シアノ架橋金属錯体の微細加工方法およびシアノ架橋金属錯体の微細加工装置
【課題】簡易な方法でシアノ架橋金属錯体の微細加工を行うこと。
【解決手段】基板表面に形成されたシアノ架橋金属錯体製の試料（４）と、前記試料（４）を支持して移動させる試料移動装置（２ｂ）と、前記試料（４）に対して、パルス幅がフェムト秒のレーザー光であるフェムト秒レーザ光を、予め設定された閾値以上のエネルギー強度で照射するレーザー光源（２ｃ）と、前記試料移動装置（２ｂ）を制御して、前記試料（４）の被加工位置（６）を、前記フェムト秒レーザー光照射位置（６）に移動させる加工位置制御手段（Ｃ２）、を有する制御装置（３）と、を備えたシアノ架橋金属錯体の微細加工装置（１）。
【解決手段】基板表面に形成されたシアノ架橋金属錯体製の試料（４）と、前記試料（４）を支持して移動させる試料移動装置（２ｂ）と、前記試料（４）に対して、パルス幅がフェムト秒のレーザー光であるフェムト秒レーザ光を、予め設定された閾値以上のエネルギー強度で照射するレーザー光源（２ｃ）と、前記試料移動装置（２ｂ）を制御して、前記試料（４）の被加工位置（６）を、前記フェムト秒レーザー光照射位置（６）に移動させる加工位置制御手段（Ｃ２）、を有する制御装置（３）と、を備えたシアノ架橋金属錯体の微細加工装置（１）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板表面に形成されたシアノ架橋金属錯体の微細加工方法および微細加工装置に関し、特に、パルス幅がフェムト秒（１０−１５秒）オーダのフェムト秒レーザー光を利用したシアノ架橋金属錯体の微細加工方法および微細加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、シアノ架橋金属錯体は、電池の電極材料や、電圧を印加すると変色するエレクトロクロミック材料、ガスを検出するガスセンサー材料、水素吸蔵材料として期待されており、精力的な研究が成されている。この研究の結果、シアノ架橋金属錯体の均質な膜が得られている。前記シアノ架橋金属錯体の膜に、製膜後の簡単な処理で、所定のパターンに沿った形状に加工するパターンニング加工等の微細加工ができれば、その応用範囲は極めて広く、このような技術が望まれている。
一般的な半導体回路における微細加工技術として、化学薬品を使用して表面を溶かして所定のパターンに加工を行う湿式エッチング（例えば、特開平１１−５４４７６号公報等参照）や、基板上に形成された金属膜に対してレーザー光を照射して、金属を溶かして所定のパターンに加工を行うレーザアブレーション技術（例えば、特開２００５−２１２０１３号公報、特開２００３−２１１４００号公報等参照）等のエッチング技術が知られている。
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−５４４７６号公報（要約書）
【特許文献２】特開２００５−２１２０１３号公報
【特許文献３】特開２００３−２１１４００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
(従来技術の問題点)
しかしながら、前記湿式エッチング技術では、化学薬品を使用するため、試料が濡れたり、変質したりする恐れがあると共に、大規模な施設が必要となり、廃液処理の問題も発生し、環境に対する配慮が問題となる。
レーザアブレーション技術は、金属材料に対して、数百パルスのレーザー光を照射して、金属を除去する技術であるが、シアノ架橋金属錯体に対して試みられたことはこれまでなかった。これは、シアノ架橋金属錯体は、光による物性（変色特性や磁気特性等）の変化が大きい材料であることが知られているためであり、レーザー光のような光を照射すると、物性が変化してしまうものと当業者の間では考えられていたためである。
なお、光を照射すると物性が変化するとの知見に基づき、本発明者は、先に、室温で光照射を行うことでシアノ架橋金属錯体中の結晶水を脱離させて物性を変化させる発明について出願を行っている（特願２００７−１９１２５５号）。
【０００５】
本発明者は、さらに鋭意研究を行い、シアノ架橋金属錯体の物性を効率的に変化させようとしたところ、想定していなかった結果であるシアノ架橋金属錯体の物性を変化させることなく、シアノ架橋金属錯体を部分的に除去可能な本発明をするに至ったものである。
前述の事情に鑑み、本発明は、簡易な方法でシアノ架橋金属錯体の微細加工を行うことを技術的課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記技術的課題を解決するために、請求項１記載の発明のシアノ架橋金属錯体の微細加工方法は、
基板表面に形成されたシアノ架橋金属錯体に、予め設定された閾値以上のエネルギー強度のパルスレーザー光を照射して、前記シアノ架橋金属錯体を除去することを特徴とする。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のシアノ架橋金属錯体の微細加工方法において、
Ａをアルカリ金属の少なくとも一種、Ｍを遷移金属の少なくとも一種、Ｌを遷移金属の少なくとも一種、ｘを０以上２以下の数、ｙを０より大きく１以下の数、ｎを０より大きく１０以下の数とした場合に、化学式ＡｘＭ［Ｌ（ＣＮ）６］ｙ・ｎＨ２Ｏで表される前記シアノ架橋金属錯体、
を備えたことを特徴とする。
【０００８】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載のシアノ架橋金属錯体の微細加工方法において、
パルス幅がフェムト秒のレーザー光であるフェムト秒レーザー光により構成された前記パルスレーザー光を使用することを特徴とする。
【０００９】
前記技術的課題を解決するために、請求項４に記載の発明のシアノ架橋金属錯体の微細加工装置は、
基板表面に形成されたシアノ架橋金属錯体製の試料と、
前記試料を支持して移動させる試料移動装置と、
前記試料に対して、パルス幅がフェムト秒のレーザー光であるフェムト秒レーザー光を、予め設定された閾値以上のエネルギー強度で照射するレーザー光源と、
