【課題】 半導体素子の使用温度において、半導体素子用基板の内部に各層の熱膨張係数差に起因する応力が発生しないようにすること。
【解決手段】 サファイア元基板１の主面１Ａ、１Ｂの少なくとも一方に３族窒化物半導体の熱膨張係数Ｋ４より小さい熱膨張係数Ｋ２を有する材料であるシリコン単結晶からなる補助層２を半導体素子の許容動作温度範囲内の温度下で形成して補助層付基板を作製した後、サファイア元基板１の主面又は補助層の表面に少なくとも１つの３族窒化物半導体層である化合物半導体層４を成長させることにより３族窒化物半導体素子用基板を製造する。補助層付基板と化合物半導体層４とは同じ熱膨張係数を有するので熱膨張差に起因する応力はこの２者の間には発生せず、しかも、補助層２は室温で形成されているので、サファイア元基板１と補助層２の間にも熱膨張差に起因する応力は発生ない。 （もっと読む）

【課題】 化合物半導体を高品質なものとし得る化合物半導体成長用基板の提供。
【解決手段】 Ｓｉ単結晶基板２上に外方へ開孔し、かつ、多孔度が１０〜９０％で、表面が表面粗さ０．１〜１００ｎｍ、厚さ０．１〜１００ｎｍの３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層３によって被覆された多孔質Ｓｉ単結晶層４が形成されている。 （もっと読む）

一つ以上のＩＩＩ族窒化物材料領域（例えば、窒化ガリウム物材料領域）を含む半導体構造、及びこのような構造に関連する方法が提供される。ＩＩＩ族窒化物材料領域は転位密度が低いので、特にらせん転位密度が低いので有利である。或る実施形態では、ＩＩＩ族窒化物材料領域のらせん転位をほぼ無くすことができる。ＩＩＩ族窒化物材料領域下での歪吸収層の形成、及び／又は処理条件によってらせん転位を低くすることができる。或る実施形態では、らせん転位が低いＩＩＩ族窒化物材料領域は窒化ガリウム物材料領域を含み、この窒化ガリウム物材料領域は素子の活性領域として機能する。活性領域（例えば、窒化ガリウム物材料領域）のらせん転位を低くすることにより、種々の効果の中でもとりわけ、電子輸送能が高くなり、非放射性再結合が少なくなり、そして組成／成長に関する均一性が高くなって特性（例えば、電気特性及び光学特性）が向上する。
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【課題】 欠陥密度の小さいＳｉＣ半導体基板を形成する。
【解決手段】 ＳｉＣ単結晶の下地ウェハ表面に多孔質層を形成し（ステップＳ１，Ｓ２）、アニール処理を行ってその多孔質層表面の空孔を閉塞した後に（ステップＳ３）、その上にＳｉＣのホモエピタキシャル層を形成する（ステップＳ４）。最後に多孔質層の部分を切断して下地ウェハの側からホモエピタキシャル層の側を分離する（ステップＳ５）。多孔質層表面の空孔閉塞後にホモエピタキシャル層を形成することによりその欠陥密度が大幅に小さくなり、これを各種デバイスのＳｉＣ半導体基板として用いることによりその製造歩留まりを向上させることが可能になる。 （もっと読む）

ナノワイヤの成長に用いるための、ナノスケールの大きさの触媒領域からなる所定のパターンを形成する方法を提供する。当該方法は、非触媒材料によって包囲された触媒ナノアイランドあるいはナノスケールの触媒材料領域からなるアレイを製造するための、１つ又は複数のナノインプリンティングステップを包含する。
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【課題】 １度未満のオフアクシス角を有するＳｉＣ基板上でエピタキシャル層成長によるウエハおよびデバイスを完成させる。
【解決手段】 ＳｉＣ基板上に当該基板と同じポリタイプのＳｉＣホモエピタキシャル層を作製する方法であって、前記層を前記ＳｉＣ基板の表面上に成長させるステップと、１μｍまでの厚さを有する境界層を形成することによりホモエピタキシャル成長を開始するステップとを有し、上記成長ステップでは前記表面が（０００１）基底面に対して０．１度より大きいが１度未満の角度で傾斜している方法。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＧｅ膜を堆積させる効率的な方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、プロセス室（２）内において少なくとも１つの半導体膜を少なくとも１つの基板上に堆積し、半導体膜が複数の成分からなり、成分が、個々のインジェクションユニット（５）を介して液体の又は液体に溶解した原料（３）が不連続に吐出されることによって、温度制御された蒸発室（４）内で蒸発され、この蒸気がキャリアガス（７）によってプロセス室に導入される、膜の堆積方法に関する。Ｓｉを含有する第１の原料とＧｅを含有する第２の原料（３）の流量の時間経過が、インジェクション圧、インジェクション周波数、及び、１つ以上の他のインジェクションユニットのデューティ比に対するデューティ比の位相関係等のデューティ比パラメータ等の、割り当てられたインジェクションユニット（５）が決定する流量パラメータを介して、個々に制御又は変化される。 （もっと読む）

