【課題】ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を改善し、パターン倒れを抑制できる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスの提供。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（Ｉ−１）〜（Ｉ−３）のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位と、ラクトン構造、サルトン構造及びシアノ基からなる群より選択される少なくとも１種を含有する繰り返し単位とを有する樹脂、及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
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【課題】耐熱性、無機密着性、湿熱安定性を有し、かつ、高度な光学等方性（低複屈折性）を有する光学等方性支持板、インナータッチパネル用光学等方性支持板及びインナータッチパネルを提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される第一の構造単位５０〜９５質量％と、下記式（２）で表される第二の構造単位０．１〜２０質量％と、下記式（３）で表される第三の構造単位０．１〜４９．９質量％とを有するアクリル系熱可塑性樹脂で形成される光学等方性支持板１２。




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【課題】有機溶剤現像時のパターン部の意図しない溶解に起因する解像性及び矩形性の低下を防ぎ、ドライエッチング耐性に優れ、特にＫｒＦ露光に好適なパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（ア）酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰返し単位を有する樹脂（Ａ）、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）、及び溶剤（Ｃ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）該露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型パターンを形成する工程を有するパターン形成方法であって、樹脂（Ａ）中の全繰返し単位に対して、下記一般式（Ｉ）で表される繰返し単位の含有量が２０モル％未満で、かつ一般式（Ｉ）以外の非フェノール系芳香族基を有する繰返し単位を有する、パターン形成方法。
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【課題】安価に実施可能であり、段差基板上でのパターン形成性に優れたパターン形成方法、及び該方法に使用するための感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の提供。
【解決手段】（ア）側鎖にラクトン環構造を有する特定のアクリル酸エステル繰り返し単位（ａ）、ならびに下記一般式（III）、（IV）及び（V）の少なくとも１つで表される少なくとも１種の繰り返し単位（ｂ）を有する樹脂（Ｐ）と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）とを含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程と、（イ）前記膜をＫｒＦエキシマレーザーにて露光する工程と、（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて前記膜を現像し、ネガ型のパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法。
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【課題】本発明の目的は、通常露光（ドライ露光）によるパターニングにおいて、１００ｎｍ以下の微細パターンの形成においても、プロファイル形状、パターン倒れ、露光ラチチュード性能に優れ、液浸露光によるパターニングにも優れたポジ型レジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、（Ｃ）エステル結合が窒素原子に結合した構造を有するアミン化合物を含有することを特徴とするレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位及び／又は酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位とオキシラン環又はオキセタン環を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】本発明によるレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高く、酸拡散を抑制する特徴を有する。このフォトレジスト膜を用いて格子状パターンのマスクを使って露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よく形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】従来から知られるレジスト組成物では、レジストパターン製造時のフォーカスマージン（ＤＯＦ）が必ずしも十分ではない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１は炭素数２〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。但し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基のうち、環Ｗと結合するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わらない。環Ｗは、炭素数２〜３６の複素環を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】 高解像性で良好な形状の孤立ラインパターンを形成することができ、且つ、ラフネス特性を含む他のレジスト性能にも優れる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、これを用いた感活性光線性又は感放射線性膜、及びパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】 少なくとも１つのフェノール性水酸基と、フェノール性水酸基の水素原子が下記一般式（１）で表される基によって置換されている基を少なくとも１つ含む化合物（Ｐ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。（式中の各符号は、特許請求の範囲及び明細書に記載の意味を表す。）
【化１】
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【課題】改良されたＬＷＲ及びエッチング制御を示すフォットレジストポリマーを提供する。
【解決手段】式（Ｉ）：


（式中、Ｌ_１はｍ価のＣ_２−３０アルキレン、Ｃ_３−３０シクロアルキレン、Ｃ_６−３０アリーレン、Ｃ_７−３０アラルキレン基であり、Ｘ_１は独立して、β−ジケトン、β−エステル−ケトン、β−ジ−エステル、または前記のものの少なくとも１種を含む組み合わせを含む塩基可溶性有機基である）の塩基可溶性モノマーと；式（Ｉ）の塩基可溶性モノマーに共重合可能な追加のモノマーと；の重合生成物を含むコポリマー。 （もっと読む）

【課題】向上したＬＥＲ性能を示すフォトレジスト組成物の提供。
【解決手段】フォトレジスト組成物は、酸感受性ポリマー、および式


を有する環式スルホニウム化合物を含む組成物。（式中、各Ｒ^ａは独立して置換もしくは非置換のＣ_１−３０アルキル基、Ｃ_６−３０アリール基、Ｃ_７−３０アラルキル基、または前記のものの少なくとも１種を含む組み合わせであり、Ａｒは単環式、多環式、または縮合多環式Ｃ_６−３０アリール基であり、各Ｒ^ｂは独立してＨ、Ｆ、線状もしくは分岐のＣ_１−１０フルオロアルキル、または線状もしくは分岐のへテロ原子含有Ｃ_１−１０フルオロアルキルであり、ＬはＣ_１−３０連結基であって、場合によってはヘテロ原子を含むものであり、このヘテロ原子はＯ、Ｓ、Ｎ、Ｆまたは前記のヘテロ原子の少なくとも１種を含む組み合わせを含む。） （もっと読む）

