【課題】
本発明は、追加の工程を必要とすることなく転位密度低減を図ったＧａＮ層の選択成長方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
凹凸表面を有するサファイア基板を用意し、成長温度Ｔ（℃）と、水素と窒素を含むガス雰囲気に係るＦ値（＝水素流量／（水素流量＋窒素流量））を調整することにより、凸部からの成長を抑止する一方凹部からの成長を促進させ、サファイア基板の凹部から成長を開始して凸部上に横方向成長させることを特徴とするＭＯＶＰＥ法によるＧａＮ層の選択成長方法。 （もっと読む）

【課題】簡便に行え、基体の硬さや形状によらず、良好なダイヤモンド膜の形成を可能にする前処理、及びダイヤモンド膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】基体５にリード線１１を接続し、基体５を前処理液１３に浸漬する。前処理液１３は、微粒子を、電解質を濃度１Ｍで含む電解質溶液に懸濁させたものであり、微粒子の量は、電解質溶液１００ｍｌあたり、０．２５〜０．３５ｇである。次に、電源３を用い、基体５とルツボ９との間で通電し、電解処理を行う。通電は、交流または直流である。通電の条件は、交流の場合には、電圧１０Ｖ、周波数６０Ｈｚ、通電時間１分間であり、直流の場合には、電圧１２Ｖ、通電時間３０秒間である。その後、基体５の表面にダイヤモンド膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】テンプレート基板の種結晶膜上にIII 族金属窒化物単結晶を育成するのに際して、III 族金属窒化物単結晶のクラックや反りを抑制し、その生産性を向上させることである。
【解決手段】単結晶基板９と、この単結晶基板９の表面９ａに形成された種結晶膜１０とを備えているテンプレート基板８に、III 族金属窒化物単結晶を育成する方法を提供する。単結晶基板９の背面９ｂに、種結晶膜１０の劈開面に平行な方向と異なる方向Ａ（またはＢ）に向かって延びる凹部１１（または１２）を形成する。次いでIII 族金属窒化物単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣエピタキシャル膜中の結晶欠陥を減少させて結晶品質を改善させたＳｉＣエピタキシャル膜付き単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】オフカットされたＳｉＣ単結晶基板１上にＳｉＣエピタキシャル膜２を成膜する成膜工程と、ＳｉＣエピタキシャル膜２を加熱することでＳｉＣエピタキシャル膜２の表面にステップバンチング３を発生させて結晶欠陥を減少させる加熱工程とからなる。また、デバイスを作製するために、このＳｉＣエピタキシャル膜２の表面に発生させたステップバンチング３をＣＭＰ（化学的機械研磨）あるいは水素雰囲気中でのガスエッチング等により除去する平坦化工程を追加しても良い。 （もっと読む）

【課題】結晶を厚く成長させても、転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、複数の第１種類と複数の第２種類のＩＩＩ族窒化物結晶基板１１，１２を接触させて集合基板１０を形成する工程を含み、集合基板１０の結晶成長表面１０ｓにおいて、第１種類の基板１１は（０００１）表面１１ｐを有し、第２種類の基板１２は（０００−１）表面１２ｑを有し、第１種類の基板１１と第２種類の基板１２の複数の接触面１３が互いに平行な線として現われ、結晶成長表面１０上において接触面１３に繋がる位相境界２３を含むＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】 気相成長中にウエーハが反っても高品質のエピタキシャルウエーハを生産することができる気相成長用サセプタ等を提供する。
【解決手段】 単結晶基板の表面にエピタキシャル層を気相成長し、エピタキシャルウエーハの製造を行う気相成長装置においてウエーハを載置するための気相成長用サセプタであって、該気相成長用サセプタは、少なくとも、前記ウエーハを載置するウエーハ載置面に曲率半径を有する凹形状のザグリが形成されたものであり、前記ウエーハ載置面の曲率半径は、少なくとも、気相成長中のウエーハの表裏間の温度差及び前記単結晶基板と前記エピタキシャル層との間の格子不整合に基づいて計算で求められた前記気相成長中のウエーハの反りと一致している気相成長用サセプタ。 （もっと読む）

