光デバイス若しくは素子中に、又は光デバイス若しくは素子として、使用するのに適したＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料。それは、例えば、光学窓、レーザ窓、光反射器、光回折器及び格子、及びエタロンなど広範囲の光学用途に使用するのに適している。ＣＶＤダイヤモンド材料は、結晶欠陥の発生を制御するために制御された低いレベルの窒素の存在下でＣＶＤ法によって製造され、これにより、光用途のための重要な特性を有するダイヤモンド材料を得る。 （もっと読む）

【課題】 不純物が少なく、かつ、転位密度が低く結晶性のよいＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板およびＩＩＩ族窒化物結晶基板を含む半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 昇華法により成長させたＡｌＮ種結晶１を用いて、ＨＶＰＥ法によりＩＩＩ族窒化物結晶２を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法。ここで、上記成長方法により得られたＩＩＩ族窒化物結晶の一部を種結晶として用いて、ＨＶＰＥ法によりＩＩＩ族窒化物結晶を成長させることもできる。 （もっと読む）

【課題】非常に平坦性で完全な透明性と鏡面性をもつｍ面窒化ガリウム（ＧａＮ）膜を成長する方法。
【解決手段】本方法は、選択横方向成長技術によって構造欠陥密度の大幅な低減を実現する。高品質で、一様で、厚いｍ面ＧａＮ膜は分極のないデバイスの成長のための基板として用いるために作製される。 （もっと読む）

１５ｃｍを超える大面積と、少なくとも１ｍｍの厚さと、５Ｅ５ｃｍ^−２を超えない平均転位密度と、２５％未満の転位密度標準偏差比率と、を有する大面積で均一な低転位密度単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料、たとえば窒化ガリウム。かかる材料は、（ｉ）たとえばＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料の成長表面の少なくとも５０％にわたってピットを形成するピット化成長条件下で、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を基板上に成長させる第１段階であって、成長表面上のピット密度が、成長表面において少なくとも１０^２ピット／ｃｍ^２である段階と、（ｉｉ）ピット充填条件下でＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を成長させる第２段階と、を含むプロセスによって基板上に形成することができる。
（もっと読む）

マイクロ波プラズマ化学蒸着により成長した単結晶ダイヤモンドは、５０〜９０ ＧＰａの硬さおよび１１〜２０ ＭＰａ ｍ^1/2の破壊靱性を有する。単結晶ダイヤモンドを成長させる方法は、ホルダーに種晶ダイヤモンドを入れ、単結晶ダイヤモンドが１１〜２０ ＭＰａ ｍ^1/2の破壊靱性を有するように約１０００℃から約１１００℃の温度で単結晶ダイヤモンドを成長させることを含む。
（もっと読む）

本発明は一つの観点において交差切子面のサブセットが実質上均一な厚みのダイヤモンド層を有する複数の交差切子面を備えた外面を有する自立内部支持三次元物体を製造する方法に向けられている。ダイヤモンド層は交差切子面のサブセットを規定するモールドを形成するように製造される基板の表面上に化学蒸着（ＣＶＤ）によって形成することができる。裏打層が露呈ダイヤモンド層の少なくとも一部上に形成され、基板が除去されたときに層の強度を高める。 （もっと読む）