【課題】酸素または水素雰囲気中でのレーザーアブレーションにより金属などの異種基板に対して良好なダイヤモンド膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】酸素または水素雰囲気中で、グラファイト、アモルファスカーボン、グラッシーカーボン、またはダイヤモンドからなる炭素ターゲットに、５０ｎｓ以下のパルス幅でレーザー光を照射し、レーザーアブレーションによって前記ターゲットから炭素粒子を飛散させて基板上に堆積させ、パルス毎に堆積粒子の過飽和状態を形成して前記基板上にダイヤモンド膜を形成する方法において、前記基板に負バイアスを印加した状態で前記レーザー光を照射する。 （もっと読む）

【課題】１つ以上のカーボン・ナノチューブを選択的に成長させる方法を提供する。
【解決手段】本方法は、上面を有する絶縁層を基板上に形成するステップと、絶縁層内にビアを形成するステップと、ビアの側壁及び底面を含め、絶縁層上に活性金属層を形成するステップと、ビアの内部での１つ以上のカーボン・ナノチューブの選択的な成長を可能にするために、イオン・ビームを用いて上面の部分にある活性金属層を除去するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】希土類鉄酸化物を用いた電子素子で、より低温下で製造可能とした電子素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半導体層と第２の半導体層とを接合させて形成したＰＮ接合を備えた電子素子及びその製造方法において、第１の半導体層を希土類鉄酸化物で形成した多結晶半導体層とし、第２の半導体層を有機材料で形成した有機半導体層とする。さらに、第１の半導体層は、粉末状とした希土類鉄酸化物を吹き付けて、または粉末状とした希土類鉄酸化物を所定の溶液に混合して生成した希土類鉄酸化物溶液を塗布して形成していることにも特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】新規な炭素膜製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の炭素膜製造装置は、供給ガスに電子ビームを照射し、プラズマを発生させる電子ビーム発生装置７と、炭素源を収容し、炭素源を加熱して気化させる炭素源容器４と、炭素膜を堆積させる基板３を有する。ここで、供給ガスは、アルゴンガスであることが好ましい。また、電子ビーム発生装置７の電子通過量は10〜100Aの範囲内にあることが好ましい。また、炭素源は、フラーレンC₆₀、フラーレンC₇₀、その他ナノメートルスケールのカーボン粒子であることが好ましい。また、基板３の広さは1〜100cm² の範囲内にあることが好ましい。また、基板３のバイアス電圧は-500〜0Vの範囲内にあることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】優れた機械的特性、高い比表面積、優れた粘着特性を有する繊維状柱状構造体集合体、優れた耐熱性、高い比表面積、室温から高温までの温度条件下における優れた粘着特性を有する繊維状柱状構造体集合体、高い比表面積、表面自由エネルギーが異なる被着体への接着力が変化しない（被着体選択性のない）粘着特性を有する繊維状柱状構造体集合体及び、これらのような繊維状柱状構造体集合体を用いた粘着部材を提供する。
【解決手段】粘着部材に用いる繊維状柱状構造体集合体１であって、複数の繊維状柱状構造体２を備え、該繊維状柱状構造体がカーボンナノチューブであり、該カーボンナノチューブが複数層を有し、該複数層を有するカーボンナノチューブの層数分布の分布幅が１０〜３０層であり、該層数分布の最頻値の相対頻度が２５％以下であり、最大層数が５〜３０層であり、最小層数が１〜１０層である。 （もっと読む）

【課題】 非晶質炭素被覆部材において、基材をArイオンでエッチングした後に非晶質炭素膜を基材上に被覆する方法ではエッチング効果が低く、中間層を基材と非晶質炭素膜の間に形成する方法でも、機械部品や、切削工具、金型に対して実用可能な密着性が得られないという問題を有していた。
【解決手段】 基材に負のバイアス電圧を印加することにより、基材表面に周期律表第IIIa、IVa、Va、VIa、IIIb、IVb族元素から選択される１種以上の元素イオン、あるいは、該元素イオンとKr、Xe、CH₄、C₂H₂、C₂H₄、C₆H₆、CF₄から選択される１種以上のガスを少なくとも含む雰囲気ガスによるガスイオンを複数組み合わせて照射した後、基材上に非晶質炭素膜を被覆する。 （もっと読む）

