【課題】結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性を混在させた結晶において少なくとも表面において極性の単結晶としてデバイスをその上に製造するに適した単結晶基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性Ａ、Ｂを持つ部分が混在する結晶において、一方の極性Ｂの部分をエッチングして表面部分を除去し、あるいは除去せずそのままに極性Ｂの上を異種物質Ｍで被覆し、さらに同じ結晶の成長を行い極性Ａの結晶Ａ’によって表面を覆うようにする。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低く結晶性のよいＧａＮ結晶の製造方法、ＧａＮ結晶基板、およびそのＧａＮ結晶基板を含む半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ＧａＮ結晶の製造方法は、昇華法により成長させたＡｌＮ種結晶の少なくとも一部で形成されているＡｌＮ種結晶基板３を用いて、ＨＶＰＥ法によりＧａＮ結晶４を成長させるＧａＮ結晶の製造方法であって、ＡｌＮ種結晶基板の反りの曲率半径が５ｍ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】異種単結晶基板の上に成長したダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜の特性を改善し、単結晶に近づける方法を提供する。
【解決手段】異種単結晶基板の上に成長するダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜上に、１カ所もしくは複数箇所の凸部を形成し、形成した凸部を起点としてダイヤモンドをステップフロー成長させる。凸部の形成は、対応部分の選択成長により、もしくは、他の部分をレーザ加工やウェットあるいはドライエッチングすることにより形成される。また、ステップフロー成長は比較的低メタン濃度、高温での成長により得ることができる。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波プラズマＣＶＤ法によってダイヤモンド単結晶を成長させる際に、ダイヤモンドの成長面の形状（モフォロジー）を簡単に制御できる方法を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマＣＶＤ法によって、ダイヤモンド基板上にダイヤモンド結晶を成長させる方法において、
ＣＶＤ装置内に設置する基板支持体として、基板載置部が凹部によって形成され、凹部の深さがダイヤモンド基板の厚さと同一又はダイヤモンド基板の厚さ以下である支持体を用い、
該基板載置部におけるダイヤモンド基板の載置位置を調整することによって、ダイヤモンドの成長面の形状を制御するダイヤモンド製造方法、並びに、
使用するダイヤモンド基板の形状に応じて形成された基板載置部を有する基板支持体。 （もっと読む）

【課題】転位密度の小さい、良好なＧａＮ系半導体層を形成することができる、半導体層成長用基板と、それを用いた、特性に優れた半導体装置とを提供する。
【解決手段】半導体層成長用基板は、前記半導体層成長用基板を形成するＺｒＢ₂単結晶の、ａ軸の格子定数を、０．３１６９±０．００１ｎｍとした。半導体装置は、前記半導体層成長用基板と、前記半導体層成長用基板の主面上にエピタキシャル成長させたＧａＮ系半導体層とを備える。 （もっと読む）

故意にミスカットした基板を用いることにより、半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ半導体薄膜の成長を改良する方法である。具体的には、該方法は、基板を故意にミスカットするステップと、基板を反応装置内に装填するステップと、窒素および／または水素および／またはアンモニアの流れのもとで該基板を加熱するステップと、該加熱された基板上にＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮの核生成層を成膜するステップと、該Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ核生成層上に半極性窒化物半導体薄膜を成膜するステップと、該基板を窒素過圧のもとで冷却するステップとを備える。
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【課題】転位密度の小さい、良好なＧａＮ系半導体層を形成することができる、半導体層成長用基板と、それを用いた、特性に優れた半導体装置とを提供する。
【解決手段】半導体層成長用基板は、ＧａＮ系半導体層を成長させるための主面の、Ｘ線反射率法によるＸ線反射率曲線の半値幅を１００秒以下とし、かつ、前記主面に、原子ステップ構造を形成した。半導体装置は、前記半導体層成長用基板と、前記半導体層成長用基板の主面上にエピタキシャル成長させたＧａＮ系半導体層とを備える。 （もっと読む）

