カーボンナノチューブ製造装置（１０００、２０００、３０００）において、所定の炭素含有化合物の気化ガスをイオン化するイオン化手段（例えば、マイナスイオン発生器１０）と、電界を発生する電界発生手段（例えば、直流電源２１とカソード電極２２とアノード電極２３）と、電界発生手段により発生された電界内に配置される成長基板（５０、５５）を加熱する加熱手段（例えば、高周波加熱器３０）と、を備え、イオン化された炭素含有化合物の気化ガスを、電界内を通過させることにより、加熱された成長基板に接触させることで、カーボンナノチューブ（４）を成長基板に配向成長させるカーボンナノチューブ製造方法を採用した。
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本発明は、回転炉体内での炭化物（活性炭等）のブリッジの発生を防止すると共に付着を抑制でき、品質が一定で良質な炭化物を効率良く製造できる炭化物製造装置に関する。本装置は、例えば、加熱炉２と、この加熱炉内で回転自在に支持される回転炉体４と、この回転炉体を回転させる回転駆動手段５と、回転炉体の内面側に設けられ且つ回転炉体の回転によって回転炉体内に投入された所定量の投入物（廃タイヤチップ又はその炭化チップ等）を掻上げる掻上げ手段（掻上げ部材６）と、回転炉体に振動を付与する振動付与手段（チェーン状部材７ａ，７ｂ）と、を備える。
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【課題】本発明は、ナノサイズのエレクトロニクス材料やオプトエレクトロニクス材料などとして有用な直径が制御された極細単層カーボンナノチューブからなる炭素繊維集合体及びその効率的、且つ大量・安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】直径が２．０ｎｍ未満の極細単層カーボンナノチューブからなる炭素繊維集合体。好ましくは直径が０．６ｎｍ〜１ｎｍの極細単層カーボンナノチューブからなる炭素繊維集合体。２種類の分解温度の異なる炭素源を使用し、それらの割合を変えることにより、単層カーボンナノチューブの直径を制御し、極細単層カーボンナノチューブからなる炭素繊維集合体を製造する。 （もっと読む）

本発明は、多くの生き物の外胚葉に見出されるケラチン由来の炭素を用いて様々な色の大型ダイヤモンド単結晶を製造する方法に関する。炭素は、ヒトから毛髪の房を切り取り、この毛髪を炭化した後、高圧高温工程に暴露することによって抽出することができる。 （もっと読む）

真空に保たれた反応装置内で、少なくとも１種類の触媒金属からなる多数の微粒子が形成された基板上で単層カーボンナノチューブを製造する方法であって、少なくとも１種類のフラーレンＣ_２ｎ（ｎはｎ≧１８なる整数）を所定の温度以上で昇華させて、分圧が制御されたフラーレン気体を生成し、該フラーレン気体を前記フラーレンの昇華温度以上に加熱された前記基板上に輸送し、前記フラーレン気体を前記触媒金属微粒子に接触させて単層カーボンナノチューブを製造するもので、好ましくは真空度は０．５Ｔｏｒｒ以下、昇華温度７００℃以下、基板は多項質物質または無機酸化物の薄膜を有し、該薄膜上に粒子径０．５〜１０ｎｍの遷移金属触媒微粒子を形成する。
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【課題】触媒層を形成した基板の該触媒層上に熱ＣＶＤ法によりＣＮＴ（カーボンナノチューブ）を形成するＣＮＴの形成方法及び形成装置であって、ＣＮＴを所望の形態に、そして、個々の基板面内でのＣＮＴの形態のバラツキを抑制して、また、基板間でのＣＮＴの形態のバラツキを抑制して、再現性良好に形成できるＣＮＴの形成方法及び形成装置を提供する。
【解決手段】反応容器１内に触媒層Ｃを形成した基板Ｓを設置し、容器１内雰囲気を置換ガス雰囲気とし、容器１内ガス圧をＣＮＴ形成ガス圧より低く設定するとともに、基板触媒層ＣをＣＮＴ形成温度に加熱する。一方、ガス充填部５にＣＮＴ形成原料ガスを含むガスを充填封入する。その後ガス充填部５に充填封入されたガスをそのガス圧と容器１内ガス圧との差に基づいて容器１内に一挙に導入し、該ガスのもとで加熱された触媒層Ｃ上に熱ＣＶＤ法によりＣＮＴを生成させる。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブ先端の極めて小さな曲率半径に基づく電子放出効率を有する、ディスプレイ装置に用いる電子放出源の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上の電子放出源を形成する所定の位置に、カーボンナノチューブを生成する触媒微粒子４３を担持し、基板上に触媒微粒子４３を介して基板に直立して成長するカーボンナノチューブ４４とカーボン不純物４５とを含む粗生成物４６を堆積するディスプレイ装置に用いる電子放出源の製造方法であって、粗生成物４６が堆積された基板を、炭素と反応して吸熱酸化反応を生ずる酸化剤中で、カーボン不純物４５が選択的に酸化される温度に加熱して、粗生成物４６からカーボン不純物４５を取り除いて、直立したカーボンナノチューブ４４のみを残す。 （もっと読む）

