【課題】オゾンの生成において、オゾン生成に伴う副産物を抑制すると共に、オゾンの生成効率を向上させて、オゾン生成に必要となるエネルギーの低減を課題とする。
【解決手段】電極間に高電圧を印加してオゾンを生成する無声放電もしくは沿面放電によるオゾン生成装置において、電極にオゾン生成を促進する触媒を含むものであって、該触媒が窒素、アルゴン、アンチモン、ビスマスのいずれか１種もしくは複数種類の混合物であるオゾン発生装置を構成する。そして、電極に、気体吸着もしくは蒸着、貼り付け、もしくは合金化により触媒層を構成する。さらには、触媒層上面に導電層を構成する。 （もっと読む）

本発明は、触媒、触媒製造方法、マイクロチャネル反応器製造方法及び化学反応実施方法を報告する。（低表面積）熱成長アルミナ層上に触媒材料を直接付着させることによって形成された触媒から、優れた性能を達成することができることが見出された。また、酸化的脱水素の改良型実施方法も報告される。
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【課題】 １５０℃以上２００℃未満という低温度域にて、触媒の存在下に、排ガス中の窒素酸化物を還元剤を用いて還元除去する脱硝処理と排ガス中の臭気成分を分解除去する脱臭処理とを同時に、しかも効率よく行えるようにした排ガスの処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】 触媒として、（Ａ）Ｔｉ−Ｓｉ複合酸化物および／またはＴｉ−Ｚｒ複合酸化物、および（Ｂ）マンガンの酸化物を含む触媒、あるいは上記成分（Ａ）、（Ｂ）に加えて、（Ｃ）銅、クロム、鉄、バナジウム、タングステン、ニッケルおよびモリブデンから選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物を含む触媒を用いる。 （もっと読む）

【課題】 排ガス中の窒素酸化物を、触媒の存在下に、アンモニア等を用い、排ガス温度が１５０℃以上２００℃未満という低温度域で効率よく還元除去する方法を提供する。
【解決手段】 触媒として、（Ａ）Ｔｉ−Ｓｉ複合酸化物および／またはＴｉ−Ｚｒ複合酸化物、および（Ｂ）Ｍｎの酸化物を含む触媒、あるいは（Ａ）Ｔｉ−Ｓｉ複合酸化物および／またはＴｉ−Ｚｒ複合酸化物、（Ｂ）Ｍｎの酸化物、および（Ｃ）Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｖ、Ｗ、ＮｉおよびＭｏから選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物を含む触媒を用いる。 （もっと読む）

【課題】 触媒金属を堆積させる基板に依存することなく、基板を用いない場合でさえも、容易且つ確実にＣＮＴを形成する。
【解決手段】 触媒微粒子生成システムを用いて、シリコン基板１の絶縁膜２上にチタン・コバルト複合微粒子３を堆積した後、ＣＶＤ法によりチタン・コバルト複合微粒子３からＣＮＴ４を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 排ガス中の臭気成分を、触媒の存在下に、排ガス温度が１５０℃以上２００℃未満という低温度域で、効率よく分解除去する排ガスの処理方法を提供する。
【解決手段】 触媒として、（Ａ）Ｔｉ−Ｓｉ複合酸化物および／またはＴｉ−Ｚｒ複合酸化物、および（Ｂ）Ｍｎ、Ｃｕ、Ｃｒ、ＦｅおよびＮｉから選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物を含む触媒を用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の一表面上の絶縁層上における各触媒金属部の近傍に電界発生用の金属電極を設けることなしに半導体基板の一表面に平行な面内で所望の方向にカーボンナノチューブを成長可能なカーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の一表面上の絶縁層２上において互いに離間して形成した対となる触媒金属部４，４間にカーボンナノチューブ５を成長させるにあたり、対となる触媒金属部４，４の形成前に、半導体基板１の一表面側に対となる触媒金属部４，４間への電界発生用であり対となる高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂを形成しておき、対となる触媒金属部４，４の形成後に、対となる高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂ間に電圧を印加することで対となる触媒金属部４，４間に電界を発生させ且つ絶縁層２の表面側に炭素を含む原料ガスを供給して対となる触媒金属部４，４間にカーボンナノチューブ５を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 従来のカーボンナノチューブの製造設備にて低コストでカーボンナノチューブ密度制御を行える方法を提供する。
【解決手段】 触媒金属層を有する基板を熱化学気相蒸着装置に入れ、同装置内に不活性ガスおよび原料ガスを供給し、熱化学気相蒸着法により触媒金属層を微粒化すると共に生成した触媒微粒子にカーホンナノチューブを成長させる。その際、供給する原料ガスの濃度変化量を制御することでカーホンナノチューブの成長密度を制御する。「濃度変化量」とは供給する原料ガスの時間に対する変化量を意味する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、単層カーボンナノチューブのみを比較的低温で、効率よく高純度に製造でき、生成速度が速く、量産性に優れた単層カーボンナノチューブの製造方法および製造装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
基板の表面をクリーニングする工程と、クリーニングされた基板の表面に、触媒材料を形成する工程と、続いてカーボンナノチューブを形成する工程と、その後、形成された不純物を削減する工程とを含むカーボンナノチューブの製造方法において、触媒材料を形成する工程で、触媒材料を形成する前に、前記クリーニングされた基板の表面に、基板の表面と触媒材料との反応を防止するための反応防止層を形成し、触媒材料形成後、その上に分散材料を形成する。 （もっと読む）

【課題】初期状態での触媒活性が高く、過酷な雰囲気下においても安定に使用できる合金触媒を提供する。また、初期状態において、基材上に貴金属と遷移金属との合金を担持した合金触媒を得られる合金触媒の調製方法を提供する。
【解決手段】Al₂O₃、SiO₂、チタニア、ジルコニア、セリア又はこれらの複合化合物を含む金属酸化物から形成される基材と、基材上に担持されると共に、初期状態において少なくとも貴金属と遷移金属とがその一部又は全部で合金形成された触媒活性成分と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブの成長密度の調節とカーボンナノチューブの均一性とを容易に向上させ得る触媒ベースを形成する新たな方法、そして、そのような触媒ベースの形成方法を利用したカーボンナノチューブの合成方法を提供する。
【解決手段】触媒金属前駆体、固形分及びビークルを含む前駆体ペーストを基板上に付着させるステップと、基板上に付着された前駆体ペーストのうち、触媒金属前駆体を還元させて触媒金属粒子を形成するステップとを含む触媒ベースの形成方法。 （もっと読む）

【課題】 耐カリウム腐食性に優れる触媒担体として好適なステンレス鋼板とその有利な製造方法、およびそのステンレス鋼板を素材としたＮＯx吸蔵触媒用担体を提供する。
【解決手段】 Ｃ：0.05mass％以下、Si：2.0mass％以下、Mn：1.0mass％以下、Cr：13.0〜25.0mass％、Al：3.0〜8.0mass％、Ｎ：0.10mass％以下、Ti：0.03mass％以下、Zr：0.005〜0.30mass％、REM：0.01〜0.3mass％を含有するステンレス鋼板を、酸素分圧が10Pa以上の雰囲気下で、900℃以上で10時間以上の熱処理を行うことにより、鋼板表面に柱状晶のα-Al₂Ｏ₃皮膜を生成させる。 （もっと読む）