示すものである（矢印はその一部を示す）。
図６（ｂ）は、図６（ａ）に示したサンプルを再度、格子乱れ層が３ｎｍ以下となるまで研磨し直したＳｉＣ単結晶基板に、同様に１０ｎｍ厚のＳｉＣエピタキシャル膜を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハについて得られたＰＬ像を示す。
図６（ｂ）のＰＬ像では、積層欠陥はほとんど観察されず、研磨によって積層欠陥に変換される基底面転位(ＢＰＤ)を低減できることがわかった。特に、格子乱れ層が３ｎｍ以下となるまで研磨することにより、基底面転位(ＢＰＤ)を有効に低減することができることがわかった。
【００４５】
＜基底面転位密度測定工程＞
研磨後のＳｉＣ単結晶基板の成長面について、反射Ｘ線トポグラフィを用いてその基底面転位の密度を測定する。
【００４６】
＜清浄化（ガスエッチング）工程＞
清浄化工程では、水素雰囲気下で、前記研磨（凸状加工した場合は、研磨及び凸状加工）後の基板を１４００〜１８００℃にしてその表面を清浄化（ガスエッチング）する。
【００４７】
以下、本工程の実施形態について説明する。
ガスエッチングは、ＳｉＣ単結晶基板を１４００〜１８００℃に保持し、水素ガスの流量を４０〜１２０ｓｌｍ、圧力を１００〜２５０ｍｂａｒとして、５〜３０分間行う。
【００４８】
研磨後のＳｉＣ単結晶基板を洗浄した後、基板をエピタキシャル成長装置例えば、量産型の複数枚プラネタリー型ＣＶＤ装置内にセットする。装置内に水素ガスを導入後、圧力を１００〜２５０ｍｂａｒに調整する。その後、装置の温度を上げ、基板温度を１４００〜１６００℃、好ましくは１４８０℃以上にして、１〜３０分間、水素ガスによって基板表面のガスエッチングを行う。かかる条件で水素ガスによるガスエッチングを行った場合、エッチング量は０．０５〜０．４μｍ程度になる。
【００４９】
基板表面は研磨工程によりダメージを受けており、ＴＥＭにおいて「格子乱れ層」として検出できるダメージだけでなく、ＴＥＭによって検出できない格子の歪み等がさらに深くまで存在していると考えられる。ガスエッチングはこのようにダメージを受けた層（以下「ダメージ層」という）を除去することを目的としているが、ガスエッチングが十分ではなく、ダメージ層が残留すると、エピタキシャル成長層中に異種ポリタイプや転位、積層欠陥などが導入されてしまうし、また、エッチングを施しすぎると、基板表面で表面再構成が生じ、エピタキシャル成長開始前にステップバンチングを生じさせてしまう。そのため、ダメージ層とガスエッチング量とを最適化することが重要であるが、本発明者らは、鋭意研究の結果、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハの製造における十分条件として、基板表面の格子乱れ層を３ｎｍ以下にまで薄くした時のダメージ層と、上述のガスエッチング条件との組み合わせを見出したのである。
【００５０】
清浄化（ガスエッチング）工程後の基板の表面について、光学式表面検査装置を用いてウェハ全面の３５％以上の領域を解析したエピタキシャル層最表面の二乗平均粗さＲｑが１．３ｎｍ以下であることが確認できる。また、原子間力顕微鏡を用いて測定した場合、１０μｍ□では１．０ｎｍ以下であり、また、２００μｍ□では１．０ｎｍ以下であり、かつ２００μｍ□に観察される長さ１００〜５００μｍのステップバンチング（短いステップバンチング）における最大高低差Ｒｙが３．０ｎｍ以下であることが確認できる。また、このステップの線密度が５ｍｍ−１以下であることが確認できる。
この後の成膜工程及び降温工程において、この基板表面の平坦性を維持することが重要となる。
【００５１】
水素ガスにＳｉＨ４ガス及び／又はＣ３Ｈ８ガスを添加することもできる。らせん転位に起因したシャローピットに短いステップバンチングが付随して発生する場合があるが、リアクタ内の環境をＳｉリッチにするため、０．００９ｍｏｌ％未満の濃度のＳｉＨ４ガスを水素ガスに添加してガスエッチングを行うことにより、シャローピットの深さを浅くすることができ、シャローピットに付随する短いステップバンチングの発生を抑制できる。
ＳｉＨ４ガス及び／又はＣ３Ｈ８ガスを添加した場合は、成膜（エピタキシャル成長）工程前に、一旦排気を行って水素ガス雰囲気にするのが好ましい。
【００５２】
＜成膜（エピタキシャル成長）工程＞
成膜（エピタキシャル成長）工程では、（エピタキシャル膜の成長温度が清浄化（ガスエッチング）温度よりも高い場合では昇温後に）前記清浄化後の基板の表面に、炭化珪素のエピタキシャル成長に必要とされる量のＳｉＨ４ガスとＣ３Ｈ８ガスとを濃度比Ｃ/Ｓｉが０．７〜１．２で同時に供給して炭化珪素をエピタキシャル成長させる。
【００５３】
また、「同時に供給」とは、完全に同一時刻であることまでは要しないが、数秒以内であることを意味する。後述する実施例で示したアイクストロン社製Ｈｏｔ Ｗａｌｌ ＳｉＣ ＣＶＤ（ＶＰ２４００ＨＷ）を用いた場合、ＳｉＨ４ガスとＣ３Ｈ８ガスの供給時間差が５秒以内であれば、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハが製造できた。
【００５４】