前記試料移動装置を制御して、前記試料の被加工位置を、前記フェムト秒レーザー光照射位置に移動させる加工位置制御手段、を有する制御装置と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
請求項１、４に記載の発明によれば、簡易な方法でシアノ架橋金属錯体の微細加工を行うことができる。
請求項２に記載の発明によれば、化学式ＡｘＭ［Ｌ（ＣＮ）６］ｙ・ｎＨ２Ｏで表される前記シアノ架橋金属錯体について、パルスレーザー光が照射された部分のみを除去する微細加工を行うことができる。
請求項３に記載の発明によれば、１パルス分の照射で、照射部分のシアノ架橋金属錯体を除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
次に図面を参照しながら、本発明の実施の形態の具体例である実施例を説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
なお、以下の図面を使用した説明において、理解の容易のために説明に必要な部材以外の図示は適宜省略されている。
【実施例１】
【００１２】
図１は本発明の実施例１の微細加工装置の全体説明図である。
図１において、本発明の実施例１の微細加工装置１は、加工装置本体２と、前記加工装置本体２に電気的に接続された制御装置３とを有する。前記加工装置本体２は、ケース２ａと、前記ケース２ａ内部に支持された試料移動装置２ｂと、前記試料移動装置２ｂの上方に配置されたレーザー光源装置２ｃとを有する。前記試料移動装置２ｂは、上下方向（Ｚ軸方向）に移動可能なＺステージＳＴｚと、ＺステージＳＴｚ上で左右方向（Ｙ軸方向）に移動可能なＹステージＳＴｙと、ＹステージＳＴｙ上で前後方向（Ｘ軸方向）に移動可能なＸステージＳＴｘと、ＸステージＳＴｘ上でＸＹ平面内で回転可能な回転ステージＳＴｒとを有する。
【００１３】
前記回転ステージＳＴｒ上には、結晶水を含有するシアノ架橋金属錯体製の試料４が支持されている。なお、実施例１では、試料４は、導電性ガラス（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）の基板表面に、厚さ１μm以下のシアノ架橋金属錯体の薄膜を形成したものを使用している。実施例１の試料４では、シアノ架橋金属錯体は、Ａをアルカリ金属の少なくとも一種、Ｍを遷移金属の少なくとも一種、Ｌを遷移金属の少なくとも一種、ｘを０より大きく２以下の数、ｙを０より大きく１以下の数、ｎを０より大きく１０以下の数とした場合に、化学式ＡｘＭ［Ｌ（ＣＮ）６］ｙ・ｎＨ２Ｏで表される。実施例１では、前記Ａのアルカリ金属としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓが挙げられる。また、前記Ｍの遷移金属としては、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｖ、Ｃｕ、Ｚｎが挙げられる。また、Ｌの遷移金属としては、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉが挙げられる。また、ｘ、ｙ、ｎは、それぞれ、遷移金属Ｍの１モルに対するアルカリ金属Ａ、Ｌ（ＣＮ）６、結晶水Ｈ２Ｏの割合（モル）を示し、シアノ架橋金属錯体では、製法や構造により、ｘが０〜２、ｙが０〜１、ｎが０〜１０の値を取りうる。
なお、前記シアノ架橋金属錯体の膜は、スピンキャスト法（スピンコート法）や電解析出法等の従来公知の製膜法で作製することができる。
【００１４】
実施例１では、前記レーザー光源装置２ｃは、パルス状の波形のパルスレーザー光を照射するパルスレーザー光源装置により構成されており、焦点位置６は固定されている。また、実施例１のレーザー光源装置２ｃは、パルス幅がピコ秒（１０−１２秒）よりも小さい１〜１００フェムト秒（１０−１５秒）オーダのパルスレーザー光を照射するレーザー光源装置を使用している。このようなレーザー光源装置として、例えば、チタン・サファイアレーザー光源装置を使用することが可能であるが、チタン・サファイアレーザー光源装置に限定されず、フェムト秒オーダのパルスレーザー光を照射可能な任意のレーザー光源装置であれば任意の光源装置を使用可能である。
【００１５】
図２は、実施例１の制御装置３の制御部の機能ブロック図である。
実施例１の制御装置３は、パーソナルコンピュータにより構成されており、コンピュータ本体Ｈ１と、画像を表示するディスプレイＨ２と、キーボードＨ３およびマウスＨ４からなる入力装置Ｈ３，Ｈ４とを有する。
図２において、制御装置３の記憶装置には、微細加工プログラムＡＰ１が記憶されており、微細加工プログラムＡＰ１は、機能手段（プログラムモジュール）Ｃ１，Ｃ２を有する。
光源制御手段Ｃ１は、前記レーザー光源２ｃを制御して、パルスレーザー光の照射を制御する。なお、実施例１の光源制御手段Ｃ１は、パルスレーザー光を１ショットずつ照射可能に制御する。
加工位置制御手段Ｃ２は、ＸステージＳＴｘの位置を制御するＸステージ制御手段Ｃ２ａと、ＹステージＳＴｙの位置を制御するＹステージ制御手段Ｃ２ｂと、ＺステージＳＴｚの位置を制御するＺステージ制御手段Ｃ２ｃと、回転ステージＳＴｒの位置を制御する回転ステージ制御手段Ｃ２ｄと、を有し、試料位置移動装置２ｂの位置を制御して、試料４の位置を移動させる。
【００１６】
（実施例１の作用）
前記構成を備えた実施例１の微細加工装置１では、試料移動装置２ｂに試料４が支持された状態で、前記試料４の位置の移動により、パルスレーザー光の焦点位置６に試料４の加工対象の位置である被加工位置を一致させる。この状態で、パルス幅がフェムト秒であり且つ予め設定された閾値以上のエネルギー強度のパルスレーザー光が１ショット（１パルス分）、焦点位置６である被加工位置に照射されることにより、被加工位置６のシアノ架橋金属錯体が除去される。このとき、除去された部分の周囲、近傍のシアノ架橋金属錯体は、物性が変化することなく除去が行われる。そして、試料移動装置２ｂを制御して、シアノ架橋金属錯体を除去したい位置を、焦点位置６に順次移動させることで、設定された配列、パターン（模様）に微細加工を行うことができる。
