【課題】溶液塗布法による正孔注入輸送層の形成が可能で、デバイスの寿命の向上が可能な正孔注入輸送層用材料及びその製造方法、溶液塗布法により正孔注入輸送層を形成可能で、且つ、デバイスの寿命の向上が可能な正孔注入輸送層形成用インク及びその製造方法、高寿命なデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】モリブデン錯体と下記化学式（１）で表される化合物との反応生成物である、正孔注入輸送層用材料である。


（化学式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｘ^１及びＸ^２は、酸素原子、硫黄原子、または直接結合を表す。） （もっと読む）

【課題】活性酸素種捕捉用薬剤あるいは各種の活性酸素種の同定と活性酸素種の機能解析などとして有用な立体配座が規定された高純度ニトロン化合物を開発する。
【解決手段】下記一般式（１）
【化１】
［式中、Ｒは各種活性酸素種と置換反応が可能な水素原子、重水素原子、トリチュウム原子を表す。］で示されるリン原子と炭素原子との原子間結合を回転軸とする立体配座がゴーシュ型の２−（５，５−ジメチル−２−オキソ−２λ^５−［１，３，２］ジオキサフォスフィナン−２−イル）−２−メチル−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピロール１−オキサイド化合物およびその製造方法。 （もっと読む）

本発明は、ａ）ホスフィン酸ソース物質（Ｉ）を、オレフィン（ＩＶ）を用いて触媒Ａの存在下でアルキル亜ホスホン酸、その塩またはそのエステル（ＩＩ）に変換するステップ、および、ｂ）それにより生じたアルキル亜ホスホン酸、その塩またはそのエステル（ＩＩ）を、オレフィン（ＩＶ）を用いて、触媒Ｂの存在下で、混合置換ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＩＩＩ）に変換するステップからなることを特徴とする、混合置換ジアルキルホスフィン酸、混合置換ジアルキルホスフィン酸エステル、および混合置換ジアルキルホスフィン酸塩を調製する方法に関し、式（ＩＩＩ）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４は、同じであるか、または異なっており、相互に独立して、何よりも特にＨ、Ｃ_１〜Ｃ_１８−アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８−アリール、Ｃ_６〜Ｃ_１８−アラルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８−アルキルアリールであり、Ｘは、Ｈ、Ｃ_１〜Ｃ_１８−アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８−アリール、Ｃ_６〜Ｃ_１８−アラルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８−アルキルアリール、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｃｅ、Ｂｉ、Ｓｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、および／またはプロトン化窒素塩基を表わしており、また触媒Ａは、各種遷移金属および／または各種遷移金属化合物、および／または、いずれか一つの遷移金属および／またはいずれか一つの遷移金属化合物に、少なくとも一つのリガンドを結合した触媒系であり、また触媒Ｂは、過酸化物を生成する化合物および／またはペルオキソ化合物および／またはアゾ化合物である。
（もっと読む）

本発明は、 アルキルホスホン酸、アルキルホスホン酸エステル、およびアルキルホスホン酸塩を製造する方法であって、
ａ） ホスフィン酸源（Ｉ）をオレフィン（ＩＶ）と、触媒Ａの存在下で、アルキル亜ホスホン酸、その塩またはエステル（ＩＩ）に転化し、
ｂ） それにより生じたアルキル亜ホスホン酸、その塩またはエステル（ＩＩ）を、酸化剤でもって、または酸化剤および水でもって、または触媒Ｂの存在下で酸素および水でもって、アルキルホスホン酸誘導体（ＩＩＩ）に転化することを特徴とする、上記方法に関する。
【化１】


（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４は、同一または異なっていて、そして相互に独立して、Ｈ、Ｃ_１〜Ｃ_１８−アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８−アリール、Ｃ_６〜Ｃ_１８−アラルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８−アルキルアリール等であり、そしてＸおよびＹは、同一または異なっていて、そして相互に独立して、Ｈ、Ｃ_１〜Ｃ_１８−アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８−アリール、Ｃ_６〜Ｃ_１８−アラルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８−アルキルアリール、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｃｅ、Ｂｉ、Ｓｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、および／またはプロトン化窒素塩基を示し、そして触媒ＡおよびＢは、遷移金属および／または遷移金属化合物および／または一つの遷移金属および／または一つの遷移金属化合物および少なくとも一つの配位子から構成された触媒系である。）
（もっと読む）

