【課題】簡便な方法によって、高純度トリアルキルガリウム及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】トリアルキルアルミニウムとトリハロゲノがリウムを還流させながら反応させた後、適正な還流比で蒸留することにより、主留分として炭化水素の合計含有量が４質量ｐｐｍ未満で、且つケイ素原子の含有量が０．０５質量ｐｐｍ以下である高純度トリアルキルガリウムを得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】銅、銀、金、コバルト、ルテニウム、ロジウム、白金、パラジウム、ニッケル、オスミウム又はインジウムを含有する金属ケトイミナート又はジイミナート錯体と、その製造及び使用方法の提供。
【解決手段】Ｃｕ（Ｉ）ケトイミナート錯体、例えばＣｕ（ＭｅＣ（Ｏ）ＣＨＣ（ＮＣＨ2ＣＨ2ＯＳｉＭｅ2（Ｃ2Ｈ3））Ｍｅ）の合成は、１種以上の塩基を用いて、アミンとβ−ジケトン化合物との反応由来のβ−ケトイミン中間生成物を脱プロトン化するか、又はβ−ケトイミン中間生成物とアミンもしくはアンモニアとの反応由来のβ−ジイミン中間生成物を脱プロトン化して、その後Ｃｕ（Ｉ）に対しキレート化してそれぞれβ−ケトイミン又はβ−ジイミン錯体のいずれかを生じさせることによって、Ｃｕ（Ｉ）錯体を調製することで得られる。 （もっと読む）

【課題】優れた耐酸化性を有し、塗布法による半導体活性相形成が可能な、ヘテロアセン誘導体、及びそれを用いた耐酸化性有機半導体材料並びに有機薄膜を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示されるヘテロアセン誘導体。


（ここで、置換基Ｒ^１〜Ｒ^４は同一又は異なって、水素原子、フッ素原子、塩素原子、炭素数４〜３０のアリール基、炭素数６〜２０のアルキル基、を示し、Ｔ^１及びＴ^２は同一又は異なって、硫黄、セレン、テルル、リン、ホウ素を示し、ｌ及びｍは、各々０又は１の整数） （もっと読む）

【課題】簡易な方法でシアノ架橋金属錯体の微細加工を行うこと。
【解決手段】基板表面に形成されたシアノ架橋金属錯体製の試料（４）と、前記試料（４）を支持して移動させる試料移動装置（２ｂ）と、前記試料（４）に対して、パルス幅がフェムト秒のレーザー光であるフェムト秒レーザ光を、予め設定された閾値以上のエネルギー強度で照射するレーザー光源（２ｃ）と、前記試料移動装置（２ｂ）を制御して、前記試料（４）の被加工位置（６）を、前記フェムト秒レーザー光照射位置（６）に移動させる加工位置制御手段（Ｃ２）、を有する制御装置（３）と、を備えたシアノ架橋金属錯体の微細加工装置（１）。 （もっと読む）

【課題】ボラジン化合物の製造を、高い収率でかつ、安定的に再現性よく実施する。
【解決手段】ホウ素化合物ＡＢＨ_４（Ａは、リチウム原子、ナトリウム原子またはカリウム原子である）で表される水素化ホウ素アルカリと、（ＲＮＨ_３）_nＸ（Ｒは水素原子またはアルキル基であり、Ｘはハロゲン原子または硫酸基であり、ｎは１または２である）で表されるアミン塩とを溶媒中で反応させてボラジン化合物を製造する方法において使用できる、水酸基価が１０以下であるボラジン化合物製造用溶媒。 （もっと読む）

本明細書には希土類金属含有層を堆積するための方法および組成が記載されている。一般的に、開示した方法は化学気相堆積または原子層堆積のような堆積法を用いて希土類含有化合物を含む前駆体化合物を堆積する。開示した前駆体化合物は、置換基として少なくとも１種の脂肪族基を有するシクロペンタジエニルリガンドおよびアミジンリガンドを含む。 （もっと読む）