【課題】 化合物半導体を高品質なものとし得る化合物半導体成長用基板の提供。
【解決手段】 Ｓｉ単結晶基板２上に外方へ開孔し、かつ、表面が厚さ０．１〜１００ｎｍの３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層３によって被覆された多孔質Ｓｉ単結晶層４が形成されている。 （もっと読む）

本発明は、ダイヤモンド担持半導体デバイス（２００）、およびそれを形成するための方法を提供する。１つの局面では、ダイヤモンド層（２０４）のデバイス表面（２１０）のために意図された構成に逆に適合するように構成された界面表面（２１２）を有する型（２２０）が提供される。次いで、無力なダイヤモンド層（２０４）が、型（２２０）のダイヤモンド界面表面（２１２）の上に堆積され、基材（２０２）が無力なダイヤモンド層（２０４）の成長表面（２２２）に接合される。次いで、型（２２０）の少なくとも一部が取り除かれ、型のダイヤモンド界面表面の構成に逆に対応する形状を受けた、ダイヤモンドのデバイス表面（２１０）が露出される。型（２２０）は、最終のデバイスを製造するために薄くされる適切な半導体材料から形成され得る。必要に応じて、半導体材料が、型（２２０）の除去のあと、ダイヤモンド層（２０４）に結合され得る。
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【課題】非常に平坦性で完全な透明性と鏡面性をもつｍ面窒化ガリウム（ＧａＮ）膜を成長する方法。
【解決手段】本方法は、選択横方向成長技術によって構造欠陥密度の大幅な低減を実現する。高品質で、一様で、厚いｍ面ＧａＮ膜は分極のないデバイスの成長のための基板として用いるために作製される。 （もっと読む）

オフアクシス基板上の単結晶炭化珪素エピタキシャル層が、基板をエピタキシャル成長反応炉に配置し、基板上にエピタキシャル炭化珪素の第１の層を成長させ、エピタキシャル炭化珪素の第１の層の成長を中断し、第１の層の厚みを減少させるために該第１の層をエッチングし、エピタキシャル炭化珪素の第１の層の上にエピタキシャル炭化珪素の第２の層を再成長させて製造される。ニンジン状欠陥を、エピタキシャル成長処理を中断し、成長した層をエッチングし、エピタキシャル炭化珪素の第２の層を再成長させる工程によって終止できる。成長中断／エッチング／再成長の処理は複数回反復可能である。炭化珪素エピタキシャル層は、内部で終止する少なくとも１つのニンジン状欠陥を有する。半導体構造は、オフアクシス炭化珪素基板上の炭化珪素エピタキシャル層と、基板とエピタキシャル層の境界面の近傍に核形成点を有し内部で終止するニンジン状欠陥とを含む。

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優先的な方向への成長を抑制するために核形成条件を規則することによって、ナノウィスカーが非優先成長方向に成長する。好ましい実施例において、＜００１＞III-Ｖ半導体ナノウィスカーは、優先的な＜１１１＞Ｂ方向への成長を有効に抑制することによって、（００１）III-Ｖ半導体基板上に成長する。一例として、金属−有機物の蒸気相エピタキシーによって、＜００１＞ＩｎＰナノワイヤが直接（００１）ＩｎＰ基板上に成長する。走査電子顕微鏡と透過電子顕微鏡による特徴付けによって、ほぼ正方形の断面と積層欠陥のない完壁なせん亜鉛鉱結晶の構造を持つワイヤが明らかになった。
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選択的エピタキシャル成長モードと傾斜エピタキシャル成長モードとの組み合わせを用いた単結晶エミッタの形成。対向するシリコン酸化物の側壁（１２）を有するシリコン基板（１６）上にトレンチ（１４）を設ける工程と、トレンチ内部のシリコン基板上に高濃度にドープされた単結晶層（１８）を選択的に成長させる工程と、シリコン酸化物側壁上方にアモルファス又はポリシリコンの層を形成するために、トレンチ上方にシリコン層（２０）を非選択的に成長させる工程とを含む。
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本発明は、ＩＩＩ族窒化物の自立基板の作製に関するものである。本発明は、より詳細には、エピタキシによって初期基板からＩＩＩ族窒化物、とくに窒化ガリウム（ＧａＮ）の自立基板を実現する方法であって、ＩＩＩ族窒化物のエピタキシ工程の際に自然に蒸発させるための犠牲層として、単結晶珪素ベースの中間層の蒸着を含むことを特徴とする方法を対象とする。この方法はとくに、平坦で直径が２”を超えるＩＩＩ族窒化物自立基板を得ることを可能にする。 （もっと読む）