【課題】高品位で大面積の非極性面を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物窒化物半導体結晶を得るために有利な製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶２００の製造方法は非極性面であるＭ面を有する種結晶Ｓを準備し、非極性面であるＭ面からＩＩＩ族窒化物半導体２００を気相中で成長させる成長工程を具備し、成長工程は、種結晶Ｓの＋Ｃ軸方向（＜０００１＞方向）に伸びるようにＩＩＩ族窒化物半導体２００を成長させることを含む。 （もっと読む）

【課題】ＨＶＰＥ法による結晶成長面が｛１−１００｝面であるＧａＮ結晶の結晶成長において、結晶成長速度が高く厚い結晶を効率良く成長させる方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶の成長方法は、主面が｛１−１００｝面である１つ以上のＧａＮ結晶下地基板を準備する工程と、ＧａＮ結晶下地基板の主面上にＧａＮ結晶をその結晶成長面が｛１−１００｝面となるように成長させる工程とを含み、ＧａＮ結晶を成長させる工程において、結晶成長温度ｘ℃が１０８０℃以上１１６０℃以下であり、結晶成長速度ｙμｍ／ｈｒと結晶成長温度ｘ℃との関係が以下の式（１）および（２）
ｙ≧０．０３５２ｘ²−７５．６５９ｘ＋４０７３７ （１）
ｙ≦０．０７８２ｘ²−１６５．９５ｘ＋８８１２１ （２）
を満たす。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を維持するとともに、コストを低減して窒化物半導体結晶を成長させる窒化物半導体結晶の成長方法および窒化物半導体結晶基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体結晶の成長方法は、使用される領域を含む表面を有し、窒化物半導体からなる基板を準備する工程（Ｓ１０）と、ハイドライド気相成長法により、基板の表面上に窒化物半導体結晶を成長させる工程（Ｓ２０）とを備えている。準備する工程（Ｓ１０）では、使用される領域に存在する異物の大きさが１μｍ以上１０μｍ以下であり、使用される領域において異物が覆う面積が使用される領域の面積の０．０１％未満である基板を準備する。 （もっと読む）

【課題】極性反転結晶領域の大きさが小さくまたその密度が低いＧａＮ結晶の成長方法およびＧａＮ結晶基板を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶の成長方法は、主結晶領域１１とその領域に対して［０００１］方向の極性が反転している複数の極性反転結晶領域１２とを含むＧａＮ基板１０を準備する工程と、ＧａＮ基板１０の（０００１）Ｇａ主面１０ｇ上に、気相法によりＧａＮ結晶２０を成長させる工程を含み、ＧａＮ結晶２０は、主結晶領域１１上に成長する第１の結晶領域２１と、各極性反転領域１２上にそれぞれ成長する複数の第２の結晶領域２２とを含み、第２の結晶領域２２は、第１の結晶領域２１に対して、［０００１］方向の極性が反転しており、第１の結晶領域２１は、第２の結晶領域２２に比べて結晶成長速度が高く、第２の結晶領域２２を埋め込むように成長する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板上に形成した金属窒化層を利用して、転位密度の低い優れた発光特性をもったＧａＮ半導体などのIII族窒化物半導体を製造する方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板の（0001）Ｓｉ面上に金属層を設け、金属層を窒化することにより、金属窒化物層を形成し、金属窒化物層にIII族窒化物半導体を形成させる。化学処理などにより金属層を溶解し、ＳｉＣ基板から分離した多様な半導体構造体を得る。金属層としては、Ｃｒ層を用いる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板上に形成した金属窒化層を利用して、転位密度の低い優れた発光特性をもったＧａＮ半導体などのIII族窒化物半導体を、従来の製造方法に比べて、より少ない工程で製造する方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１の（０００１）Ｓｉ面上に金属層を部分的に設け、金属層および金属層の間に露出するＳｉＣ基板１の（０００１）Ｓｉ面を窒化することにより、金属窒化物層２とＳｉＮ面４を形成し、金属窒化物層２にIII族窒化物半導体３をエピタキシャル成長させ、ＳｉＮ面４上に横方向成長させる。 （もっと読む）