【課題】炭素質膜へのプラズマ照射による官能基の導入を効率良く行うことができるようにする。
【解決手段】炭素質膜は、基材１０１の表面に形成された炭素質膜本体１０３と、炭素質膜本体１０３の表面に導入された官能基１０５とを備えている。炭素質膜本体１０３は、少なくとも表面側の部分において炭素−炭素結合を炭素−水素結合よりも多く含む。 （もっと読む）

【課題】新規のグラフェン製造方法を提供する。
【解決手段】本発明はグラフェンの製造方法に関し、以下の段階を含む。
・基板上にアモルファス炭素を含む薄層を堆積する段階、
・光及び／又は電子照射の下で前記薄層をアニーリングし、それによってグラフェンを含む層が得られる段階。 （もっと読む）

【課題】薄膜化や分散化に優れたオニオンライクカーボンの作製方法を提供し、オニオンライクカーボンの潤滑特性を十分に活用することを目的とする。
【解決手段】１０^−７Ｐａ以上の真空度に保持された反応室内で、アークプラズマ発生手段としてアークプラズマガンを用いてカーボンをターゲットに照射させ、オニオンライクカーボンを合成する。アークプラズマガンのカソードとしてカーボンロッドを搭載し、高純度のカーボンイオンを照射する。また、オニオンライクカーボンの合成は、放電電圧、放電パルス数、真空度を作製条件パラメータとして使用する。 （もっと読む）

組成物には、巻き取り可能な寸法のガラス繊維材料と、それに結合されるカーボン・ナノチューブ（ＣＮＴｓ）と、を含むカーボン・ナノチューブ（ＣＮＴ）浸出ガラス繊維材料が含まれる。ＣＮＴｓは、長さ及び分布が均一である。ＣＮＴ連続浸出処理には、（ａ）巻き取り可能な寸法のガラス繊維材料の表面にＣＮＴ形成触媒を配置すること、及び（ｂ）ガラス繊維材料にカーボン・ナノチューブを合成し、それにより、カーボン・ナノチューブ浸出ガラス繊維材料を形成すること、が含まれる。ＣＮＴ連続浸出処理には、溶融ガラスからガラス繊維材料を押し出すこと、又は既製のガラス繊維材料からサイジング材料を除去すること、が任意に含まれる。 （もっと読む）

【課題】健全で均一な厚さを有すると共に、表面に微細な凹凸形状を備え、大幅な摩擦低減が可能なＤＬＣ膜と、このようなＤＬＣ膜を備えたＤＬＣコーティング部材、さらにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】望ましくはＨｖ１００〜８００の硬さを有し、中心線平均粗さＲａが０．０１μｍ未満の平滑面を備えた基材の表面上にＤＬＣ膜をコーティングしたのち、このＤＬＣ膜の表面に、好ましくはセラミックス材料から成る粒径１００μｍ以下の微細粒子を高速投射して衝突させ、その表面に中心線平均粗さＲａが０．０１〜０．２μｍの微細凹凸を形成する。 （もっと読む）

【課題】 汎用性が高く、低コストで省資源である方法で、任意の場所、任意の形状を持ち、導電性と透明性を両立したグラフェン膜、グラファイト膜、もしくはアモルファス膜が形成された半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明のグラフェン膜、グラファイト膜、もしくはアモルファス膜は、レーザー照射により、様々な炭素材料基板もしくは炭素材料塗布基板から、それに対面して配置される様々な基板上に形成される。レーザーはアブレーション作用と黒鉛化作用を同時に担う。また、レーザーの相対的な走査により、任意の場所、任意の形状のグラフェン膜、グラファイト膜、もしくはアモルファス炭素膜が形成され、これら炭素膜からなる配線、電極、チャネルを備えた半導体装置が製造される。 （もっと読む）

【課題】 所望の抵抗値を容易に実現することができるアモルファスカーボン半導体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 アモルファスカーボン２を成膜した後、熱処理を行うことにより、アモルファスカーボン２中に分散していたグラファイト形成核を中心として、その周囲部分のみでアモルファスカーボン２を溶融・結晶化させ、所定の大きさのグラファイト３を形成する。このように製造されたアモルファスカーボン半導体１においては、ｓｐ２結合リッチな導電性のグラファイト３がアモルファスカーボン２中に分散している。そのため、アモルファスカーボン２とグラファイト３との割合を体積比で９０：１〜５０：５０の範囲に調整することで、アモルファスカーボン半導体１の抵抗値を低抵抗化させて、所望の抵抗値を容易に実現することができる。 （もっと読む）