【００１７】
（実験例）
次に、シアノ架橋金属錯体へのフェムト秒パルスレーザー光の照射により微細加工が可能であることを確認するための実験を行った。
実験例１では、照射されるフェムト秒パルスレーザー光は、波長が４００ｎｍ（３．１０［ｅＶ］、チタン・サファイアレーザーの２次高調波）および８００ｎｍ（１．５５［ｅＶ］、チタン・サファイアレーザーの基本波）のものを使用して、励起光強度（エネルギー密度）［ｍＪ／ｃｍ２］を変化させた。
シアノ架橋金属錯体の膜としては、電解析出法で析出後に酸化処理を行って作製したＮａ０．３４Ｃｏ［Ｆｅ（ＣＮ）６］０．７２・３．９Ｈ２０（以下、「膜Ａ」）と、膜Ａとは異なる条件で作製したＮａ０．７４Ｃｏ［Ｆｅ（ＣＮ）６］０．７２・３．９Ｈ２０（以下、「膜Ｂ」）とを使用した。
【００１８】
（実験例１）
図３は実験例１のシアノ架橋金属錯体の赤外吸収スペクトルの測定結果の説明図であり、横軸に波数をとり、縦軸にスペクトル強度を取ったグラフである。
実験例１では、膜Ａを使用して、シアノ架橋金属錯体の膜が形成された試料に対して、フェムト秒パルスレーザー光を照射して、赤外吸収スペクトルを測定した。レーザー光の強度は、照射前（＝０ｍＪ／ｃｍ２）、６７ｍＪ／ｃｍ２、８０ｍＪ／ｃｍ２、８６ｍＪ／ｃｍ２、として実験を行った。実験結果を図３に示す。なお、図３では、見やすさのために、スペクトルは縦軸方向にずらして記載する。
【００１９】
図３において、測定されたシアノ架橋金属錯体の赤外吸収スペクトルでは、２０９０［ｃｍ−１］と２１６０［ｃｍ−１］が、Ｆｅ２＋とＦｅ３＋のシアノ架橋金属錯体のＣＮの伸縮振動モードに対応しており、スペクトル強度が膜厚に対応している。また、波数３４００［ｃｍ−１］のピークが水（結晶水）に対応している。
そして、図３のグラフからわかるように、波長８００ｎｍのフェムト秒パルスレーザー光を使用した場合、８６ｍＪ／ｃｍ２以下のレーザー光を照射してもスペクトル形状は変化しない、すなわち、Ｆｅ２＋とＦｅ３＋の割合や結晶水の脱離等が発生しておらず、シアノ架橋金属錯体の物性が変化していないことが確認された。
【００２０】
（実験例２）
図４は実験例２の実験結果の説明図であり、横軸にエネルギー強度をとり、縦軸に正規化されたピークのスペクトル強度を取ったグラフである。
実験例２では、膜Ａを使用して、波長およびエネルギー強度を変化させたフェムト秒パルスレーザー光を、１ショット照射した場合に得られた赤外吸収スペクトルにおいて、２０９０［ｃｍ−１］と２１６０［ｃｍ−１］のスペクトル強度について、レーザー光照射前のスペクトル強度を基準として正規化した値を測定した。測定結果を図４に示す。
【００２１】
図４において、波長を４００ｎｍに設定した場合、レーザー光照射前（＝０［ｍＪ／ｃｍ２］）と、１０１［ｍＪ／ｃｍ２］、１１２［ｍＪ／ｃｍ２］では、２０９０［ｃｍ−１］と２１６０［ｃｍ−１］の両方共に、スペクトル強度に変化がなかった。すなわち、レーザー光が照射されても、シアノ架橋金属錯体の膜Ａに物性に変化がなかった。
一方、レーザー光のエネルギー強度を１２４［ｍＪ／ｃｍ２］と１３９［ｍＪ／ｃｍ２］にすると急激に減少した。すなわち、照射位置６におけるシアノ架橋金属錯体の膜厚が減少し、除去されたことが確認された。
【００２２】
図５はパルスレーザー光のエネルギーの分布の説明図である。
また、図４の実験結果をみると、膜Ａについては、１２４［ｍＪ／ｃｍ２］、１３９［ｍＪ／ｃｍ２］のグラフの測定値の傾きから、波長が４００ｎｍの場合、除去されるか否かの閾値は１１２［ｍＪ／ｃｍ２］になった。
したがって、フェムト秒パルスレーザー光は、図５に示すようなエネルギーの分布になっており、エネルギー強度が、閾値である１１２［ｍＪ／ｃｍ２］よりも大きい部分では膜Ａが除去され、１１２［ｍＪ／ｃｍ２］以下の部分では、物性が全く変化しないことが確認された。
【００２３】
同様にして、波長を８００ｎｍに設定した場合、レーザー光照射前（＝０［ｍＪ／ｃｍ２］）と、６７［ｍＪ／ｃｍ２］、７３［ｍＪ／ｃｍ２］、８０［ｍＪ／ｃｍ２］では、２０９０［ｃｍ−１］と２１６０［ｃｍ−１］の両方共に、スペクトル強度に変化がなかった。一方、レーザー光のエネルギー強度を８６［ｍＪ／ｃｍ２］にすると急激に減少し、シアノ架橋金属錯体の除去が確認された。したがって、波長が８００ｎｍの場合、閾値は、８３［ｍＪ／ｃｍ２］になった。
【００２４】
（実験例３）
図６は実験例３の実験結果の説明図であり、横軸にエネルギー強度をとり、縦軸に正規化されたピークのスペクトル強度を取ったグラフである。
実験例３では、膜Ｂを使用して、波長およびエネルギー強度を変化させたフェムト秒パルスレーザー光を、１ショット照射した場合に得られた赤外吸収スペクトルにおいて、２０９０［ｃｍ−１］と２１６０［ｃｍ−１］のスペクトル強度について、レーザー光照射前のスペクトル強度を基準として正規化した値を測定した。測定結果を図６に示す。
【００２５】
図６において、波長を４００ｎｍに設定した場合、レーザー光照射前（＝０［ｍＪ／ｃｍ２］）と、１７［ｍＪ／ｃｍ２］、２５［ｍＪ／ｃｍ２］、３８［ｍＪ／ｃｍ２］、５３［ｍＪ／ｃｍ２］、６２［ｍＪ／ｃｍ２］、７６［ｍＪ／ｃｍ２］、９９［ｍＪ／ｃｍ２］、１１４［ｍＪ／ｃｍ２］では、２０９０［ｃｍ−１］と２１６０［ｃｍ−１］の両方共に、スペクトル強度に変化がなかった。すなわち、レーザー光が照射されても、シアノ架橋金属錯体の膜については、物性に変化がなかった。
【００２６】
図７は実験例３において、１３１［ｍＪ／ｃｍ２］のフェムト秒パルスレーザー光を１ショット照射した前後の試料表面を赤外顕微鏡で観察した図であり、図７Ａはレーザー光照射前の観察図、図７Ｂはレーザー光照射後の観察図である。
一方、レーザー光のエネルギー強度を１３１［ｍＪ／ｃｍ２］にすると急激に減少した。したがって、図７Ｂの楕円で囲まれた部分に示されるように、シアノ架橋金属錯体の膜Ｂが除去されたことが確認された。なお、図７Ｂにおけるシアノ架橋金属錯体の除去された部分が左右方向に長細いのは、レーザー光が斜めから照射されたためであり、除去された領域は40μm×160μm程度であった。
