一つのプロセスにおいて複数のａ：ＤＬＣ層を形成することで、最初の接合から始まり最後の接合で終わる複数の連続して接続されたＰＩＮ接合を生成する工程であって、各ＰＩＮ接合が、ｐ型層、ｎ型層、及び真性層を有する、該工程と、少なくともｐ型層及びｎ型層のそれぞれのｓｐ３／ｓｐ２比を変更し、ＰＩＮ接合のそれぞれの電子移動度を高めるために、少なくとも銀でドーピングする工程と、光源に配向されると最適化されるスペクトル応答を有するデバイスを生じるように、第１の側及び第２の側において電極間に複数のａ：ＤＬＣ層を接続する工程と、を含む、ａ：ＤＬＣ多層ドーピング成長方法。 （もっと読む）

【課題】下地金属との間の抵抗を低減可能な炭素被覆金属部材を提供する。
【解決手段】炭素被覆金属部材１０は、基板１と、導電性炭素膜２とを備える。基板１は、ＳＵＳ３１６Ｌからなる。導電性炭素膜２は、ＥＣＲスパッタリング法を用いて基板１上に形成される。この場合、導電性炭素膜２を形成する前のＥＣＲスパッタリング装置２０の圧力は、１．３３×１０^−２Ｐａ以下に設定され、基板１の温度は、室温〜３００℃以下の範囲に設定され、基板バイアスは、１５Ｖ〜４０Ｖの範囲に設定され、ターゲットバイアスは、−１０００Ｖ〜−２００Ｖの範囲に設定され、ターゲット２７に印加されるパワー密度は、１．７５Ｗ／ｃｍ^２〜８．７５Ｗ／ｃｍ^２の範囲に設定される。 （もっと読む）

【課題】高度な四面体のアモルファス炭素の保護オーバーコートを有する好適な記録媒体
およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のダイヤモンド様炭素材料は、高度な四面体である、すなわち、ダイヤモンド結晶格子内に見い出される多くのｓｐ^３炭素−炭素結合を特徴とする。材料はまた、非結晶であり、短い範囲のオーダーと長い範囲のオーダーとの組み合わせを提供し、公知の非結晶炭素コーティング材料よりも実質的に小さい厚みにおいて、超平滑であり連続的な膜として堆積し得る。これらの材料を堆積する好適な方法において、容量性カプリングは、高密度で誘導的にイオン化されたプラズマから、高度に均一で選択的に励起されたイオンストリームを形成する。このような誘導イオン化は、共振イオン化およびイオンビームの均質化を促進する、比較的遅く移動する磁界により向上される。 （もっと読む）

【課題】摺動部材へのダイヤモンドライクカーボンの高い密着性を実現すると共に、低摩擦性を示す摺動部材を提供すること。
【解決手段】基材５上へ、クロム層からなる中間層６を設け、当該中間層６上へは、ダイヤモンドライクカーボンからなるＤＬＣ多層膜１０をＵＢＭスパッタリング法により形成し、当該ＤＬＣ多層膜１０は、傾斜層１２および傾斜層１２側から高硬度層と低硬度層とが周期的な構造を有する積層構造層１１を形成することにより、ダイヤモンドライクカーボン層の摺動部材への密着性を高め、且つ、摩擦係数を低くして、優れた摺動性を実現する。 （もっと読む）

【課題】市販の金属ダイヤモンドライクカーボンコーティング組成物に比べて、優れた硬度、および純粋な転がり時の破損に対する耐性を有する金属ダイヤモンドライクカーボンコーティング組成物を提供すること。
【解決手段】基体１０は、第１の層１２と、その上に堆積されかつ約０．５〜１０μｍの厚さを有する第２の層１４とから構成された金属ダイヤモンドライクカーボンコーティングを含む。第１の層１２は、遷移金属から構成され、かつ第１の表面と、基体１０と接触している第２の表面とを含む。第２の層１４は、Ｃと、Ｗ、Ｎｂ、Ｔｉおよびこれらの組合せから成る群より選択された遷移金属とから構成され、やはり、第１の表面と、第１の層１２の第１の表面と接触している第２の表面とを含む。この組成物は、約−５０〜−７５０Ｖの範囲の負のバイアス電位範囲にわたって、約１０×１０^-15ｍ³ｍ^-1Ｎ^-1以下のアブレシブ摩耗率を有する。 （もっと読む）

