【課題】製造費用が低く、簡便な工程で導電配線形成用の有機銀組成物溶液を製造し、これより製造される安定化されたインクを提供し、尚、これを以ってインクジェットプリンターを用いた導電配線を形成する方法を提供する。
【解決手段】本発明の有機銀組成物溶液は、酸化銀をアミン系化合物とラクトン系化合物（またはラクタム系化合物、カーボネート系化合物、環状酸無水物系化合物）とで反応させて溶解して製造することができ、それにインクジェットプリンターの適合した液流動性を確保するためにアルコールのような有機溶媒、界面活性剤などを添加してインクを製造した。 （もっと読む）

本発明は中性のルイス塩基、たとえばアルケンまたはアルキンにより安定化されたシュウ酸二銅（Ｉ）錯体および中性のルイス塩基としてアルキン、アルケン、トリアリールホスフィン、ＣＯおよびイソニトリルを使用する、金属銅を析出するための前駆物質としてのシュウ酸二銅（Ｉ）錯体の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】湿式成膜法により安定性の高い均一な膜を成膜可能で、良好な電荷輸送性を有し、更に優れた電子注入性を兼ね備えた有機電荷輸送性化合物及びその製造方法、及び当該有機電荷輸送性化合物を用いた素子特性が向上した有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】有機電荷輸送性化合物は、下記一般式（１）で表され、当該化合物を少なくとも１つの有機層に含む有機電子デバイスである。


（Ｘは、フッ素原子又はトリフルオロメチル基を表し、Ｙは、Ｂ、Ｎ、Ｓｉ、Ｏ、Ｓｅ、Ｐ、及びＧｅのいずれかの元素を表す。Ａｒは、置換基を有していても良いアリール基又は置換基を有していても良い複素環基を表す。Ｚは、−Ｙ−（Ａｒ）_ｍ、又は、水素原子、フッ素以外のハロゲン原子、アルキル基等である。ｎは、１〜２０の数を表し、ｍは、１以上の整数である。） （もっと読む）

【課題】ハロゲン化ガリウムのアルキル化によりトリアルキルガリウムを合成できる簡便な方法を提供する。
【解決手段】マグネシウムを真空下で加熱する第１の工程と、少なくとも１種の溶媒中で、真空加熱処理されたマグネシウムと、少なくとも１種のハロゲン化ガリウムと、少なくとも１種のハロゲン化アルキルとを反応させることによりトリアルキルガリウムを合成する第２の工程とを含むトリアルキルガリウムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ガリウムとマグネシウムとハロゲン化アルキルとの反応によりトリアルキルガリウムを製造する方法であって、ガリウム−マグネシウム合金を用いることなく、溶媒として炭化水素化合物を用い、かつハロゲン化アルキルとして塩化アルキルを用いても、収率良くトリアルキルガリウムを得ることができる方法を提供する。
【解決手段】マグネシウムと溶融状態のガリウムとの混合物を真空下で加熱する第１の工程と、少なくとも１種の炭化水素化合物中で、真空加熱された上記混合物と、少なくとも１種の塩化アルキルとを反応させることによりトリアルキルガリウムを合成する第２の工程とを含むトリアルキルガリウムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ガリウム−マグネシウム合金を用いることなく、ガリウムとマグネシウムと塩化アルキルとの反応によりトリアルキルガリウムを高収率で製造できる方法を提供する。
【解決手段】マグネシウムと溶融状態のガリウムとの混合物を真空下で加熱する第１の工程と、少なくとも１種のエーテル化合物中で、真空加熱された上記混合物と塩化アルキルとを反応させることによりトリアルキルガリウムを合成する第２の工程とを含むトリアルキルガリウムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】トリアルキルガリウムの製造原料として従来用いられていない新たなガリウム原料を用いて収率良くトリアルキルガリウムを製造できる方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）
Ｇａ_２Ｒ_ｍＸ_６−ｍ (１）
（式中、Ｒはメチル基又はエチル基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。ｍは１〜５の整数を示す）
で表される少なくとも１種のハロゲン化アルキルガリウム化合物と、少なくとも１種のアルキル金属化合物とを反応させることによりトリアルキルガリウム化合物を合成するトリアルキルガリウムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】反応溶媒としてエーテルを使用せず又は殆ど使用せずに、合金にしないガリウム及びマグネシウムからトリアルキルガリウムを高収率で製造できる方法を提供する。
【解決手段】マグネシウムと溶融状態のガリウムとの混合物を真空下で加熱する第１の工程と、少なくとも１種の炭化水素化合物中で、真空加熱された上記混合物と、ヨウ化アルキル及び臭化アルキルからなる群より選ばれる少なくとも１種のハロゲン化アルキルとを反応させることによりトリアルキルガリウムを合成する第２の工程とを含むトリアルキルガリウムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 フルオレン骨格の３，６位に電子供与基を持たない９−置換フルオレン誘導体を提供する。
【解決手段】 本発明の９−置換フルオレン誘導体は、フルオレンの９位の炭素を電気的に陽性な元素に置換した、下記式（１）で表されるものである。式（１）中、Ｅは置換基の結合したホウ素又は１４族元素であり、Ｘはフッ素以外のハロゲンである。式（１）の９−置換フルオレン誘導体は、例えば、Ｐｄ触媒存在下でのアリールスズ化合物やアセチレン化合物とのクロスカップリング反応などにより、Ｘをアリール基等に置換したπ電子系化合物へと容易に誘導することができる。かかるπ電子系化合物は、電子供与基を持たないため電子輸送材料として好適であり、また発光材料などとしても有用である。
【化１】
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【課題】 安定性が大幅に改善され、即ち、予め大量生産していても問題が少なく、そして成膜した場合には、Ａｌ系膜が均一に形成され、特に穴や溝の底面部にも、均一にＡｌ系膜が形成される技術を提供することである。
【解決手段】 下記の一般式［Ｉ］で表される化合物。
一般式［Ｉ］
ＣＨ_３ＡｌＨ_２：Ｌ
［但し、一般式［Ｉ］中、Ｌはアルキルアミンである。］ （もっと読む）

