【課題】黒鉛などの炭素基材の表面に炭化ケイ素被膜が緻密にかつ均一に被覆された炭化ケイ素被覆炭素基材を製造する。
【解決手段】未結合手を有しないＳＰ^２炭素構造からなるベース部と、未結合手を有するＳＰ^２炭素構造からなるエッジ部とを表面に有する炭素基材を準備する工程と、温度１４００〜１６００℃、圧力１〜１５０Ｐａの雰囲気中で、炭素基材の表面と、ＳｉＯガスとを反応させて炭化ケイ素を形成することにより、炭化ケイ素で被覆された炭素基材を製造する工程とを備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化ケイ素粉体製造方法及びシステムを提供するためのものである。
【解決手段】本発明の炭化ケイ素粉体製造方法は、混合器でケイ素源と炭素源とから構成された混合物を生成するステップ、及び前記混合物を真空度０．０３ｔｏｒｒ以上０．５ｔｏｒｒ以下、温度１３００℃以上１９００℃以下に加熱して炭化ケイ素（ＳｉＣ）粉体を合成するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＣナノ粒子を高効率で製造すること。
【解決手段】 窒素雰囲気中でアークプラズマを発生させ、アークプラズマを塊状ＳｉＣまたはＳｉとＣの混合粉末成形体に照射してＳｉＣのナノ粒子を生成させる。 （もっと読む）

【課題】溶液や廃液中のＳｉＣやＳｉを排水汚濁なく回収可能し、研削材、砥粒、研磨材として利用可能な炭化珪素を製造する。
【解決手段】ＳｉＣ微粒子及び／又はＳｉ微粒子を少なくとも含む溶液又は廃液を、炭素粉及び酸化珪素粉を少なくとも含む分離助材を用いて固液分離して固体分を得るステップと、この固体分を必要に応じて炭素粉及び／又は酸化珪素粉を含む添加剤と混合するステップと、炭化珪素を得るために、この固体分又は添加剤と混合された固体分を、非酸化性雰囲気で１８５０℃を超えて２４００℃未満に加熱反応させるステップとを少なくとも含んでなる炭化珪素の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】低いケイ素／炭素比を有するオーバーコートを提供すること。
【解決手段】情報記憶システムのスライダ。単一のオーバーコート層を備えるスライダであって、層は、フィルタ陰極アークプロセスによりスライダのＡＢＳ上に堆積し、層は、約１０％未満のＳｉ／Ｃ比を有すると共に、約１５Å未満の厚さを有する、スライダ。 （もっと読む）

【課題】電気特性や機械特性に優れ、かつ電子線照射によってチューブ構造が崩壊することがない、アモルファス炭化ケイ素ナノチューブの製造方法を提供すること。
【解決手段】多結晶炭化ケイ素ナノチューブを作製し、その多結晶炭化ケイ素ナノチューブに対して、それを貫通するのに必要なエネルギー以上で加速されたイオンを照射することにより、アモルファス炭化ケイ素ナノチューブを製造する。このとき、例えば、イオンは、照射温度200℃以下で照射され、その照射量がはじき出し量として1dpa以上である。 （もっと読む）

【課題】
ポリカルボシランを原料として、簡便な工程により、炭化ケイ素質の球状中空微粒子を得る方法を提供する。
【解決手段】
ポリカルボシランの溶液を炭素数１〜４の低級アルコールと水との混液に滴下することによりポリカルボシランの球状中空微粒子を析出させ、該微粒子を酸素架橋後に焼成して炭化ケイ素質の球状中空微粒子を得ることにより、上記の課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】雑晶の発生を抑止し、良質な２Ｈ炭化珪素単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】圧力容器内において、珪素が溶解したリチウムフラックス２３に炭化珪素単結晶基板２５を接触させる工程と、前記圧力容器内にメタン２６を導入し、前記リチウムフラックス２３に前記メタン２６を接触させることにより、前記リチウムフラックス２３から前記単結晶基板２５上に２Ｈ炭化珪素単結晶２７を成長させる工程とを包含する炭化珪素単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】
０．０１重量％未満の総鉱物性不純物と選択的に決定された炭素：シリコンの比率を含む、シリコン、炭化ケイ素および窒化ケイ素などのシリコン含有生成物。その生成物は、少なくとも３重量％のシリカを含む、籾殻および稲藁などの植物に由来する。制御された温度、圧力および反応時間の下、固定炭素：シリカのモル比を調節しながら、シリコン含有植物を硫酸水溶液で浸出して鉱物および金属を除去し、次いで、制御された条件下、熱的に処理して所望の生成物を生産することを特徴とする、そのような高純度のシリコン含有生成物を作るための方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】有機−無機変換ルートにより作製される炭化ケイ素の高性能化ならびに高度利用をはかるために、新しい前駆体有機ポリマーとして、ポリ［（シリリン）エチニレン］ならびにポリ［（シリレン）エチニレン］を合成した。
【解決手段】
ポリ［（シリリン）エチニレン］あるいは／ならびにポリ［（シリレン）エチニレン］を焼成する過程において、ヒドロシリル化反応により高度なクロス・リンク型ネットワーク構造が生起するために、熱分解による物質損失が大幅に抑止され、欠陥の少ない高品質の炭化ケイ素の粉末、成形品、繊維、薄膜、複合材料マトリックスが作製できる。 （もっと読む）