ＳｉＨ４ガス及びＣ３Ｈ８ガスの各流量、圧力、基板温度、成長温度はそれぞれ、１５〜１５０ｓｃｃｍ、３．５〜６０ｓｃｃｍ、８０〜２５０ｍｂａｒ、１６００℃より高く１８００℃以下、成長速度は毎時１〜２０μｍの範囲内で、オフ角、膜厚、キャリア濃度の均一性、成長速度を制御しながら決定する。成膜開始と同時にドーピングガスとして窒素ガスを導入することで、エピタキシャル層中のキャリア濃度を制御することができる。成長中のステップバンチングを抑制する方法として成長表面におけるＳｉ原子のマイグレーションを増やすために、供給する原料ガスの濃度比Ｃ/Ｓｉを低くすることが知られているが、本発明ではＣ/Ｓｉは０．７〜１．２である。また、成長させるエピタキシャル層は通常、膜厚については５〜２０μｍ程度であり、キャリア濃度については２〜１５×１０１５ｃｍ−３程度である。
【００５５】
成長温度及び成長速度は、ＳｉＣ単結晶基板のオフ角に応じて、
（１）オフ角が０．４°〜２°の４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板を用いる場合は、炭化珪素膜をエピタキシャル成長させる成長温度を１６００〜１６４０℃とするときは、成長速度を１〜３μｍ／ｈとして行い、成長温度を１６４０〜１７００℃とするときは、成長速度を３〜４μｍ／ｈとして行い、成長温度を１７００〜１８００℃とするときは、成長速度を４〜１０μｍ／ｈとして行い、
（２）オフ角が２°〜５°の４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板を用いる場合は、炭化珪素膜をエピタキシャル成長させる成長温度を１６００〜１６４０℃とするときは、成長速度を２〜４μｍ／ｈとして行い、成長温度を１６４０〜１７００℃とするときは、成長速度を４〜１０μｍ／ｈとして行い、成長温度を１７００〜１８００℃とするときは、成長速度を１０〜２０μｍ／ｈとして行う。
【００５６】
＜降温工程＞
降温工程では、ＳｉＨ４ガスとＣ３Ｈ８ガスの供給を同時に停止し、ＳｉＨ４ガスとＣ３Ｈ８ガスとを排気するまで基板温度を保持し、その後降温するのが好ましい。
【００５７】
成膜後、ＳｉＨ４ガスとＣ３Ｈ８ガスの供給、並びにドーピングガスとして導入窒素ガスを止めて降温するが、このときにもＳｉＣエピタキシャル膜表面ではガスエッチングが生じて表面のモフォロジーを悪化させ得る。この表面モフォロジーの悪化を抑制するため、ＳｉＨ４ガスおよびＣ３Ｈ８ガスの供給を停止するタイミングと、降温のタイミングとが重要である。ＳｉＨ４ガスとＣ３Ｈ８ガスの供給を同時に停止した後、供給したこれらのガスが基板表面から無くなるまで成長温度を保持し、その後平均毎分５０℃程度の速度で室温まで降温することにより、モフォロジーの悪化が抑制されることがわかった。
【００５８】
＜変換比率決定工程＞
この工程では、オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ)のうち、ＳｉＣ単結晶基板上に形成された、所定膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜において積層欠陥になる比率を決定する。
【００５９】
まず、以上の工程により作製したＳｉＣエピタキシャルウェハについて、フォトルミネッセンス(ＰＬ)イメージング法を用いて、ＳｉＣエピタキシャル膜中の積層欠陥（ＳＦ）の面密度を測定する。
次に、予め測定して得られたＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ)の面密度と、ここで得られた積層欠陥（ＳＦ）の面密度とから、ＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ)のうち、ＳｉＣ単結晶基板上に形成された、所定膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜において積層欠陥になる比率を決定する。
具体的には例えば、図３に示したグラフからその比率を決定することができる。
変換比率を決定するサンプルは同時に成膜したものを用いることが好ましい。製造ロットが異なると、成長条件にバラツキが出やすいからである。
【００６０】
＜ＢＰＤ面密度の上限決定工程＞
この工程では、決定した比率に基づいて、使用するＳｉＣ単結晶基板の成長面におけるＢＰＤの面密度の上限を決定する。
すなわち、決定した比率から、所望の積層欠陥面密度以下のＳｉＣエピタキシャルウェハを得るために、使用することができるＳｉＣ単結晶基板の成長面におけるＢＰＤの面密度の上限を決定する。
【００６１】
＜ＳｉＣエピタキシャル膜形成工程＞
この工程では、決定した上限以下のＳｉＣ単結晶基板を用いて、比率を決定する工程において用いたエピタキシャル膜の成長条件と同じ条件で、ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する。