本発明は、モノカルボキシ官能化ジアルキルホスフィン酸、−エステル及び−塩の製造方法であって、
ａ）ホスフィン酸源（Ｉ）を、触媒Ａの存在下にオレフィン（ＩＶ）と反応させて、アルキル亜ホスホン酸、それの塩またはエステル（ＩＩ）とし、
ｂ）こうして生じたアルキル亜ホスホン酸、それの塩またはエステル（ＩＩ）を、触媒Ｂの存在下にα，β−不飽和カルボン酸誘導体（Ｖ）と反応させて、次式
【化１】


のモノカルボキシ官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＩＩＩ）とし、この際、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７は、同一かまたは異なり、互いに独立して、中でも、Ｈ、Ｃ_１−Ｃ_１８−アルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アリール、Ｃ_６−Ｃ_１８−アラルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アルキルアリールを意味し、そしてＸ及びＹは、同一かまたは異なり、そして互いに独立してＨ、Ｃ_１−Ｃ_１８−アルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アリール、Ｃ_６−Ｃ_１８−アラルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アルキルアリール、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｃｅ、Ｂｉ、Ｓｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ及び／またはプロトン化された窒素塩基を表し、そして触媒Ａは、遷移金属、及び／または遷移金属化合物、及び／または遷移金属及び／または遷移金属化合物と少なくとも一つの配位子から構成される触媒系であり、そして触媒Ｂは、過酸化物形成化合物、及び／またはパーオキソ化合物、及び／またはアゾ化合物、及び／またはアルカリ金属−及び／またはアルカリ土類金属、−水素化物及び／または−アルコレートである、前記方法に関する。
（もっと読む）

【課題】半導体製造業者らから求められる、ＴＥＰＯ中の砒素の低濃度化を達成する方法が必要とされる。
【解決手段】砒素含有不純物を有する粗製トリエチルホスフェート（ＴＥＰＯ）からの砒素含有不純物の除去方法は以下の方法を含む：トリエチルホスフェートと比べて砒素含有不純物を選択的に吸着する吸着剤を準備すること；砒素含有不純物を有する粗製トリエチルホスフェートを吸着剤と接触させること；及び砒素含有不純物を有する粗製トリエチルホスフェートから砒素含有不純物を吸着して、減少した砒素含有不純物を有する製品トリエチルホスフェートを作ること。 （もっと読む）

【課題】取扱い容易な出発物質を使用し特殊な精製工程を経ずに、効率的に高純度の長鎖脂肪族亜リン酸エステルを製造する方法を提供すること。
【解決手段】脂肪族亜リン酸エステルＰ（ＯＲ^１）_３と脂肪族アルコールＲ^２ＯＨとをエステル交換反応させる、脂肪族亜リン酸エステルＰ（ＯＲ^２）_３の製造方法。 （もっと読む）

次式（Ｉ）：


（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立に、１〜６個の炭素原子を有するアルキル基であり、ｎは１〜６の整数である）で表されるビスホスホノアミン化合物は、放射性画像診断のための窒化テクネチウム錯体を調製するための中間体として極めて有用である。
（もっと読む）

【課題】 結合位置に炭素原子を有する有機基又は水素原子を有するジチオレート系金属錯体を収率よくかつ簡便に製造する。
【解決するための手段】 式（１）で表わされる化合物を塩基と作用させた後金属化合物と反応させてから多孔質無機化合物の存在下で酸化反応させる。


｛式（１）中Ｒ¹及びＲ²はそれぞれ独立して結合位置に炭素原子を有する置換されていても良い有機基又は水素原子を示す。なおＲ¹及びＲ²は一体となって環を形成していても良い。またＸは酸素原子又は硫黄原子を示す。｝ （もっと読む）

高スピロ異性体含量のペンタエリスリトールジホスファイトの生成のための方法を開示する。そのペンタエリスリトールジホスファイトは、モノホスファイト、続いて置換フェノールまたは他のアルコールを用いるペンタエリスリトールの一連のエステル交換によって生成され、そのエステル交換反応は、温度および圧力の制御された条件下で実施される。その独特の反応条件は、高スピロ異性体含量の中間体ペンタエリスリトールジホスファイトおよび最終的なペンタエリスリトールジホスファイトならびにそのジホスファイトの高い全収率を生じる。 （もっと読む）