【課題】 カーボン不純物が含まれるナノカーボン粗生成物から、ナノカーボンを高純度で且つ容易に精製できる精製方法を提供する
【解決手段】 ナノカーボン粗生成物を、炭素と反応して吸熱酸化反応を生ずる酸化剤中で、カーボン不純物が選択的に酸化される温度に加熱して精製する。ナノカーボンがカーボンナノチューブであり、吸熱酸化反応を生ずる酸化剤が二酸化炭素ガスであり、カーボン不純物がアモルファスカーボンである場合、６００℃以下の加熱温度で、（ｃ）に示すように、アモルファスカーボン７が酸化除去され、カーボンナノチューブの層７のみが残留する。 （もっと読む）

【課題】 所望の方向に配向しているカーボンナノチューブを、所望の形状の触媒金属または非触媒金属上に直接作製するカーボンナノチューブの作製方法、および、カーボンナノチューブの作製装置を提供すること。
【解決手段】 陰極４０２の陽極側の表面に、基板４０４を配置する基板配置工程を行った後、ガス供給部４０６からメタンガスと水素ガスから成る混合ガスを所定量チャンバー４０１内に供給すると共に、ヒーター４０７を用いて基板４０４の温度を所定の温度に調整する。その後、カーボンナノチューブ形成工程で、電源４０９によって、陰極４０２と陽極４０３との間に強い電場を発生させて、絶縁破壊を生じさせることでプラズマを発生させるプラズマ放電を行って、陰極４０２の上に配置された基板４０４上に、電場の向きに沿った指向性のカーボンナノチューブを作製する。 （もっと読む）

【課題】従来のマイクロフィルター濾材を支持体とし、マイクロフィルター濾材上にボトムアップ方式でナノチューブまたはナノ繊維を直接合成・成長させることにより、従来のナノ繊維製造方法では製造できない直径のナノチューブまたはナノ繊維からなるナノフィルター濾材を製造する方法およびその装置を提供する。
【解決手段】反応器内に設けられたマイクロフィルター濾材を支持体として使用し、ナノ触媒粒子を反応器内に供給して支持体上に付着させ、ナノ触媒粒子上に原料ガス及び反応ガスを供給し、反応器を加熱装置で加熱して、反応器内のナノ触媒粒子からナノチューブまたはナノ繊維を合成・成長させることにより、マイクロフィルター濾材上にナノチューブまたはナノ繊維が合成・成長されたナノフィルター濾材を製造する。 （もっと読む）

【課題】簡便な装置を用い、安価な原料からカーボンナノチューブを大量に合成する方法を提供する。
【解決手段】一定の温度に制御した雰囲気でシリカゲル、アルミナ、マグネシア、シリカアルミナ、及びゼオライトからなる群から選ばれる少なくとも１種の担体に担持させた触媒金属に油をスプレーすることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法及び装置。 （もっと読む）

【課題】
光電変換材料を構成する電子受容体としては、従来、空のフラーレンが用いられていたが、十分高い光電流増強効果が得られていなかった。
【解決手段】
電子受容体として原子内包フラーレンを用い、原子内包フラーレンを電子供与性有機材料にドープすることにより光電変換材料を作製することにした。従来の光電変換材料と比較し、大幅に光電流を増加させることが可能になった。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤ法による長尺の微細炭素繊維の製造方法を提供する。
【解決手段】触媒金属層３を備える基板１を、還元性ガスを含む原料ガス気流下、所定の処理温度でＣＶＤ法により処理する。還元性ガスと原料ガスとの混合比が０．５〜１．５、処理温度が２５０〜９００℃である。原料ガスは炭化水素ガスまたはアルコールガスである。還元性ガスは、Ｈ_２、ＮＨ_３、Ｏ_２、ＣＦ_４、ＳＦ_６の１種である。基板１は、基体２と触媒金属層３との間に、窒化物、酸化物または炭化物のいずれか、好ましくは窒化珪素または酸化珪素からなる拡散防止層４を備える。基板１を反応炉１１に収容し、還元性ガスを含む原料ガスとキャリヤガスとを充填後、キャリヤガスのみを充填し、その後、キャリヤガスのみまたはキャリヤガスと還元性ガスとからなる気流下に処理温度に加熱し、還元性ガスを含む原料ガスとキャリヤガスとからなる気流下、ＣＶＤ法により処理する。 （もっと読む）