なお、図６の実験結果をみると、膜Ｂについては、レーザー光の波長が４００ｎｍの場合、除去されるか否かの閾値は１２３［ｍＪ／ｃｍ２］になった。
【００２７】
（変更例）
以上、本発明の実施例を詳述したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内で、種々の変更を行うことが可能である。本発明の変更例（Ｈ01）〜（Ｈ05）を下記に例示する。
（Ｈ01）前記実施例において、使用するレーザー光の波長やエネルギー等は、例示した数値に限定されず、適宜変更可能である。
【００２８】
図８は本発明の変更例の説明図であり、図８Ａはレーザー光照射前の断面図、図８Ｂは図８Ａの膜に対してレーザー光が照射された後の断面図、図８Ｃは図８Ｂで除去された部分に成膜した状態の断面図である。
（Ｈ02）前記実施例において、基板表面に形成されたシアノ架橋金属錯体の膜に対してレーザー光を除去することで、基板表面にシアノ架橋金属錯体の配列、パターンを形成する構成を例示したが、この構成に限定されず、例えば、図８Ａ、図８Ｂに示すように、レーザー光を照射して、シアノ架橋金属錯体の膜４ａから配列に沿ってシアノ架橋金属錯体を除去した後に、除去した部分４ｂを埋めるように別の材料４ｃ（例えば、化学的な組成が異なり、物性（色等）が異なるシアノ架橋金属錯体）を埋めるように成膜することで、シアノ架橋金属錯体を有する面内超構造の基板を作製可能である。
【００２９】
（Ｈ03）前記実施例において、試料移動装置２ｂとして、４つのステージＳＴｘ、ＳＴｙ、ＳＴｚ、ＳＴｒを設ける場合を例示したが、これに限定されず、加工の必要に応じて、ステージの数を増減することも可能である。例えば、ＺステージＳＴｚを省略したり、回転が必要ない場合には回転ステージＳＴｒを省略することも可能である。
（Ｈ04）前記実施例において、レーザー光源２ｃに対して、試料移動装置２ｂを移動させることで被加工位置を移動させたが、これに限定されず、レーザー光源２ｃを移動させるように構成することも可能である。あるいは、試料４表面に、加工パターンに対応する電磁波透過部を有するマスクを配置し、マスクの上方からフェムト秒パルスレーザー光を照射するように構成することも可能である。
【００３０】
（Ｈ05）前記実施例において、１つのレーザー光を照射して、パターン等を形成する構成を例示したが、この構成に限定されず、例えば、２つのレーザー光をずらして照射することで、光の干渉効果を利用して、等間隔に並んだマイクロワイヤー（直径がμｍオーダまたはそれ以下の非常に細い線材）を作製することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
前述の本発明のシアノ架橋金属錯体の微細加工を行うことにより、例えば、膜状のシアノ架橋金属錯体についてエレクトロクロミック応答性を有する任意のパターンの表示基板を提供することができ、例えば、電場を印加すると加工時に残った部分が文字や絵として浮き上がり、電場の印加を停止すると文字や絵が消えるといったことも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１は本発明の実施例１の微細加工装置の全体説明図である。
【図２】図２は実施例１の制御装置３の制御部の機能ブロック図である。
【図３】図３は実験例１のシアノ架橋金属錯体の赤外吸収スペクトルの測定結果の説明図であり、横軸に波数をとり、縦軸にスペクトル強度を取ったグラフである。
【図４】図４は実験例２の実験結果の説明図であり、横軸にエネルギー強度をとり、縦軸に正規化されたピークのスペクトル強度を取ったグラフである。
【図５】図５はパルスレーザー光のエネルギーの分布の説明図である。
【図６】図６は実験例３の実験結果の説明図であり、横軸にエネルギー強度をとり、縦軸に正規化されたピークのスペクトル強度を取ったグラフである。
【図７】図７は実験例３において、３５０［ｍＪ／ｃｍ２］のフェムト秒パルスレーザー光を１ショット照射した前後の試料表面を赤外顕微鏡で観察した図であり、図７Ａはレーザー光照射前の観察図、図７Ｂはレーザー光照射後の観察図である。
【図８】図８は本発明の変更例の説明図であり、図８Ａはレーザー光照射前の断面図、図８Ｂは図８Ａの膜に対してレーザー光が照射された後の断面図、図８Ｃは図８Ｂで除去された部分に成膜した状態の断面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１…微細加工装置、
２ｂ…試料移動装置、
２ｃ…レーザー光源、
３…制御装置、
４…試料、
６…被加工位置，レーザー光照射位置、
Ｃ２…加工位置制御手段。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板表面に形成されたシアノ架橋金属錯体の微細加工方法および微細加工装置に関し、特に、パルス幅がフェムト秒（１０−１５秒）オーダのフェムト秒レーザー光を利用したシアノ架橋金属錯体の微細加工方法および微細加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、シアノ架橋金属錯体は、電池の電極材料や、電圧を印加すると変色するエレクトロクロミック材料、ガスを検出するガスセンサー材料、水素吸蔵材料として期待されており、精力的な研究が成されている。この研究の結果、シアノ架橋金属錯体の均質な膜が得られている。前記シアノ架橋金属錯体の膜に、製膜後の簡単な処理で、所定のパターンに沿った形状に加工するパターンニング加工等の微細加工ができれば、その応用範囲は極めて広く、このような技術が望まれている。
一般的な半導体回路における微細加工技術として、化学薬品を使用して表面を溶かして所定のパターンに加工を行う湿式エッチング（例えば、特開平１１−５４４７６号公報等参照）や、基板上に形成された金属膜に対してレーザー光を照射して、金属を溶かして所定のパターンに加工を行うレーザアブレーション技術（例えば、特開２００５−２１２０１３号公報、特開２００３−２１１４００号公報等参照）等のエッチング技術が知られている。