【課題】ダイモンド粒子の成長を抑制して滑らかなＤＬＣ膜を容易に形成でき、更には、バンドギャップの制御も可能なＤＬＣ膜の形成方法及びＤＬＣ膜の製造装置を提供すること。
【解決手段】基板ホルダー１１によって基板９を冷却して、基板温度が過度に上昇しないようにするとともに、ＤＣパルス放電によるプラズマ化学気相成長法において、原料ガスとして、水素ガスとハイドロカーボン系ガス（ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₄、Ｃ₂Ｈ₂、Ｃ₄Ｈ₆、Ｃ₄Ｈ₈、Ｃ₅Ｈ₈）を用い、混合比をハイドロカーボン系ガスを１％から５０％に調整する。これにより、ＤＬＣ膜中のダイアモンド粒子の成長を抑制でき、バンドギャップを３．９ｅｖから０．５ｅＶまで制御したＤＬＣ膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】摩擦係数の一層の低減を図るとともに、簡便なプロセスで製造することができる硬質炭素被膜を提供する。
【解決手段】被膜中にＣｏやＮｉを１．４〜３９原子％含有し、そのうちＣｏ凝集体やＮｉ凝集体は、等価円直径が５ｎｍを超える該凝集体２の占める領域が面積比で１５％以下に抑制されており、被膜表面に硬質の粒子や粒状突起を有し、表面粗さＲｙが０．１〜０．６μｍである硬質炭素被膜である。摺動層中にＣｏやＮｉを１．４〜３９原子％含有し、Ｃｏ凝集体やＮｉ凝集体は、等価円直径が５ｎｍを超える該凝集体の占める領域が面積比で１５％以下であり、摺動層表面に硬質の粒子や粒状突起を有し、表面粗さＲｙが０．１〜０．６μｍである硬質炭素被膜である。等価円直径が５ｎｍを超える凝集体の面積比をＸ％とし、ＣｏとＮｉの合計含有量をＹ原子％としたときに、Ｘ＜４Ｙを満たす。 （もっと読む）

【課題】
気化せずに分解してしまう内包対象物質にも適応可能であり、溶媒を大量に使用しない、低コストで低環境負荷の新しいナノチューブの内外への物質搬送方法を提供する。
【解決手段】
ナノチューブと内包対象物質を、これらの共存状態で搬入用蒸気に曝すことで内包対象物質をナノチューブ内に搬入して内包させる。また、内包対象物質が内包されているナノチューブを、搬出用蒸気に曝すことで内包対象物質をナノチューブ外へ搬出する。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＣ薄膜の製造方法の提供。
【解決手段】本発明はＤＬＣ薄膜の製造法に関するものであり、主にはスパッタリング方法を用いて基板表面にＤＬＣ薄膜を形成させるものである。本発明の製造方法には以下の手順を含めている：（ａ）反応室を提供し、反応室に基板を置く、（ｂ）反応室の圧力を１０^-6 ｔｏｒｒ以下とする、（ｃ）少なくとも一種の炭素を含むガスを反応室に導入する、及び（ｄ）石墨ターゲット材料を使用してスパッタリング法を利用してＤＬＣ薄膜を基板に沈積させる。なお、本発明で製作したＤＬＣ薄膜には、薄片構造の特徴を持ち、基板表面に花びら模様に配列している。本発明のＤＬＣ薄膜の薄片構造の高さはミクロン単位で、厚さはナノ単位なので、本発明のＤＬＣ薄膜の薄片構造の高さと広さが高い縦幅比になっており、優れた電界放出増強因子を持つことができる。 （もっと読む）

【課題】付着した微粒子状のシリカ、酸化鉄等の粒子を容易に除去することができ効率低下を防止できる表面平滑化皮膜を有する回転機械を提供する。
【解決手段】気体が流通し同気体が直接接する部位に表面平滑化皮膜を有する回転機械において、同回転機械の表面平滑化皮膜はその表面粗さの最大高さＲｙが１．０μｍを超えないセラミックス層または炭素層で構成し、セラミックス層または炭素層は物理蒸着または化学蒸着で成膜したものとした。 （もっと読む）

【課題】耐溶着性及び耐摩耗性を有する非晶質カーボン被覆工具を提供する。
【解決手段】工具の最表面に非晶質カーボン膜を具える非晶質カーボン被覆工具であって、軟質金属または硬質粒子含有材の加工用の工具である。前記非晶質カーボン膜は、グラファイトを含有する原料を用いた物理的蒸着法によって形成され、ヌープ硬度がHk＝3500kg/mm²以上、水素含有量が15at％未満である。グラファイトを出発原料として、グラファイトの昇華反応を利用した被覆方法により成膜することで、硬度が高く、耐摩耗性に優れると共に、耐溶着性に優れる被覆工具である。 （もっと読む）

【課題】水を制限領域内に閉じ込めることができる新規な煤を用い、目的とするガスを所定の容器から別の容器へ選択的に透過させることが可能な新規な方法及び装置を提供する。
【解決手段】 第１の容器中の第１のガスの圧力をＰａとし、第２の容器中の第２のガスの圧力をＰｂとした場合に、Ｐａ＞Ｐｂなる条件を満足させるとともに、前記水を吸蔵した前記煤の一方の端を、前記第１のガスを封入した前記第１の容器に接続し、前記煤の他方の端を、前記第２のガスを封入した前記第２の容器に接続する。次いで、前記煤を所定の温度まで冷却し、前記煤を前記第１の容器内における前記第１のガスと反応させて、前記煤の、少なくとも前記第１の容器側において、前記第１のガスに関するガス凝縮体を生成し、前記煤の、少なくとも前記第２の容器側において、前記ガス凝縮体を分解して、前記第１のガスを前記第２の容器側に放出する。 （もっと読む）

