【課題】 本発明は、高品質かつ目的の特性を有するＳｉＣ単結晶ウェハを高歩留りで作製できるＳｉＣ単結晶インゴット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 炭化珪素単結晶のドーパント元素濃度の最大値が５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満で、かつ、ドーパント元素濃度の最大値が最小値の５０倍以下である炭化珪素単結晶インゴット、及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 寸法精度に優れた微小な凹凸形状を有する炭化珪素構造体及びそれを備えた光学レンズ用金型と電子放出素子並びに炭化珪素構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の炭化珪素構造体は、炭化珪素基板１の表面１ａに微小な錐体２が複数個形成され、これらの錐体２の高さ（Ｈ）は１０ｎｍ以上かつ５００μｍ以下、その先端部の直径（Ｄ）は１ｎｍ以上かつ１００μｍ以下であり、これらの錐体２は、５ｎｍ以上かつ５００μｍ以下の間隔で配置されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 炭化珪素原料と成長している炭化珪素単結晶表面の温度を適切に保ちつつ、装填した原料を昇華ガスの供給源として有効に利用することのできる、炭化珪素単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】 昇華再結晶法を用いて炭化珪素単結晶を作製する際に、昇華温度以上に加熱する領域を炭化珪素原料部の中で少なくとも１回移動させて、炭化珪素単結晶の成長を行うことで、結晶と原料の温度を適切に保つと同時に、原料を有効に昇華させることのできる加熱方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】物理的手法によって熱伝導率を制御する炭化ケイ素粉末の製造法、および高熱伝導率炭化ケイ素の提供。
【解決手段】 アチソン法により製造された炭化ケイ素をバッチ式にて粉砕し、得られた粉砕品を分級して、熱伝導率の異なる炭化ケイ素粉末を製造することを特徴とする、炭化ケイ素粉末の製造法。より小さい平均粒子径に粉砕し、より大きな平均粒子の粉末を分級により分取することで、熱伝導率の高い炭化ケイ素を得ることができる。 （もっと読む）

【解決手段】金属カーバイドと、該金属カーバイドをワンステップのプロセスによって合成する方法に関するものである。各種金属(例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｗ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｂ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＭｏであり、これらに限定されるものではない)の酸化物を、球状又は繊維状のナノ構造カーボン前駆物質と物理的に混合し、９００〜１９００℃の温度まで誘導加熱して、金属酸化物をカーボンと反応させて、異なる金属カーバイドを生成するものである。このプロセスでは、得られた金属カーバイドの中でカーボン前駆物質は元の形態が維持される。得られたナノサイズの金属カーバイドは、高結晶性である。金属カーバイド製品は、高温熱電装置、量子井戸、光電子装置、半導体、防護服、装甲車、触媒等の用途に用いられ、アルミニウム及びその他合金に不連続補強材として用いられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＣＶＤ−ＳｉＣの基材として、繰り返し使用でき、ＣＶＤ−ＳｉＣから簡単に除去でき、ＣＶＤ−ＳｉＣにクラック、割れ、不純物汚染を発生させたりしない基材を採用した、生産性に優れた炭化ケイ素部材の製造法を提供する。
【解決手段】基材上に薬液で溶解可能な中間層を形成後、前記中間層の表面にＣＶＤ法で炭化ケイ素膜を成膜して炭化ケイ素体とした後、前記中間層を薬液で溶解させて除去し前記基材から前記炭化ケイ素体を分離させることを特徴とする炭化ケイ素部材の製造法。 （もっと読む）

オキシ炭化ケイ素コーティングは、（ｉ）前記コーティングの屈折率が１．７０あるいはそれ以上であるのみならず、（ｉｉ）前記コーティングの厚さが３５０Åあるいはそれ以上であるときに、約数ヶ月間というかなりの長期間親水性を維持する。
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【課題】既知のＳｉＣを基盤とする、もしくはＢ４Ｃを基盤とする素材、又は連続摩擦低減被覆層を持つ素材よりも、摩擦荷重に対してよりよく耐え得る素材を提供する。
【解決手段】本発明は、金属炭化物−炭素複合物からなる表面を有する素材に関する。この素材は、金属炭化物表面の幾何学的に規定された領域が、０．０１から１，０００μｍまでの深さまで物質合体によって結合した炭素を含む。
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【課題】小さな金属炭化物パーティクルを発生させずに金属炭化物基体ン表面を処理する方法を提供する。
【解決手段】半導体製造プロセスに使用される金属炭化物基体の表面処理方法であって、反応性ガス混合物を用いて金属炭化物基体（１０）の表面を選択的にエッチングし、それにより金属炭化物基体（１０）上に炭素表面層（１３）を形成する工程、および金属炭化物基体（１０）上に形成された炭素表面層（１３）を除去する工程を包含する方法。 （もっと読む）

高密度化ＳｉＣ製品の製造方法が提供される。開発された方法によって、近網形状多孔質シリコンカーバイド製品が製造され、高密度化される。多孔質近網形状シリコンカーバイド製品内の細孔の実質的な数を炭素前駆体、シリコンカーバイド前駆体またはその混合物で充填する。炭素前駆体は液体またはガスであることができる。充填ＳｉＣプレホームは加熱され、炭素またはシリコンカーバイド前駆体を、近網形状多孔質シリコンカーバイド製品の細孔内で多孔質炭素またはＳｉＣプレホームに変換する。浸漬／熱分解のサイクルを炭素および／またはシリコンカーバイドの所望の量を達成するまで繰り返す。炭素またはシリコンカーバイド／炭素前駆体の混合物が用いられる場合は、熱分解近網形状シリコンカーバイド製品は不活性雰囲気中で、シリコンと接触される。シリコンは熱分解近網形状シリコンカーバイド製品を通って拡散し、多孔質ＳｉＣプレホームの細孔内に含まれている炭素と反応して、近網形状シリコンカーバイド製品の細孔内にシリコンカーバイドの新しい相を形成する。製造されたシリコンカーバイドは近網形状高密度シリコンカーバイドである。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＣナノ粒子を高効率で製造すること。
【解決手段】 窒素雰囲気中でアークプラズマを発生させ、アークプラズマを塊状ＳｉＣまたはＳｉとＣの混合粉末成形体に照射してＳｉＣのナノ粒子を生成させる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明は、籾殻又は稲藁のようなシリコン含有植物からカーボン−シリカ生成物を生成する方法であり、硫酸で浸出することによって、非シリカ無機物及び金属を除去し、その一方、残った生成物内の固定カーボン対シリカのモル比を調整する。カーボンとシリカは、ミクロン又はサブミクロンスケールで密接に混合され、高純度と高い反応性、小さな粒子サイズ、高い空隙率を特徴とし、カーボン−シリカ生成物からシリコン含有生成物を生成するエネルギー源として用いられる揮発性カーボンを含む。本発明のカーボン−シリカ生成物から作られる高純度のシリコン含有物もまた開示される。 （もっと読む）

本発明は、炭化珪素結晶中の窒素含量を調整することに関するものであり、また詳しくは、炭化珪素の昇華成長中の窒素の混入を低下させることに関する。本発明は、グロースチャンバ中にすべて水素の雰囲気を提供することによって、成長炭化珪素結晶中の窒素濃度を制御する。水素原子は、成長結晶の表面における窒素原子の混入を実質的に遮断するか、減少させるか又は妨害する。 （もっと読む）