【課題】 釜内の減圧を効率良く行い、短時間でポリマ溶液内から有機溶剤を除去する方法を提供する。
【解決手段】 反応釜中のポリマ溶液を真空設備によって減圧状態にして有機溶剤を除去する方法において、加熱部を備えた反応釜１、蒸発させた有機溶剤を凝縮させるコンデンサ４、有機溶剤を回収するレシーバタンク５、レシーバタンク内の液を抜出すポンプ６、釜内を減圧する真空設備８、及び常圧のタンク７を備え、レシーバタンクに溜まった有機溶剤をレシーバタンク内の液を抜出すポンプ（送液ポンプ）により減圧状態の系内から系外の常圧タンクに移送するポリマ溶液からの有機溶剤除去方法。 （もっと読む）

本発明は、側方置換された光整列材料、それの組成物、並びに光学及び電気光学装置、特に液晶装置（ＬＣＤｓ）のためのその使用に関する。 （もっと読む）

【解決手段】Ｃ_p−Ｏ−Ｃ_q（但し、ｐ、ｑは炭素数を表わし、２≦ｐ≦６、２≦ｑ≦６であり、各炭素鎖には酸素原子と共役する不飽和結合を含まない）結合を含有する炭素数４〜８の直鎖状又は分岐状の酸素含有炭化水素鎖で結合された２個以上のケイ素原子を含有し、かつ該２個以上のケイ素原子はいずれも１個以上の水素原子又は炭素数１〜４のアルコキシ基を有するプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜形成用有機シラン化合物。
【効果】従来、疎水性を向上させようとした場合には成膜速度に犠牲を払ってきたが、本発明のプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜形成用有機シラン化合物によれば、膜の疎水性と誘電率特性を確保した上で、成膜速度の低下を抑制することができる。
また、本発明のプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法を多層配線絶縁膜の成長方法として利用することにより、配線信号遅延の少ない半導体集積回路を安定して製造することができる。 （もっと読む）

本発明は、ポリマー組成物の調製方法に関し、該方法は、脂肪族縮合ポリマーを一般式（Ｉ）の環式エステルと溶融混合することを含み、ここでＸは、環中に存在する２個もしくは３個以上の炭素原子を有する、置換されていてもよい脂肪族炭化水素である。

（もっと読む）

【課題】各種部品等に成形する際の成形性に優れ、且つリワーク品やリサイクル品を原料として用いても製造が可能であり、更に成形体とした際に、熱時剛性、耐熱性、耐薬品性、表面外観などに優れるブロック共重合体を提供する。
【解決手段】（Ａ）重合体中の構成単位がポリカーボネートと他の異なる重合体成分であって、該他の異なる重合体成分が、ポリアミド、ポリエステル、およびポリアリレートからなる群から選択される重合体成分に、（Ｂ）亜リン酸エステル化合物および（Ｃ）亜リン酸金属塩および／または次亜リン酸金属塩を配合し溶融混練し得られるブロック共重合体であって、下記式（１）で示されるＹが０．１〜０．５であり、（Ａ）成分１００重量部に対する（Ｂ）成分の量が０．０５〜１０重量部であり、（Ｃ）成分の量が０．０５〜２．５重量部であるブロック共重合体の製造方法。
（もっと読む）

【課題】ポリマーの熱分解による着色を抑制して品質を向上させること。
【解決手段】本発明は、被重合物を溶融状態で重合させてポリマーを合成するポリマー合成装置において、一方の供給口から導入された被重合物を溶融状態で撹拌して移送し、他方の排出口から排出する横型の反応容器１７と、この反応容器１７の供給口と排出口との間に形成される開口から溶融状態の被重合物を反応容器内に添加する添加手段と、反応容器内の供給口と排出口との間の溶融物の温度を検出する温度検出手段と、この温度検出手段の検出温度に基づいて、添加手段により添加される被重合物の添加量を制御する制御手段とを備えて構成される。このように反応容器１７内に溶融物よりも温度の低い被重合物を添加することにより、溶融物の温度上昇を抑制できるため、溶融物の熱分解に伴う着色を防止できる。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤（主にハロゲン溶媒：ＶＯＣ化合物）やスルホン架橋抑制剤等を用いることなく、高収率で安定した品質のスルホン化物を得る。
【解決手段】安息角が５０度以下であり、流動性指数が４０以上である粉末状の芳香族化合物を、ＳＯ₃ガス雰囲気下で、流動させた状態で、スルホン化を行う。 （もっと読む）

【課題】 熱硬化性樹脂を、効率よく有機溶媒可溶物質に分解する熱硬化性樹脂の分解方法およびリサイクル方法を提供する。
【解決手段】 本発明の分解方法では、炭素数１１〜１８の脂肪族１価アルコール、炭素数１２〜１８のアルキル基で置換されたフェノール、モノアミン、アミノアルコール、およびアミノ化合物よりなる有機化合物の群から選択された少なくとも１種と、水とを用いて、超臨界または亜臨界状態において、熱硬化性樹脂を、有機溶媒可溶物質に分解する。 （もっと読む）

【課題】有機モノマーを反応ガス中に材料ガスとして含ませてプラズマによる重合を行う事により、特性が優れた薄膜のハードマスクを形成する。
【解決手段】容量結合式のプラズマCVD装置により半導体基板上に炭化水素系ポリマー膜を形成する方法において、ビニル基、アセチレン基で置換されていない沸点約２０℃〜約３５０℃の炭化水素系液体モノマー(C_αH_βX_γ、α，β：５以上の自然数，γ：0を含む整数、X：O、N、またはF) を気化させる工程、該気化したガスを基板が置かれたCVD反応室に導入する工程、及び該ガスをプラズマ重合させることにより該基板上に炭化水素系ポリマー膜を形成する工程、を包含する。 （もっと読む）