【課題】A軸配向の窒化物系半導体をR面サファイア基板上に選択横方向成長させるエピタキシャル基板の製造方法ならびにこの方法により製造した基板全面において貫通転位密度が低く、かつ、表面平坦性の優れたエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】Ｒ面を有するサファイヤ基板４の主面上に、凹状の溝部１１ｃと凸状のテラス部１１ｂとを交互に有し、上記溝部の幅が０．５〜３０μm、深さが０．３〜３μmであり、かつ、テラス部の幅が０．５〜５μmであるＲ面サファイア基板４上に、下地層１３，１４を介してあるいは介さずに窒化物系半導体層１５を成長させる。該窒化物系半導体層成長時に、III族原料の供給量に対するV族原料の供給量の比を０．０１〜１００とすることにより選択横方向成長を促進する。 （もっと読む）

【課題】複雑で高コストとなる処理工程を経ることなく、微小な構造の位置制御性およびサイズ均一性を高める。
【解決手段】第１の物質からなる基板の上に第２の物質を堆積させ、ステップが規則的に配列する二次元表面相１１を形成する（Ｓ２）。ついで、二次元表面相１１の上に第３の物質を配置することにより、二次元表面相１１上のステップに第３の物質を含む液滴を配列させる（Ｓ３）。ついで、液滴島２１を結晶化させることにより、微小構造２２を形成する（Ｓ４）。 （もっと読む）

本発明は、種基板を使用してc面配向のGaN又はAl_xGa_1-xN基板を製造する方法に関する。この方法では、種基板として正方晶系（100）又は（-100）配向のLiAlO₂ 種基板を使用し、窒素化合物含有雰囲気中、LiAlO₂ の分解温度よりも低温度で窒化を行い、温度500 ~ 700℃ でGaCl又はAlCl 、あるいはGaClとAlClの混合物を窒素化合物含有雰囲気に添加することによって核形成層を成長させ、核形成層上に、900℃〜1050℃ の温度範囲でGaCl又はAlCl 、もしくはGaCl/AlCl混合物を窒素化合物含有雰囲気中で使用するハイドライド気相成長法（HVPE）によって単結晶性のc面配向GaN層又はAl_xGa_1-xN層を成長させて、基板を冷却する。 （もっと読む）

【課題】窒化物からなる半導体層の形成に係る作業工数を減らして生産効率を向上させるとともに、製造コストの抑制を図る事が可能な窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイヤ基板１の主面の表面に溝パターン２を形成させた後、このサファイヤ基板１の溝パターン２が形成された面に、溝パターン２を埋めるようにＳｉＯ_２膜３を形成させ、さらに、サファイヤ基板１の主面の表面が現れるまでＳｉＯ_２膜３を研磨させ、最後に、研磨により現れたサファイヤ基板１の表面上にＧａＮ膜４を選択的に成長させる。 （もっと読む）

【課題】マスク層を用いる事に起因する種々の問題を回避し、かつ製造工程の簡略化を図ること。
【解決手段】(ａ)図に示すように、成長面が凹凸面とされた基板１を用いる。
この基板を用いて気相成長した場合、凹凸形状が、横方向成長を抑え、Ｃ軸方向の成長を促進する働きとなり、ファセット面形成に可能な素地面となる。従って(ｂ)図に示すように、凸部にはファセット面が形成された結晶が成長し、凹部にも結晶が成長した状態となる。さらに結晶成長を続けると凸部、凹部から成長した膜がつながって、やがて(ｃ)図のように凹凸面を覆い平坦化する。この場合、ファセット面が形成された凸部上部には低転位領域が形成され、作製した膜の高品質化が図れている。 （もっと読む）