【課題】特性が異なる２つの領域が膜の表面に露出した有用性の高い炭素系薄膜を提供する。
【解決手段】炭素系非晶質薄膜１５の表面からこの膜の一部に金属元素のイオン３２を注入することにより、薄膜１５に、金属元素を含む第１領域と金属元素を含まない第２領域とを形成する工程と、少なくとも第１領域にエネルギーを供給することにより、第２領域におけるグラファイトクラスターの成長を当該クラスターの粒径が２ｎｍ以下となる程度に抑制しながら、第１領域に粒径が２ｎｍを超えるグラファイトクラスターを形成する工程と、を実施して、炭素系薄膜を得る。好ましい金属元素はＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕである。好ましいエネルギーの供給方法は電子線照射である。 （もっと読む）

【課題】工程上の制約が少ない、ナノスケールのポアを有するカーボン構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】ナノスケールのポアを有するカーボン構造体の製造方法は、例えば、金属を含まない有機材料から成るアモルファス炭素構造体２に、イオンビーム励起化学気相堆積法を用いて、触媒金属（ガリウム）３を導入する工程と、触媒金属３が導入されたアモルファス炭素構造体２を５００℃程度に加熱して、触媒金属３をアモルファス炭素構造体２から排出する工程と、触媒金属３を排出したアモルファス炭素構造体２を冷却して、ポア５を有するカーボン構造体１０に形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

ある態様において、メモリセルを製造する方法が提供され、この方法は、（１）基板より上にステアリング素子を製造することと、（２）基板より上にカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）材料を選択的に製造することによってステアリング素子に結合された可逆抵抗切替素子を製造することとを含む。他の多数の態様が提供される。
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【課題】環境負荷が小さく、様々な被対象物の表面に所望の形状、厚さの薄膜を容易に形成できるナノカーボン含有薄膜の形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】無機粒子とナノカーボンとをガス中に分散させたエアロゾルを被対象物に衝突させ、無機粒子とナノカーボンとを前記被対象物に薄膜状に固着させる工程を含むことを特徴とするナノカーボン含有薄膜の形成方法。また、前記エアロゾル中のナノカーボンの割合を徐々に増加させていくナノカーボン含有薄膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】大きな変形を伴う基材の表面に形成した場合においても、剥離及びクラックが発生しにくく且つ耐蝕性が高い炭素質薄膜を実現できるようにする。
【解決手段】炭素質薄膜は、基材の表面に形成され、炭素同士が結合したＣ−Ｃ成分及び炭素とシリコンとが結合したＳｉＣ成分を含む膜本体を備えている。膜本体の表面における酸化シリコン成分の比率は、０．０５以下である。 （もっと読む）

【課題】大気中かつ無潤滑環境下でも耐摩耗性・低摩擦性能に優れた硬質炭素被膜を提供する。
【解決手段】Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の高融点金属を含む基材１２上に、各層間の密着性を高めるためＣｒ中間層４１、および組成傾斜層４２を形成し、その上に２.７ａｔ％以上７.７ａｔ％以下のＭｏ元素、及び１.３ａｔ％以上４.６ａｔ％以下のＳ元素、及び７.０ａｔ％以上９.５ａｔ％以下のＯ元素を含む硬質炭素被膜４３を０．２μｍ以上０．３μｍ以下の厚さに形成する。 （もっと読む）

【課題】バルクレベルで超伝導状態となる新規な材料系を提供する。
【解決手段】超伝導薄膜１０１は、アモルファス状態の炭素よりなる基質１１１と、基質１１１の中に局所的に形成されたｓｐ²混成軌道による結合（ｓｐ²結合）の部分からなる微細な複数のナノグラファイト（超伝導領域）１１２と、基質１１１の中に局所的に形成されたｓｐ³混成軌道による結合（ｓｐ³結合）の部分からなる微細な複数のナノダイアモンド１１３とを備える。隣り合うナノグラファイト１１２は、超伝導近接効果を示す距離離間して形成されている。 （もっと読む）