【課題】各種のフィルター、吸着材等としての利用が可能となる気相成長法による炭素繊維を提供する。
【解決手段】本発明に係る気相成長法による炭素繊維は、底の無いカップ形状をなす炭素網層が多数積層した、気相成長法による炭素繊維であって、該炭素繊維が、前記底の無いカップ形状の炭素網層が隣接するものから抜け出すことによって炭素網層が数個〜数百個積層したものに分断されていると共に、炭素網層の環状端面が露出し、該露出した各層における環状端面が、アームチエア型エッジ、ジグザグ型エッジおよびキラル型エッジの混在するものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブの電界放出に関する物性を改善した、カーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】本願発明に係るカーボンナノチューブの製造方法は、ＺｎＯの突起物を有するカーボンナノチューブの製造方法であって、基板を形成する工程、上記基板の表面にカーボンナノチューブを成長させる工程、上記カーボンナノチューブにＺｎＯを絶縁保護コーティングする工程、ＺｎＯでコーティングされた上記カーボンナノチューブをアニールする工程、上記アニールによって、カーボンナノチューブの表面にＺｎＯの突起物を形成する工程を含む製造方法である。
【効果】ＺｎＯの突起物がカーボンナノチューブ上に形成されることによって、カーボンナノチューブの電界増幅係数を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを主構成要素とするフィラメントおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】フィラメント製造方法は、気相からカーボンを堆積させて、複数のカーボンナノチューブがネット状に集合してなるナノチューブ集合物を形成する工程を有する。また、そのナノチューブ集合物を延伸する工程を有する。また、そのナノチューブ集合物を重ね合わせる工程を有する。前記延伸工程は、前記重ね合わせ工程を挟んで複数回行うことができる。それら複数回の延伸工程における延伸方向をほぼ同一方向とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】
実用的な分子電子デバイスを提供する。
【解決手段】
（ａ）接触表面を有する基板；および（ｂ）複数の実質的に平行な分子単位、ここで前記分子単位は、前記基板に電子的に強く連結するように、例えば共役結合により、前記基板に付着している；を含む化学的単層構成体。本発明には、本発明の化学的単層構成体を含む電子回路構成要素およびデバイスも含まれる。 （もっと読む）

【課題】アークプラズマ領域の拡大を図ることにより、カーボンナノチューブを大量製造することが可能となるカーボンナノチューブの製造装置を提供する。
【解決手段】本発明により、密閉された反応容器と、同反応容器内に配されてアーク放電を行なう炭素電極とを備え、前記アーク放電を熱源として前記炭素電極の炭素を蒸発させた後、同蒸発させた炭素を凝縮させることによりカーボンナノチューブを製造する製造装置であって、前記炭素電極間に広がる所望の広さ領域を取り囲むように配され、且つ、前記所望の広さ領域を所定温度に加熱又は保温して、前記炭素電極間に形成するアークプラズマ領域を拡大する加熱・保温手段を更に備えてなることを特徴とするカーボンナノチューブ製造装置が提供される。
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ダイヤモンド状炭素ベースの熱電変換装置およびその作製方法と使用方法であって、該熱電変換装置は、改善された変換効率と、増大された信頼性とを有する。該熱電変換装置は、カソード（２５）を備えることができ、該カソード（２５）は、これ全体に被覆されたアモルファスダイヤモンドなどのダイヤモンド状炭素材料（５）の層を備えたベース部材（６０）を有する。誘電中間体部材（５５）は、ダイヤモンド状炭素材料（５）と、アノード（３０）との間で電気的に接続することができる。多数のカソード層および／または多数の中間層など、種々の追加層および構成によって向上した性能を得ることができる。熱電変換装置は、発電機および／または冷却装置として構成することができ、都合良く形成することができる。
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密度勾配媒体中の単層カーボンナノチューブ（ＳＷＮＴ）および表面活性成分の組成物の遠心分離による、キラリティおよび／または直径別のＳＷＮＴ分離。本発明の方法は、密度勾配を有する流体媒体を提供する手段と、様々な直径および／またはキラリティを有するカーボンナノチューブ混合物および一つ以上の表面活性成分を含む組成物を、該媒体に接触させるステップと、媒体勾配に沿ってナノチューブ混合物を分離することを少なくとも部分的に満足する時間および／または回転速度で媒体および組成物を遠心分離するステップとを包含し得る。
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【課題】特性が異なる２つの領域が膜の表面に露出した有用性の高い炭素系薄膜を提供する。
【解決手段】粒径が２ｎｍを超えるグラファイトクラスターを含む第１領域１１と、粒径が２ｎｍを超えるグラファイトクラスターを含まない第２領域１２とを有し、これら領域１１，１２が表面に露出し、第１領域１１がａ）および／またはｂ）を満たす炭素系薄膜を提供する。ａ）金属元素を含む。ｂ）プレート状グラファイト構造および／またはオニオン状グラファイト構造を含む。好ましい金属元素は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕである。この薄膜は、例えば、炭素系非晶質薄膜への上記元素のイオンの選択的注入と、上記薄膜への電子線照射により得ることができる。 （もっと読む）