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−５４４７６号公報（要約書）
【特許文献２】特開２００５−２１２０１３号公報
【特許文献３】特開２００３−２１１４００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
(従来技術の問題点)
しかしながら、前記湿式エッチング技術では、化学薬品を使用するため、試料が濡れたり、変質したりする恐れがあると共に、大規模な施設が必要となり、廃液処理の問題も発生し、環境に対する配慮が問題となる。
レーザアブレーション技術は、金属材料に対して、数百パルスのレーザー光を照射して、金属を除去する技術であるが、シアノ架橋金属錯体に対して試みられたことはこれまでなかった。これは、シアノ架橋金属錯体は、光による物性（変色特性や磁気特性等）の変化が大きい材料であることが知られているためであり、レーザー光のような光を照射すると、物性が変化してしまうものと当業者の間では考えられていたためである。
なお、光を照射すると物性が変化するとの知見に基づき、本発明者は、先に、室温で光照射を行うことでシアノ架橋金属錯体中の結晶水を脱離させて物性を変化させる発明について出願を行っている（特願２００７−１９１２５５号）。
【０００５】
本発明者は、さらに鋭意研究を行い、シアノ架橋金属錯体の物性を効率的に変化させようとしたところ、想定していなかった結果であるシアノ架橋金属錯体の物性を変化させることなく、シアノ架橋金属錯体を部分的に除去可能な本発明をするに至ったものである。
前述の事情に鑑み、本発明は、簡易な方法でシアノ架橋金属錯体の微細加工を行うことを技術的課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記技術的課題を解決するために、請求項１記載の発明のシアノ架橋金属錯体の微細加工方法は、
基板表面に形成されたシアノ架橋金属錯体に、予め設定された閾値以上のエネルギー強度のパルスレーザー光を照射して、前記シアノ架橋金属錯体を除去することを特徴とする。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のシアノ架橋金属錯体の微細加工方法において、
Ａをアルカリ金属の少なくとも一種、Ｍを遷移金属の少なくとも一種、Ｌを遷移金属の少なくとも一種、ｘを０以上２以下の数、ｙを０より大きく１以下の数、ｎを０より大きく１０以下の数とした場合に、化学式ＡｘＭ［Ｌ（ＣＮ）６］ｙ・ｎＨ２Ｏで表される前記シアノ架橋金属錯体、
を備えたことを特徴とする。
【０００８】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載のシアノ架橋金属錯体の微細加工方法において、
パルス幅がフェムト秒のレーザー光であるフェムト秒レーザー光により構成された前記パルスレーザー光を使用することを特徴とする。
【０００９】
前記技術的課題を解決するために、請求項４に記載の発明のシアノ架橋金属錯体の微細加工装置は、
基板表面に形成されたシアノ架橋金属錯体製の試料と、
前記試料を支持して移動させる試料移動装置と、
前記試料に対して、パルス幅がフェムト秒のレーザー光であるフェムト秒レーザー光を、予め設定された閾値以上のエネルギー強度で照射するレーザー光源と、
前記試料移動装置を制御して、前記試料の被加工位置を、前記フェムト秒レーザー光照射位置に移動させる加工位置制御手段、を有する制御装置と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
請求項１、４に記載の発明によれば、簡易な方法でシアノ架橋金属錯体の微細加工を行うことができる。
請求項２に記載の発明によれば、化学式ＡｘＭ［Ｌ（ＣＮ）６］ｙ・ｎＨ２Ｏで表される前記シアノ架橋金属錯体について、パルスレーザー光が照射された部分のみを除去する微細加工を行うことができる。
請求項３に記載の発明によれば、１パルス分の照射で、照射部分のシアノ架橋金属錯体を除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
次に図面を参照しながら、本発明の実施の形態の具体例である実施例を説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
なお、以下の図面を使用した説明において、理解の容易のために説明に必要な部材以外の図示は適宜省略されている。
【実施例１】
【００１２】
図１は本発明の実施例１の微細加工装置の全体説明図である。
図１において、本発明の実施例１の微細加工装置１は、加工装置本体２と、前記加工装置本体２に電気的に接続された制御装置３とを有する。前記加工装置本体２は、ケース２ａと、前記ケース２ａ内部に支持された試料移動装置２ｂと、前記試料移動装置２ｂの上方に配置されたレーザー光源装置２ｃとを有する。前記試料移動装置２ｂは、上下方向（Ｚ軸方向）に移動可能なＺステージＳＴｚと、ＺステージＳＴｚ上で左右方向（Ｙ軸方向）に移動可能なＹステージＳＴｙと、ＹステージＳＴｙ上で前後方向（Ｘ軸方向）に移動可能なＸステージＳＴｘと、ＸステージＳＴｘ上でＸＹ平面内で回転可能な回転ステージＳＴｒとを有する。
【００１３】