【００６２】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態であるＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法は、オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を備えたＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法であって、オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ)及び貫通螺旋転位（ＴＳＤ）のうち、ＳｉＣ単結晶基板上に形成された、所定膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜においてキャロット欠陥になる比率を決定する工程と、比率に基づいて、使用するＳｉＣ単結晶基板の成長面におけるＢＰＤの面密度の上限を決定する工程と、上限以下のＳｉＣ単結晶基板を用いて、比率を決定する工程において用いたエピタキシャル膜の成長条件と同じ条件で、ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００６３】
本実施形態のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法について、第１の実施形態と異なる点について以下に説明する。
【００６４】
＜基底面転位密度及び貫通螺旋転位密度の測定工程＞
研磨後のＳｉＣ単結晶基板の成長面について、反射Ｘ線トポグラフィを用いてその基底面転位の密度及び貫通螺旋転位の密度を測定する。
【００６５】
＜変換比率決定工程＞
この工程では、オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ) 及び貫通螺旋転位（ＴＳＤ）のうち、ＳｉＣ単結晶基板上に形成された、所定膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜においてキャロット欠陥になる比率を決定する。
【００６６】
なお、キャロット欠陥は基底面転位（ＢＰＤ）と貫通螺旋転位（ＴＳＤ）との相互作用により形成されるため、キャロット欠陥の変換比率はそれら２変数（２種類の転位密度）に依存する。すなわち、例えば、基底面転位の面密度が同じでも、貫通螺旋転位の面密度が異なる場合には、キャロット欠陥の変換比率は異なるものとなる。
しかしながら、貫通螺旋転位の面密度が十分に高い場合（例えば、基底面転位の面密度が１０４個／ｃｍ２以上に対して、貫通螺旋転位の面密度が１０３個／ｃｍ２以上の場合）には、キャロット欠陥の変換比率は基底面転位の面密度の１／１００００〜１／１０００００程度となる。
従って、基底面転位の面密度との関係で貫通螺旋転位の面密度が十分に高い場合には、基底面転位の面密度に対するキャロット欠陥の変換比率を当該比率として用いることができる。
【００６７】
まず、作製したＳｉＣエピタキシャルウェハについて、フォトルミネッセンス(ＰＬ)イメージング法を用いて、ＳｉＣエピタキシャル膜中のキャロット欠陥の面密度を測定する。
次に、予め測定して得られたＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ) 及び貫通螺旋転位（ＴＳＤ）と、ここで得られたキャロット欠陥の面密度とから、ＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ)のうち、ＳｉＣ単結晶基板上に形成された、所定膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜においてキャロット欠陥になる比率を決定する。
変換比率を決定するサンプルは同時に成膜したものを用いることが好ましい。製造ロットが異なると、成長条件にバラツキが出やすいからである。
【００６８】
＜ＢＰＤ及びＴＳＤ面密度の上限決定工程＞
この工程では、決定した比率に基づいて、使用するＳｉＣ単結晶基板の成長面におけるＢＰＤ及びＴＳＤの面密度の上限を決定する。
すなわち、決定した比率から、所望の積層欠陥面密度以下のＳｉＣエピタキシャルウェハを得るために、使用することができるＳｉＣ単結晶基板の成長面におけるＢＰＤ及びＴＳＤの面密度の上限を決定する。
【００６９】
＜ＳｉＣエピタキシャル膜形成工程＞
この工程では、決定した上限以下のＳｉＣ単結晶基板を用いて、比率を決定する工程において用いたエピタキシャル膜の成長条件と同じ条件で、ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する。
【実施例】
【００７０】
以下、実施例によって本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
本実施例では、珪素含有ガスとしてＳｉＨ４ガスおよび炭素含有ガスとしてＣ３Ｈ８ガス、ドーピングガスとしてＮ２ガス、キャリアガスおよびエッチングガスとしてＨ２ガスを使用し、量産型の複数枚プラネタリー（自公転）型ＣＶＤ装置であるアイクストロン社製Ｈｏｔ Ｗａｌｌ ＳｉＣ ＣＶＤ（ＶＰ２４００ＨＷ）によって、４Ｈ−ＳｉＣ単結晶の（０００１）面に対して＜１１−２０＞軸方向へ微傾斜させたＳｉ面又はＣ面にＳｉＣエピタキシャル膜を成長させた。
【００７１】
（実施例１）
４°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板のＳｉ面上にＳｉＣエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハを製造する。
本実施例では、４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板については、凸状加工を施していない。
【００７２】
