【課題】背景技術による内包フラーレンの製造方法では、真空容器中で堆積基板に直流のバイアス電圧を印加して内包原子からなるイオンを含むプラズマを堆積基板に向けて照射し、同時にフラーレン蒸気を堆積基板に向けて噴射していた。そのため、堆積時間が長くなると堆積膜がイオンの電荷によりチャージアップし、堆積膜の剥離が起きるという問題があった。
【解決手段】堆積基板に正と負のバイアス電圧を交互に印加することにした。イオンに加速エネルギーを与える状態と堆積膜のチャージを中和する状態を交互に繰り返すことにより、堆積膜に過度のチャージが蓄積しないので、堆積膜の剥離を防止できる。 （もっと読む）

真空に保たれた反応装置内で、少なくとも１種類の触媒金属からなる多数の微粒子が形成された基板上で単層カーボンナノチューブを製造する方法であって、少なくとも１種類のフラーレンＣ_２ｎ（ｎはｎ≧１８なる整数）を所定の温度以上で昇華させて、分圧が制御されたフラーレン気体を生成し、該フラーレン気体を前記フラーレンの昇華温度以上に加熱された前記基板上に輸送し、前記フラーレン気体を前記触媒金属微粒子に接触させて単層カーボンナノチューブを製造するもので、好ましくは真空度は０．５Ｔｏｒｒ以下、昇華温度７００℃以下、基板は多項質物質または無機酸化物の薄膜を有し、該薄膜上に粒子径０．５〜１０ｎｍの遷移金属触媒微粒子を形成する。
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グラファイトロッド（１０１）側面にレーザー光（１０３）を照射し、炭素を蒸発させプルーム（１０９）を発生させる。蒸発した炭素は、回収管（１５５）を経由してカーボンナノホーン回収チャンバ（１１９）に導かれ、カーボンナノホーン集合体（１１７）として回収される。液体窒素（１５１）を含む冷却タンク（１５０）を回収管（１５５）内に配置する。冷却タンク（１５０）は、プルーム（１０９）の温度を低く制御するとともに、回収管（１５５）を通過する際にカーボン蒸気を冷却する。冷却されたカーボン蒸気は、所望の形状、サイズに制御されたカーボンナノホーン集合体（１１７）として回収される。
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本発明は、フラーレン、ナノチューブなどの従来のナノサイズ立体構造を有する炭素系材料では見られない、より急峻な曲率で屈曲する部分構造を示し、軽量であり、機械的高強度の性質を持つ、新規なグラファイト状立体構造体とその製造方法を提供する。本発明においては、高温低圧下で、ナノサイズのグラファイト層断片複数を、互いに層面が平行でない相対配向で高速衝突させることにより、少なくとも、炭素で構成される六角形網目構造からなるグラファイト層様の複数の層面が、互いに交差あるいは接触する配置を有し、複数の層面相互の接触部分は、炭素−炭素間の共有結合を介する連結が交線状に存在している炭素系立体構造体が形成される。
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【課題】 表面が平坦で且つ表面に非配向結晶が存在せず、従来よりも薄い膜厚で結晶粒径を大きくすることができる高配向ダイヤモンド膜及びその製造方法並びに高配向ダイヤモンド膜を備えた電子デバイスを提供する。
【解決手段】 原料ガスとしてメタン及び水素の混合ガスを使用して、ＣＶＤ法により、基板３上にダイヤモンド結晶を｛１１１｝セクタ成長させてダイヤモンド層１を形成する。次に、原料ガスとしてメタン、水素及び酸素の混合ガスを使用し、プラズマＣＶＤ法により、ダイヤモンド層１上にダイヤモンド結晶を｛１００｝セクタ成長させてダイヤモンド層２を形成する。このとき、原料ガスの圧力を１３３ｈＰａ以上とし、原料ガスの組成を（［Ｃ］−［Ｏ］）／［ＣＨ_３＋Ｈ_２＋Ｏ_２］が−０．２×１０^−２以上で且つ［Ｏ］／［Ｃ］が１．２以下になるようにし、更に、基板温度を７５０℃を超え１０００℃未満とする。 （もっと読む）

【課題】高純度で優れた電子放出性，耐熱性を有するＣＮＴ，ＣＮＴを含む電子放出源，電子放出源を備える電子放出素子，および電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】熱分解における開始温度と最終温度との差が２５０℃以下であることを特徴とするＣＮＴ，ＣＮＴを含む電子放出源，電子放出源を備えた電子放出素子，および電子放出素子の製造方法である。これにより，電子放出性に優れており，熱に強いｃ−電界放出素子のカソードを提供できる。 （もっと読む）