【課題】純度の高いＡｌ系III族窒化物結晶を低コストで提供する。
【解決手段】〔１〕ハロゲンガスを含むＡｌ原料とアンモニアを含む窒素原料を結晶表面で反応させるＡｌ系III族窒化物の製造方法。
〔２〕前記ハロゲンガスが塩素である〔１〕記載のＡｌ系III族窒化物の製造方法。
〔３〕前記Ａｌ原料がＡｌＣｌ₃である〔１〕または〔２〕記載のＡｌ系III族窒化物の製造方法。
〔４〕前記Ａｌ系III族窒化物がＡｌＮである〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載のＡｌ系III族窒化物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶を厚く成長させても、転位を特定部分に集めて閉じ込めることにより、転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板１０の主面１０ｍの一部に複数のマスク１４を形成する工程と、主面１０ｍ上においてマスク１４の端面１４ｅに繋がる位相境界２６を含むＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程を含み、各マスク１４は、ケイ素化合物マスクとケイ素化合物マスクの端面の少なくとも一部に接触する融点が１０００℃以上の遷移金属マスクを含む。 （もっと読む）

本発明は、第III族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウエハを製造するために、特にＧａＮウエハを製造するために最適化された方法及び装置に関する。具体的には、この方法は、化学気相成長（ＣＶＤ）反応器内の隔離弁取付具上の不要な材料の形成を実質的に防止することに関する。特に、本発明は、システムで使用される隔離弁上のＧａＣｌ₃及び反応副生成物の堆積／凝縮を抑制する装置及び方法と、１つの反応物質としてのある量の気体状第III族前駆体と別の反応物質としてのある量の気体状第Ｖ族成分とを反応チャンバ内で反応させることによって、単結晶第III−Ｖ族半導体材料を形成する方法を提供する。
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光学および電子構成要素の製造、エピタキシャル堆積用の基板としての使用、またはウェハの用途に適したＩＩＩ−Ｖ族Ｖ化合物半導体材料の持続的大量生産法。この装置および方法は、ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハ、特にＧａＮウェハを生産するように最適化される。この方法は、半導体材料を形成するために、反応室内で、１つの反応物としてのある量の気体ＩＩＩ族前駆体を、他の反応物としてのある量の気体Ｖ族成分と反応させること、反応しなかったＩＩＩ族前駆体、反応しなかったＶ族成分および反応副生物を含む排出ガスを除去すること、および排出ガスの凝縮を低減させ、半導体材料の製造を増大させるのに十分な温度まで排出ガスを加熱することを含む。有利には、半導体材料の持続的大量製造を容易にするために、排出ガスが、凝縮を十分に防ぐように加熱される。
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【課題】下地基板の上にマスクを設けその上にＧａＮをＨＶＰＥ成長させマスク端部から立ち上がるファセットを維持しながら成長させると、マスクの部分は欠陥集合領域Ｈとなりファセット成長した部分は単結晶低転位領域となるが、欠陥集合領域Ｈが多結晶だったり方位が傾斜した単結晶だったりする。そこで、クラックの生じない自立ＧａＮ基板を提供する。
【解決手段】初め低温で成長させマスク６３上に多結晶微粒子７０を生成し高温でエピタキシャル成長させ露出部６９だけに窒化ガリウム薄膜６４が成長するようにし、マスク６３の端から傾斜して伸びるファセット６６を充分に広くなるようにし、ファセット６６から方位反転した爪状の突起６８がマスク６３の上方へ伸びるようにする。突起６８が伸び合体し、その上に成長する部分は方位反転結晶の欠陥集合領域Ｈとなる。熱膨張率異方性の違いがなくクラックが発生しない基板を与えることができる。 （もっと読む）

【課題】クラック発生を防止し、転位密度も低減することのできる窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板１は、下地層４上に成長し、厚み方向に沿った断面が略三角形状であって、かつ周期的なストライプ状をなし、ストライプの斜面６１上に凹凸面６２を設けられたＧａＮ系半導体層６と、ＧａＮ系半導体層６上に形成されたＡｌＧａＮ又はＩｎＡｌＧａＮからなる埋め込み層７とを備える。凹凸面６２は、水平断面における斜面の垂線方向が多方向にわたる多数の細斜面からなる。 （もっと読む）

【課題】良質で長尺なＳｉＣ単結晶インゴットを得る方法を提供する。
【解決手段】種結晶７の結晶成長面における中心部７ａと中心部の周辺に位置する周辺部７ｂとのうち、中心部７ａのみに混合ガスを導入するための中心部用ガス導入管４ａと、中心部７ａ）と周辺部７ｂのうち周辺部７ｂのみに混合ガスを導入するための周辺部用ガス導入管４ｂとをそれぞれ複数本ずつ備える製造装置を用いて、炭化珪素単結晶１０の成長量の増大に伴って、中心部用ガス導入管４ａおよび周辺部用ガス導入管４ｂを同時に流れる混合ガスの全流量に対しての中心部用ガス導入管４ａを流れる混合ガスの流量割合を増大させながら、炭化珪素単結晶１０を成長させる。 （もっと読む）

