本発明は、ナノワイヤ構造およびかかる構造を含む相互接続型ナノワイヤネットワーク、ならびにその作製方法に関する。ナノワイヤ構造は、ナノワイヤコア、炭素主体層を備え、さらなる実施形態では炭素主体構造を、例えば、ナノワイヤコア上に形成され、該ネットワーク内のナノワイヤ構造を相互接続するグラフェンからなるナノグラファイト板を備える。該ネットワークは、膜または粒子に形成され得る多孔質構造である。ナノワイヤ構造およびこれを用いて形成されるネットワークは、触媒および電極適用用途、例えば燃料電池、ならびに電界放出デバイス、担持体基材およびクロマトグラフィー適用用途に有用である。 （もっと読む）

【課題】広帯域に渡って電波吸収特性をもち、薄型で複雑形状対応の電波吸収体を低コストで製造すること。
【解決手段】炭化ケイ素質の粒子内部と炭素を主体とする導電性無機物質の表面層とからなる微粒子であって、粒子の表層に向かって導電性無機物質の存在割合が傾斜的に増大した導電性無機物質の傾斜層を有し、導電性無機物質の傾斜層の厚さが１〜５００ｎｍであることを特徴とする導電性無機物質含有炭化ケイ素質微粒子および電波吸収材料。本発明の電波吸収材料は１〜３００ＧＨｚの電波を選択的に広帯域で吸収することができる。 （もっと読む）

【課題】高純度で単分散の球状炭化ケイ素質微粒子。耐環境性、耐熱性、耐酸化性に優れた非晶質の炭化ケイ素質セラミックスの製造の提供。
【解決手段】平均粒径が50〜100,000ｎｍの範囲で真球度が0.9〜1.0の球状炭化ケイ素質微粒子。（ａ）下記式で表される主鎖骨格を有するポリカルボシラン又は変性ポリカルボシランからなる有機ケイ素前駆体高分子を提供する工程；（ｂ）前駆体高分子を貧溶媒と混合し加熱して溶解させた後、この溶液を冷却して前駆体高分子を析出させ、析出物を濾別して球状前駆体高分子の微粒子を得る工程；（ｃ）球状前駆体高分子微粒子を酸素含有雰囲気中で不融化処理を行う工程；（ｄ）球状前駆体高分子の微粒子を真空中、不活性ガス雰囲気中で焼成する工程。得られる非晶質の球状炭化ケイ素質微粒子を原料として加熱焼結する非晶質炭化ケイ素質セラミックス焼結体の製造方法。
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共重合体を含むシリコン組成物を提供する。共重合体は、一般式：Ｈ−［ＳｉＨ_２ＣＨ_２］_ｘｎ［Ｓｉ（Ｒ_１）ＨＣＨ_２］_ｙｎ［ＳｉＨ（Ｒ_２）ＣＨ_２］_ｚｎ−Ｈで示され、式中、Ｒ_１は、メチル、フェニル、メトキシ、エトキシまたはブトキシ、Ｒ_２は、アリル、プロパギルまたはエチニル、そしてｘ，ｙおよびｚが０でないときｘ＋ｙ＋ｚ＝１である。前述の共重合体を使用した炭化ケイ素系材料と、それによって生成された生成物の生成方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】 炭化ケイ素焼結体の焼成時間の短縮を図る。
【解決手段】
（イ）炭化ケイ素粉末及び炭素源を有機溶媒に混合してスラリー溶液を調製する工程と、（ロ）上記スラリー溶液を乾燥させ造粒粉を得る工程と、（ハ）上記造粒粉を焼成して脱脂粉を得る工程と、（ニ）上記脱脂粉表面にバインダーをコーティングして炭化ケイ素焼結体用粉体を得る工程と、を備える炭化ケイ素焼結体用粉体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 架橋剤の添加や微粒子の分散を必要とせずに、簡単な工程で安価に微細孔を有する炭化珪素系多孔質成形体を製造する方法を提供する。
【解決手段】 架橋剤を使用せずに、ポリカルボシラン等の炭化珪素前駆体高分子を不活性気体中において４００℃以下で加熱して熱的に架橋した炭化珪素前駆体を形成し、該架橋前駆体を熱処理することにより炭化珪素系多孔質成形体を製造する。
炭化珪素前駆体高分子は、不活性気体中において２００〜４００℃で、１時間以上加熱して熱的に架橋することが好ましく、架橋した炭化珪素前駆体は５００〜１３００℃で、１時間以上熱処理することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】特別な工程や添加剤等を必要とせずに、種々の仕様用途に応じて制御された細孔径や気孔率等を有する炭化珪素系多孔質成形体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素系多孔質成形体の表面にＳｉＣＯからなる層を形成することにより、細孔を制御した炭化珪素系多孔質成形体を製造する。炭化珪素系多孔質成形体としては、平均細孔径０．２〜２ｎｍ、平均気孔率３０〜７０％、比表面積１０〜１０００ｍ^２／ｇの成形体を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＣ基材上に高配向のカーボンナノチューブが密に形成された領域を有する複合材料であって、良好な耐摩耗性および／または衝撃吸収特性を示すＳｉＣ／カーボンナノチューブ複合材料を提供する。
【解決手段】 本発明によると、ＳｉＣ基材上に該基材表面から立ち上がる多数のカーボンナノチューブを有するＣＮＴ領域が形成されているＳｉＣ／カーボンナノチューブ複合材料であって、該ＣＮＴ領域には前記カーボンナノチューブが高配向かつ高密度に形成されており、前記ＣＮＴ領域に付与される機械的エネルギー量の変化によって該領域の摩擦係数を異ならせることができる、ＳｉＣ／カーボンナノチューブ複合材料が提供される。例えば、１０ｎＮ〜１００ｎＮの範囲の垂直応力に対して摩擦係数が三段階に変化する複合材料が提供される。 （もっと読む）