【課題】 テトラフルオロホウ酸アニオン又はヘキサフルオロリン酸アニオンを構成成分とするイオン液体に比べて粘度が低く、かつ、加水分解を起こしにくいイオン液体を提供する。
【解決手段】 式（１）又は（４）で示され、融点が５０℃以下のイオン液体。
【化１】


〔Ｒ¹〜Ｒ⁴はもしくは異種の炭素数１〜５のアルキル基又はＲ′−Ｏ−（ＣＨ₂）_n−で表されるアルコキシアルキル基（Ｒ′はメチル又はエチル基を示し、ｎは１〜４の整数である。）を示し、Ｒ¹〜Ｒ⁴のいずれか２個の基がＸと共に環を形成していてもよい。ただし、Ｒ¹〜Ｒ⁴の少なくとも１つはアルコキシアルキル基である。Ｘは窒素原子又はリン原子を、Ｒ_Fは炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基を示し、ａは１〜４の整数、ｂは１〜６の整数である（ａ，ｂが２以上の場合、Ｒ_Fは互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ_Fが相互に結合してホウ素原子又はリン原子と共に環を形成していてもよい。）。〕 （もっと読む）

本発明は、式（Ｉ）によって表される有機アルミニウム前駆体化合物に関する。式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３及びＲ_４は同一又は異なり、それぞれ水素又は炭素原子１〜約３個を有するアルキル基を表し、Ｒ_５は炭素原子１〜約３個を有するアルキル基を表す。本発明は、有機アルミニウム前駆体化合物を製造する方法、及びこの有機アルミニウム前駆体化合物から被膜又はコーティングを製造する方法にも関する。

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【課題】 Ｎ−アルキルボラジンに含まれるＮ−アルキルシクロボラザンやボロンエーテル化合物を除去する手段を提供する。
【解決手段】 Ｎ−アルキルボラジンを蒸留精製する段階と、Ｎ−アルキルボラジン中に析出した化合物を濾過により除去する段階とを含む、純度９９．９質量％以上のＮ−アルキルボラジンの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】長期間の貯蔵性を有して、更なる事前処理無しに被覆溶液を調製するために直ちに使用され得るＹＢＣＯ系超伝導体の調製のための前駆原料として適合する事前混合された粉末状前駆組成物の提供。
【解決手段】ＲＥ：Ｂａ：Ｃｕ＝ １：２：３の原子比を伴った各元素の塩からなる混合物を含む粉末状の前駆原料組成物からなり、その粉末前駆組成は、構成要素の適切な塩、特にトリフルオロ酢酸塩、酢酸塩またはそれらの混合物の形態で存在する。好ましくは、事前混合された粉末状前駆組成物内の含水量は１．５ｗｔ％未満であり、より好ましくは１ｗｔ％未満である。より少ない含水量は長期の貯蔵性を支援すると考えられる。 （もっと読む）

【課題】電子デバイス被着フィルム前駆物質の提供。
【解決手段】銅、銀、金、コバルト、ルテニウム、ロジウム、白金、パラジウム、ニッケル、オスミウム又はインジウムを含有する金属ケトイミナート又はジイミナート錯体と、その製造及び使用方法が、ここに記載される。一部の態様においては、ここに記載され金属錯体は、例えば原子層堆積又は化学蒸着条件により基材上に金属又は金属含有フィルムを被着させるための前駆物質として使用可能である。 （もっと読む）

