【課題】異種材料基板剥離のための中間層と自立基板となる第二の窒化物半導体層との結合を低減でき、ＧａＮ等の窒化物半導体自立基板の製造の歩留りを向上する方法を提供する。
【解決手段】窒化物とは異なる異種材料基板１に転位密度が１.０×１０^１０／ｃｍ^２以上である第一の窒化物半導体層２を形成した窒化物半導体下地基板上に、異種材料基板剥離用の中間層３と第二の窒化物半導体層４とが積層された窒化物半導体積層基板である。 （もっと読む）

【課題】通常、ホモエピタキシャル成長させたダイヤモンド膜表面上に異常成長粒子や成長丘等が10³ cm^-2以上形成される。これらは表面の平坦性を劣化させるだけではなく、その基板上に作製したデバイス特性を劣化させる。そのため、異常成長粒子や成長丘等が10³ cm^-2以下の平坦面を有するダイヤモンド膜が成長可能な基板を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド基板と、前記ダイヤモンド基板表面の異常成長粒子や成長丘の原因である転位、研磨傷等の欠陥部分の成長を抑制する物質をドープしてなる欠陥部分成長抑制ダイモンド薄膜層を備えるダイヤモンド薄膜積層体。 （もっと読む）

【課題】緑色単色の発光が得られる閃亜鉛鉱型窒化物半導体自立基板および、当該閃亜鉛鉱型窒化物半導体自立基板を用いた発光装置とを提供する。
【解決手段】（００１）面を有するＧａＡｓ基板１０の裏面にＳｉＯ２保護層２０を、表面に約１０ｎｍのＧａＮバッファ層１２を成長させる。アニールのあと、ＧａＮバッファ層１２上に１８００ｎｍのＧａＮ層１４を成長させる。つづいて、ＨＶＰＥ法によりＧａＮ層１４の上に所定膜厚のＧａＮ層１６を成長させたあと、成長基板１のＧａＡｓ基板１０及びＧａＮバッファ層１２を研磨、エッチング等により除去してＧａＮ自立基板を得た。ＧａＮ層１６の厚さが２００μｍでＧａＮ層１４の表面のウルツ鉱構造の割合が５％、ＧａＮ層１６の厚さが５００μｍでウルツ鉱構造の割合が１．５％まで低下した。これらの閃亜鉛鉱型窒化物半導体自立基板を用いることにより、発光の単色性のよい発光装置の製造が可能となる。 （もっと読む）

【課題】凹部が浅く扁平であるＰＳＳ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｓａｐｐｈｉｒｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）を用いた場合であっても、ＰＳＳと窒化物半導体膜との間に空洞を確実に形成することのできる、ＰＳＳ／窒化物エピウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）からなる低温バッファ層を、凹部の底面上と凸部の上面上とで低温バッファ層の成長速度および／またはＡｌ組成ｘが異なるように成長させる工程と、この工程に続いて窒化物半導体膜を成長させる工程とを有し、窒化物半導体膜を成長させる工程の初期において、凹部の底面上における窒化物半導体の成長速度が、凸部の上面上における窒化物半導体の成長速度よりも小さくなるように、低温バッファ層の膜厚を設定する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ単結晶層に基づく良質の結晶成長が可能な、新たな窒化物単結晶基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】窒化物単結晶基板の製造方法は、母基板３１上に酸化膜または窒化膜から成る犠牲層３２を形成する段階と、犠牲層３２上に多結晶状のＺｎＯ層３３を形成する段階と、ＺｎＯ層３３を部分的に分解してナノサイズのＺｎＯパターン３３’を形成する段階と、ＺｎＯパターン３３’をシードとして窒化物バッファ層３４を形成する段階と、窒化物バッファ層３４上に窒化物単結晶３５を成長させる段階と、犠牲層３２を化学的に除去することにより母基板３１から窒化物単結晶３５を分離させる段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上させた発光素子などの半導体装置を得ることが可能なＧａＮ基板、当該ＧａＮ基板の主表面上にエピタキシャル層を形成したエピタキシャル層付き基板、半導体装置およびＧａＮ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板は、主表面を有するＧａＮ基板であって、主表面の法線ベクトルに対し、面方位［０００１］に対応するベクトルＡＢを、互いに異なる２つのオフ角θ１およびθ２だけ傾斜させたベクトルＡＤの方向に傾斜させる。 （もっと読む）

