【課題】素子層全体を面内均一に低転位化させることができ、簡便に、低転位領域の大面積化を図ることができる化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１上にＳｉＣ層２をＣＶＤ法により形成する工程と、前記ＳｉＣ層２との界面まで達する深さの逆六角錐状または逆六角錐台状のピット５を複数有するＩｎ_WＧａ_xＡｌ_1-w-xＮ単結晶（０≦ｗ＜１、０≦ｘ＜１、ｗ＋ｘ＜１）からなる中間層３をＭＯＣＶＤ法により形成する工程と、Ｉｎ_yＧａ_zＡｌ_1-y-zＮ単結晶（０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１、ｙ＋ｚ＜１）からなる窒化物半導体単結晶層４をＭＯＣＶＤ法により形成する工程とを経て、化合物半導体基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】結晶軸の揃った、ｍ面を主面とするIII族窒化物系化合物半導体を得る。
【解決手段】ａ面を主面とするサファイア基板に、ｃ面からのオフ角が４５度以下の側面を有する凸部を形成する。この後、トリメチルアルミニウムを３００〜４２０℃で供給して厚さ４０Å以下のアルミニウム層を形成し、窒化処理して窒化アルミニウム層とする。すると、ａ面を主面とするサファイア基板のうち、凸部のｃ面からのオフ角が４５度以下の側面のみからIII族窒化物系化合物半導体のエピタキシャル成長が可能となる。こうして、サファイア基板の主面に平行にｍ面を有するIII族窒化物系化合物半導体が形成できる。 （もっと読む）

【課題】単結晶製造装置において、良質な単結晶を成長させると共に、繰り返し使用可能な枠および基板ホルダーを提供する。
【解決手段】気相法によって基板７上に単結晶１０を成長させる単結晶製造装置において、貴金属枠５を配置し、貴金属枠５の枠内で単結晶１０を成長させ、かつ、貴金属枠５の線膨張係数が、単結晶１０の線膨張係数と比較して、±１．０×１０^−６（１／Ｋ）の範囲にあるものとする。また、基板７の単結晶成長面には、成長方向制御薄膜６を形成しておく。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板をサセプター上に載置し、気相成長する場合に、ＳｉＣ基板がサセプターに固着せず、剥がすときにＳｉＣ基板の損傷を防止することができるＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣ基板は、第５族元素の炭化物と、第６族元素の炭化物と、第１３族元素の窒化物とからなる群より選ばれる少なくとも１つを含む組成の薄膜を主面に有する気相成長用基板である。この薄膜は、ＴａＣ、ＮｂＣ、ＭｏＣ、ＷＣ、ＣｒＣ、ＧａＮ、ＡｌＮまたはＢＮを含む組成を有する態様が好ましい。 （もっと読む）

【課題】厚膜且つ大面積のIII族窒化物系化合物半導体基板を得る。
【解決手段】サファイア基板１０にＴｉＮから成る高融点金属窒化物層２０を形成し（１．Ａ）、ＭＯＣＶＤ法により、４００℃で厚さ７０ｎｍのＡｌＮから成るバッファ層３０を形成し（１．Ｂ）、１１５０℃で厚さ１０μｍのＧａＮから成る第１の半導体層４０を形成し（１．Ｃ）、ＨＶＰＥ法により厚さ３００μｍのＧａＮから成る第２の半導体層５０を形成した（１．Ｄ）。冷却し、濃硝酸と過酸化水素水の混合物であるエッチング液Ｅに浸漬した（１．Ｅ）。ＴｉＮから成る高融点金属窒化物層２０は、チタンイオンと窒素分子に分解し、ＡｌＮから成るバッファ層３０、ＧａＮから成る第１の半導体層４０及びＧａＮから成る第２の半導体層５０から成る積層体１００からサファイア基板１０が剥離した（１．Ｆ）。こうして、III族窒化物系化合物半導体基板１００を得た（１．Ｇ）。 （もっと読む）

【課題】Ｍ面を主面とするIII族窒化物系化合物半導体を得る方法を提供する。
【解決手段】Ｒ面１０Ｒとそれに垂直なＡ面との交線Ｌ_sapph-AMの回りにＲ面１０Ｒを３０度回転させた面を主面１０ｓとするサファイア基板１０を用いる(２．Ａ)。Ｒ面１０Ｒを露出させ（２．Ｂ）、主面１０ｓに二酸化ケイ素から成るマスク２０ｍを形成する（２．Ｃ）。Ｒ面１０ＲにＡｌＮバッファ層３０ｂを形成する（２．Ｄ）。ＡｌＮバッファ層３０ｂ上にＧａＮ層４０を形成する（２．Ｅ及び２．Ｆ）。ＧａＮの成長は初期段階では横方向成長によりサファイア基板１０の上方全面が覆われる。ＧａＮ層４０は、サファイア基板１０の露出したＲ面に対してはａ軸が垂直、サファイア基板１０の軸方向Ｌ_sapph-AMに対してはｃ軸が平行、サファイア基板１０の露出したＲ面と３０度を成す主面１０ｓに対しては、ａ軸と３０度を成すｍ軸が垂直となるように成長する。 （もっと読む）

