【課題】 なし
【解決手段】
多座配位子に付随した半導体ナノクリスタル。該多座配位子は、該ナノクリスタルを安定化する。
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本発明は新規の銅（Ｉ）または銀（Ｉ）錯体、及び不純物をほとんど含まない金属銅または銀の気相化学蒸着（gas-phase chemical deposition）のためのこれらの使用に関する。 （もっと読む）

【解決手段】 有機金属化合物から有機金属化合物よりも蒸気圧の高い不純物を蒸留精製で除去する場合において、有機金属化合物の蒸気中に不活性ガスを流通させることを特徴とする有機金属化合物の精製方法。
【効果】 本発明方法によれば、有機金属化合物中の蒸気圧の高い不純物を高効率及び容易に除去できるという工業的利益が発揮される。また、高純度化された精製物をエピタキシャル成長させると、高性能な半導体を製造することができる。 （もっと読む）

本発明は、[BF₃(C_ｎF_２ｎ＋１)]⁻（式中、ｎは２、３または４を示す）からなる群から選ばれる少なくとも１種のアニオンと少なくとも１種の有機アンモニウムイオンからなるイオン性液体に関する。 （もっと読む）

式：
Ｌ_nＣｕ（ＨＣＯＯ）・ｘＨＣＯＯＨ
［但し、ｘが、０〜１０の範囲にあり、
ｎが、１、２、３又は４を表し、そして
ｎ個のリガンドＬが、相互に独立して、それぞれ下記のリガンド：
式：Ｒ¹Ｒ²Ｒ³Ｐで表されるホスファン；
式：（Ｒ¹Ｏ）（Ｒ²Ｏ）（Ｒ³Ｏ）Ｐで表されるホスフィット；
式：Ｒ¹−ＮＣで表されるイソシアニド；
式：Ｒ¹Ｒ²Ｃ＝ＣＲ³Ｒ⁴で表されるアルケン；又は
式：Ｒ¹Ｃ≡ＣＲ²で表されるアルキン；
｛但し、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴が、相互に独立して、水素、直鎖又は分岐の、所望により部分的に又は完全にフッ素化されたアルキル、アミノアルキル、アルコキシアルキル、ヒドロキシアルキル、ホスフィノアルキル又はアリール基を表し、各基の炭素原子数が１〜２０である。｝の１種を表す。］で表される銅（Ｉ）ホルマート錯体で、且つこの銅（Ｉ）ホルマート錯体から、トリフェニルホスフィン銅（Ｉ）ホルマート及び１，１，１−トリス（ジフェニルホスフィノメチル）エタン銅（Ｉ）ホルマートを除いた銅（Ｉ）ホルマート錯体；を分解して、金属銅を析出させる。 （もっと読む）

本発明は、新しいタイプの金属錯体に関する。前記化合物は、最も広い意味におけるエレクトロニクス産業内で分類することができる一連の異なるタイプの応用における活性成分(=機能性材料)として使用され得る。
本発明の化合物は、構造式1および式1〜60によって記載されている。 （もっと読む）