【課題】フォーカスマージン（ＤＯＦ）が満足できるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】以下の（Ａ）及び（Ｂ）を含有するレジスト組成物。（Ａ）式（ａ）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂


［式（ａ）中、Ｒ^１は、水素原子又はメチル基を表す。Ａ^１は、式（ａ−ｇ１）：−（Ａ^１０−Ｘ^１０）_ｓ−Ａ^１１−（式（ａ−ｇ１）中、ｓは０〜２の整数を表す。Ａ^１０及びＡ^１１は、それぞれ独立に、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基等を表す。Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基等を表す。）で表される基を表す。Ｒ^２は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基等を表す。］（Ｂ）酸発生剤 （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；Ａ¹は、式（ａ−ｇ１）で表される基；ｓは０〜２の整数；Ａ^１０は脂肪族炭化水素基；Ａ^１１は、単結合又は脂肪族炭化水素基、但し、ｓ＝０の時、Ａ^１１は単結合ではない；Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基又はオキシカルボニルオキシ基；環ＷＲ^２は、置換基を有していてもよいラクトン環基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたマスクエラーファクターを有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；ｒは１又は２；Ａ¹は、式（ａ−ｇ１）で表される基；ｓは０〜２の整数；Ａ^１０は脂肪族炭化水素基；Ａ^１１は、単結合又は脂肪族炭化水素基；Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基又はオキシカルボニルオキシ基、但し、Ａ^１１が単結合の時、ｓ＝１かつＸ^１０は酸素原子である；Ｒ^２は、酸に不安定な基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；Ａ¹は、式（ａ−ｇ１）で表される基；環Ｗ^１は、置換基を有していてもよいスルトン環；ｓは０〜２の整数；Ａ^１０は脂肪族炭化水素基；Ａ^１１は、単結合又は脂肪族炭化水素基；Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基又はオキシカルボニルオキシ基を表す。] （もっと読む）

【課題】ＣＤ均一性（ＣＤＵ）に優れたレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂と、式（Ｂ１）で表される塩と、溶剤とを含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；ｎは１〜３の整数；Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^b1は単結合又は２価の飽和炭化水素基を表し、該基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい；Ｙは置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】従来のレジスト組成物では、得られるパターンのマスクエラーファクター（ＭＥ
Ｆ）が必ずしも十分に満足できない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。


［式（Ｉ）中、Ｔ１は、単結合又は芳香族炭化水素基を表す。Ｌ１は、飽和炭化水素基を
表し、該飽和炭化水素基を構成しているメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き
換わっていてもよい。ｍは０又は１を表す。Ｌ２及びＬ３は、単結合又は飽和炭化水素基
を表し、該飽和炭化水素基を構成しているメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置
き換わっていてもよい。環Ｗ１及び環Ｗ２は、炭化水素環を表す。Ｒ１及びＲ２は、水素
原子、ヒドロキシ基又はアルキル基を表す。Ｒ３及びＲ４は、ヒドロキシ基又はアルキル
基を表す。Ｒ５は、水素原子又はメチル基を表す。ｔは、０〜２の整数を表す。ｕは、０
〜２の整数を表す。］ （もっと読む）

【課題】解像性、感度、及び経時安定性に優れ、かつ良好な形状のパターン形成を可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いた感活性光線性又は感放射線性樹脂膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基およびプロトンアクセプター基をともに有する繰り返し単位（Ａ）を備えた樹脂（Ｐ）を含有している。 （もっと読む）

【課題】優れたパターン倒れ耐性（ＰＣＭ）を有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表す。環Ｗ^２は置換基を有していてもよい炭素数３〜３４のラクトン環を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたマスクエラーファクター（ＭＥＦ）を有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は水素原子又はメチル基；ｎは１〜３の整数；Ａ¹は式（ａ−ｇ１）で表される基；ｓは０〜２の整数；Ａ^１０は脂肪族炭化水素基；Ａ^１１は、単結合又は脂肪族炭化水素基、但し、ｓ＝０の時、Ａ^１１は単結合ではない；Ｘ^１０は、酸素原子を含む基を表す。］ （もっと読む）

【課題】半導体の微細加工に利用できるレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。［式（Ｉ）中、Ｔ^１は、単結合又は芳香族炭化水素基を表し、Ｌ^１は、２価の炭素数１〜１７の飽和炭化水素基を表し、ｍは０又は１を表し、Ｌ^２及びＬ^３は、単結合又は２価の炭素数１〜６の飽和炭化水素基を表し、環Ｗ^１及び環Ｗ^２は、炭素数３〜３６の炭化水素環を表し、Ｒ^１及びＲ^２は、水素原子等を表し、Ｒ^３及びＲ^４は、ヒドロキシ基等を表し、Ｒ^５は、水素原子又はメチル基を表し、ｔは、０〜２の整数を表し、ｕは、０〜２の整数を表す。］
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