前記回転ステージＳＴｒ上には、結晶水を含有するシアノ架橋金属錯体製の試料４が支持されている。なお、実施例１では、試料４は、導電性ガラス（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）の基板表面に、厚さ１μm以下のシアノ架橋金属錯体の薄膜を形成したものを使用している。実施例１の試料４では、シアノ架橋金属錯体は、Ａをアルカリ金属の少なくとも一種、Ｍを遷移金属の少なくとも一種、Ｌを遷移金属の少なくとも一種、ｘを０より大きく２以下の数、ｙを０より大きく１以下の数、ｎを０より大きく１０以下の数とした場合に、化学式ＡｘＭ［Ｌ（ＣＮ）６］ｙ・ｎＨ２Ｏで表される。実施例１では、前記Ａのアルカリ金属としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓが挙げられる。また、前記Ｍの遷移金属としては、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｖ、Ｃｕ、Ｚｎが挙げられる。また、Ｌの遷移金属としては、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉが挙げられる。また、ｘ、ｙ、ｎは、それぞれ、遷移金属Ｍの１モルに対するアルカリ金属Ａ、Ｌ（ＣＮ）６、結晶水Ｈ２Ｏの割合（モル）を示し、シアノ架橋金属錯体では、製法や構造により、ｘが０〜２、ｙが０〜１、ｎが０〜１０の値を取りうる。
なお、前記シアノ架橋金属錯体の膜は、スピンキャスト法（スピンコート法）や電解析出法等の従来公知の製膜法で作製することができる。
【００１４】
実施例１では、前記レーザー光源装置２ｃは、パルス状の波形のパルスレーザー光を照射するパルスレーザー光源装置により構成されており、焦点位置６は固定されている。また、実施例１のレーザー光源装置２ｃは、パルス幅がピコ秒（１０−１２秒）よりも小さい１〜１００フェムト秒（１０−１５秒）オーダのパルスレーザー光を照射するレーザー光源装置を使用している。このようなレーザー光源装置として、例えば、チタン・サファイアレーザー光源装置を使用することが可能であるが、チタン・サファイアレーザー光源装置に限定されず、フェムト秒オーダのパルスレーザー光を照射可能な任意のレーザー光源装置であれば任意の光源装置を使用可能である。
【００１５】
図２は、実施例１の制御装置３の制御部の機能ブロック図である。
実施例１の制御装置３は、パーソナルコンピュータにより構成されており、コンピュータ本体Ｈ１と、画像を表示するディスプレイＨ２と、キーボードＨ３およびマウスＨ４からなる入力装置Ｈ３，Ｈ４とを有する。
図２において、制御装置３の記憶装置には、微細加工プログラムＡＰ１が記憶されており、微細加工プログラムＡＰ１は、機能手段（プログラムモジュール）Ｃ１，Ｃ２を有する。
光源制御手段Ｃ１は、前記レーザー光源２ｃを制御して、パルスレーザー光の照射を制御する。なお、実施例１の光源制御手段Ｃ１は、パルスレーザー光を１ショットずつ照射可能に制御する。
加工位置制御手段Ｃ２は、ＸステージＳＴｘの位置を制御するＸステージ制御手段Ｃ２ａと、ＹステージＳＴｙの位置を制御するＹステージ制御手段Ｃ２ｂと、ＺステージＳＴｚの位置を制御するＺステージ制御手段Ｃ２ｃと、回転ステージＳＴｒの位置を制御する回転ステージ制御手段Ｃ２ｄと、を有し、試料位置移動装置２ｂの位置を制御して、試料４の位置を移動させる。
【００１６】
（実施例１の作用）
前記構成を備えた実施例１の微細加工装置１では、試料移動装置２ｂに試料４が支持された状態で、前記試料４の位置の移動により、パルスレーザー光の焦点位置６に試料４の加工対象の位置である被加工位置を一致させる。この状態で、パルス幅がフェムト秒であり且つ予め設定された閾値以上のエネルギー強度のパルスレーザー光が１ショット（１パルス分）、焦点位置６である被加工位置に照射されることにより、被加工位置６のシアノ架橋金属錯体が除去される。このとき、除去された部分の周囲、近傍のシアノ架橋金属錯体は、物性が変化することなく除去が行われる。そして、試料移動装置２ｂを制御して、シアノ架橋金属錯体を除去したい位置を、焦点位置６に順次移動させることで、設定された配列、パターン（模様）に微細加工を行うことができる。
【００１７】
（実験例）
次に、シアノ架橋金属錯体へのフェムト秒パルスレーザー光の照射により微細加工が可能であることを確認するための実験を行った。
実験例１では、照射されるフェムト秒パルスレーザー光は、波長が４００ｎｍ（３．１０［ｅＶ］、チタン・サファイアレーザーの２次高調波）および８００ｎｍ（１．５５［ｅＶ］、チタン・サファイアレーザーの基本波）のものを使用して、励起光強度（エネルギー密度）［ｍＪ／ｃｍ２］を変化させた。
シアノ架橋金属錯体の膜としては、電解析出法で析出後に酸化処理を行って作製したＮａ０．３４Ｃｏ［Ｆｅ（ＣＮ）６］０．７２・３．９Ｈ２０（以下、「膜Ａ」）と、膜Ａとは異なる条件で作製したＮａ０．７４Ｃｏ［Ｆｅ（ＣＮ）６］０．７２・３．９Ｈ２０（以下、「膜Ｂ」）とを使用した。
【００１８】
（実験例１）
図３は実験例１のシアノ架橋金属錯体の赤外吸収スペクトルの測定結果の説明図であり、横軸に波数をとり、縦軸にスペクトル強度を取ったグラフである。
実験例１では、膜Ａを使用して、シアノ架橋金属錯体の膜が形成された試料に対して、フェムト秒パルスレーザー光を照射して、赤外吸収スペクトルを測定した。レーザー光の強度は、照射前（＝０ｍＪ／ｃｍ２）、６７ｍＪ／ｃｍ２、８０ｍＪ／ｃｍ２、８６ｍＪ／ｃｍ２、として実験を行った。実験結果を図３に示す。なお、図３では、見やすさのために、スペクトルは縦軸方向にずらして記載する。
【００１９】
図３において、測定されたシアノ架橋金属錯体の赤外吸収スペクトルでは、２０９０［ｃｍ−１］と２１６０［ｃｍ−１］が、Ｆｅ２＋とＦｅ３＋のシアノ架橋金属錯体のＣＮの伸縮振動モードに対応しており、スペクトル強度が膜厚に対応している。また、波数３４００［ｃｍ−１］のピークが水（結晶水）に対応している。
そして、図３のグラフからわかるように、波長８００ｎｍのフェムト秒パルスレーザー光を使用した場合、８６ｍＪ／ｃｍ２以下のレーザー光を照射してもスペクトル形状は変化しない、すなわち、Ｆｅ２＋とＦｅ３＋の割合や結晶水の脱離等が発生しておらず、シアノ架橋金属錯体の物性が変化していないことが確認された。
【００２０】
（実験例２）
図４は実験例２の実験結果の説明図であり、横軸にエネルギー強度をとり、縦軸に正規化されたピークのスペクトル強度を取ったグラフである。
実験例２では、膜Ａを使用して、波長およびエネルギー強度を変化させたフェムト秒パルスレーザー光を、１ショット照射した場合に得られた赤外吸収スペクトルにおいて、２０９０［ｃｍ−１］と２１６０［ｃｍ−１］のスペクトル強度について、レーザー光照射前のスペクトル強度を基準として正規化した値を測定した。測定結果を図４に示す。