【課題】 良好な分子間キャリア移動を実現する半導体膜を溶液から成膜することのできるポルフィリン化合物及びその製造方法、有機半導体膜及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 下記一般式［I］又は［II］で示されるポルフィリン化合物を、ピロールと、アルデヒドＲ^BＣＨＯ及び下記一般式［IV］で示されるオリゴチオフェンカルバルデヒドとの反応などで合成する。この化合物が極性溶媒に溶解している溶液と、無極性或いは低極性溶媒とを混合した後、この混合液を塗布して溶媒を蒸発させ、有機半導体膜を形成する。
【化１】


【化２】


［一般式［I］、［II］又は［IV］において、Ｒ¹〜Ｒ⁸は、互いに同一の若しくは異なる、炭素数が１〜１０のアルキル基であり、ａ〜ｆは、互いに同一の若しくは異なる１〜６の整数であり、Ｍは金属イオンであり、Ｒ^Aは、炭素数が１〜１０の置換若しくは非置換のアルキル基であり、ｎは１〜６の整数である。］ （もっと読む）

【課題】ＳｒＢｉ_２Ｔａ_２Ｏ_９またはＳｒＢｉ_２（Ｔａ，Ｎｂ）_２Ｏ_９の強誘電体膜をＭＯＣＶＤ法で製造するための原料として、不純物濃度Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｎの各々≦５０ｐｐｂ、Ｂａ≦５００ｐｐｂと高純度であるＳｒ［Ｍ（ＯＣ_２Ｈ_５）_５（ＯＣ_２Ｈ_４ＯＣＨ_３）］_２（Ｍ＝Ｎｂ，Ｔａ）の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｒとエタノールを反応させて得たＳｒ（ＯＣ_２Ｈ_５）_２をエタノール中で再結晶し、次いで、回収したＳｒ（ＯＣ_２Ｈ_５）_２と過剰のメトキシエタノールを反応させ、Ｓｒ（ＯＣ_２Ｈ_４ＯＣＨ_３）_２に変換し、次いでこのＳｒ（ＯＣ_２Ｈ_４ＯＣＨ_３）_２１モルとＭ（ＯＣ_２Ｈ_５）_５２モルと反応させ、Ｓｒ［Ｍ（ＯＣ_２Ｈ_５）_５（ＯＣ_２Ｈ_４ＯＣＨ_３）］_２を合成し、次いでこのＳｒＭダブルアルコキシドを精密蒸留する。 （もっと読む）

【課題】合成、そして薄膜等への成形が容易で、高い機能を有し、発光材料や触媒材料、電子材料等に有用な、新しいデンドリマー物質を提供する。
【解決手段】電子供与性の結合または原子を含むデンドリマーもしくはデンドロンに、有機化合物および有機金属化合物の１種以上のカチオンもしくはカチオンラジカルが内包あるいは複合化されている有機・有機金属化合物内包デンドリマーとする。 （もっと読む）

【課題】 所望の組成を有する多成分系のランタニド系複合酸化物薄膜を安定して得る。
【解決手段】 ランタニド系金属及び他の金属を含む薄膜製造用ＣＶＤ原料であり、Ｌｎ（β−ｄｉｋ）₃・Ｌ・・・（Ｉ）で示される化合物（但し、Ｌｎはランタニド系金属原子、β−ｄｉｋはジピバロイルメタン（ＤＰＭ）、ジイソブチリルメタン、イソブチリルピバロイルメタン、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−オクタンジオン（ＴＭＯＤ）、アセチルアセトン、６−エチル−２，２−ジメチル−３，５−オクタンジオン、５−メチル−２，４−ヘキサンジオン及び５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオン等のβ−ジケトン類、Ｌは１，１０−フェナントロリン、２，２'−ビピリジル及びそれらの誘導体等の中性配位子。）並びに他の金属を含む有機金属化合物を溶媒に溶解して得られ、式（Ｉ）の化合物を熱重量天秤分析（ＴＧ）にかけて得られるΔＴＧグラフは１つの気化点ピークのみを有するＣＶＤ原料及びこれを用いた薄膜の製造方法。 （もっと読む）

半導体デバイスの製造時に銅薄膜を形成するための銅（Ｉ）アミジナート前駆体、および化学蒸着法または原子層堆積法を使用して、銅（Ｉ）アミジナート前駆体を基板上に堆積する方法を開示する。
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