【課題】製造過程においてクラックの発生を抑制できる窒化ガリウムの結晶成長方法および窒化ガリウム基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウムの結晶成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される（ステップＳ１）。そして、下地基板上に、第１の窒化ガリウム層が成長される（ステップＳ２）。そして、第１の窒化ガリウム層よりも脆性の低い第２の窒化ガリウム層が成長される（ステップＳ３）。 （もっと読む）

【課題】基板の一表面に垂直な方向へ成長させる多数の柱状結晶のサイズや形成位置のばらつきを抑制可能な多結晶薄膜の製造方法および複合ナノ結晶層の製造方法、並びに、電子放出効率の向上が可能な電界放射型電子源、発光効率の向上が可能な発光デバイスを提供する。
【解決手段】基板１１の一表面側に、アモルファスシリコン膜中に多数の微結晶シリコンを含んでいる微結晶シリコン薄膜２１を形成する微結晶シリコン薄膜形成工程（核形成工程）を行い（図１（ａ））、その後、微結晶シリコン薄膜２１中の微結晶シリコンを核として柱状シリコン結晶（柱状結晶）３１ａを成長させることにより多数の柱状シリコン結晶３１ａの集合体からなる多結晶シリコン薄膜（多結晶薄膜）３１を形成する多結晶シリコン薄膜形成工程（結晶成長工程）を行う（図１（ｂ））。 （もっと読む）

【課題】高品質な窒化物半導体単結晶基板を簡易な方法で製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、エピタキシャル成長によって形成された第１のＧａＮ層１２１および第２のＧａＮ層１４１を層内で分離し、分離したＧａＮ層のうち表面状態のよい成長最表面側の第２のＧａＮ層１４１を種結晶として新たなＧａＮ層をエピタキシャル成長によって形成するという簡易な方法によって高品質なＧａＮ単結晶基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】格子欠陥が集中する領域を極力小さくし、どのようなデバイスにも適用できるようにした窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】成長用基板１上に選択成長用マスク１１及びＡｌＮバッファ層２が形成され、さらにノンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層されている。成長用基板１上に形成される選択成長用マスク１１は、円形状又は多角形状の形状を有しており、選択成長用マスク１１の周囲が成長用基板１で囲まれた島状に複数形成されている。このようにすることで、格子欠陥が集中する領域を極力小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】 反りが少なくクラックが発生しない半絶縁性の窒化物半導体結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 下地基板の上に、幅或いは直径ｓが１０μｍ〜１００μｍであるドット被覆部或いはストライプ被覆部を間隔ｗが２５０μｍ〜２０００μｍであるように並べたマスクを形成し、ＨＶＰＥ法によって成長温度が１０４０℃〜１１５０℃であって、５／３族比ｂが１〜１０であるような３族、５族原料ガスと、鉄を含むガスとを供給することによって下地基板の上に窒化物半導体結晶を成長させ、下地基板を除去することによって、比抵抗が１×１０^５Ωｃｍ以上、厚みが１００μｍ以上、反りの曲率半径が３ｍ以上の自立した半絶縁性窒化物半導体基板を得、更にその基板を用いたデバイスの作製を得る。 （もっと読む）

【課題】良好な品質の無極性面ＧａＮ結晶を生成できるＧａＮ半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板１０上に、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化ニオブ、炭化バナジウムおよび炭化タンタルからなる群より選択される炭化物からなる層を形成する工程と、炭化物層を窒化する工程と、窒化された炭化物層１２の上に、ＧａＮ結晶を無極性面を成長面としてエピタキシャル成長させて、無極性面ＧａＮ結晶層１６を形成する工程と、下地基板１０を除去して、無極性面ＧａＮ結晶層１６を含むＧａＮ半導体基板を得る工程と、を含むＧａＮ半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハ全体における厚みのバラツキを小さくすることが可能なサセプタを提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ２２を収容する平面視略円形の凹部２１ａが設けられ、凹部２１ａには半導体ウェーハ２２を支持する平面視略円形の凸部２１ｄが設けられ、凸部２１ｄの直径ｄ_１が凹部２１ａの直径ｄ_２よりも小とされ、かつ凸部２１ｄの直径ｄ_１が、凹部２１ａに半導体ウェーハ２２が載置された際に凸部２１ｄと半導体ウェーハ２２との境界全体に気相成長反応に供される反応ガスが流通可能となる大きさに設定されていることを特徴とするエピタキシャル膜形成装置用のサセプタ２１を採用する。 （もっと読む）