【課題】大面積のダイヤモンド基板を短時間、低コストで製造し、研磨時等における単結晶ダイヤモンド種基板の脱落を防止することを目的とする。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド種基板とシリコン基板が、ダイヤモンド層を介して接合されたダイヤモンド基板において、この断面構造がシリコン基板上に単結晶ダイヤモンド種基板が配置されており、該単結晶ダイヤモンド種基板の上面の一部又は全部が傾斜しており、当該傾斜角が、１）底面と傾斜面が交わる一点と上面と対向する側面が交わる一点を結んだ直線と底面のなす角より大きく、２）９０°未満であることを特徴とするダイヤモンド基板である。 （もっと読む）

【課題】半導体リソグラフィープロセスや大型光学部品、半導体材料、放熱基板等に好適な大型ダイヤモンド基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上に単結晶ダイヤモンド種基板１が配置されたダイヤモンド基板であって、シリコン基板に凹部が存在し、この凹部上に主面の面方位が（１１１）である単結晶ダイヤモンド種基板１が配置されており、シリコン基板の凹部以外の表面上に（１００）配向もしくは（１１０）配向の気相合成ダイヤモンド層８が設けられており、単結晶ダイヤモンド種基板１とシリコン基板が（１００）配向もしくは（１１０）配向の気相合成ダイヤモンド層８を介して接合され、ダイヤモンド層８と単結晶ダイヤモンド種基板１とが表面近傍で密着し、両者の表面が実質的に平坦化且つ一体化されているダイヤモンド基板。 （もっと読む）

特に単結晶シリコンからなる少なくとも１つの基板（３）および単結晶シリコンの覆い層シリコン（５）を有するタイプの電子および／または光電子デバイスを実現するのに適している半導体基板（１）について記載する。有利なことに、本発明によれば、半導体基板（１）は、使われた材料の差違に関連した欠陥を減らすのに適している少なくとも１つの機能的カップリング層（１０）を有している。特に、機能的カップリング層１０は、単結晶シリコンからなる層（５）に形成され前述の使われた材料の結晶格子の差違に関連した欠陥を減らすのに適した波形状または山谷形状の部分（６）を有している。他の実施形態として、機能的カップリング層（１０）は、単結晶シリコンからなる基板（３）および単結晶シリコンからなる層（５）の間に配置され、使われた材料の熱膨張率の差違によって生じたストレスを減らすのに適した多孔質層（４）を有している。前述の半導体基板の製造プロセスも記載されている。
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【課題】大型で反りが少なく結晶性のよいＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、下地基板１０を準備する工程と、下地基板１０を複数の下地チップ基板１０ｃに分割する工程と、複数の下地チップ基板１０ｃをその主面１０ｍが互いに平行に、かつその側面１０ｓが互いに隣接するように配置する工程と、複数の下地チップ基板１０ｃの主面１０ｍ側にＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

ａ面、ｒ面、ｍ面、及びｃ面配向からなる群から選択される結晶配向を有し且つ約０．０３７μｍ／ｃｍ²以下のｎＴＴＶを有する概ね平坦な表面を含み、ここでのｎＴＴＶは該概ね平坦な表面の表面積で規格化された総厚みばらつきであり、該基板は約９．０ｃｍ以上の直径を有する、サファイア基板。
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【課題】基材基板上に窒化ガリウム（ＧａＮ）など窒化物半導体膜を成長させて得られる窒化物半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材基板上に窒化物半導体膜を成長させる際に加えられる応力が基板の周辺部に行くほど大きいという点を考慮し、基材基板の裏面に複数のトレンチを、該応力の吸収軽減に適するように形成する。すなわち、基材基板の裏面に形成される複数のトレンチ間のピッチを基板の中心部から周辺部に行くほど徐々に狭くするか、トレンチの幅を基板の中心部から周辺部に行くほど徐々に広くするか、トレンチの深さを基板の中心部から周辺部に行くほど徐々に深く形成する。 （もっと読む）