【課題】高いキャリア移動度と安定性を有し、容易なプロセスで作製可能な有機半導体材料及び有機デバイスを提供する。
【解決手段】下記一般式で表されるポルフィリン２量体を含む有機半導体材料、及び、ビシクロ構造を有する前駆体としてのポルフィリン２量体を溶媒に溶解した溶液を基板上に塗布し、加熱することにより、上記ポルフィリン２量体に変換する有機半導体材料の製造方法、並びに、半導体層と２以上の電極とを有する有機電子デバイスにおいて、該半導体層が上記有機半導体材料を含む有機電子デバイス。
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【課題】有機第四級アンモニウム塩、特に、テトラフルオロホウ酸第四級アンモニウム塩の製造において、生産の安全性、環境面とコスト面に優れる製造方法を提供すること。
【解決手段】同一温度における、テトラフルオロホウ酸第四級アンモニウム塩との水への溶解度の比がいずれも１．０以上であり、且つ、水に対する溶解度がいずれも０．１５ｍｏｌ／１００ｇ水以上である原料のテトラフルオロホウ酸塩および第四級アンモニウム塩とを水溶媒で反応させ、冷却後、遠心分離して目的物を回収する。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ法又はＣＶＤ法において、金属銅の成長速度を大きくすることができる銅前駆体並びにその製造及び使用方法を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表されるケイ素化合物の銅錯体を前駆体として使用し、基材上に銅膜及び銅合金を堆積させることができる。


（式中、Ｘは酸素及びＮＲ5を、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ5は水素又はアルキル基等を、Ｒ4はＯＣＨＭｅＣＨ2基等を、Ｌはビニルジメチルシリル基等を表す） （もっと読む）

【課題】電子デバイス等の製造工程で必要な銅薄膜を安全、安価、かつ容易に形成できる銅化合物を提供する。
【解決手段】本発明は、分解温度が１００〜３００℃の範囲であって、下記式（１）：［Ｒ¹ＣＯＯ］_n［ＮＨ₃］_mＣｕＸ¹_p（１）（但し、ｎは１〜３、ｍは１〜３、ｐは０〜１、Ｘ¹はＮＨ₄⁺、Ｈ₂Ｏ、又は溶媒分子、及びＲ¹はＨ，ＣＨ₂Ｘ²，又はＣＨ₂Ｘ²（ＣＨＸ²）_qを表わし、同じであっても異なっていても良く、ｑは１〜４、又はｎは２であって、２個の［Ｒ¹ＣＯＯ］は一緒になって下記式（２）を表わし、［−ＯＯＣ−Ｒ⁵−ＣＯＯ−］（２）、Ｒ⁵は−（ＣＨＸ²）_r−、Ｘ²は、Ｈ，ＯＨ，又はＮＨ₂、ｒは０〜４）で表される単位が複数連結した銅化合物である。 （もっと読む）

【課題】Ｎ−アルキルボラジンの製造の際に、合成の終了後の蒸留精製時に蒸留装置の冷却部に析出物が付着する問題を解決し、生産性を向上させる手段を提供する。
【解決手段】ＡＢＨ_４（Ａは、リチウム原子、ナトリウム原子またはカリウム原子である）で表される水素化ホウ素アルカリと、（ＲＮＨ_３）_ｎＸ（Ｒはアルキル基であり、Ｘは硫酸基またはハロゲン原子であり、ｎは１または２である）で表されるアミン塩とを、溶媒中で反応させてＮ−アルキルボラジンを合成する工程を含むＮ−アルキルボラジンの製造方法であって、前記Ｎ−アルキルボラジンを含む液であり、かつＲＮＨ_２−ＢＨ_３（Ｒはアルキル基である）で表されるアミンボランの含有量が前記Ｎ−アルキルボラジンに対して３ｍｏｌ％以下である液を蒸留することによってＮ−アルキルボラジンを精製する工程を含む、Ｎ−アルキルボラジンの製造方法である。 （もっと読む）