【課題】セラミック化に伴う体積収縮を低減しクラックの発生を防止できると共に、ピンホール等の欠陥発生も抑制できるガス分離用セラミック薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】ガス分離用セラミック薄膜は、セラミックス前駆体であるポリカルボシラン(PCS)またはPCSに他の高分子材料を混合したポリマーブレンドなどのケイ素系混合高分子材料をセラミック基材上に成膜し、真空中や不活性ガス中などの無酸素環境下において電離放射線により架橋した後、アルゴンガスなどの高級不活性ガス中で焼成することにより製造される。 （もっと読む）

【課題】水素より多くの細孔径を、水素が選択的に透過可能な径に制御することができる、炭化珪素水素分離膜の製造方法を提供すること
【解決手段】多孔質支持体表面に適当な濃度の前駆体溶液を塗布することにより前駆体層を形成した後、前記前駆体溶液よりも薄い濃度の溶液に複数回浸漬することにより、浸漬で生じた前駆体溶液を支持体、あるいは支持体に形成された炭化珪素膜の細孔に浸透させ、支持体あるいは膜中に存在する細孔の径を、水素が選択的に透過可能な径に制御する。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ安価な方法で、高収率にSiC材料を合成する方法と、その方法により製造されるSiCセラミック材料を提供すること。
【解決手段】ケイ素系ポリマー溶液と金属錯体溶液を混合し、乾燥させることによりケイ素系ポリマーと金属錯体からなるブレンド物を作製し、これを不活性ガス中で７００℃以上で焼成することにより炭化ケイ素材料を合成する方法、及びポリカルボシラン溶液と酢酸パラジウム溶液を混合し、乾燥させた後、これを不活性ガス中で７００℃以上で焼成して作製した、COガスを酸化してCO₂ガスを生成する触媒性能を有するセラミック材料。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハーの製造工程において生じる多量のシリコン切削屑等を原料として、工業材料に適する品質の炭化珪素を経済的に製造する方法を提供する。
【解決手段】シリコン屑に対してカーボン粉を当量以上混合し、この混合粉を、非酸化性雰囲気下、１０００℃〜１４００℃で、６時間〜２４時間加熱してシリコン屑とカーボン粉を反応させて炭化珪素を製造し、冷却後、酸洗浄して不純物を除去し、乾燥することを特徴とする炭化珪素の製造方法であって、好ましくは、シリコンウエハーの製造工程において生じたシリコン切削屑を用い、シリコン切削屑を脱脂処理ないし脱水処理した後にカーボン粉と混合し、加熱処理後に生成物を酸浸出した後に、水またはアルコールで洗浄して不純物を除去する炭化珪素の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、珪藻土粒子の微小形態と多孔構造を利用し、高機能材料の物質となる、微細炭化珪素、微細窒化珪素、金属シリコン、塩化珪素を作製する製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の微細炭化珪素、微細窒化珪素、金属シリコン、塩化珪素等、高機能材料の前記物質は、珪藻土粒子の微小形態と多孔構造を活かして作製する。たとえば微細炭化珪素の場合は、珪藻土原土又は焼成珪藻土内部に、コロイド溶液化した活性炭や黒鉛等の粉末炭素、フラーレンやカーボンナノチューブ等の炭素物質を含浸させ、乾燥後、不活性ガス雰囲気下、１５００℃まで加熱して得られる。炭素源は珪藻土内に無数に存在する珪藻土粒子の粒界や細孔内で二酸化珪素と反応を起こし、炭素源の形状を維持した、微細炭化珪素が合成される。又、炭素源の形状が維持される性質を利用し、予め炭素源を等粒に揃えておくことにより、等粒微細炭化珪素も作製できる。 （もっと読む）