まず、積層欠陥（ＳＦ）への変換効率を決定するために、４枚のＳｉＣ単結晶基板について４種類の研磨条件で研磨を行った。表１で示した４つの基底面転位（ＢＰＤ）の面密度がそれらの研磨条件で研磨したＳｉＣ単結晶基板の基底面転位（ＢＰＤ）の面密度に相当する。
なお、最もＢＰＤ密度が低いものは以下の研磨条件で行った。すなわち、ＣＭＰ前の機械研磨は直径５μｍ以下の砥粒を用いて、加工圧力を３５０ｇ／ｃｍ２で行った。また、ＣＭＰは、研磨材粒子として平均粒子径が１０〜１５０ｎｍのシリカ粒子を用い、無機酸として硫酸を含み、２０℃におけるｐＨが１．９の研磨スラリーを用いて、３０分間行った。これにより、表面の格子乱れ層を３ｎｍ以下とした。
【００７３】
研磨後の基板をＲＣＡ洗浄後、成長装置内に導入した。尚、ＲＣＡ洗浄とは、Ｓｉウェハに対して一般的に用いられている湿式洗浄方法であり、硫酸・アンモニア・塩酸と過酸化水素水を混合した溶液ならびにフッ化水素酸水溶液を用いて、基板表面の有機物や重金属、パーティクルを除去することができる。
清浄化（ガスエッチング）工程は、水素ガスの流量１００ｓｌｍ、リアクタ内圧力を２００ｍｂａｒ、基板温度を１５００℃で、２０分間行った。
ＳｉＣエピタキシャル成長工程では、基板温度を１６５０℃とし、ＳｉＨ４ガス及びＣ３Ｈ８ガスが基板主面に同時に供給されるように、Ｃ３Ｈ８ガス２４ｓｃｃｍ及びＳｉＨ４ガス８ｓｃｃｍを同時に供給開始して行った。Ｃ／Ｓｉは１．０を選択した。リアクタ内圧力を２００ｍｂａｒとし、成長速度５μｍ／ｈで２時間成長工程を実施して、厚さ１０μｍのＳｉＣエピタキシャル層を成膜した。
【００７４】
次に、得られたＳｉＣエピタキシャルウェハについて、フォトルミネッセンス(ＰＬ)イメージング法を用いて、ＳｉＣエピタキシャル膜中の積層欠陥（ＳＦ）の面密度を測定した。表１で示した４つの積層欠陥（ＳＦ）の面密度が得られた値である。
【００７５】
次に、積層欠陥の面密度が０．１個/ｃｍ２以下のＳｉＣエピタキシャルウェハを得るために、図３で示したグラフに基づいて、使用するＳｉＣ単結晶基板の成長面におけるＢＰＤの面密度の上限として１．０×１０３個/ｃｍ２に決定した。
この上限のＢＰＤ面密度のＳｉＣ単結晶基板を得るために、研磨条件を調整して表面の格子乱れ層を２．５ｎｍ以下とした。
【００７６】
研磨後のＳｉＣ単結晶基板の成長面について、反射Ｘ線トポグラフィを用いてその基底面転位の密度を測定したところ、０．９×１０３個/ｃｍ２であった。
このＳｉＣ単結晶基板を用いて、上述の条件と同じ条件で基板の処理及びＳｉＣエピタキシャル層の形成を行うことにより、ＳｉＣエピタキシャルウェハを作製した。
得られたＳｉＣエピタキシャルウェハについて、フォトルミネッセンス(ＰＬ)イメージング法で積層欠陥の面密度を測定したところ、０．０９個/ｃｍ２であった。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を備えたＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法であって、
前記オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ)のうち、前記ＳｉＣ単結晶基板上に形成された、所定膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜において積層欠陥になる比率を決定する工程と、
前記比率に基づいて、使用するＳｉＣ単結晶基板の成長面におけるＢＰＤの面密度の上限を決定する工程と、
前記上限以下のＳｉＣ単結晶基板を用いて、前記比率を決定する工程において用いたエピタキシャル膜の成長条件と同じ条件で、前記ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する工程と、を有することを特徴とするＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
【請求項２】
前記比率を決定するに際して、前記成長面におけるＢＰＤの面密度、及び、前記成長面のＢＰＤ起因の、前記ＳｉＣエピタキシャル膜中の積層欠陥の面密度を、Ｘ線トポグラフィ、又は、フォトルミネセンスのいずれかの方法で測定することを特徴とする請求項１に記載のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
【請求項３】
前記上限が１．０×１０３個/ｃｍ２以下であることを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
【請求項４】
オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を備えたＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法であって、
前記オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ)及び貫通螺旋転位（ＴＳＤ）のうち、前記ＳｉＣ単結晶基板上に形成された、所定膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜においてキャロット欠陥になる比率を決定する工程と、
前記比率に基づいて、使用するＳｉＣ単結晶基板の成長面におけるＢＰＤ及びＴＳＤの面密度の上限を決定する工程と、