本発明は、小さい欠陥密度を有するＩＩＩ族窒化物半導体材料からなる実質的に連続的な層を製造するための方法を提供する。この方法は、ベース基板上において核形成層をエピタキシャル成長させ、この核形成層を熱処理し、不連続なマスク層をエピタキシャル成長させることを含む。簡単に説明されるこの方法は、マスクし、消滅させ、および、融合させることによって欠陥を減少させることを促進し、それによって、小さい欠陥密度の半導体構造をもたらす。本発明は、広い範囲の半導体材料に適用されてもよく、元素半導体、例えば、ひずみＳｉ（ｓＳｉ）と組み合わせたＳｉ（シリコン）、および／または、Ｇｅ（ゲルマニウム）、および、化合物半導体、例えば、ＩＩ−ＶＩ族およびＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体材料のいずれにも適用されてもよい。 （もっと読む）

【課題】 半導体単結晶基板の表面に、超薄膜で高い膜厚均一性を有する酸化膜と半導体単結晶層が形成された半導体基板を、低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】 半導体単結晶基板の表面に酸化膜と半導体単結晶層とを順次形成することによって、酸化膜上に半導体単結晶層を有する半導体基板を製造する方法であって、少なくとも、前記半導体単結晶基板に酸化性溶液またはその気体を接触させることにより、前記半導体単結晶基板の表面に前記半導体単結晶基板とエピタキシャルな関係を保持した酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜上に半導体単結晶層をエピタキシャル成長する工程とを有する半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡単な工程により、安価でストレスフリーなＧａＮ系窒化物半導体の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板を準備する工程と、該基板上にＧａＮドット及びＮＨ_４Ｃｌ層を形成する工程と、ＧａＮドット及びＮＨ_４Ｃｌ層上に低温ＧａＮバッファ層を形成する工程、低温ＧａＮバッファ層上にＧａＮ系窒化物半導体層を形成する工程と、基板温度を常温に戻すことによりＧａＮ系窒化物半導体層を基板より自然剥離させる工程とを含む、ＧａＮ系窒化物半導体自立基板の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコンで構成された薄膜トランジスタなどの半導体素子において結晶粒界の欠陥や結晶シリコン中に含まれる触媒金属や不純物の影響を受けない半導体薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に第１の結晶シリコン層１０２が形成され、第１の結晶シリコン層１０２の上に第２の結晶シリコン層１０３が形成される半導体薄膜において、第２の結晶シリコン層１０３は、第１の結晶シリコン層１０２の結晶性を継承するようにエピタキシャル成長によって形成され、第２の結晶シリコン層１０３には、第１の結晶シリコン層１０２よりも、不純物の量が少なく、水素又はハロゲン元素が多く含まれることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高品質なIII族窒化物単結晶を簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】下地結晶基板として、（０００１）面に対するｍ軸方向のオフ角度が０．１５°である主面を有するサファイア基板を用意し、スパッタ法により、下地結晶基板の上に厚さ２０ｎｍの下地Ｃｒ層を堆積した。次いで、基板をＨＶＰＥ装置のリアクターに配置して、１０８０℃まで昇温した後、Ｎ2のみからなるキャリアガスとＮＨ3ガスを供給しながら３０分間窒化しＣｒＮ膜を得た。窒化工程終了後に９００℃まで降温して、実質的にＨ2のみからなるキャリアガスと、ＧａとＨＣｌの反応生成物であるＧａＣｌガスと、ＮＨ3ガスとを供給しながら、ＧａＮバッファー層を約５分間成長させた。次いで、再び反応室の温度を１０４０℃まで上げ、ＧａＮ単結晶膜を成長させることにより、下地結晶基板上にＣｒＮ膜、ＧａＮバッファー層を介して厚さが約２０μｍのＧａＮ単結晶膜を得た。 （もっと読む）

【課題】除外区域のないエピタキシー用の複合構造の製造方法及び複合構造を含む多層構造を提供する。
【解決手段】支持基板１０上の半導体材料の少なくとも１つの結晶成長シード層１１を備え、支持基板１０及び結晶成長シード層１１は、それぞれ、それらの接合面の周辺上に面取り面又は縁部丸み付け区域を有する、エピタキシー用の複合構造１３の製造において、結晶成長シード層１１を支持基板１０上に分子付着により直接接合するか、あるいは酸化物などの接合層１２を介して接合する工程と、結晶成長シード層１１を薄化する工程とを含み、この結晶成長シード層１１は、薄化後に、その最初の直径と同一の直径を有する。前記複合構造１３は、その上にＧａＮをエピタキシャル成長させた後、接合層１２で切り離し、続いてシード層を化学エッチングにより除去して、自立型ＧａＮを得る。 （もっと読む）