ナノカーボンを安定的に大量生産するための製造方法および製造装置を提供する。製造チャンバー（１０７）において、円筒形のグラファイトロッド（１０１）を回転装置（１１５）に固定し、グラファイトロッド（１０１）の長さ方向を軸として回転し、また長さ方向に左右に移動させることを可能とする。グラファイトロッド（１０１）の側面にレーザー光源（１１１）からレーザー光（１０３）を照射し、プルーム（１０９）の発生方向にナノカーボン回収チャンバー（１１９）を設ける。一方、グラファイトロッド（１０１）の側面のうち、レーザー光（１０３）の照射された面を、回転装置（１１５）により速やかに回転し、切削バイト（１０５）によって平滑化する。切削バイト（１０５）によるグラファイトロッド（１０１）の切削屑は、切削グラファイト回収チャンバー（１２１）に回収し、生成したカーボンナノホーン集合体（１１７）と分離する。
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【課題】 高温のフィラメントを使用せずに、固体のカーボンターゲットを用いて表面や装置（デバイス）に垂直なカーボンナノチューブを成長させることができるカーボンナノチューブの成長方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、プラズマが優位に存在する堆積チャンバー内で炭素あるいは炭素系のターゲットを用いて試料上に配向されたカーボンナノチューブを成長する方法に関する。前記試料（１６）は前記ターゲット（１５）に接触して配置されており、前記試料及びターゲットはいずれも自由表面を有しており、前記プラズマによって前記試料の自由表面にカーボンナノチューブの成長を引き起こす。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、高温においても耐摩擦性、高い硬度および長いランニングサイクルを有する光学アセンブリ或は同様の成形品に適用される金型を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、成形面を有するセラミックスベースと、該成形面に形成された機能被膜を備えているセラミックス金型を提供する。該機能被膜は成形面にカーボンナノチューブを堆積して形成されている。 （もっと読む）

プラズマ化学気相成長（ＰＥＶＣＤ）法によりカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）形成する装置の一実施例は、該装置の処理チャンバ内で様々な構成で電極に連結された１以上のＲＦ及びＤＣ電源を用いる。十分なＤＣ電力を１以上の電極に印加することにより、上記装置は、より水平で向上した電気的性能特性を有するカーボンナノチューブの成長を可能にする。
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【課題】 カーボンナノ材料を溶融金属に均等に分散させるために、カーボンナノ材料の濡れ性を改善することができる処理方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 カーボンナノ材料１１に、炭素と反応して化合物を生成する元素を含む金属粉末１２を混合する工程と、得られた混合物１５を真空炉２０に入れ、高温真空下で金属粉末１２を蒸発させ、この蒸気をカーボンナノ材料１１の表面に付着させる蒸着処理工程と、からなる。
【効果】 金属微粒子は炭素と化合物を生成し、この化合物が接合作用を発揮するため、金属微粒子はカーボンナノ材料に強固に結合する。カーボンナノ材料を溶融金属に混入した場合には、金属微粒子は溶融金属との濡れ性が高いため、溶融金属にカーボンナノ材料を均等に分散させることができる。 （もっと読む）

【課題】 水素含有炭素膜が形成されている基板からの剥離を有効に防止できるなどの新たな特性を有する水素含有炭素膜を提供する。
【解決手段】 炭素と水素とを含む水素含有炭素膜であって、水素含有炭素膜中における水素の含有量が５０原子％よりも多く６５原子％よりも少なく、水素含有炭素膜の密度が１．３ｇ／ｃｍ³よりも大きく１．５ｇ／ｃｍ³よりも小さい水素含有炭素膜である。また、水素含有炭素膜中における水素の含有量が０原子％よりも多く５０原子％よりも少なく、水素含有炭素膜の密度が１．４ｇ／ｃｍ³よりも大きく１．９ｇ／ｃｍ³よりも小さい水素含有炭素膜である。 （もっと読む）

本発明は、特性の異なる炭素をデバイスに適用しやすい形態で複合化した新たな炭素系材料を提供する。この炭素系薄膜は、非晶質炭素を含み、膜厚方向に伸長する複数の第１相１と、グラファイト構造を含み、上記複数の第１相１の間に介在する第２相２と、を含み、以下のａ）〜ｅ）から選ばれる少なくとも１つが成立する炭素系薄膜１０を提供する。第２相２が第１相よりも、ａ）単位体積あたり多くのグラファイト構造を含む、ｂ）密度が大きい、ｃ）電気抵抗率が低い、ｄ）第２相２の弾性率が第１相１の弾性率以上、ｅ）第２相２においてグラファイト構造の基底面が膜厚方向に沿って配向している。 （もっと読む）

アモルファスダイヤモンド材料（５）および陰極（２５）と陽極（３０）との間に結合される中間部材（５５）。このアモルファスダイヤモンド材料（５）は、少なくとも約９０％の炭素原子を含み、この炭素原子の少なくとも約２０％は、歪んだ四面体配位で結合されている。アモルファスダイヤモンドコーティング（５）は、陰極（２５）のベース部材と接触しているエネルギー入力表面（１０）およびこのエネルギー入力表面（１０）に対向する電子放出表面（１５）を有する。この電子放出表面（１５）は、約１０〜約１，０００ナノメートルの隆起高さを有し得、そして十分量のエネルギーが該アモルファスダイヤモンド材料に入力された際に、電子を放出し得る。
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【課題】炭素材料の優れた電気伝導度、熱伝導度、耐食性を有し、かつ、仕事関数が小さい大面積の表示装置用電子放出材料およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】電子放出領域として、表面から所定の領域に炭素以外のイオンを打ち込んだグラファイトシート１０１が基板１０２上に接着層１０３で固定され、前記グラファイトシートと絶縁層１０５と介して導電性ゲート層１０６が設けられ、グラファイトシート１０１に対向して蛍光体層１０９を配置した。この構成により、炭素材料の優れた特性を有し、仕事関数が小さい電子放出材料が得られ、高効率の電界放出素子、大面積表示装置が実現できる。 （もっと読む）