【課題】ファセットＬＥＰＳ法を用いてＧａＮ系結晶を歩留り良く製造する方法を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体結晶がｃ軸配向し得る主面Ｓを有する異種基板１を用い、該主面にドライエッチングにより凹凸加工を施して、段差０．５μｍ以下の段差部で区画された凹部底面１ａと凸部上面１ｂとを有する凹凸面とする。次に、前記凹部底面１ａおよび凸部上面１ｂのそれぞれに、斜めファセット２ｆを側壁面として有する窒化物半導体の結晶単位２を成長させた後、上面が平坦化した結晶層となるように前記結晶単位同士を互いにつなげて成長させ、窒化物半導体結晶層３とし、窒化物半導体結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】 サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を結晶成長させる際に、反りの発生状態を的確に把握し、これに対処する。
【解決手段】 サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体からなる結晶層を結晶成長させるに際し、サファイア基板を表面を鏡面研磨した支持具上に載置し、ニュートンリングを観察することにより反りを把握する。また、サファイア基板上での窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長に際しては、結晶成長させる結晶層の厚さに対してサファイア基板の厚さを厚くする。具体的には、サファイア基板の厚さをｄ、サファイア基板の直径をｒ（インチで表した時の数値）、結晶層の厚さをｔとしたときに、ｄ≧５０×ｒ×ｔとなるようにサファイア基板の厚さを選定する。 （もっと読む）

【課題】人工水晶結晶のエピタキシャル成長用基板として、硬度が低く、ダイシング切断加工が短時間に行え、ダイシング刃の消耗の少ない基板を提供する。
【解決手段】結晶形成用基板は素材として水晶を用いた矩形状基板であり、この水晶基板のカットアングルが、水晶結晶体の結晶軸を、それぞれ電気軸を＋Ｘ軸、光軸を＋Ｚ軸、この＋Ｘと＋Ｚ軸に直交して機械軸を＋Ｙ軸として右手系で直交座標系を構成したとき、＋Ｘ軸回りに＋３３度から＋３８度、又は＋１４２度から＋１４７度の角度範囲で回転し、且つ＋Ｙ´軸回りに＋４５度の角度で回転したカットアングルの結晶形成用基板である。 （もっと読む）

【課題】エッジに面取り加工を施したサファイア基板を用いた場合、成長層の表面平坦性は向上するが、エピタキシャル成長時に異常成長や基板の割れが増加するという問題を発生させないサファイア基板の提供を課題とする。
【解決手段】少なくとも片面が鏡面加工され、表面と端面とで成す両エッジ部にそれぞれエッジ加工が施されたサファイア基板であって、該エッジ加工がテーパー加工であり、該テーパー加工により形成されたテーパー面がサファイア基板表面と成す角度が２０〜７０°の傾斜面であり、かつテーパー面と端面の平均表面粗さＲａが０．０５μｍ以下であるエピタキシャル成長用サファイア基板。あるいは、前記エッジ加工が、サファイア基板の厚さをｔとしたときに、Ｒが０．５ｔ〜ｔであるＲ加工であり、Ｒ加工部表面の平均面粗さＲａが０．０５μｍ以下であることを特徴とするエピタキシャル成長用サファイア基板である。 （もっと読む）

本発明の目的は、半導体材料、電子部品、光学部品などに用いられる、高靱性でかつ、大面積・高品質なダイヤモンド基板及びその製造法を提供することである。 ダイヤモンド単結晶基板の表面にダイヤモンド多結晶膜を積層させてダイヤモンド複合基板とする。該複合基板は、ダイヤモンド単結晶基板の最も面積の大きい主たる面を｛１００｝面とし、この面に平行な対面に、前記ダイヤモンド多結晶膜が積層されていることが好ましい。該ダイヤモンド単結晶基板３を、主たる面の面方位が揃った複数個のダイヤモンド単結晶体から構成し、これら複数個のダイヤモンド単結晶体を該ダイヤモンド多結晶層４によって接合してダイヤモンド複合基板２としてもよい。また、該ダイヤモンド単結晶を種結晶として、その表面に気相合成ダイヤモンド単結晶を設けても良い。
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ナノワイヤの成長に用いるための、ナノスケールの大きさの触媒領域からなる所定のパターンを形成する方法を提供する。当該方法は、非触媒材料によって包囲された触媒ナノアイランドあるいはナノスケールの触媒材料領域からなるアレイを製造するための、１つ又は複数のナノインプリンティングステップを包含する。
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【課題】ピエゾ電界の悪影響を派生問題なく効果的に緩和若しくは最小化する。
【解決手段】各非縦方向成長部４の上面では、ｘｙ平面に平行にｒ面が結晶成長し、これらの個々のｒ面は、側壁面１ｂの近傍に若干のボイド５を形成しつつも、ストライプ溝Ｓを完全に覆い隠すまで結晶成長して、最終的には略一連の平坦面が形成される。この時以下の結晶成長条件下で５０分間、非縦方向成長部４のファセット成長を継続する。このファセット成長の条件設定は、継続的かつ順調なファセット成長を促進する上で重要である。また、下記の結晶成長速度は、ｒ面に垂直な方向の結晶成長速度である。 結晶成長温度 ： ９９０〔℃〕 結晶成長速度 ： ０．８〔μｍ／ｍｉｎ〕 供給ガス流量比（Ｖ／III 比）： ５０００ （もっと読む）