【課題】気相エピタキシーを用いて半導体複合材料を製造するための方法および装置を提供すること。
【解決手段】半導体複合材料、好ましくはIII−Ｎバルク結晶またはIII−Ｎ層がハイドライド気相エピタキシー（ＨＶＰＥ）を用いてリアクタ内で製造され、キャリアガスの混合気中において局所質量流量によって表されるフロープロファイルがリアクタ内に形成される。混合気は１つまたは複数の反応ガスを基板へ運ぶことができる。その結果、反応ガスの反応および堆積に重要となる水素の濃度が基板表面上で、リアクタ内で同時に形成されるフロープロファイルとは独立して調整される。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体基板などの窒素面と電極とのコンタクト抵抗を低減することが可能な窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

層状半導体デバイスの製造方法であって、（ａ）複数の半導体ナノ構造を含む基体を用意する工程と、（ｂ）エピタキシャル成長法によって前記ナノ構造上に半導体材料を成長させる工程と、（ｃ）エピタキシャル成長法によって前記半導体材料上に前記半導体デバイスの層を成長させる工程と、を含む方法。
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【課題】大面積のダイヤモンド基板を短時間、低コストで製造し、研磨時等における単結晶ダイヤモンド種基板の脱落を防止することを目的とする。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド種基板とシリコン基板が、ダイヤモンド層を介して接合されたダイヤモンド基板において、この断面構造がシリコン基板上に単結晶ダイヤモンド種基板が配置されており、該単結晶ダイヤモンド種基板の上面の一部又は全部が傾斜しており、当該傾斜角が、１）底面と傾斜面が交わる一点と上面と対向する側面が交わる一点を結んだ直線と底面のなす角より大きく、２）９０°未満であることを特徴とするダイヤモンド基板である。 （もっと読む）

【課題】半導体リソグラフィープロセスや大型光学部品、半導体材料、放熱基板等に好適な大型ダイヤモンド基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上に単結晶ダイヤモンド種基板１が配置されたダイヤモンド基板であって、シリコン基板に凹部が存在し、この凹部上に主面の面方位が（１１１）である単結晶ダイヤモンド種基板１が配置されており、シリコン基板の凹部以外の表面上に（１００）配向もしくは（１１０）配向の気相合成ダイヤモンド層８が設けられており、単結晶ダイヤモンド種基板１とシリコン基板が（１００）配向もしくは（１１０）配向の気相合成ダイヤモンド層８を介して接合され、ダイヤモンド層８と単結晶ダイヤモンド種基板１とが表面近傍で密着し、両者の表面が実質的に平坦化且つ一体化されているダイヤモンド基板。 （もっと読む）

【課題】大型で反りが少なく結晶性のよいＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、下地基板１０を準備する工程と、下地基板１０を複数の下地チップ基板１０ｃに分割する工程と、複数の下地チップ基板１０ｃをその主面１０ｍが互いに平行に、かつその側面１０ｓが互いに隣接するように配置する工程と、複数の下地チップ基板１０ｃの主面１０ｍ側にＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】成長した単結晶自体による種結晶の相対移動の阻害およびすりあわせ部での結晶析出による種結晶の相対移動の阻害を抑制する。
【解決手段】円筒形状のヒータ部材６の内部に、台座７ａとガイド部材７ｂとを有する円筒状の結晶成長容器７を配置する。このとき、供給された原料ガスが結晶成長容器７とヒータ部材６との間を通過しないように、結晶成長容器７の一部１４をヒータ部材６の内壁に接触させておく。そして、原料ガスから炭化珪素単結晶が析出する温度で発熱する結晶成長温度領域６ａと、炭化珪素単結晶が析出する上限温度よりも高い温度で発熱する結晶未成長温度領域６ｂとを有するように、ヒータ部材６を発熱させる。この状態で、結晶成長容器７の一部１４がヒータ部材６の結晶未成長温度領域６ｂと接触した状態を維持するように一部１４をすり動かしながら、結晶成長容器７を引き上げて、種結晶１２上に炭化珪素単結晶インゴットを成長させる。 （もっと読む）