【課題】平坦度の高いエピタキシャルシリコンウェーハを得る。
【解決手段】エピタキシャル成長用シリコンウェーハ１２は、薄円板状のウェーハを研削又は研磨のいずれか一方又は双方の処理を行うことにより中央部が凹んだお椀状の反りが付与されたものである。エピタキシャルシリコンウェーハは、このように中央部が凹んだお椀状の反りが付与されたエピタキシャル成長用シリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成することにより得る。エピタキシャル層を形成する以前のエピタキシャル成長用シリコンウェーハの表面を鏡面研磨することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】マスク層を用いる事に起因する種々の問題を回避し、かつ製造工程の簡略化を図ること。
【解決手段】(ａ)図に示すように、成長面が凹凸面とされた基板１を用いる。この基板を用いて気相成長した場合、凹凸形状が、横方向成長を抑え、Ｃ軸方向の成長を促進する働きとなり、ファセット面形成に可能な素地面となる。従って(ｂ)図に示すように、凸部にはファセット面が形成された結晶が成長し、凹部にも結晶が成長した状態となる。さらに結晶成長を続けると凸部、凹部から成長した膜がつながって、やがて(ｃ)図のように凹凸面を覆い平坦化する。この場合、ファセット面が形成された凸部上部には低転位領域が形成され、作製した膜の高品質化が図れている。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコンロッドの製造方法及び単結晶シリコンロッド構造体を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁層を形成する工程と、絶縁層にホールを形成する工程と、ホール内にシリコンを選択成長させる工程と、ホール及び絶縁層上にシリコン層を形成する工程と、シリコン層にホールに対して非放射状方向にロッドパターンを形成する工程と、シリコン層を溶融させてホールに対応する位置に結晶核が生成されるように、ロッドパターンが形成されたシリコン層上にレーザビームを照射してシリコン層を結晶化する工程と、を含む単結晶シリコン製造方法である。これにより、欠点のない単結晶シリコンロッドを形成しうる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体基板のコストの低廉化および高品質化を図ることができる長尺な窒化物半導体インゴット及びその製造方法を提供する。また、その窒化物半導体インゴットを用いた基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体インゴットは、ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）炉１を用いて製造され、２０ｍｍを超える長さ及び２インチ以上の直径を有し、最表面の転位密度が１．５×１０⁶ｃｍ-²以下である。これによりＧａＮインゴット中の内部応力が顕著に緩和される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化珪素単結晶基板上に高品質で基底面転位の少ない炭化珪素単結晶薄膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板上に、表面での基底面転位密度が10²/cm²以下である炭化珪素単結晶薄膜を有することを特徴とするエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、及び、その製造方法で、上記炭化珪素単結晶薄膜をエピタキシャル成長で形成する際に、成長装置内でエピタキシャル成長を1回以上中断する。 （もっと読む）

ＭＯＣＶＤによって成長させられるＮ面ＧａＮ膜の平滑な高品質膜のヘテロエピタキシャル成長のための方法を開示する。誤配向基板の使用、およびおそらく基板を窒素化させるステップは、本明細書で開示されるような、平滑なＮ面ＧａＮおよび他のＩＩＩ族窒化物膜の成長を可能にする。本発明はまた、Ｎ面ＧａＮをデバイス応用に対して容認不可能にする、典型的な大型（μｍサイズの）六方晶特徴を回避する。本発明は、Ｎ面デバイスの開発を可能にする、平滑な高品質膜の成長を可能にする。
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【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】上面が（０００１）面のサファイア単結晶を下地基板とし、下地基板上面にクロム層を成膜した後、クロム層が形成された下地基板をＧａＮの結晶を成長させるための装置への移送し、窒素を含有した還元性ガス雰囲気で１０００℃以上の温度で加熱窒化処理を行うことにより、クロム窒化物（ＣｒＮ）膜を形成するが、このとき、窒化アルミニウムを含む中間層が、下地基板とクロム窒化物膜との間に形成される。次に、ＧａＮバッファ層を成膜した後、基板温度を１０４０℃まで昇温し、ＧａＮの結晶層を成長させることにより、上面のピット密度が、１０５／ｃｍ２以下であるＧａＮ単結晶基板が得られる。必要により、クロム窒化物膜の選択的エッチングし、ＧａＮの基板を下地基板から分離する。 （もっと読む）

【課題】機械研磨によってダイヤモンド基板の表面形状を制御し、厚膜気相合成ダイヤモンド膜成膜に適したダイヤモンド基板を提供することを目的とする。
【構成】ダイヤモンド基板の表面に突設する複数の凸出部が形成され、前記凸出部がダイヤモンド基板の主面部に形成されているダイヤモンド基板である。また本発明に係るダイヤモンド基板において、凸出部の上面部に現れた模様の平面視面積が、ダイヤモンド基板の主面部の面積に対して１０％以上を占有していることが好ましい。 （もっと読む）