式（Ｉ）［式中、Ｘは、単結合、ＣＲ_aＲ_bＯ、Ｓ、ＮＲ_c、ＮＣＯＲ_c、ＣＯ、ＳＯ又はＳＯ₂であり；Ｌ、Ｌ₁、Ｌ₂、Ｌ₃、Ｌ₄、Ｌ₅、Ｌ₆、Ｌ₇及びＬ₈は、例えば水素、Ｒ₁又はＣＯＴであり；Ｔは、Ｔ₁又はＯ−Ｔ₂を示し；Ｔ₁及びＴ₂は、例えば水素、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₃〜Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₂〜Ｃ₂₀アルケニル、Ｃ₅〜Ｃ₁₂シクロアルケニル、Ｃ₆〜Ｃ₁₄アリール、Ｃ₃〜Ｃ₁₂ヘテロアリール、１つ以上のＤで置換されたＣ₁〜Ｃ₂₀アルキル、１つ以上のＥで中断されたＣ₂〜Ｃ₂₀アルキル、１つ以上のＤで置換され且つ１つ以上のＥ又はＱで中断されたＣ₂〜Ｃ₂₀アルキルであり；Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ_a、Ｒ_b及びＲ_cは、Ｔ₁であり；Ｄは、例えばＲ₅、ＯＲ₅、ＳＲ₅又はＱ₁であり；Ｅは、例えばＯ、Ｓ、ＣＯＯ又はＱ₂であり；Ｒ₅及びＲ₆は、例えば水素、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル又はフェニルであり；Ｑは、例えばＣ₆〜Ｃ₁₂ビシクロアルキル、Ｃ₆〜Ｃ₁₂ビシクロアルケニル又はＣ₆〜Ｃ₁₂トリシクロアルキルであり；Ｑ₁は、例えばＣ₆〜Ｃ₁₄アリール又はＣ₃〜Ｃ₁₂ヘテロアリールであり；Ｑ₂は、例えばＣ₆〜Ｃ₁₄アリーレン又はＣ₃〜Ｃ₁₂ヘテロアリーレンであり；Ｙは、アニオンであり；及びＭは、カチオンであり；但し、Ｌ、Ｌ₁、Ｌ₂、Ｌ₃、Ｌ₄、Ｌ₅、Ｌ₆、Ｌ₇及びＬ₈の内の少なくとも１つは、水素以外であり；並びに、但し、（ｉ）Ｔ₁又はＴ₂の内の少なくとも１つは、基Ｑであり；又は（ｉｉ）少なくとも１つのＤは、基Ｑ₁であり；又は（ｉｉｉ）少なくとも１つのＥは、基Ｑ₂である］の化合物は、光潜在性触媒として適切である。
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【課題】薄膜の化学蒸着または原子層堆積に有用な有機金属化合物の提供。
【解決手段】少なくとも１つのホルムアミジナートリガンドを含有するヘテロレプティック有機金属化合物が提供される。これらのヘテロレプティック有機金属化合物は、従来の蒸着前駆体よりも改善された性質を有する。かかる化合物は、直接液体注入をはじめとする蒸着前駆体としての使用に好適である。例えばＡＬＤおよびＣＶＤ等により、かかる化合物またはそれらの有機溶媒中溶液を用いて、薄膜を堆積させる方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】室温〜５０℃で液体であり、蒸留精製が可能で、単量体で蒸気圧が高く、量産しやすいシクロペンタジエニル系ストロンチウム化合物により、ストロンチウム含有薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】Ｓｒ源として、ビス（プロピルテトラメチルシクロペンタジエニル）ストロンチウムを用いて、化学気相成長法または原子層堆積法により、ＳｒＴｉＯ₃または（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ₃膜等のストロンチウム含有薄膜を形成する。
【選択図】なし （もっと読む）