【００２１】
図４において、波長を４００ｎｍに設定した場合、レーザー光照射前（＝０［ｍＪ／ｃｍ２］）と、１０１［ｍＪ／ｃｍ２］、１１２［ｍＪ／ｃｍ２］では、２０９０［ｃｍ−１］と２１６０［ｃｍ−１］の両方共に、スペクトル強度に変化がなかった。すなわち、レーザー光が照射されても、シアノ架橋金属錯体の膜Ａに物性に変化がなかった。
一方、レーザー光のエネルギー強度を１２４［ｍＪ／ｃｍ２］と１３９［ｍＪ／ｃｍ２］にすると急激に減少した。すなわち、照射位置６におけるシアノ架橋金属錯体の膜厚が減少し、除去されたことが確認された。
【００２２】
図５はパルスレーザー光のエネルギーの分布の説明図である。
また、図４の実験結果をみると、膜Ａについては、１２４［ｍＪ／ｃｍ２］、１３９［ｍＪ／ｃｍ２］のグラフの測定値の傾きから、波長が４００ｎｍの場合、除去されるか否かの閾値は１１２［ｍＪ／ｃｍ２］になった。
したがって、フェムト秒パルスレーザー光は、図５に示すようなエネルギーの分布になっており、エネルギー強度が、閾値である１１２［ｍＪ／ｃｍ２］よりも大きい部分では膜Ａが除去され、１１２［ｍＪ／ｃｍ２］以下の部分では、物性が全く変化しないことが確認された。
【００２３】
同様にして、波長を８００ｎｍに設定した場合、レーザー光照射前（＝０［ｍＪ／ｃｍ２］）と、６７［ｍＪ／ｃｍ２］、７３［ｍＪ／ｃｍ２］、８０［ｍＪ／ｃｍ２］では、２０９０［ｃｍ−１］と２１６０［ｃｍ−１］の両方共に、スペクトル強度に変化がなかった。一方、レーザー光のエネルギー強度を８６［ｍＪ／ｃｍ２］にすると急激に減少し、シアノ架橋金属錯体の除去が確認された。したがって、波長が８００ｎｍの場合、閾値は、８３［ｍＪ／ｃｍ２］になった。
【００２４】
（実験例３）
図６は実験例３の実験結果の説明図であり、横軸にエネルギー強度をとり、縦軸に正規化されたピークのスペクトル強度を取ったグラフである。
実験例３では、膜Ｂを使用して、波長およびエネルギー強度を変化させたフェムト秒パルスレーザー光を、１ショット照射した場合に得られた赤外吸収スペクトルにおいて、２０９０［ｃｍ−１］と２１６０［ｃｍ−１］のスペクトル強度について、レーザー光照射前のスペクトル強度を基準として正規化した値を測定した。測定結果を図６に示す。
【００２５】
図６において、波長を４００ｎｍに設定した場合、レーザー光照射前（＝０［ｍＪ／ｃｍ２］）と、１７［ｍＪ／ｃｍ２］、２５［ｍＪ／ｃｍ２］、３８［ｍＪ／ｃｍ２］、５３［ｍＪ／ｃｍ２］、６２［ｍＪ／ｃｍ２］、７６［ｍＪ／ｃｍ２］、９９［ｍＪ／ｃｍ２］、１１４［ｍＪ／ｃｍ２］では、２０９０［ｃｍ−１］と２１６０［ｃｍ−１］の両方共に、スペクトル強度に変化がなかった。すなわち、レーザー光が照射されても、シアノ架橋金属錯体の膜については、物性に変化がなかった。
【００２６】
図７は実験例３において、１３１［ｍＪ／ｃｍ２］のフェムト秒パルスレーザー光を１ショット照射した前後の試料表面を赤外顕微鏡で観察した図であり、図７Ａはレーザー光照射前の観察図、図７Ｂはレーザー光照射後の観察図である。
一方、レーザー光のエネルギー強度を１３１［ｍＪ／ｃｍ２］にすると急激に減少した。したがって、図７Ｂの楕円で囲まれた部分に示されるように、シアノ架橋金属錯体の膜Ｂが除去されたことが確認された。なお、図７Ｂにおけるシアノ架橋金属錯体の除去された部分が左右方向に長細いのは、レーザー光が斜めから照射されたためであり、除去された領域は40μm×160μm程度であった。
なお、図６の実験結果をみると、膜Ｂについては、レーザー光の波長が４００ｎｍの場合、除去されるか否かの閾値は１２３［ｍＪ／ｃｍ２］になった。
【００２７】
（変更例）
以上、本発明の実施例を詳述したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内で、種々の変更を行うことが可能である。本発明の変更例（Ｈ01）〜（Ｈ05）を下記に例示する。
（Ｈ01）前記実施例において、使用するレーザー光の波長やエネルギー等は、例示した数値に限定されず、適宜変更可能である。
【００２８】
図８は本発明の変更例の説明図であり、図８Ａはレーザー光照射前の断面図、図８Ｂは図８Ａの膜に対してレーザー光が照射された後の断面図、図８Ｃは図８Ｂで除去された部分に成膜した状態の断面図である。
（Ｈ02）前記実施例において、基板表面に形成されたシアノ架橋金属錯体の膜に対してレーザー光を除去することで、基板表面にシアノ架橋金属錯体の配列、パターンを形成する構成を例示したが、この構成に限定されず、例えば、図８Ａ、図８Ｂに示すように、レーザー光を照射して、シアノ架橋金属錯体の膜４ａから配列に沿ってシアノ架橋金属錯体を除去した後に、除去した部分４ｂを埋めるように別の材料４ｃ（例えば、化学的な組成が異なり、物性（色等）が異なるシアノ架橋金属錯体）を埋めるように成膜することで、シアノ架橋金属錯体を有する面内超構造の基板を作製可能である。
【００２９】
（Ｈ03）前記実施例において、試料移動装置２ｂとして、４つのステージＳＴｘ、ＳＴｙ、ＳＴｚ、ＳＴｒを設ける場合を例示したが、これに限定されず、加工の必要に応じて、ステージの数を増減することも可能である。例えば、ＺステージＳＴｚを省略したり、回転が必要ない場合には回転ステージＳＴｒを省略することも可能である。
（Ｈ04）前記実施例において、レーザー光源２ｃに対して、試料移動装置２ｂを移動させることで被加工位置を移動させたが、これに限定されず、レーザー光源２ｃを移動させるように構成することも可能である。あるいは、試料４表面に、加工パターンに対応する電磁波透過部を有するマスクを配置し、マスクの上方からフェムト秒パルスレーザー光を照射するように構成することも可能である。
【００３０】
（Ｈ05）前記実施例において、１つのレーザー光を照射して、パターン等を形成する構成を例示したが、この構成に限定されず、例えば、２つのレーザー光をずらして照射することで、光の干渉効果を利用して、等間隔に並んだマイクロワイヤー（直径がμｍオーダまたはそれ以下の非常に細い線材）を作製することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