前記上限以下のＳｉＣ単結晶基板を用いて、前記比率を決定する工程において用いたエピタキシャル膜の成長条件と同じ条件で、前記ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する工程と、を有することを特徴とするＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
【請求項５】
オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を備えたＳｉＣエピタキシャルウェハであって、ＳｉＣエピタキシャル膜における、ＳｉＣ単結晶基板のＢＰＤ起因の積層欠陥の面密度が０．１個/ｃｍ２以下であることを特徴とするＳｉＣエピタキシャルウェハ。
【請求項１】
オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を備えたＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法であって、
前記オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ)のうち、前記ＳｉＣ単結晶基板上に形成された、所定膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜において積層欠陥になる比率を決定する工程と、
前記比率に基づいて、使用するＳｉＣ単結晶基板の成長面におけるＢＰＤの面密度の上限を決定する工程と、
前記上限以下のＳｉＣ単結晶基板を用いて、前記比率を決定する工程において用いたエピタキシャル膜の成長条件と同じ条件で、前記ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する工程と、を有することを特徴とするＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
【請求項２】
前記比率を決定するに際して、前記成長面におけるＢＰＤの面密度、及び、前記成長面のＢＰＤ起因の、前記ＳｉＣエピタキシャル膜中の積層欠陥の面密度を、Ｘ線トポグラフィ、又は、フォトルミネセンスのいずれかの方法で測定することを特徴とする請求項１に記載のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
【請求項３】
前記上限が１．０×１０３個/ｃｍ２以下であることを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
【請求項４】
オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を備えたＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法であって、
前記オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(ＢＰＤ)及び貫通螺旋転位（ＴＳＤ）のうち、前記ＳｉＣ単結晶基板上に形成された、所定膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜においてキャロット欠陥になる比率を決定する工程と、
前記比率に基づいて、使用するＳｉＣ単結晶基板の成長面におけるＢＰＤ及びＴＳＤの面密度の上限を決定する工程と、
前記上限以下のＳｉＣ単結晶基板を用いて、前記比率を決定する工程において用いたエピタキシャル膜の成長条件と同じ条件で、前記ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する工程と、を有することを特徴とするＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
【請求項５】
オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を備えたＳｉＣエピタキシャルウェハであって、ＳｉＣエピタキシャル膜における、ＳｉＣ単結晶基板のＢＰＤ起因の積層欠陥の面密度が０．１個/ｃｍ２以下であることを特徴とするＳｉＣエピタキシャルウェハ。
【図３】
【図１】
【図２】
【図４】
【図５】
【図６】
【図１】
【図２】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１３−５８７０９（Ｐ２０１３−５８７０９Ａ）
【公開日】平成２５年３月２８日（２０１３．３．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１９７６２６（Ｐ２０１１−１９７６２６）
【出願日】平成２３年９月９日（２０１１．９．９）
【出願人】（０００００２００４）昭和電工株式会社 (3,251)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月２８日（２０１３．３．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月９日（２０１１．９．９）
【出願人】（０００００２００４）昭和電工株式会社 (3,251)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]