【課題】耐酸化性に優れ、耐熱性を有するα型炭化ケイ素粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】下記の（ａ）及び／又は（ｂ）を満たす、カーボンファイバー及び／又はチューブと、一酸化ケイ素とを、互いに混合することなく互いに離して反応容器内に載置する工程、上記反応容器を、加熱炉内で、０．１気圧以下で、カーボンファイバー等を１，４００℃以上の温度に加熱し、前記一酸化ケイ素を１，１００℃以上の温度であって前記カーボンファイバー及び／又は前記カーボンチューブの加熱温度より低い温度に加熱してα型炭化ケイ素粒子を生成させる工程、を含む、α型炭化ケイ素粒子の製造方法。
ここで、（ａ）は粉末Ｘ線回折法によるグラファイト（００２）面の回折ピークの半値幅が１°以下であること；（ｂ）は６００℃の大気中で加熱して重量減少が１０％以下であること。 （もっと読む）

【課題】工程が簡単であり、所望の形態に製造が可能である金属カーバイドの製造方法を提供する。また、前記金属カーバイドの製造方法によって製造された金属カーバイドを提供する。さらにまた、前記金属カーバイドを利用して製造された成形品を提供する。
【解決手段】（Ａ）金属または金属酸化物と炭素系物質の混合物に物理的力を加えることによって、金属または金属酸化物表面に炭素系物質が被覆された、および／または炭素系物質の表面に金属または金属酸化物が被覆されたハイブリッド粒子を製造する段階；及び（Ｂ）前記ハイブリッド粒子を熱処理する段階；を含む金属カーバイドの製造方法、並びにこれから製造された金属カーバイドが提供される。 （もっと読む）

本発明は，水と炭素含有成分を含む固液混合物から，材料，又は燃料，腐植土，メイラード反応生成物又はメイラード様の反応の生成物の製造装置及び製造方法に関するものである。ここでは，固液混合物は１００℃以上の温度で，５バール以上の圧力で処理される。 （もっと読む）

【課題】骨格部が十分な強度を有し、粒子自体を小径化することなく、溶離液等との反応面積を大きくすることができるとともに、高い比表面積を得ることができ、触媒、細胞、タンパク質等の吸着性に優れるセラミックス粒子及びその製造方法の提供。
【解決手段】
本発明に係わるセラミックス粒子１０は、外表面１０ａに開気孔２０が複数設けられ、前記開気孔２０は、平均気孔径が２μｍ以上５０μｍ以下であり、前記開気孔２０の前記外表面１０ａ側の開口部の口径Ｏ_ｔは、１μｍ以上３０μｍ以下であり、前記開気孔２０を構成する骨格部３０は緻密体で構成され、前記外表面１０ａ及び前記開気孔２０の内壁面に、比表面積１ｍ^２／ｇ以上のセラミックス微粒子が付着している。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素膜形成後にクラックや剥離が生じることなく、炭化珪素膜を炭素基材の表面上に効率良く形成する。
【解決手段】炭素基材１の表面１ｂの所定箇所を支持治具４で当接した状態で炭素基材１を支持し、炭素基材１の表面１ｂ上に炭化珪素膜５を形成する方法であって、支持治具４が当接する所定箇所に孔１ａが形成された炭素基材１を準備する工程と、炭素基材１と同種の材料からなり、孔１ａに嵌入することができる寸法形状を有する嵌入部材２であって、孔１ａに嵌入した際に炭素基材１の表面１ｂに連なる表面２ａ上に予め炭化珪素膜３が形成された嵌入部材２を準備する工程と、炭素基材１の孔１ａに嵌入部材２が直接接するように嵌入部材２を嵌入し、炭化珪素膜３が形成された嵌入部材２の表面に支持治具４を当接して、炭素基材１を支持した状態で、炭素基材１の表面１ｂ上に炭化珪素膜５を形成する工程とを備えることを特徴としている。 （もっと読む）