【課題】高い比表面積を有するシリコンカーバイド系多孔質体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコンカーバイド系多孔質体は、三次元網目状に形成され、かつ網目内部の空孔が連続気孔構造を有し、主としてシリコンカーバイドから構成されたことを特徴とする。また、このシリコンカーバイド系多孔質体の製造方法は、メソポーラスシリカ粉末１１の細孔内部にシリコンカーバイド前駆体溶液１２を充填する工程と、充填粉末１３を乾燥させて充填した溶液に含まれる溶媒成分を除去する工程と、充填粉末を大気圧下、１００〜２００℃で１〜２４時間保持する工程と、充填粉末を不活性ガス雰囲気下、１０００〜１２００℃で１〜２時間焼成する工程と、シリカを溶解するエッチング液を用いて焼成した粉末１４よりメソポーラスシリカを消失させる工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブの高強度、高ヤング率の特性を活かし、耐摩耗性と耐酸化性能を向上させた炭化ケイ素結合カーボンナノチューブ固化体とその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリカルボシラン8重量％乃至80重量％とカーボンナノチューブ92重量％乃至20重量％とを混合して被覆カーボンナノチューブを作る被覆工程と、ポリカルボシラン被膜の表面を架橋反応する架橋反応工程と、架橋された被覆カーボンナノチューブを800℃乃至1600℃の温度範囲で、非酸化性雰囲気中で熱処理する焼成工程とを有する。これにより、カーボンナノチューブＣ₁乃至Ｃ_Nが96重量％乃至30重量％と炭化ケイ素Ｓ₁乃至Ｓ_(N-1)が4重量％乃至70重量％からなる固化体であって、かさ密度1.3g/cm³以上である炭化ケイ素結合カーボンナノチューブ固化体が得られる。 （もっと読む）

ケイ素炭素化合物を形成する方法。ケイ素源が環境に導入される。ケイ素粒子がケイ素源から形成される。１つ又は複数の炭化水素がケイ素源とは別々に環境に導入され、それにより１つ又は複数のケイ素炭素化合物が形成される。ケイ素粒子が炭化水素源と一緒になる前にケイ素粒子のサイズを最小にするために、解離エンハンサーを環境に導入することができる。
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【課題】触媒や超音波照射を用いることなく、高純度の炭化ケイ素粉末、および、炭化ケ
イ素と炭素が均質に混合分散された不純物の少ない混合粉末を、簡便に製造する方法を提
供すること。
【解決手段】加熱して炭化ケイ素を生成する前駆体の製造方法として、有機ケイ素化合物
のオリゴマー、炭素または炭素化合物、および、水を混合し、かつ、触媒を添加しないこ
とを特徴とする液状前駆体物質の製造方法。この液状前駆体物質またそれを加熱して得ら
れるゲル状前駆体物質を１０００℃以上の温度で熱分解することによって炭化ケイ素、ま
たは、炭化ケイ素と炭素の混合物を製造する。
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【課題】 本発明は、不純物が少なくシャープな粒度分布を有すると共に、優れた成形性を有する炭化ケイ素粉末を安価に得ることのできる改良された炭化ケイ素粉末の製造法を提供する。
【解決手段】 シリカ還元法における炭化ケイ素粉末の製造法において、出発原料としてシリカ粒子粉末の粒子表面が表面改質剤によって被覆されていると共に該表面改質剤被覆シリカ粒子表面に炭素粉末が付着している複合粒子粉末を用いる炭化ケイ素粉末の製造法である。 （もっと読む）