基板（２）の結晶面に柱状エピタキシャルによって材料を堆積し、カラム（４）が連続層（５）を与えるように継続することからなる構造体を製造する方法。前記表面は、ナノメートルスケールのバンプ（３）の周期的なアレイを備え、各々のバンプ（３）は、支持領域（３５）を有し、前記バンプ（３）のアレイの周期（３８）を調整することができる、その結晶格子がねじれ角及び／又は傾斜角を有し及び／又は界面格子不適合を有する２つの結晶素子（１１、１２）間の結合界面（１５）の近傍に位置する結晶領域（１６）内に生成される結晶欠陥及び／又は歪み場のアレイから得られる。前記アレイの周期（３８）、前記バンプの高さ（３６）及びそれらの支持領域（３５）の大きさは、連続層（４０）がバンプの存在なしにエピタキシャル成長を用いて得られる厚さより大きい臨界厚さを有するように調整される。
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【解決手段】基板と、基板上に設けられ直接形成された中間層と、遷移領域と、遷移領域の延長部分として設けられ形成されたＩＩ−ＶＩ族のバルク結晶材料とを含む構造が開示されている。遷移領域は、下層の基板からバルク結晶へ構造を変化させるために働く。製造方法において、同様の技術が、遷移領域及びバルク結晶を成長させるために使用されることができる。 （もっと読む）

【課題】厚み精度の高い水晶波長板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】水熱合成法で育成された人工水晶から第一の水晶板を切り出し（Ｓ１０１）、第一の水晶板を所望の板厚値より薄く研磨加工し（Ｓ１０２）、第一の水晶板研磨加工面上に大気圧気相成長法で先の所望の板厚値から第一の水晶板厚みを差し引いた差分厚みの水晶薄膜をホモエピタキシャル成長させ第二の水晶板を形成する（Ｓ１０３）ことにより水晶波長板を得る。上記工程において、第一の水晶板を所望の板厚値より１μｍ以上〜２０μｍ以下薄く研磨加工し、又、第一の水晶板上にマスクを載置し、第一の水晶板上にマスクパターン形状の水晶薄膜を成長させ、同時に複数個の第二の水晶板を形成する。 （もっと読む）

【課題】 従来の窒化物半導体膜製造技術では、ＳｉＯ₂層によって構成されたマスクパターンを用いた選択成長技術が開発されている。しかし、ＳｉＯ₂層を用いたマスクパターンは熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けたマスクパターンの構成要素であるＳｉまたはＯ₂は窒化物半導体膜に悪影響をもたらし、そのため作製された窒化物半導体発光素子は、発光効率の低下と個々の発光素子の発光効率のばらつきによる製品の信頼性低下を招くと共に、窒化物半導体発光素子生産の歩留まりを低下させるという問題があった。
【解決手段】 本発明の窒化物半導体構造は、凹部及び凸部が形成された同一材料からなる成長面を有する基板と、成長面の少なくとも凸部上に形成された窒化物半導体膜とを有し、凹部は、基板上に設けられた複数の方向の線状の溝によって構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大口径の窒化物半導体結晶基板の製造に関して特殊な工程を使用しない、簡便で低コストで済む窒化物結晶基板の製造方法及び発光素子用窒化物半導体基板の製造方法、並びに発光素子用窒化物半導体基板及び半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】下地基板１の上に第１の３−５族窒化物半導体層２をその膜厚が下地基板１の厚さの３．５％以上であり、室温における曲率半径が５ｍ以上となるように積層した後、第１の３−５族窒化物半導体層２の上に第２の３−５族窒化物半導体層３を２μｍ以上の膜厚になるよう第１の３−５族窒化物半導体層２の積層温度より高い積層温度で積層し、これにより下地基板１の上に窒化物結晶基板４を形成する。第２の３−５族窒化物半導体層３の積層後の冷却過程で、熱膨張係数差に伴う歪みが窒化物結晶基板４が形成されている下地基板１に反りを生じさせ、窒化物結晶基板４が下地基板１から剥離する。 （もっと読む）

【課題】内部の結晶欠陥が低減されるとともに応力の緩和された窒化物半導体レーザ素子に適した窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体を含む窒化物半導体基板には、以下の（１）の転位集中領域、および（２）の低転位領域が含まれている。その上、かかる窒化物半導体基板の表面は、（０００１）面から０．２°〜１°の範囲のオフ角度を有している。
（１）ストライプ状の高密度の欠陥領域を底とするとともに、その底の両側にファセッ ト面から成る斜面を形成することでＶ字型とし、そのファセット面の斜面を維持 させながら成長させることにより、その斜面の下部に結晶欠陥を集中させること で、ストライプ状になり、さらに、種々の状態になっている転位集中領域
（２）転位集中領域を除く領域である低転位領域 （もっと読む）

