【課題】 ダイヤモンド薄膜、ダイヤモンド状炭素膜、炭素薄膜、樹脂膜またはＩＩＩ−Ｖ族半導体薄膜の特性を制御することができる水素脱離方法および水素脱離装置を提供する。
【解決手段】 ダイヤモンド薄膜、ダイヤモンド状炭素膜、炭素薄膜、樹脂膜またはＩＩＩ−Ｖ族半導体薄膜に、少なくとも１０ｅＶよりも大きいエネルギを有する光子を含む光を照射することによって、膜中から水素を脱離させる水素脱離方法である。また、ダイヤモンド薄膜、ダイヤモンド状炭素膜、炭素薄膜または樹脂膜に、膜の温度が２００℃未満である状態で、少なくとも３ｅＶよりも大きく１０ｅＶよりも小さいエネルギを有する光子を含む光を照射することによって、膜中から水素を脱離させる水素脱離方法である。 （もっと読む）

基板上に材料層を低温で堆積するための方法及び装置を記載する。材料層は、その下の材料の熱安定性の悪さから様々なディスプレイ応用例で必要とされる低温処理用のカプセル化層として使用することができる。カプセル化層は、多くのタイプやサイズの基板について表面粗さを低下させ、遮水性を改善し、熱応力を低下させ、高いステップカバレージを付与するために、１つ以上のバリア層材料と１つ以上の低誘電率材料を有する１つ以上の材料層（多層）を含む。従って、このようにして堆積されたカプセル化層は、ＯＬＥＤデバイス等の様々なディスプレイ装置に関して、優れたデバイス寿命を付与する。加えて、基板上に非晶質炭素材料を低温で堆積するための方法を提供する。非晶質炭素材料を用いて熱応力を低減し、堆積された薄膜が基板から剥落するのを防ぐことができる。

（もっと読む）

本発明は、その一実施態様において、小粒子上のダイヤモンドライクコーティングを提供する。本発明は、約１〜１０００ｎｍのサイズ範囲の小粒子（１０）と、この小粒子上のダイヤモンドライクコーティングとを有する。このダイヤモンドライクコーティングは、この小粒子の表面の約５０〜１００％にわたって分布しており、かつこのダイヤモンドライクコーティングの厚さは１ミクロン以下である。次いでこれらの小粒子を、樹脂（１２）のような材料及び絶縁テープに施与してよい。
（もっと読む）

本発明は、カーボンナノチューブの官能基化（誘導体化）の新規なプロセス、並びに、延長として、フラーレン及び他の炭素表面に関する。一般に、このようなプロセスは還元的経路を含む。幾つかの具体例においては、カーボンナノチューブは、無水液体アンモニア中でアルカリ金属及び有機ハロゲン化物と反応する。他の具体例においては、無水液体アンモニア中でカーボンナノチューブをアルカリ金属及びモノマー種と反応させることによって、ポリマーをカーボンナノチューブ側壁から成長させる。
（もっと読む）

フラーレン構造物は、Ｃ_３６を除いて、Ｃ_６０より小さい分子量を有するフラーレン、およびＣ_６０より大きい分子量を有するフラーレンを含む。例として、フラーレンＣ_５０、フラーレンＣ_５８、フラーレンＣ_１３０およびフラーレンＣ_１７６が挙げられる。炭素表面に化学的に結合されたフラーレン構造物はまた、フラーレンを炭素材料につなげるための方法とともに開示される。この方法は、官能基化フラーレンを、炭素材料を含む液体懸濁液に添加する工程、この懸濁液を乾燥させて、粉末を生成する工程、およびこの粉末を熱処理する工程を包含する。 （もっと読む）

【課題】 アモルファスカーボン膜を有する構造およびその形成方法を提供することである。
【解決手段】 半導体デバイスは、半導体基板と、半導体基板上に形成され、被処理膜を有する膜スタックとを含む。膜スタックに含まれるデュアルハードマスクは、アモルファスカーボン層、およびアモルファスカーボン層と被処理膜との間に配置される下層のハードマスク層を有し、ハードマスク層は、アモルファスカーボン層を含まない。金属配線のためのダマシン構造は、膜スタックに形成されている。アモルファスカーボン膜は、例えば、シングルダマシン構造またはデュアルダマシン構造の中で取り入れられることができる。アモルファスカーボン膜は、配線構造を形成するためのリソグラフィマスクの一部として役に立つことができ、または、それは、ＣＭＰの間、デュアルハードマスク、ケミカルメカニカルポリシング（ＣＭＰ）ストップ層または犠牲層の上部層として役立つことになる。 （もっと読む）

本発明は、ＩＶＢ族、ＶＢ族、又はＶＩＢ族の少なくとも１つの元素を含む第一中間層と、前記第一中間層の上に堆積した、ダイヤモンド様ナノコンポジット組成物を含む第二中間層と、前記第二中間層の上に堆積したダイヤモンド様炭素層とを備えた積層構造物に関する。本発明は、更に、そのような積層構造物で被覆された基材を高剪断用途及び／又は高衝撃用途に使用することに関するとともに、そのような積層構造物で基材を被覆する方法に関する。 （もっと読む）

アモルファスダイヤモンド材料（５）および陰極（２５）と陽極（３０）との間に結合される中間部材（５５）。このアモルファスダイヤモンド材料（５）は、少なくとも約９０％の炭素原子を含み、この炭素原子の少なくとも約２０％は、歪んだ四面体配位で結合されている。アモルファスダイヤモンドコーティング（５）は、陰極（２５）のベース部材と接触しているエネルギー入力表面（１０）およびこのエネルギー入力表面（１０）に対向する電子放出表面（１５）を有する。この電子放出表面（１５）は、約１０〜約１，０００ナノメートルの隆起高さを有し得、そして十分量のエネルギーが該アモルファスダイヤモンド材料に入力された際に、電子を放出し得る。
（もっと読む）