【課題】ＳｉＧｅ膜を堆積させる効率的な方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、プロセス室（２）内において少なくとも１つの半導体膜を少なくとも１つの基板上に堆積し、半導体膜が複数の成分からなり、成分が、個々のインジェクションユニット（５）を介して液体の又は液体に溶解した原料（３）が不連続に吐出されることによって、温度制御された蒸発室（４）内で蒸発され、この蒸気がキャリアガス（７）によってプロセス室に導入される、膜の堆積方法に関する。Ｓｉを含有する第１の原料とＧｅを含有する第２の原料（３）の流量の時間経過が、インジェクション圧、インジェクション周波数、及び、１つ以上の他のインジェクションユニットのデューティ比に対するデューティ比の位相関係等のデューティ比パラメータ等の、割り当てられたインジェクションユニット（５）が決定する流量パラメータを介して、個々に制御又は変化される。 （もっと読む）

【課題】 化合物半導体を高品質なものとし得る化合物半導体成長用基板の提供。
【解決手段】 Ｓｉ単結晶基板２上に外方へ開孔し、かつ、表面が厚さ０．１〜１００ｎｍの３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層３によって被覆された多孔質Ｓｉ単結晶層４が形成されている。 （もっと読む）

本発明は、その一実施態様において、小粒子上のダイヤモンドライクコーティングを提供する。本発明は、約１〜１０００ｎｍのサイズ範囲の小粒子（１０）と、この小粒子上のダイヤモンドライクコーティングとを有する。このダイヤモンドライクコーティングは、この小粒子の表面の約５０〜１００％にわたって分布しており、かつこのダイヤモンドライクコーティングの厚さは１ミクロン以下である。次いでこれらの小粒子を、樹脂（１２）のような材料及び絶縁テープに施与してよい。
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エピタキシャル炭化ケイ素層が、結晶学的方向に向かってオフアクシスに方向付けられた炭化ケイ素基板の表面内に第１の形態を形成することによって作製される。第１の形態は、結晶学的方向に対して非平行（すなわち、斜めまたは直角）に方向付けられた少なくとも１つの側壁を備える。次いで、第１のエピタキシャル炭化ケイ素層を、第１の形態を備える炭化ケイ素基板の表面上に成長させる。次いで、第２の形態が．、第１のエピタキシャル層内に形成される。第２の形態は、結晶学的方向に対して非平行に方向付けられた少なくとも１つの側壁を備える。次いで、第２のエピタキシャル炭化ケイ素層が、第２の形態を備える第１のエピタキシャル炭化ケイ素層の表面上に成長される。
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本発明は、第１熱膨張係数および第１熱膨張係数とは異なる第２熱膨張係数をそれぞれ有し、且つ第１および第２組み合わせ面をそれぞれ有する、膜と基板（８５，８２）とが組み合わされてなり、第２基板（８２）にモチーフが形成され、そのモチーフは、第１および第２組み合わせ面と平行な平面において、弾力性または柔軟性がある、構造に関する。 （もっと読む）

本発明は一つの観点において交差切子面のサブセットが実質上均一な厚みのダイヤモンド層を有する複数の交差切子面を備えた外面を有する自立内部支持三次元物体を製造する方法に向けられている。ダイヤモンド層は交差切子面のサブセットを規定するモールドを形成するように製造される基板の表面上に化学蒸着（ＣＶＤ）によって形成することができる。裏打層が露呈ダイヤモンド層の少なくとも一部上に形成され、基板が除去されたときに層の強度を高める。 （もっと読む）