【課題】注入したイオンの拡散を抑制しつつ、効果的に効率的よく注入ダメージを除去することができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶からなる基板１上にイオン注入処理をおこなう注入工程と、塩化水素ガスを含む雰囲気で熱処理することにより、イオン注入された前記基板１上のイオン注入によるダメージをエッチング除去するダメージ除去工程とを備え、前記ダメージ除去工程におけるエッチング除去量が、前記基板１の深さ方向に対する注入されたイオンのガウス分布の最大濃度深さＲｐの５〜１２０％の厚みであるシリコンウェーハの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】圧縮歪層と引張歪層とを利用して、ＩｎＰ系半導体デバイスを成長させるメタモルフィック基板の欠陥（例えば転位）の低減を可能にする。
【解決手段】ガリウムヒ素基板１００と、前記ガリウムヒ素基板１００上に形成されたバッファ層１０１と、前記バッファ層１０１上に、前記バッファ層１０１よりも面内方向の格子定数が小さい材料からなる引張歪層１０５ａと、前記バッファ層１０１よりも面内方向の格子定数大きい材料からなる圧縮歪層１０５ｂとを積層して形成された歪補償構造層１０５とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長基板の反りやクラックの発生を抑制し、且つ製造リードタイムを短縮させることができるエピタキシャル成長基板の製造方法、窒化物系化合物半導体素子の製造方法、エピタキシャル成長基板及び窒化物系化合物半導体素子を提供する。
【解決手段】ガリウムと反応して表面に穴を形成する材料からなる支持基板１０を用意する工程と、支持基板１０上に第１の窒化物系化合物半導体からなる複数のバッファ層成長核２０をドット状に配置する工程と、ガリウムを流し込み、支持基板１０のバッファ層成長核２０が配置されていない支持基板１０の上面に穴１２を形成する工程と、バッファ層成長核２０と同じ構成元素を含む第１の層２２ａで穴１２の上を覆う工程と、第１の層２２ａの上に第１の窒化物系化合物半導体と格子定数の異なる第２の窒化物系化合物半導体からなる第２の層２２ｂを形成する工程とを含むエピタキシャル成長基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの向上が図られたＧａＮエピタキシャル基板、またこのＧａＮエピタキシャル基板を用いた半導体デバイス、ＧａＮエピタキシャル基板及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮエピタキシャル基板５１の製造方法は、下地基板１０の上に第１ＧａＮ層１１をエピタキシャル成長させる第１ＧａＮ層形成工程と、第１ＧａＮ層形成工程の後に、下地基板１０の上面に凹部１０ａを形成する凹部形成工程と、凹部形成工程の後に、第１ＧａＮ層１１ａ上に第２ＧａＮ層１２をエピタキシャル成長させる第２ＧａＮ層形成工程と、を有するため、クラックの発生が抑制され、歩留まりが向上する。 （もっと読む）

【課題】表面品質の良好な半導体デバイスを製造し、製造歩留まりを向上させ、製造コストの低下を図ることができる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】成長基板１１上に、互いに間隔をおいて成長基板１１の表面側に隆起してなる底部１３１と該底部１３１の上に続いて形成する先端部１３２とを有する複数の突起１３、１３、・・・を形成する工程と、複数の隣り合う突起の間に成長基板１１側とキャビティ１６が画成されるようベース層１５を、複数の突起１３、１３、・・・のそれぞれの先端部１３２、１３２、・・・に跨るように横方向へ成長させる工程と、半導体デバイスとして、ベース層１５を直接厚く成長させて、厚膜層１７を形成する工程と、複数の突起１３、１３、・・・のそれぞれの底部１３１、１３１、・・・を除去し、厚膜層１７を半導体デバイスとして成長基板１１から剥離する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】シード層の結晶欠陥を低減し、良質なＳｉＣ基板を製造する。
【解決手段】本発明の半導体基板の製造方法は、絶縁層２０上にＳｉＣ層３０を備えた半導体基板１の製造方法である。支持基板１０上に絶縁層２０とＳｉ層５０とが順次形成されてなるベース基板１００のＳｉ層５０に、絶縁層２０を露出させる溝部４０を形成し、溝部４０によってＳｉ層５０を複数の島状のＳｉ部５５に区画するＳｉ部区画工程と、Ｓｉ部５５を炭化して島状のシード部６５を形成し、シード部６５からなるシード層６０を形成するシード層形成工程と、シード部６５をエピタキシャル成長させて島状のＳｉＣ部３５を形成し、ＳｉＣ部３５からなるＳｉＣ層３０を形成するＳｉＣ層形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体単結晶層の割れ（クラック）、結晶欠陥等の発生を抑制し、かつ、窒化物半導体単結晶層の結晶性の向上を図ることができる化合物半導体基板の提供。
【解決手段】結晶面方位が｛１１１｝面であるＳｉ単結晶基板１００上に形成され、３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層１１０ａと、ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＶＣ、ＶＮのうちいずれか一種で構成された金属化合物層１１０ｂとがこの順で互いに積層され、最上層αが３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層１１０ａまたは金属化合物層１１０ｂのいずれかで構成された第１の中間層１１０を備える。 （もっと読む）