【課題】室温〜５０℃で液体であり、蒸留精製が可能で、単量体で蒸気圧が高く、量産しやすいシクロペンタジエニル系ストロンチウム化合物によるストロンチウム含有薄膜形成用原料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎａ［Ｃ₅（ＣＨ₃）₄（Ｃ₃Ｈ₇）］₂もしくはＫ［Ｃ₅（ＣＨ₃）₄（Ｃ₃Ｈ₇）］₂とＳｒＩ₂をＴＨＦ中で反応させ、Ｓｒ［Ｃ₅（ＣＨ₃）₄（Ｃ₃Ｈ₇）］₂のＴＨＦ付加体を生成させる工程と、ＴＨＦを留去し、トルエンで抽出してトルエン溶液とする工程と、トルエンを留去し、減圧乾燥する工程と、真空下で１００〜１６０℃に加熱し、ＴＨＦを解離除去した後、蒸留する工程とを経て、Ｓｒ［Ｃ₅（ＣＨ₃）₄（Ｃ₃Ｈ₇）］₂を製造する。 （もっと読む）

【課題】結晶内に金属が連続的に近接配置されたワイヤ構造を有する錯体結晶を提供する。
【解決手段】本発明に係る錯体結晶は、錯体クラスターから構成され、その錯体クラスタは、ジベンゾイルメタンベース化合物を配位子とする平面型錯体とビス（ペンタフルオロベンゾイル）メタンベース化合物を配位子とする平面型錯体とを有し、それぞれの錯体平面を対向させるように交互に配置され、各錯体の中心金属間距離は４Å以下である。錯体中心の金属は同一であっても異なってもよい。 （もっと読む）

本発明は、オキシマートのクラスから少なくとも１個の配位子を含み、アルカリ金属およびアルカリ土類金属を含まない有機金属亜鉛錯体を含む、電子部品のための印刷可能な前駆体、および調整方法に関する。本発明は、さらに、対応するプリント電子部品、好ましくは、電界効果トランジスタに関する。 （もっと読む）

【課題】サイクル特性を向上させることが可能な電池を提供する。
【解決手段】正極２１および負極２２と共に電解液を備え、正極２１と負極２２との間に設けられたセパレータ２３には電解液が含浸されている。負極２２は、負極集電体２２Ａと、その負極集電体２２Ａに設けられた負極活物質層２２Ｂと、その負極活物質層２２Ｂに設けられた被膜２２Ｃとを有している。この被膜２２Ｃは、スルホプロピオン酸二リチウムを含んでおり、それを含む溶液を用いた浸積処理あるいは塗布処理などにより形成されたものである。負極２２の化学的安定性が向上するため、被膜２２Ｃを設けない場合と比較して、電解液の分解が抑制される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、広い電位窓を有し、特に耐酸化性に優れた電気化学デバイス用電解液の溶媒として有用な非対称型ＢＦ_３錯体を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、下記一般式（１）で表されることを特徴とする非対称型ＢＦ_３錯体を提供することにより上記課題を解決する。


（一般式（１）中、Ｒ_１およびＲ_２は、炭素数１〜６のアルキル基であり、互いに同じであっても良く、異なっていても良い。また、Ｒ_１およびＲ_２は、分岐していても良く、環を形成していても良い。） （もっと読む）

【課題】吸蔵した水分子や水素のみによる向上の限界を超えた高い伝導度を実現できるプロトン伝導性の高い配位高分子錯体化合物を提供する。
【解決手段】２，３−ピラジンジカルボン酸と、トランス１，２−ビス（４−ピリジル）エチレンと、水分子とが、５配位金属イオンに配位結合して成る高分子錯体化合物であって、該錯体化合物によって形成される１次元カラム内に結晶水を含み、該結晶水の水分子と、前記配位結合している水分子とが水素結合しているプロトン伝導性配位高分子錯体化合物。 （もっと読む）