【課題】内部に窒化ホウ素被覆強化繊維を組み込んだセラミック母材複合材が提供される。
【解決手段】窒化ホウ素被覆繊維、およびこのような繊維を含む複合材物品が記載される。これらの繊維は、処理工程間でパージする必要なしに一つの連続したプロセスで脱サイズ剤化および被覆できる。繊維は、アンモニア雰囲気中で加熱し、次いで、ホウ素供給源と窒素供給源とを含む反応混合物と接触させることができる。一旦被覆すると、繊維は、セラミック母材複合材中に使用できる。 （もっと読む）

ハニカム構造体の製造方法であって、（１）平均粒径が２μｍ以上、ハニカムリブ厚×０．２３以下であり、粒度分布の対数標準偏差が０．１５以上０．４０以下である炭化珪素粒子に水を添加し、混練して原料混練物とし（ステップＳ１１）、（２）原料混練物を押出し成形法によって、押出してハニカム状の押出し成形体とし（ステップＳ１２）、（３）押出し成形体を乾燥し（ステップＳ１３）、仮焼し（ステップＳ１４）、焼成する（ステップＳ１５）。
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【課題】
現状では、壁厚が10μｍ以下の任意の壁厚に制御してSiCマイクロチューブを製造することが困難であり、工業的に量産されている直径15μｍのSiC繊維を、用途に適した任意の壁厚に制御して中空化することは不可能である。
【解決手段】
ケイ素系高分子繊維を冷却しながら電離放射線を照射することにより表面のみ酸化し、酸化部分を熱処理により架橋した後、有機溶媒により繊維中心部の未架橋部分を抽出して中空繊維とし、これを不活性ガス中で焼成して、壁厚（チューブの肉厚）SiCが2〜１０μｍの炭化ケイ素(SiC)マイクロチューブを製造する。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、珪砂とコークスから精製した炭化珪素を製造することを目的としたものである。
【解決手段】 この発明は、コークスと珪砂の混合物をゼットガス炉に送り込み、その上部からゼットガスバーナーでゼットガス炎を吹きつけて、８００℃〜１２００℃に加熱し、珪砂の酸素を分離して炭化珪素を精製することを特徴とした炭化珪素の精製方法により目的を達成した。 （もっと読む）

【課題】 モノシラン（ＳｉＨ_４）、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）等の特殊高圧ガスに比べて安全性に優れたモノメチルシラン（ＳｉＨ_３ＣＨ_３）等の有機シランを用いて、高品質の炭化珪素薄膜を得ることができる炭化珪素薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板の表面にＣＶＤ法によりＳｉＣ薄膜を成膜する方法であり、シリコン基板が載置された反応装置内にプロパン（Ｃ_３Ｈ_８）ガスを導入する第１工程（I）と、反応装置内にプロパン（Ｃ_３Ｈ_８）ガスとヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）とを導入する第２工程（II）と、反応装置内にヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）を導入する第３工程（III）とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
従来、ポリカルボシラン繊維に空気中で放射線を照射して表面のみを酸化させ、繊維表面を架橋させた後、有機溶媒により繊維中心部の未架橋部分を抽出し、中空繊維とし、これを不活性ガス中で焼成することにより、マイクロＳｉＣチューブとする。しかし、壁厚が１０ミクロン以下のセラミックチューブを製造することが困難である。
【解決手段】
ポリカルボシランとポリビニルシランからなるポリマーブレンド繊維を電離放射線により表面のみ酸化架橋し、有機溶媒により繊維中心部の未架橋部分を抽出して中空繊維とし、これを不活性ガス中で焼成して、壁厚が５ミクロン以下のマイクロ炭化ケイ素セラミックチューブを製造する。 （もっと読む）

本発明は、レーザ（１０）によって発せられる光線（１１）と注入装置（１４）によって放出される反応剤の流れ（１３）との少なくとも１つの相互作用ゾーンにおいて、熱分解性レーザの作用により、連続流の中でナノメートルサイズ又はサブミクロンサイズの粉体を製造するためのシステムに関し、本システムでは、レーザの後に光学手段（１２）が設けられており、レーザによって発せられた光線のエネルギーを、各反応剤の流れの軸に対して垂直な軸に沿って、前記少なくとも１つの相互作用ゾーン内で寸法が調節可能な細長い断面に分布させることができる。本発明は、前記粉体の製造方法にも関する。
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