【課題】 従来のカーボンナノチューブの製造設備にて低コストでカーボンナノチューブ密度制御を行える方法を提供する。
【解決手段】 触媒金属層を有する基板を熱化学気相蒸着装置に入れ、同装置内に不活性ガスおよび原料ガスを供給し、熱化学気相蒸着法により触媒金属層を微粒化すると共に生成した触媒微粒子にカーホンナノチューブを成長させる。その際、供給する原料ガスの濃度変化量を制御することでカーホンナノチューブの成長密度を制御する。「濃度変化量」とは供給する原料ガスの時間に対する変化量を意味する。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブを高速成長せしめる従来の方法では、成長速度がガスの供給方法に強く依存しているため、長さや直径が揃ったカーボンナノチューブを再現性よく成長せしめることは困難である。
【解決手段】 反応室に炭素含有の原料ガスを導入し、熱ＣＶＤ法によってカーボンナノチューブを基板表面に気相成長させる際に、この原料ガスの存在下で、カーボンナノチューブが成長し得る成長温度まで所定の基板昇温速度で基板を急速加熱して所定時間保持することで、基板表面にカーボンナノチューブを成長せしめる。 （もっと読む）

【課題】 高温のフィラメントを使用せずに、固体のカーボンターゲットを用いて表面や装置（デバイス）に垂直なカーボンナノチューブを成長させることができるカーボンナノチューブの成長方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、プラズマが優位に存在する堆積チャンバー内で炭素あるいは炭素系のターゲットを用いて試料上に配向されたカーボンナノチューブを成長する方法に関する。前記試料（１６）は前記ターゲット（１５）に接触して配置されており、前記試料及びターゲットはいずれも自由表面を有しており、前記プラズマによって前記試料の自由表面にカーボンナノチューブの成長を引き起こす。 （もっと読む）

微細な炭素繊維を特定の容器に充填あるいは圧密成型せずに、該炭素繊維生成の反応炉から取り出された粉体のまま、または微細な炭素繊維を圧縮して解砕し不定形の粉体状にした後に不活性ガス雰囲気または水素ガス雰囲気下で８００℃以上の温度で加熱炉で加熱して、繊維に付着している揮発成分を気化させ、さらに高い温度で炭化させる粉体熱処理方法、及び加熱炉部分が、炉内の微細な炭素繊維押し込み板または攪拌装置で仕切られて、これらの板又は装置で仕切られたコンパートメントのうち繊維供給口に近い部分に雰囲気ガス抜き出し管を設け、該繊維の出口に近い部分にガス供給口を設けた粉体熱処理装置。
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炭素ナノ構造体を大量合成する方法、工程、装置が提供される。小さな粒径と狭い粒径分布を有する金属触媒を調製し、エーロゾルとして反応器に連続的に注入する。金属触媒は実質的に炭素を含まない支持体上に担持される。反応器は、反応時間ならびに反応物質と反応器の壁との接触が制御可能なように、ガス流を制御できるようになっている。単層カーボンナノチューブを大量に高収率で合成することができる。 （もっと読む）

【課題】 ナノフレークカーボンチューブ及び入れ子構造の多層カーボンナノチューブからなる群から選ばれるカーボンチューブと(b)炭化鉄又は鉄とからなり、カーボンチューブ内空間部の１０〜９０％に炭化鉄又は鉄が充填されている鉄−炭素複合体を含む炭素質材料を、酸素濃度の制御を要することなく製造する方法、該方法により得られる鉄−炭素複合体、該鉄−炭素複合体を含む電子放出材料を提供する。
【解決手段】 (1)反応炉において、真空中又は不活性ガス雰囲気中で、鉄錯体とハロゲン化鉄とを予め反応させ、(2)上記反応炉内に、熱分解性炭素源を導入し、該熱分解性炭素源と上記工程(1)で得られた反応生成物とを反応させることにより、鉄−炭素複合体を含む炭素質材料を製造する。得られる鉄−炭素複合体は特異な先端形状を有し、優れた電子放出材料である。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、ロータリキルンを用いて有機性廃棄物から付加価値の高い活性炭を安価に製造しうる炭化物の製造方法を提供することである。
【解決手段】 本発明の炭化物の製造方法は、有機性廃棄物をロータリキルンで加熱処理して炭化物を生成する炭化物の製造方法において、有機性廃棄物を収容するロータリキルンのレトルト内部へ外部空気を供給しながら加熱することを特徴とし、一端に被加熱物の供給口１８を他端に被加熱物を排出する排出口２６とを有し周壁を貫通して軸心方向に指向する複数の排気筒８を備え、軸線周りに回転するレトルト３と、このレトルトの周壁部を加熱するバーナ１２を有する加熱室４と、レトルト３の排出口２６を貫通して軸線に沿ってレトルト３の内部へ外部空気を供給する空気供給管１６とを具備するロータリキルンを使用する。 （もっと読む）