【課題】異種材料が埋め込まれた３−５族窒化物半導体を含む化合物半導体結晶を、厚さを大きくすることなしに結晶性よく基板上に成長させる、化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】成長基板１１上に、成長基板１１及び３−５族窒化物半導体を含む化合物半導体のいずれとも異なる異種材料が埋め込まれた窒化物半導体を含む窒化物半導体層１３を設けて化合物半導体基板を製造する場合、異種材料としてタンタル、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、プラチナ、バナジウム、パラジウム、またはそれらのいずれかを含む合金からなる金属材料を選択し、該金属材料による埋め込み部１２Ａを成長基板１１上に形成し、埋め込み部１２Ａによって横方向成長を促進させつつ３−５族窒化物半導体を含む化合物半導体をエピタキシャル結晶成長させ、これにより、成長基板１１の上に３−５族窒化物半導体を含む化合物半導体エピタキシャル結晶を積層する。 （もっと読む）

【課題】 限られた数のＣＮＴを基板上に垂直成長させる試みはこれまでにも多数報告されているが、成長方向にバラツキが出る、ＣＮＴの成長数の制御が困難である、あるいは方法が複雑である等の問題点を抱えている。そこで、本発明の目的は、実用的観点において有効なＣＮＴの限定成長方法を提供することにある。
【解決手段】針状基板に触媒用金属を蒸着する触媒薄膜層形成のための第１工程と、該触媒薄膜層上に、非触媒用金属を蒸着し触媒被覆層を形成する第２工程と、前記２層が蒸着された針状基板の先端部をエッチング法により触媒被覆層を除去し触媒薄膜層を露出させる第３工程と露出触媒薄膜を微粒子化する第４工程とで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 全体が直線状の原子ステップ及び表面に凹凸のない平坦なテラス部を表面に有する二硼化物単結晶から成る基板を用いた窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法、及び二硼化物単結晶から成る基板の表面処理方法を提供すること。
【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法は、成膜装置内において、化学式ＸＢ₂（ただし、ＸはＴｉ及びＺｒの少なくとも１種を含む。）で表される二硼化物単結晶から成るとともに表面に自然酸化膜が形成された基板に、真空中での加熱処理を施すことによって、自然酸化膜を除去するとともに基板の表面に原子ステップ構造を表出させる工程と、引続き成膜装置内において、基板の表面が大気に触れない状態で基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】表面状態や断面形状が良好なIII族窒化物半導体の厚膜結晶を成長させることができる下地基板を提供する。
【解決手段】第１結晶成長面１１０と第１結晶成長面１１０と同じ方向に面している第２結晶成長面１０９を有する下地基板１１２であって、第１結晶成長面１１０の周縁の５０％以上または全周縁に下向きの段差を介して第２結晶成長面１０９が連接している。ここで、第１結晶成長面１１０は円形とし、第２結晶成長面１０９は環状であり、第１結晶成長面１１０と同心とする。 （もっと読む）

【課題】 大面積かつ高品質のＡｌＮ単結晶などのIII族窒化物単結晶からなる基板を効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】 α−アルミナ単結晶の｛１ −１ ０ ２｝面または｛−１ １ ０ ４｝面と８０°〜１００°の角度で交差する面をα−アルミナ単結晶基板の主面とし、該α−アルミナ単結晶基板の主面上に、前記III族窒化物単結晶をエピタキシャル成長させることにより、該α−アルミナ単結晶基板の厚みの０．３倍以上の厚みとなる前記III族窒化物単結晶よりなる層を積層した積層基板を製造し、α−アルミナ単結晶を分離することを特徴とするIII族窒化物単結晶基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】鉄基合金上に密着性良くダイヤモンド膜が被覆されたダイヤモンド膜被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上にタングステンから成る中間層１０と、中間層１０上にダイヤモンド膜を被覆する。また中間層１０上は溝部３によって分割された微小区域４を有し、微小区域４の表面上の最長距離８を１００μｍを超え４５０μｍ未満とする。さらに、溝深さ１２を１０μｍ以上中間層厚さ１１以下とする。また、溝部３によって分割された微小区域４と隣接する微小区域４との最短距離２を１０μｍ以上とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性、光学特性に優れた水晶単結晶薄膜を提供する。
【解決手段】基板５の表面に、六方晶を形成する物質によりアモルファス結晶のバッファ層を堆積させ、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、およびテトラブトキシシランの群から選択された一種または複数種の珪素アルコキシドを珪素源とし、この珪素源を大気圧下において気化して導入し、導入された珪素源を酸素Ｏ_２と反応させてバッファ層上にエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板上に形成した金属窒化層を利用して、転位密度の低い優れた発光特性をもったＧａＮ半導体などのIII族窒化物半導体を、従来の製造方法に比べて、より少ない工程で製造する方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１の（０００１）Ｓｉ面上に金属層を部分的に設け、金属層および金属層の間に露出するＳｉＣ基板１の（０００１）Ｓｉ面を窒化することにより、金属窒化物層２とＳｉＮ面４を形成し、金属窒化物層２にIII族窒化物半導体３をエピタキシャル成長させ、ＳｉＮ面４上に横方向成長させる。 （もっと読む）