前述の本発明のシアノ架橋金属錯体の微細加工を行うことにより、例えば、膜状のシアノ架橋金属錯体についてエレクトロクロミック応答性を有する任意のパターンの表示基板を提供することができ、例えば、電場を印加すると加工時に残った部分が文字や絵として浮き上がり、電場の印加を停止すると文字や絵が消えるといったことも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１は本発明の実施例１の微細加工装置の全体説明図である。
【図２】図２は実施例１の制御装置３の制御部の機能ブロック図である。
【図３】図３は実験例１のシアノ架橋金属錯体の赤外吸収スペクトルの測定結果の説明図であり、横軸に波数をとり、縦軸にスペクトル強度を取ったグラフである。
【図４】図４は実験例２の実験結果の説明図であり、横軸にエネルギー強度をとり、縦軸に正規化されたピークのスペクトル強度を取ったグラフである。
【図５】図５はパルスレーザー光のエネルギーの分布の説明図である。
【図６】図６は実験例３の実験結果の説明図であり、横軸にエネルギー強度をとり、縦軸に正規化されたピークのスペクトル強度を取ったグラフである。
【図７】図７は実験例３において、３５０［ｍＪ／ｃｍ２］のフェムト秒パルスレーザー光を１ショット照射した前後の試料表面を赤外顕微鏡で観察した図であり、図７Ａはレーザー光照射前の観察図、図７Ｂはレーザー光照射後の観察図である。
【図８】図８は本発明の変更例の説明図であり、図８Ａはレーザー光照射前の断面図、図８Ｂは図８Ａの膜に対してレーザー光が照射された後の断面図、図８Ｃは図８Ｂで除去された部分に成膜した状態の断面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１…微細加工装置、
２ｂ…試料移動装置、
２ｃ…レーザー光源、
３…制御装置、
４…試料、
６…被加工位置，レーザー光照射位置、
Ｃ２…加工位置制御手段。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面に形成されたシアノ架橋金属錯体に、予め設定された閾値以上のエネルギー強度のパルスレーザー光を照射して、前記シアノ架橋金属錯体を除去することを特徴とするシアノ架橋金属錯体の微細加工方法。
【請求項２】
Ａをアルカリ金属の少なくとも一種、Ｍを遷移金属の少なくとも一種、Ｌを遷移金属の少なくとも一種、ｘを０より大きく２以下の数、ｙを０より大きく１以下の数、ｎを０より大きく１０以下の数とした場合に、化学式ＡｘＭ［Ｌ（ＣＮ）６］ｙ・ｎＨ２Ｏで表される前記シアノ架橋金属錯体、
を備えたことを特徴とする請求項１に記載のシアノ架橋金属錯体の微細加工方法。
【請求項３】
パルス幅がフェムト秒のレーザー光であるフェムト秒レーザー光により構成された前記パルスレーザー光を使用することを特徴とする請求項１または２に記載のシアノ架橋金属錯体の微細加工方法。
【請求項４】
基板表面に形成されたシアノ架橋金属錯体製の試料と、
前記試料を支持して移動させる試料移動装置と、
前記試料に対して、予め設定された閾値以上のエネルギー強度のパルスレーザー光を照射するレーザー光源と、
前記試料移動装置を制御して、前記試料の被加工位置を、前記パルスレーザー光照射位置に移動させる加工位置制御手段、を有する制御装置と、
を備えたことを特徴とするシアノ架橋金属錯体の微細加工装置。
【請求項１】
基板表面に形成されたシアノ架橋金属錯体に、予め設定された閾値以上のエネルギー強度のパルスレーザー光を照射して、前記シアノ架橋金属錯体を除去することを特徴とするシアノ架橋金属錯体の微細加工方法。
【請求項２】
Ａをアルカリ金属の少なくとも一種、Ｍを遷移金属の少なくとも一種、Ｌを遷移金属の少なくとも一種、ｘを０より大きく２以下の数、ｙを０より大きく１以下の数、ｎを０より大きく１０以下の数とした場合に、化学式ＡｘＭ［Ｌ（ＣＮ）６］ｙ・ｎＨ２Ｏで表される前記シアノ架橋金属錯体、
を備えたことを特徴とする請求項１に記載のシアノ架橋金属錯体の微細加工方法。
【請求項３】
パルス幅がフェムト秒のレーザー光であるフェムト秒レーザー光により構成された前記パルスレーザー光を使用することを特徴とする請求項１または２に記載のシアノ架橋金属錯体の微細加工方法。
【請求項４】
基板表面に形成されたシアノ架橋金属錯体製の試料と、
前記試料を支持して移動させる試料移動装置と、
前記試料に対して、予め設定された閾値以上のエネルギー強度のパルスレーザー光を照射するレーザー光源と、
前記試料移動装置を制御して、前記試料の被加工位置を、前記パルスレーザー光照射位置に移動させる加工位置制御手段、を有する制御装置と、
を備えたことを特徴とするシアノ架橋金属錯体の微細加工装置。
【図１】
【図２】
【図４】
【図５】
【図６】
【図８】
【図３】
【図７】
【図２】
【図４】
【図５】
【図６】
【図８】
【図３】
【図７】
【公開番号】特開２０１０−１０５０２８（Ｐ２０１０−１０５０２８Ａ）
【公開日】平成２２年５月１３日（２０１０．５．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２８０７１１（Ｐ２００８−２８０７１１）
【出願日】平成２０年１０月３１日（２００８．１０．３１）
【出願人】（５９９１１２５８２）財団法人高輝度光科学研究センター (35)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年５月１３日（２０１０．５．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１０月３１日（２００８．１０．３１）
【出願人】（５９９１１２５８２）財団法人高輝度光科学研究センター (35)
【Ｆターム（参考）】
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