【課題】優れた性能を有するＳｉＣ単結晶とそのエピタキシャル成長方法を提供する。かかるＳｉＣエピタキシャル単結晶を用いて作製された、ウエーハと半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板の面を、（０００１）面から５．７４度±１度以内または２．８６度±０．７度以内のオフ角に設定して、前記ＳｉＣの基板上にＳｉＣの結晶をエピタキシャル成長させる工程を有しているＳｉＣエピタキシャルウエーハの製造方法。前記オフ角が、（０００１）面から５．７４度±０．５度以内または２．８６度±０．５度以内であるＳｉＣエピタキシャルウエーハの製造方法。前記オフ角が、（０００１）面から５．７４度±０．３度以内または２．８６度±０．３度以内であるＳｉＣエピタキシャルウエーハの製造方法。ＳｉＣ基板が、ＳｉＣ基板上に改良レーリー法により堆積されたＳｉＣ結晶から作製されたものであるＳｉＣエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶成長後の結晶成長面の転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶およびその成長方法を提供する。
【解決手段】基板１０上にＩＩＩ族窒化物結晶１１を成長させる方法であって、ＩＩＩ族窒化物結晶１１であるＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ結晶（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）の成長の際に、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ結晶に残留する転位の少なくとも一部をＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ結晶の結晶成長面に対して実質的に平行な方向に伝搬させて、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ結晶の外周部に排出させることを特徴とするＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法。 （もっと読む）

【課題】多結晶ＡｌＮ基板を用いつつ結晶性にすぐれた窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】配向性を有する多結晶窒化アルミニウムからなり、主面上に複数のステップ１０Ｓが形成された基板１０と、前記基板の前記主面上に設けられた単結晶の窒化物半導体層２５とを備えた窒化物半導体ウェーハ１及び前記窒化物半導体層２５の上に設けられた電極を備えた窒化物半導体素子。 （もっと読む）

【課題】面方位の判別が容易にできるように、面方位の印として、結晶方向において扁平な側面（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｆｌａｔ）を有するａ面窒化物半導体単結晶基板を提供する。
【解決手段】主面がａ面（｛１１−２０｝面）とされ、結晶方向で１個ないし３個の扁平な側面（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｆｌａｔ）を有することを特徴とするａ面窒化物半導体単結晶基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】従来の製品よりも、反りが顕著に減少したサファイア基板／窒化ガリウム積層体を提供する。
【解決手段】窒化ガリウムの膜厚を「Ｘ」とし、積層体の反りの程度を示す曲率半径値を「Ｙ」と記すとき、膜厚に対する曲率半径を表す関数グラフが下式を満たし、この式において、Ｙ_０値が６．２３±１．１５、Ａ値が７０．０４±１．９２、Ｔ値が１．５９±０．１２である時に描かれる関数グラフと一致するか、又は膜厚Ｘに対する曲率半径値Ｙのグラフ図上で該関数グラフの右側に位置するように、サファイア基板上に蝕刻トレンチ（Ｔｒｅｎｃｈ）構造を形成した。


上式中のＹは曲率半径値（単位：ｍ）であり、Ｘは窒化ガリウムの膜厚（単位：μｍ）であり、常数Ｙ_０、Ａ及びＴは、正の数である。 （もっと読む）

【課題】マスク層を用いる事に起因する種々の問題を回避し、かつ製造工程の簡略化を図ること。
【解決手段】(ａ)図に示すように、成長面が凹凸面とされた基板１を用いる。
この基板を用いて気相成長した場合、凹凸形状が、横方向成長を抑え、Ｃ軸方向の成長を促進する働きとなり、ファセット面形成に可能な素地面となる。従って(ｂ)図に示すように、凸部にはファセット面が形成された結晶が成長し、凹部にも結晶が成長した状態となる。さらに結晶成長を続けると凸部、凹部から成長した膜がつながって、やがて(ｃ)図のように凹凸面を覆い平坦化する。この場合、ファセット面が形成された凸部上部には低転位領域が形成され、作製した膜の高品質化が図れている。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハをエピタキシャル成長により被層する際、歩留まりを高める一方、エッジロールオフの小さいエピタキシャル成長シリコンウェハを製造できるようにする。
【解決手段】前面でポリシングされたシリコンウェハを準備し、それぞれ１つをエピタキシ反応器内のサセプタにロードし、順次それぞれ個別にエピタキシ反応器内で被層する。第１のステップでシリコンウェハを水素雰囲気のもとで前処理し、第２のステップでシリコンウェハを水素雰囲気にエッチング媒体を加えて前処理し、次にこのシリコンウェハのポリシングされた前面をエピタキシャル成長により被層してエピタキシ反応器から取り出し、その後、サセプタを水素雰囲気のもとでそのつど少なくとも１０００°Ｃの温度まで加熱し、ついでそのつど所定数のエピタキシャル被層処理後、サセプタをエッチング処理し、サセプタをシリコンで短期間被層する。 （もっと読む）